1-Cours-Eletronique-De-Base (1) - Copie

Chap. 1 M.
AOUTOUL
Rappel d’Electrocinétique
Théorèmes généraux
Sommaire
1. Définitions
1. Dipôle
2. Dipôle linéaire
3. Dipôle passif, dipôle actif
4. Source de tension, source de courant
5. Réseau linéaire
6. Source dépendante
2. Techniques d’analyse des circuits

1. Lois de Kirchhoff
2. Diviseur de Tension
3. Diviseur de courant
1
Chap. 1
Rappel d’Electrocinétique
Théorèmes généraux
Sommaire (suite)
2. Techniques d’analyse des circuits (suite)
4. Transformation Triangle – Etoile (∆−Y)
5. Les courants fictifs (courants de mailles)
6. Théorème de Millman
7. Transformation de sources
8. Théorème de Thévenin
9. Théorème de Superposition
10. Transfert maximal de puissance
2
Chap. 1
1. Définitions
3
Chap. 1 – 1. Définitions
Composants linéaires
La tension aux bornes d’un
composant LINEAIRE est par
définition proportionnelle au
courant qui le traverse
La caractéristique I = f(U) d’un dipôle

linéaire est de la forme: I = aU + b
Exemple
Resistance: I = GU où G est la conductance
1 U0
I =− U+
Source de tension réelle: r r où r est sa résistance
interne 4
Chap. 1
Composants linéaires en domaine harmonique
Les composant linéaires:
U (ω ) = Z (ω ) .I (ω )
Dans ce cas le facteur de proportionnalité est nommé

impédance qui est en fonction de la fréquence.
5
Dipôle Passif, Actif

Pour un dipôle passif, on a I=0 si U=0. Les trois circuits passifs
principaux sont la résistance, la bobine d’induction et la capacité.
Pour un dipôle actif la tension à vide n’est pas nulle.
Exemple
Le dipôle 1 est linéaire et passif (il s’agit
d’une résistance)
Le dipôle 2 est non linéaire et passif
(diode)
Le dipôle 3 est linéaire et actif (générateur
de tension non idéal)
Le dipôle 4 est linéaire et actif (générateur
de tension idéal)
6
Générateur de Tension
Générateur de tension idéal
Il délivre une tension U indépendante du courant I délivré au
circuit externe.
→ la tension aux bornes de la source est indépendante de la charge

Générateur de tension réel
7
Générateur de Courant
Générateur de courant idéal
→ le courant fourni par la source est indépendant de la charge

Générateur de courant réel V∈domaine de linéarité
domaine de fonctionnement
Ri : résistance interne de la source
linéaire ou “domaine de
U U
linéarité” I = I0 − si I ≫ ⇒ I ≅ C te = I 0
Ri Ri
8
Sources et domaine de linéarité

domaine de fonctionnement
linéaire ou “domaine de
linéarité”
Le domaine de linéarité défini la “plage de fonctionnement”

du composant en tant que source de courant ou de tension
9
Réseau Linéaire
Un circuit est dit linéaire lorsque la réponse (tension ou intensité
du courant) à une de ses branches est une fonction linéaire de ses
sources (de tension et de courant)
Réseau linéaire N’est pas un Réseau linéaire
10
Les sources liées (dépendantes ou contrôlées)

Les source dépendantes sont des sources de tension ou de courant
contrôlées par une autre grandeur physique soit un courant
passant dans une autre branche du réseau ou la tension aux bornes
d’un autre dipôle du réseau.
Les sources dépendantes suivent les mêmes règles que les sources
de tension et de courant ordinaires.
11
Remarque: Les sources liées (dépendantes) sont souvent
schématisées comme suit,
Exemple de circuits comportant des sources dépendantes: (a) de courant ix,

(b) de tension vx 12
Chap. 1
Techniques d’Analyse des Circuits
Le physicien allemand Gustav Kirchhoff a

établi en 1845 deux lois qui fondent tous les
calculs sur les circuits électriques.
13
Chap. 1 – 2. Techniques d’analyse des circuits
Lois de Kirchhoff
Les lois de Kirchhoff sont les deux lois de base de l’analyse de
circuits électriques. Une des lois s’applique aux nœuds, et l’autre
s’applique aux mailles (boucles).
Loi de Kirchhoff des tensions
La somme des différences de potentiel le long d’une maille est nulle.
Cette loi est baptisée loi des mailles ou première loi de Kirchhoff
( )
W F e = e ( vB − v A )
A→ B
( )
⇒ ∑ Wi F e = e ( vB − v A ) + ( vC − vB )
+ ( vD − vC ) + ( vA − vD )  = 0
⇒ v1 + v2 + v3 + v4 = 0 ou ∑v
i
i =0
14
Loi de Kirchhoff des courants

Le mouvement des charges créant le courant électrique est soumis aux lois
fondamentales de la physique: Conservation de la quantité du mouvement,
conservation de l’énergie et conservation de la matière (ici c’est la charge)
Par conséquence, en un nœud il ne peut y avoir accumulation des

charges
Et donc on a pour l’exemple ci-contre: i1 + i4 + i5 = i2 + i3
Autrement dit: La somme des courants entrant est

égale à la somme des courants sortant. Cette loi est
baptisée loi des nœuds ou seconde loi de Kirchhoff
∑ii
i =0
15
Diviseur de tension
Le diviseur de tension est une
méthode basée sur KLV pour
accélérer le calcul de tensions
dans un circuit où circule le Ri
uRi = vs
même courant i
∑ Rii
Diviseur de courant
Cette technique est basée sur KLC
pour accélérer le calcul des courants
dans des branches en parallèle
contenant des résistances
(impédances) alimentées par une Yj
ij = is
source de courant principal is (ou I s )
KLC/V: Kirchhoff Law Current/Voltage
∑Y
j
j 16
Transformation Triangle – Étoile (ou ∆−Y)
 Rb Rc
 R1 =
 Ra + Rb + Rc
 Ra Rc
Étoile  R2 =
 Ra + Rb + Rc
 Ra Rb
 R3 =
 Ra + Rb + Rc
 R1 R2 + R1 R3 + R2 R3
R
 a =
 R1
 R1 R2 + R1 R3 + R2 R3
Triangle  Rb =
 R2
 R1 R2 + R1 R3 + R2 R3
 Rc =
 R3 17
Transformation Triangle – Étoile (ou ∆−Y) - Exemple
Calculer la puissance dissipée

dans la résistance de 18Ω
30 ×10 10
R1 = = Ω
10 + 30 + 50 3 Chercher V
30 × 50 50 puis 18i par
R2 = = Ω
10 + 30 + 50 3 la technique
50 × 10 50 de diviseur
R3 = = Ω
10 + 30 + 50 9 de tension
18
p = 18i2 (W)
Transformation Triangle – Étoile (ou ∆−Y)
Exemple d’application (Exercice): Filtres en

T ou π
a. Utiliser la transformation Y-∆ pour montrer que si R = RL
donc Rab = RL
b. Si la condition de la question (a) est maintenue montrer
que vo = 0,5
vi
Atténuateur 19
Méthode des courants fictifs (courants des mailles)

Procédure:
On cherche le nombre de mailles indépendantes: M
M = B – (N-1)
M: nombre de mailles indépendantes
B: Nombre de branches; N: nombre de nœuds
1. on définit pour chaque un courants et sens de parcours (souvent les
sens sont les mêmes)
2. On écrit pour chaque maille l’équation de maille dont les inconnus
sont les courants de maille (Loi des mailles)
3. On résout le système d’équations
4. On calcule les courants qui circulent dans chaque branche à partir des
courants de mailles
5. On en déduit la différence de potentiel entre deux nœuds en utilisant
les lois des dipôles (loi d’Ohm)
Avantage: Déterminer tous les courants dans l’ensemble des branches

20
Désavantage: Les calculs sont lourds pour un réseau compliqué
Nombre de nœuds
N=3
Nombre de branches
B=5
Nombre de mailles
indépendantes:
M = B – (N-1)
= 5 – (3-1) = 3
Méthode des courants de mailles- Exemple
2 Nœuds (N=2)
3 Branches (B = 3)
2 Mailles independ.
2 courants de mailles:
ia = i1; ib = i2; i3 = ia – ib
−v1 + R1ia + R3 (ia − ib ) = 0 ( R1 + R3 ) ia − R3ib = v1

v 2 + R2ib − R3 (ia − ib ) = 0 − R3ia + ( R2 + R3 ) ib = −v2 21
Méthode des courants fictifs (courants des mailles) – cas

particulier: Source de courant seule dans une branche
Remarque: Lorsqu’une branche contient une source de courant
indépendante, le nombre des équation à résoudre se réduit.
Exemple
5 branches où les courants
sont inconnus; 4 Nœuds
essentiels, donc le nombre
d’équations à résoudre est:
5 – (4 – 1) = 2
3 ( ia − ib ) + v + 6ia = 100 (1)
4ic − v + 2 ( ic − ib ) = −50 (2)
(1) + (2) : 9ia − 5ib + 6ic = 50 (3) 22
Maille b 3 ( ib − ia ) + 10ib + 2 ( ib − ic ) = 0 (4)

On réduit les équations (3) et (4) à deux équations avec deux
inconnus grâce à la condition assurée par la source du courant 5A.
Source du courant: ic − ia = 5 (5)
D’où ia = 1.75A ib = 1.25A ic = 6.75A
Concept de la maille suprême
(Supermesh en anglais)
-100+3 ( ia − ib ) + 2 ( ic − ib )
+50 + 4ic + 6ia = 0
9ia − 5ib + 6ic = 50 (3)
23
Méthode des courants fictifs (courants des mailles) – Notion de
la « maille suprême » (SuperMesh) -comparaison
3 ( ia − ib ) + v + 6ia = 100 (1) -100+3 ( ia − ib ) + 2 ( ic − ib )

4ic − v + 2 ( ic − ib ) = −50 (2) +50 + 4ic + 4ia = 0 (3)
(1) + (2) : 9ia − 5ib + 6ic = 50 (3) ⇒ 9ia − 5ib + 6ic = 50 (3)
3 ( ib − ia ) + 10ib + 2 ( ib − ic ) = 0 (4) 3 ( ib − ia ) + 10ib + 2 ( ib − ic ) = 0 (4)
24
ic − ia = 5 (5) ic − ia = 5 (5)
Méthode des courants fictifs (courants de mailles)

Notion de Maille « suprême » - Exercice
Calculer iB
Loi des mailles:
R1ia + Vcc + RE ( ic − ib ) − V0 = 0 (1)
R2ib + V0 + RE ( ib − ic ) = 0 (2)
Les contraints: Maille 1
β iB = ia − ic (3)
iB = ib − ia (4)
(3) + (4) : ic = (1 + β ) ia − β ib (5)
On remplace l’expression
de ic en (1) et (2) pour avoir
un système à deux
Maille 2
équations avec deux
25
inconnus: ia et ib
Méthode des courants fictifs (courants de mailles)

Notion de Maille « suprême » – Exemple (suite)
Remplaçons ic qui est donnée par (5) dans (1) et (2):
 R1 + (1 + β ) RE  ia − (1 + β ) RE ib = V0 − Vcc (6)
0=
− (1 + β ) RE ia +  R2 + (1 + β ) RE  ib = −V0 (7)
Solutionnons le système
Maille 1
V0 R2 − Vcc R2 − Vcc (1 + β ) RE
ia =
R1 R2 + (1 + β ) RE ( R1 + R2 )
V0 R1 + Vcc (1 + β ) RE
Maille 2
ib =
R1 R2 + (1 + β ) RE ( R1 + R2 )
Vcc R2 + V0 ( R1 − R2 ) + 2Vcc (1 + β ) RE
iB = ib − ia =
R1 R2 + (1 + β ) RE ( R1 + R2 )
26
Théorème de Millman (Tensions des nœuds)

Ce théorème est une conséquence directe de la loi des nœuds de Kirchhoff
∑ v Y + ∑ε Y e + ∑ε η
∑ Ii = 0 vnoeud = i
i i
i
i i i
i
i i
; ε i = ±1
i ∑Y i
i
Exemple
v2Y2 + v2Y1 + i
v1 =
Y1 + Y2
27
Théorème de Millman - Procédure

1 2 3
ne = 4 : nœuds
ne – 1 = 3 Equations
Nœud de référence
3 équations et 3 nœuds 4
1. Identifier les nœuds essentiels et leur nombre ne

2. Le nombre des équations des nœuds à résoudre est: ne – 1
3. Marquer un des nœuds comme nœud de référence (le choix est
arbitraire mais souvent c’est celui où se rencontre le plus
nombre de branches, ou le pôle (-) de la source de tension
ayant la plus grande valeur f.e.m ). Ce nœud sera lié à la masse
pour pouvoir résoudre le système.
28
Théorème de Millman – Cas particulier
Quand une source de tension est 1 2
la seule qui existe entre deux
nœuds, donc la ddp entre ces
deux nœud devient connu ce
qui réduit le nombre de
potentiels (variables) inconnus.
NB: Dans ce cas il faut commencer par écrire la loi des nœuds en fonction de
leurs potentiels
Exemple
Il existe 3 nœuds essentiels dans ce montage, donc on a besoin d’un
système de deux équations à résoudre. Un des 3 nœud est lié à la masse
(référence de potentiels); La ddp entre le nœud 1 et le nœud de référence
est établie à 100V à cause de la source de tension, ce qui veut dire qu’il y
aura un nœud dont le potentiel reste inconnu: nœud 2 (v2 = ?)
La solution donc engendre une seule équation:
v2 − v1 v2 6 v1
Noeud 2 : + − 5 = 0 ⇒ v2 = +5 Or v1 = 100, donc v2 = 125V
10 50 50 10 29
Théorème de Millman – Concept du Nœud « Suprême »
(Supernode) - Exemple
On 4 nœuds essentiels, donc 3
équations à résoudre. Il faut
choisir un nœud de référence
v2 − v1 v2
Noeud 2 : + + i = 0 (1)
5 50
v
Noeud 3 : 3 − i − 4 = 0 (2)
100
v2 − v1 v2 v3
(1) + (2): + + − 4 = 0 (3)
5 50 100
Maintenant si on évite la source de Nœud
tension 10iφ et si on considère que suprême
les nœuds 2 et 3 forment un seul
nœud on aura (Loi des nœuds)
v2 − v1 v2 v
+ + 3 − 4 = 0 (3)
5 50 100 30
Théorème de Millman – Concept du Nœud Suprême
(Supernode) – Exemple (suite)
Nœud
suprême
Les contraints (les conditions):
v3 − v2 = 10iφ (4)
v2 − v1 = 5iφ (5)
(4)+(5): - 3v2 + v3 + 2v1 = 0 (6)

 v2 − v1 v2 v3
 5 + 50 + 100 − 4 = 0 (3) v2 = 60V

-3v2 + v3 + 2v1 = 0 (6) v3 = 80V
v = 50V
1 31

Théorème de Millman – Exercice

Remarque: Pour certains circuits la méthode de Millman reste
plus efficace comparer aux autres méthodes (Thévenin,
superposition…) comme dans l’exemple suivant:
1. Trouver la puissance
dissipée dans la résistance
5Ω
2. Quelle est la puissance
fournie par la source de
tension 500V
32
Transformation de sources
La transformation de sources est une méthode qui permet de

transformer une source de tension ayant une résistance en série à
une source de courant ayant une résistance en parallèle
vs
is =
R
La transformation de sources est valable si on mesure entre les

bornes a et b la même tension et la même intensité du courant
33
Transformation de sources - Exemple

Calculer la puissance à la source de 6V du circuit ci-dessous:
Etape 1
34
20 × 5
Re q = = 4Ω
20 + 5
Etape 2
Etape 3
35
Etape 4
20 × 30
Re q = = 12Ω
20 + 30
Etape 5
1,6x12=19,2
Loi de mailles:
−6 + (4 + 12)i + 19, 2 = 0 ⇒ i = −0,825 A
⇒ p = −vi = −6 × ( −0,825 ) = 4.95W > 0
Remarque: La source de 6V consomme 4,95W 36

Transformation de sources – cas particuliers

Cas 1: Source de tension en parallèle avec une résistance
On peut
ignorer cette
résistance
parallèle
Cas 2: Source de courant en série avec une résistance
On peut
ignorer cette
résistance en
série
37
Théorème de Thévenin
Publié en 1883 par l'ingénieur français Léon Charles Thévenin
Un dipôle est caractérisé par trois grandeurs:
- différence de potentiel à vide : eT lorsque i = 0
- courant de court circuit : iN lorsque v = 0
- impédance ZT ou admittance Y T
L’ensemble du circuit linéaire dont les bornes sont a et b peut être

remplacé (modélisé) par un générateur de tension idéal de force
électromotrice vTh en série avec une impédance interne ZTh .
38
Théorème de Thévenin et source liée - Exemple

Sachant que k est une constante réelle différente de -1, déterminer le
schéma équivalent de Thévenin de ce dipôle.
Solution
Remarque : Le montage comporte une
source de courant linéairement
dépendante. Il n’est pas donc possible de
décomposer les deux sources pour
appliquer le théorème de superposition
(une seule source indépendante).
E
Loi des E = Z 1 (1 + k ) I + Z 2 I ⇔ I =
mailles: Z 1 (1 + k ) + Z 2
Z2E
E eq = Z 2 I =
Z 1 (1 + k ) + Z 2
39
Théorème de Thévenin et source liée – Exemple (suite)

:
Pour le calcul de ZTh il n’est pas possible de désactiver la source de

courant dépendante. On réaliser donc le principe de l’ohmmètre qui
consiste à appliquer une tension aux bornes, après désactivation des
Vs
sources indépendantes, et à calculer le rapport : = Z eq
Is
Vs V V V
I= et I s = s + (1 + k ) I = s + (1 + k ) s
Z2 Z1 Z1 Z2
−1
 1 1 
⇒ I s =  + (1 + k )  V s V s  1 (1 + k ) 
⇒ Z eq = = + 
 Z1 Z2  I s  Z1 Z2  40
Théorème de Thévenin – Exercice

Calculer rapidement iB par la méthode
de Thévenin
41
Théorème de Thévenin et source liée – Exercice

Etant donné que toutes les sources fonctionnent en régime
sinusoïdal, déterminer le générateur de Thévenin du circuit
suivant:
a. Calculer la tension à vide vab
b. Déterminer l’impédance du dipôle (ab): Zth
42
Principe de superposition
Dans le cas des circuits électriques composés exclusivement d'éléments
linéaires.), la réponse dans une branche est égale à la somme des réponses
pour chaque générateur indépendant pris isolément, en désactivant tous les
autres générateurs indépendants.
Remarque : Le circuit peut inclure des composants non linéaires

(diodes ou transistors…) qui opèrent dans un domaine restreint où leur
comportement est approximativement linéaire
Réponse = a1e1 + a2 e2 + ...an en + b1i1 + ...bnin

Où ei et ii sont des sources indépendantes
Les coefficients ai ,bi peuvent être nuls
(= 0) ou non (≠ 0)
43
Principe de superposition – Exemple

Notion de schémas statique et dynamique
On veut calculer les

tensions aux bornes
de R1 et R2.
On désactive la source E (cc) pour calculer u ′R1 et u′R2
 r / / R1   re  re
u ′R1 =    e ; u ′ = e
 r / / R1 + Z c   re + R2  re + R2
R2
On désactive la source e (cc) pour calculer u ′′R1 et u ′′R2

R1
u ′′R = E ; u ′′R = 0
1
r + R1 2
 r / / R1   re  R1
Superposition: u R1 = u ′R1 + u ′′R1 =   e + E
 r / / R1 + Z c   re + R2  r + R1
re
u R2 = u ′R2 + u ′′R2 = e+0
re + R2 44
Principe de superposition et source liée - Exercice
Déterminer la tension v0 en
utilisant le théorème de
superposition.
Efficacité du Principe de superposition - Exercice

Les sources du circuit ci-
contre fonctionnent en
régime sinusoïdales de
pulsation ω.
A quelle condition le
courant i est-il indépendant
de e1 45
Principe de superposition et source liée – Ex. / Solution

On court-circuite la source de On met en C.O la source de
tension v1 = 35V et on calcule v’0 courant I1 = 7mAet on calcule v’’0
NON
R2 I1 R2
v0′ = v0′′ = v1
R2 R1 + 6 R2
1− 6
R1 R2 I1 R2
Superposition: v0 = v0′ + v0′′ = + v1
R2 R1 + 6 R2
1− 6 46
R1
Chap. 1 – Transfert maximal de puissance
Transfert maximal de puissance

Souvent on a besoin d’analyser les circuits pour déterminer et
maximiser la puissance envoyée (transmise), par les sources (liées et
non liées) du réseau, à une charge (RL ou ZL) qui peut être un haut
parleur, une antenne…etc. Le bon rendement du circuit est donc jugé
par le transfert maximal de puissance, c.à.d. moins de pertes.
La puissance consommée
par la charge RL est:
2
Puissance consommée par la charge RL en  vTh 
fonction de RL pour vTh=9V et RTh=6Ω p = vi = RL i = RL 
2

R
 th + RL 
47
Transfert maximal de puissance (suite)

La valeur optimale de RL s’obtient en cherchant le/les racines de la
dérivée de p par rapport à RL:
2 ( th L ) − 2 RL ( Rth + RL )
dp  R − R
2

= vTh  =0 RL = Rth
 ( + ) 
4
dRL  R th RL 
Donc la puissance maximale transférée à RL est:
2
 vTh  vTh 2 vTh 2
pmax = RLi = Rth 
2
 = =
 Rth + Rth  4 Rth 4 RL
Remarque: la condition de transfert maximal déterminée au-dessus

est, pour l’instant, spécifique au circuits résistifs. Pour les circuits qui
comprennent des éléments résistifs et réactifs (L et C) la condition du
transfert maximal de puissance devient ZL = ZTh*
48
Transfert maximal de puissance - Exemple

a. Pour le montage ci-dessous, trouver la valeur de RL qui lui assure
un transfert maximale de puissance depuis la source.
b. Calculer ce maximum de puissance délivré à RL
c. Si la charge RL est ajustée pour maximiser le transfert de la
puissance, qu’il est le pourcentage de la puissance qui lui arrive.
49
Electronique Analogique 1, SMP4
Les Quadripôles
(ou les biportes)
Par M. Aoutoul
2013
1
Cap 2 Les Quadripôles
(ou les biportes)
Sommaire
1. Nécessité d’un modèle
2. Définitions
1. C’est quoi un quadripôle ?
2. Représentation du quadripôle
3. Classification des quadripôles
1. Quadripôle linéaire
2. Quadripôle passif
3. Quadripôle actif
4. Quadripôle non dissipatif
5. Quadripôle dissipatif
6. Quadripôle réciproque
7. Quadripôle symétrique
3. Représentation matricielle des quadripôles
1. Matrice impédance [Z]
2. Matrice admittance [Y]
3. Matrice hybride [H]
4. Matrice hybride inverse [G] 2
Cap 2
Les Quadripôles
Sommaire (suite)
5. Matrice chaine (Transmission, ou 5. Gan en tension composite AVG
ABCD) [T] 6. Gain en courant composite
6. Matrice de transfert [t] AiG
7. Matrice de dispersion [S] 7. Fonction de Transfert H(jω)
4. Schémas équivalents d’un quadripôle
1. Schéma dérivé de la matrice 6. Association de deux quadripôles
impédance 1. Association série-série
2. Schéma dérivé de la matrice 2. Association parallèle-
admittance parallèle
3. Schéma dérivé de la matrice hybride 3. Association série-parallèle
5. Caractéristiques fondamentales d’un 4. Association parallèle-série
quadripôle 5. Association en cascade
1. Impédance d’entrée Ze Fonction de transfert de deux
2. Impédance de sortie Zs quadripôles en cascade
3. gain en courant Ai
4. Gain en tension AV
3
1. Nécessité d’un modèle

La complexité des circuits à quatre
bornes a créé le besoin d’un modèle
équivalent pour simplifier le
traitement de tels réseaux. Etant
donné que
Les travaux de Thévenin et de
Norton ont poussé énormément le
traitement des réseaux à 4 bornes.
En effet, la modélisation des
quadripôles est faisable en plusieurs
versions car le quadripôle peut être
vu comme un réseau à deux dipôles
modélisables par le dipôle de
Thévenin ou Norton selon leurs
natures (passifs ou actifs) et le cas
d’étude. 4
2. Définitions
2.1 – C’est quoi un quadripôle?
Le quadripôle est un circuit électronique qui a quatre bornes
distribuées sur deux accès, chaque accès est vu comme un dipôle:
un dipôle d’entrée et l’autre de sortie. Le quadripôle assure le
transfert d’énergie entre l’entrée et la sortie. Le quadripôle peut être
un composant simple ou ensemble de composants.
Les signaux électriques manipulés par les quadripôles sont
généralement des tensions, des intensités de courant ou des
puissances électriques
5
2.2 Représentation d’un quadripôle

Le quadripôle est caractérisé par ses tensions d’entrée et de sortie
(V1, V2) et ses courants d’entrée et de sortie (I1, I2). Donc le
quadripôle possède quatre grandeurs aux accès dont deux sont
indépendantes.
Par convention les courants entrant au quadripôle possèdent un sens
positif.
Exemple: Le transistor
6
2.3 Classification des quadripôles
2.3.1 - Quadripôle passif
Un dipôle passif ne contient pas de sources (de tension ou de courant),
et on a toujours: p ≤p
s e
Exemple de quadripôle passif

(Juste des éléments passifs)
2.3.3 - Quadripôle actif
Exemple de quadripôle actif
Un quadripôle actif comporte
des sources liées commandées
par des grandeurs électriques
internes (courants ou tensions)
U s 0 = Av 0 U e 7
2.3 - Classification des quadripôles
2.3.4 - Quadripôle non dissipatif
Un quadripôle non dissipatif
n’est composé que des
éléments réactif pures
(inductances et capacités)
2.3.5 - Quadripôle dissipatif
Un quadripôle dissipatif est
composé aussi des éléments
résistifs là où la puissance est
dissipée sous forme de
chaleur
8
2.3.6 - Quadripôle réciproque
Un quadripôle est dit réciproque
quand la mesure de l’intensité du I
courant du court-circuit d’un
accès, lorsque l’autre est attaqué
par un générateur de tension,
donne le même résultat même si II
on inverse la situation.
2.3.7 - Quadripôle symétrique
Un quadripôle est dit symétrique
si l’inversement des deux accès
ne modifie pas le quadripôle. La
symétrie implique la réciprocité
9
2.3.8 - Quadripôle linéaire
Un quadripôle est dit linéaire lorsque le signal de sortie est
proportionnel au signal d’entrée.
Par conséquence un quadripôle linéaire n’entraine pas de déformations
ou distorsions sur les signaux électriques de telle sorte que le signal de
sortie garde la même forme que celle du signal d’entrée.
NB: Un quadripôle linéaire ne comporte pas des sources
indépendantes
Exemple: Quadripôle linéaire
R 2 − C2 C3 ω 2 + j 2 C3 ω R
v2 = 2 v1
R − C2 C3 ω + jω R ( 2C3 +C2 )
2
R = R2
10
Introduction
Comme il y a deux grandeurs (courant et/ou tension) dépendantes
parmi les 4 grandeurs du quadripôles, donc on peut les choisir et
de les relier aux deux autres grandeurs indépendantes de six
façons différentes:
(U1, U2) en fonction de (I1, I2): Matrice impédance [Z]

(U1, I1) en fonction de (U2, I2): Matrice chaine [ABCD]
(U1, I2) en fonction de (I1, U2): Matrice hybride [H]
(I1, U2) en fonction de (U1, I2) : Matrice hybride inverse [G]
(I2, U2) en fonction de (I1, U1): Matrice transfert [T]
(I1, I2) en fonction de (U1, U2): Matrice admittance [Y]
11
3.1 - Matrice impédance [Z]
Elle exprime les tensions  U1   Z11 Z12   I1  U1 = Z11 I1 + Z12 I 2
 =   ⇒ 
en fonction des courants  U 2   Z 21 Z 22   I 2  U 2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2
Les éléments de cette matrice, qui ont les dimensions des impédances, se
calculent en mettant un accès au circuit ouvert:
U1 U1
Z11 = Z12 =
I1 I2 I1 = 0
I2 =0
U2 U2
Z 21 = Z 22 =
I1 I2 =0
I2 I1 = 0
12
3.1 - Matrice impédance [Z] – Exemple (3.1)
Déterminer les éléments de la matrice impédance du quadripôle suivant:
Si I2 = 0 U1 = Z11 I1 + Z12 I 2 = Z11 I1 = ( Z1 + Z 3 ) I1  Z11 = Z1 + Z 3

 ⇒ 
U 2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2 = Z 21 I1 = Z 3 I1  Z 21 = Z 3
Si I1 = 0 U1 = Z11 I1 + Z12 I 2 = Z12 I 2 = Z 3 I 2  Z12 = Z 3
 ⇒ 
U 2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2 = Z 22 I 2 = ( Z 2 + Z 3 ) I 2  Z 22 = Z 2 + Z 3
La matrice impédance de ce  Z1 + Z 3 Z3 
quadripôle est: [Z ] =  Z 
Z 2 + Z3 
 3
13
3.2 - Matrice Admittance [Y]
Elle exprime les courants  I1   Y11 Y12   U1   I1 = Y11U1 + Y12U 2
 =   ⇒ 
en fonction des tensions  I 2   Y21 Y22   U 2   I 2 = Y21U1 + Y22U 2
Les éléments de cette matrice, qui ont les dimensions des admittances, se
calculent en court-circuitant les deux bornes d’un accès:
I I2 Y11 Y12 
Y11 = 1 Y21 = Y Y 
U1 U U1 U  21 22 
2 =0 2 =0
I1 I2 Y11 Y12 
Y12 = Y22 = Y Y 
U2 U1 = 0
U2 U1 = 0  21 22  14
Calcul matriciel - rappel:
Opérations sur les matrices:
Remarque: Etant donné que les quadripôles sont représentés par des
matrices carrées 2x2, donc toutes les opérations matricielles de base sont
possibles.
Matrice inverse 2x2 - Rappel
a b
A est une matrice carrée 2x2 A= 
 c d 
Si le déterminant de A est non nul donc A admet une matrice inverse ,A−1,
dont les éléments sont les suivants,
1 1  d −b 
−1
A = Com ( A ) =
t
 
det A ab − cd  −c a 
 ( −1) 1+1
d ( − 1)1+ 2
b   d −b  Est la comatrice
où Com ( A ) = 
t
2+ 2 
= 
 ( − 1) 2 +1
c ( −1) a   − c a  transposée de A
Remarque: Si le déterminant de A (detA) est nul alors A ne possède pas
de matrice inverse. 15
3.2 - Matrice Admittance [Y] – Exemple (3.2)
Déterminer les éléments de la matrice admittance du quadripôle suivant:
U2 = 0
I1 1
U1 = ZI1 ⇒ Y11 = = =Y
U1 Z
I 2 = − I1 ⇒
Quadripôle série
I 2 − I1 1
Y21 = = = − = −Y
U1 U1 Z
Y −Y  U1 = 0
[Y ] =   Y12 =
I1 I 1
= 1 = − = −Y
 −Y Y  U 2 − ZI1 Z
I2 − I1 1
Question: Essayer de déterminer Y22 = = = =Y
la matrice impédance. Conclure U 2 − ZI1 Z
16
3. Représentation matricielle des quadripôles – cas particuliers
Cas particulier 1
a. Déterminer la matrice impédance [Z ]du
quadripôle parallèle ci-contre.
b. Est-ce qu’on peut le représenter par une
matrice admittance [Y]? Conclure.
Quadripôle en parallèle (ou en shunt)
a. La matrice impédance: b. La matrice admittance [Y] est, en fait, l’inverse
de la matrice impédance [Z] s’elle est inversible.
Z Z
[Z ] =  
Dans le cas de ce quadripôle on a det(Z) = 0.
Z Z Donc le quadripôle en shunt ne peu pas être
représenté par une matrice admittance
Cas particulier 2
Par contre le quadripôle en série admet une matrice admittance
représentative mais ne possède pas une matrice impédance car sa matrice
admittance est non-inversible. 17
3.2 - Matrice Admittance [Y] – Exercice (3.2-1)
a. Déterminer les éléments de la matrice admittance du quadripôle ci-dessous
b. Etant donné que le quadripôle fonctionne en régime sinusoïdal permanent,
Calculer ces éléments si Z1 = R, Z2 = ZL et Z3 = ZC
Sol.
U2 = 0
18
3.2 - Matrice Admittance [Y] – Exercice à préparer (3.2 -2)
Trouver la matrice admittance de ces deux réseaux
19
3.3 - Matrice Hybride [H]
Les éléments du vecteur (U1, I2) (tension d’entrée, courant de sortie) sont
exprimés en fonction des élément du vecteur (I1, U2) (courant d’entrée,
tension de sortie). Cette représentation est utile lors de l’étude des transistors.
 U1   h11 h12   I1  U1 = h11 I1 + h12U 2 h11 a le sens d’une impédance,
 =   ⇒ 
 I 2   h21 h22   U 2   I 2 = h21 I1 + h22U 2 h22 a le sens d’une admittance
alors que h12 et h21 sont des
U1 I2
h11 = h21 = nombres
I1 U =0 I1 U =0
2 2
Remarque: les paramètres
U1 I2
h12 = h22 = hybrides ne sont pas
U 2 I =0 U 2 I =0 homogènes, h12 et h21 sont
1 1
appelés aussi coefficients de

transfert en tension et en
courant. 20
3.3 - Mesure expérimentale des paramètres hybrides
Sortie en court-circuit Entrée en circuit ouvert
U1 I2 U1 I2
h11 = h21 = h12 = h22 =
I1 I1 U2 U2
Matrice Hybride [H] – Exemple (3.3)
Calculer les paramètres hybrides du circuit ci-dessous:
21
3.3 - Matrice Hybride [H] – Exemple (3.3) / solution
Sortie en court-circuit
U 2 = 0 donc
U1 = h11 I1 = ( R1 //R2 ) I1 ⇒ h11 = R1 //R2
− R1 − R1
I 2 = h21 I1 = I1 ⇒ h21 =
R1 + R2 R1 + R2
Entrée en circuit ouvert
I1 = 0 donc
R1 R1
U1 = h12U 2 = U2 ⇒ h12 =
R1 + R2 R1 + R2
I2 −1
U2 = = R3 // ( R1 + R2 ) I 2 ⇒ h22 =  R3 // ( R1 + R2 ) 
h22
Remarque: le gain en courant h21 est négatif ce qui veut dire que le courant
de la source du courant liée à I1 est en opposition de phase avec I1
22
3.4 - Matrice Hybride inversée [G]
Les paramètres hybrides inverses permettent d'exprimer le couple courant
d'entrée – tension de sortie en fonction du couple tension d'entrée –
courant de sortie
 I1   G11 G12   U1   I1 = G11U1 + G12 I 2
 =   ⇒ 
 U 2   G21 G22   I 2  U 2 = G21U1 + G22 I 2
I1 U2 I1 U2
G11 = G21 = G12 = G22 =
U1 I2 =0
U1 I 2 =0
I2 U1 = 0
I2 U1 = 0
−1
 G11 G12   H11 H12 
 =  Si det(H) ≠ 0
 G21 G22   H 21 H 22 
23
3.5 - Matrice de chaine ( transmission ou ABCD) [T]
Cette représentation résulte du fait que deux grandeurs (tension et courant)
sont du même accès. Elle est pratique pour décrire les associations en
cascade des quadripôles. Ici et conventionnellement le sens du courant de la
sortie est sortant.
 U1   A B   U 2   T11 T12   U 2  U1 = T11U 2 − T12 I 2
 =  =   ⇒ 
 I1   C D   − I 2   T21 T22   − I 2   I1 = T21U 2 − T22 I 2
U1 I1 U1 I1
A = T11 = C = T21 = B = T12 = D = T22 =
U2 I 2 =0
U2 I 2 =0
−I2 U 2 =0
−I2 U 2 =0
Exemple (3.5)
Déterminer la
matrice chaine T des
quadripôles série et
parallèle (en shunt) :
Quadripôle série 24
Quadripôle parallèle (shunt)
3.5 - Matrice chaine T – Exemple (3.5) / Solution
1 0
1 0
T =  T = 1 
 1
 0 1  Z 
25
3.6 - Matrice Transfert [t]
Dans cette représentation les deux grandeurs de sortie sont exprimées en
fonction de celles de l’entrée.
 U 2   t11 t12   U1  U 2 = t11U1 + t12 I1
 =   ⇒ 
 − I 2   t21 t22   I1  − I 2 = t21U1 + t22 I1
U I U1 I1
t11 = 1 t21 = 1 t12 = t22 =
U2 I1 = 0
U2 I1 = 0
−I2 U1 = 0
−I2 U1 = 0
Exercice (3.6-1):
Trouver les
matrices transfert
(t) des deux
quadripôles ci-
contre, 26
3.6 - Matrice Transfert [t] – Exercice (3.6-2)
Trouver les matrices de transfert (t) des quadripôles ci-dessous,
27
3. Représentations matricielles des quadripôles usuels
Topologie:  Z1 + Z 2 Z2 
T [Z ] =  Z 
Z 2 + Z3 
 2
 Y1 + Y2 −Y2  1  Z1 + Z 2 Z1 − Z 2 
Topologie: [Y ] =  −Y Y + Y  [Z ] =  Z − Z 
Z1 + Z 2 
π  2 2 3
2 1 2
Topologie:
Treillis
symétrique
 Z12 + Z1Z 3 Z12 
 + Z2 + Z2 
2 Z + Z 2 Z1 + Z 3
[ Z ] =  1 2 3 

Topologie: Z1 Z12 + Z1Z 3
 + Z2 + Z 2 
 2 Z1 + Z 3 2 Z1 + Z 3
T ponté 28

4. Schémas équivalents d’un quadripôles
4.1 - Schéma dérivé de la matrice impédance
U1 = Z11 I1 + Z12 I 2


U 2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2
Z12I2 est une source de tension
dépendante contrôlée par le courant I2 Z impédance d’entrée à vide
11
Z21I1 est une source de tension Z12 impédance de transfert inverse

Z impédance de transfert
dépendante contrôlée par le courant I1 21
Z11 impédance de sortie
29
4.2 - Schéma dérivé de la matrice admittance
 I1 = Y11U1 + Y12U 2

 I 2 = Y21U1 + Y22U 2
Y12U2 est une source de courant
dépendante contrôlée par la tension U2
Y11 admittance d’entrée à vide
Y21U1 est une source de courant Y12 admittance de transfert inverse
dépendante contrôlée par la tension U1 Y21 admittance de transfert
Y11 admittance de sortie
30
4.3 - Schéma dérivé de la matrice hybride
h11 impédance d’entrée à vide
h12 gain inverse en tension
h21 gain en courant de transfert
h11 admittance de sortie
U1 = h11 I1 + h12U 2

 I 2 = h21 I1 + h22U 2
4.4 - Schéma dérivé de la matrice hybride inverse
 I1 = G11U1 + G12 I 2

U 2 = G21U1 + G22 I 2
31
5. Paramètres fondamentaux d’un quadripôles
Introduction
Le quadripôle est souvent
utilisé refermé sur des dipôles
actifs et passifs comme le
montre la figure ci-contre. Ces
dipôles sont des terminaisons
du quadripôle.
La 1ère terminaison est un Quadripôle sur terminaison
générateur de Thévenin (à
Le schéma équivalent du quadripôle,
gauche) qui attaque le
montré à la figure suivante, est dit
quadripôle à son entrée.
montage amplificateur de tension, il
La 2ème terminaison est une
est dérivé de la matrice hybride
charge ZL dont la source est la
inverse quand g12 = 0 c.à.d. il n’y a
sortie du quadripôle
aucun retour de la sortie sur l’entrée
équivalente à un dipôle de
(g12I2 = 0).
Thévenin. 32
Introduction - suite
Déterminer les paramètres

fondamentaux revient donc
à déterminer l’impédance
d’entrée Ze, l’impédance
de sortie Zs, les
Les différents paramètres fondamentaux du coefficients de
quadripôle sont dégagés à partir des relations proportionnalité de la f.e.m
liants deux parmi ces quatre grandeurs: U1, U2, de la source liée Es avec
I1 et I2. U1 ou Eg, en fonction des
Or en plus des deux équations qui lient ces éléments matriciels du
grandeurs, par exemple: U1 = Z11 I1 + Z12 I 2
quadripôle, ces coefficients

U 2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2 sont les gains en tension Av
et Avg (composite)
il vient de s’ajouter U1 = Eg − Z g I1
deux autres équations: 
U 2 = − Z L I 2 33
Donc un système linéaire de 4 équations et 4 inconnus.
5.1 - Impédance d’entrée: Ze
Ze est l’impédance vue en entrée quand le quadripôle est chargé par ZL
U1 Z Z
U1 = Z11 I1 + Z12 I 2 Ze = = Z11 + 12 21
 I1 Z 22 + Z L
U 2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2 Si Z L → ∞ (quadripôle non chargé) donc
U = − Z I
 2 L 2
Z e = Z11 = Z e à vide (impédance d’entrée
5.2 - Impédance de sortie: Zs avec sortie CO)
Zs est l’impédance vue en sortie quand le quadripôle est fermé par

l’impédance du générateur Eg (c.à.d. que Eg est désactivée)
U1 = − Z g I1 Zs =
U2 Z Z
= Z 22 − 12 21 (impédance
 I2 Z11 + Z g de sortie avec
U1 = Z11 I1 + Z12 I 2
U = Z I + Z I U2 1 entrée CC)
Si U1=0 ⇒ Z = = Z =
 2 21 1 22 2 s
I2
22
Y22 34
5.3 - Gain en courant: Ai I2 − Z 21
U 2 = Z 21 I1 + Z 22 I 2 = − Z L I 2 Ai = =
I1 Z L + Z 22
Remarque: Si le quadripôle n’est pas chargé donc I2=0 et par suite le gain
en courant n’aura pas de sens.
5.4 - Gain en tension: AV
U 2 −Z L I2 −Z L −Z L − Z 21 Z 21
Av = = = Ai = =
Z Z − Z12 Z 21
Z11 + 12 21 Z L + Z 22 Z11 + 11 22
U1 Z e I1 Ze Z Z
Z 22 + Z L ZL
Z 21
Si Z L → ∞ (quadripôle non chargé) donc A v =
Z11
5.5 - Gain en tension composite: AVg
U 2 U 2 U1 Ze
Avg = = = Av
E g U1 E g Ze + Z g
5.6 - Gain en courant composite: Aig

I 2 I 2 I1 Zg
Aig = = = Ai La source de tension est
I g I1 I g Z g + Ze
remplacée par celle du courant 35
5.7 - Modèle
amplificateur de
tension du
quadripôle:
 Eg − Z12 I 2
U1 = Z11 I1 + Z12 I 2 = Eg − Z g I1 ⇒ I1 = Z + Z
 11 g

⇒ U = Z I + Z I = Z Eg − Z12 I 2 + Z I
 2 21 1 22 2 21
Z + Z
22 2
 11 g
 Z 21  Z12 Z 21 
U 2 = Eg +  Z 22 −
  I 2
 Z11 + Z g  Z11 + Z g 

Or , U = E + Z I ⇒ E = Z 21 E = A E et Z = Z − Z12 Z 21
 2 s s 2 s
Z + Z
g vg g s 22
Z11 + Z g
 11 g 36
5.8 - Fonction de transfert à vide (Transmittance): H(p)
ssortie
H ( p) = H ( p)
entrée
Z11
Fonction de U
H ( p) = 2 où p = jω Z 21
transfert à vide U 1 I2 =0
Y21
NB: la fonction de transfert adoptée ici −
Y22
représente l’amplification en tension − h21 −h
En régime sinusoïdal Forcé = 21
h11h22 − h21h12 ∆h
= H ( jω ) e (
U2 j arg H ( jω ) )
H ( jω ) = g 21
U1 1
= G (ω ) e ( )
jϕ ω
A
G(ω) : Gain du Quadripôle ∆t
ϕ(ω): déphasage entre l’entrée et la t22
sortie
Le gain en dB est défini comme suit, GdB (ω ) = 20 log10 ( G (ω ) ) 37
Exemple 5-1
Considérons le quadripôle ci-dessous,
1. Déterminer les impédances d’entrée Ze et de sortie Zs
2. Calculer le gain en tension AV à vide
3. Déterminer le gain en courant Ai si le quadripôle est terminé par
une charge ZL
38
5.8 - Fonction de transfert d’un quadripôle – Exemple (5.8)
Déterminer la fonction de transfert à vide du quadripôle en dessous
v vs = Z c ie
H ( jω ) = s 
ve  ve − vs
is = 0 vs + Rie = ve ⇒ ie =
 R
v −v v Z R 1
vs = Z c e s ⇒ H ( jω ) = s = c = 1
R ve 1 + Z c 1 + jRCω G (ω ) =
2
R ω 
1 R 1+  
Si on pose ω0 = ⇒ H ( jω ) =
ω
où  ω0 
RC 1+ j
ω0 ω 
Exercice (5.8-1) ϕ (ω ) = −arct  
 ω0 
Déterminer la fonction du
transfert du quadripôle ci-
contre.
Donner G(ω) et tracer sa
courbe. 39
6. Association de deux quadripôles
Introduction
Remarque: Lors de l’association de deux quadripôles on aura toujours
deux grandeurs (courant/tension) en commun parmi quatre. La matrice qui
sera mise en jeu dépends de la nature du couple en commun.
 P1   m11 m12   R1  Grandeurs en

 =   commun sont celles
 P2   m21 m22   R2  indépendantes du
quadripôle résultant.
Grandeurs dépendantes du
quadripôle résultant
Matrice du quadripôle
P1 et P2 sont en fonction des grandeurs non résultant
communes des deux quadripôles en assoc.
Remarque: Pour les quatre combinaisons d’association: série et parallèle,
chaque grandeur en commun appartient à un accès différent. Pour
l’association en cascade les deux grandeurs sont relatives au même accès. 40
Les topologies possibles
Les associations série et parallèle:
Série-série Série-
parallèle
parallèle- parallèle-
série parallèle
Association en cascade:
41
6.1 - Association série - série
Les courants de l’entrée sont les mêmes
Les courants de la sortie sont les mêmes
I1′ = I1′′ = I1 I 2′ = I 2′′ = I 2
Les tensions à l’entrée et à la sortie
s’joutent
U1′ + U1′′ = U1 U 2′ + U 2′′ = U 2
Nature de la matrice du quadripôle résultant?
Les grandeurs indépendantes sont des courants  U1   Z11 Z12   I1 
Les grandeurs dépendantes sont des tensions  =  
U Z
 2   21 Z 22   I 2 
La matrice est donc matrice d’impédance
 U1   U1′   U1′′  Z11′ Z12′  I1′   Z11′′ Z12′′   I1′′
  =  ′  +  ′′  =  ′ ′  ′  +    ′′ 
U U
 2  2  2 U Z
 21 Z I
22  2  Z
 21 ′′ Z ′′
22   I 2 
 Z11′ + Z11′′ Z12′ + Z12′′   I1   Z11 Z12   I1 

=    =  
Z
 21′ + Z ′′
21 Z ′
22 + Z ′′ I
22   2  Z
 21 Z 22   I 2 
42
6.2 - Association série - parallèle
Les mêmes: Courants à l’entrée
Tensions à la sortie
I1′ = I1′′ = I1 U 2′ = U 2′′ = U 2
Addition: des tensions à l’entrée et des
courants à la sortie
U1′ + U1′′ = U1 I 2′ + I 2′′ = I 2
Les grandeurs indépendantes sont : I1 et U2 U1   h11 h12   I1 
Les grandeurs dépendantes sont : U1 et I2  =  
h h
 2   21 22   U 2 
I
La matrice est donc matrice hybride H
 U1   U1′   U1′′  h11′ h12′   I1′   h11′′ h12′′   I1′′ 
  =  ′  +  ′′  =     +   ′′ 
I I I ′ ′ ′
 2   2   2   21 22   2   21 22   U 2 
h h U h ′′ h ′′
 h11′ + h11′′ h12′ + h12′′   I1   h11 h12   I1 
=    =   43
′ + ′′ ′ + ′′
 21 21 22 22   2   21 22   U 2 
h h h h U h h
6. 3 - Association parallèle - série
Les mêmes: Tensions à l’entrée
Courants à la sortie
U1′ = U1′′ = U1 I 2′ = I 2′′ = I 2
Addition: des courants à l’entrée et des
tensions à la sortie
I1′ + I1′′ = I1 U 2′ + U 2′′ = U 2
Nature de la matrice du quadripôle résultant?  I1   G11 G12   U1 
Les grandeurs indépendantes sont : U1 et I2  =  
Les grandeurs dépendantes sont : I1 et U2
U G
 2   21 G22   I 2 
La matrice est donc matrice hybride inverse G

 I1   I1′   I1′′   G11′ G12′   U1′   G11′′ G12′′   U1′′
  =  ′  +  ′′  =     +   ′′ 
U U U
 2   2   2   21 G ′ G ′ I ′
22   2   21 G ′′ G ′′
22   I 2 
 G11′ + G11′′ G12′ + G12′′   U1   G11 G12   U1 

=    =  
′ ′′ ′ ′′
44
G
 21 + G21 G 22 + G I
22  2  G
 21 G22  I 2 
6.4 - Association parallèle - parallèle
Les mêmes: Tensions à l’entrée
Tensions à la sortie
U1′ = U1′′ = U1 U 2′ = U 2′′ = U 2
Addition: des courants à l’entrée et à la
sortie
I1′ + I1′′ = I1 I 2′ + I 2′′ = I 2
Les grandeurs indépendantes sont : I1 et I2
 I1   Y11 Y12   U1 
Les grandeurs dépendantes sont : U1 et U2  =  
La matrice est donc matrice Admittance G Y Y
 2   21 22   U 2 
I
 I1   I1′   I1′′   Y11′ Y12′   U1′   Y11′′ Y12′′   U1′′ 
  =  ′  +  ′′  =  ′ ′   ′  +
′′ ′′   ′′ 
Y Y
 2   2   2   21 22   2   21 22   U 2 
I I I U Y Y
 Y11′ + Y11′′ Y12′ + Y ′′   U1   Y11 Y12   U1 
=    =  
Y ′ + Y ′′ Y ′ + Y ′′ U
 21 21 22 22  2   21 22  U 2  Y Y
45
Association de deux quadripôles
6.5 - Association en cascade
La tension de sortie du quadripôle Q’ est identique à celle de l’entrée de Q’’ U 2′ = U1′′
Le courant de sortie de Q’ est l'opposé de de celui de l’entrée de Q’’ I 2′ = − I 2′′
On utilise la matrice de transfert: T

 U 2′   T11′ T12′   U1′   U1′′   U 2′ 
 ′ = ′ ′  ′  ′′ =  ′ 
 2   21 22   − I1 
I T T  − I1   I 2 
 U 2   U 2′′   T11′′ T12′′   U1′′   T11′′ T12′′  T11′ T12′   U1′   U1 
  =  ′′  =  ′′    =     = 
′′ − ′′ T ′′ T ′′
 2   2   21 22   1   21 22  21 22   1   1 
I I T T I T ′ T ′ − I ′ − I
[T]=[T’’][T’] 46
6. Association de deux quadripôles – Exercices
1. Déterminer la matrice admittance du quadripôle ci-dessous:
 Ya + Y11 Y12 
Réponse [Y ] =  Y 
Y22 + Yb 
 21
Cascade avec des impédances en shunt
Application: Déterminer la matrice

admittance du quadripôle ci-contre,
2. Déterminer la matrice impédance du quadripôle ci-dessous:
 Z11 + Z a Z12 
Réponse [Z ] =  Z 
Z 22 + Z b 
 21
47
Association de deux quadripôles - Exercices
3. Trouver la matrice admittance puis
l’expression de la fonction de
transfert opérationnelle du quadripôle
de la figure ci-contre
4. Trouver la matrice admittance puis l’expression de la fonction de

transfert opérationnelle du quadripôle en double T de la figure ci-
dessous
48
6.6 Fonction de transfert de la cascade de deux quadripôles:
Attention: La fonction du transfert H(jω) du quadripôle équivalent à deux
quadripôles en cascade n’est pas forcément le produit des deux fonctions: H’
et H’’ car le premier quadripôle Q’ est chargé par l’impédance d’entrée du
deuxième, donc I’2 n’est pas nul.
Considerons la
matrice de chaine
du quadripole
 A′ B′  A′′ B′′   A B  1 1
equivalent: T [ ]  ′ ′  ′′ ′′  = 
T =  ⇒ H ( p) = =
 C D  C D   C D  A A′A′′ + B′C ′′
   
  Y’22 admittance de sortie à
1  1  1
H ( p) =   = H ′ ( p ) H ′′ ( p )   entrée CC. Z”11 impédance
A′A′′  1 + B′C ′′  1+ 1 
 Y ′ Z ′′  d’entrée à vide
 A′A′′   
Z11′′
22 11
si Y22′ Z11′′ = ≫ 1 ⇒ H ( p ) ≈ H ′ ( p ) H ′′ ( p )
′
Z 22
49
Chap 3: introduction
Aux Semi-conducteurs
Par M. Aoutoul
2013
1
Bande d’énergies – Notion de Semi-conducteur
 h 
l’équation de Schrödinger  2m* ∇ 2
+ V ( r )  Ψ ( r , k ) = E ( k ) Ψ ( r , k )
Semi-conducteur à bande
interdite directe et indirecte
Si le maximum de la bande
de valence se situe au
voisinage de k=Γ alors le
minimum de la bande de
conduction peut lui être
aligné comme dans le cas
du GaAs ou non comme
dans le cas du Si, cela
résulte en une bande
interdite Eg directe pour le La structure de bandes d’énergies du Si et du GaAs illustrant la
4ème courbe dans la bande de valence
GaAs et indirecte pour le
Si.
Bande d’énergies – Notions de Semi-conducteur
Bande valence et bande de conduction
l’équation de Schrödinger  * ∇ 2 + V (r )  Ψ (r , k ) = E (k )Ψ (r , k )
h
 2m 
Energie de l’électron libre en

fonction du vecteur d’onde K
E(eV) Bande de
conduction
Ec
Eg Bande interdite
Ev Bande de
La structure de bandes d’énergies valence
Diagramme de bandes d’énergie

Conducteur, isolant et semi-conducteur
Selon la largeur de la bande interdite BI (band gap) Eg, on peut distinguer trois type de
matériaux en fonction de leur conductivité électrique
Conducteurs: Isolants: Semi-conducteurs:
Se caractérisent par une Se caractérisent par une bande Se caractérisent par une BI de
bande interdite faible (ou interdite à largeur élevée, donc largeur inferieure à 3 eV. (Si,
chevauchement entre BV et les électrons de la BV ne Eg=1,1 eV)
BC), donc à température peuvent atteindre la BC, par
ambiante les électrons de la conséquence la BV est pleine À 0°K pas d’énergie
BV ont assez d’énergie pour d’électrons qui participent aux thermique données aux
atteindre la BC liaisons et la BC est vide électrons, donc la BC reste
vide, le SC se comporte
comme isolant.
À T° ambiante certains
électrons de la BV passent à la
BC et deviennent électrons
délocalisés qui participent à la
conduction; ces électrons
laissent des trous dans la BV
Processus de conduction de courant dans un semi-conducteur
La liaison entre les atomes

est de type covalente,
liaison très stable. A zéro
absolu il n’y a pas
d’agitation thermique
donc aucun électron n’est
disponible (libre) pour
assurer la conduction Lorsque la température augmente l’agitation thermique permet
électrique: état isolant aux certains électrons de se libérer de la liaison covalente et
d’être délocalisé. Ce départ d’électron fait apparaitre un trou
SC dans un champs qui est une charge positive (atome ionisé +) mais l’ensemble du
électrique matériau reste neutre électriquement.
Sous l’action d’un champs
électrique un électron en
mouvement, qui a lissé un trou
derrière lui, va combler un autre
trou voisin. Le trou initial semble
ainsi se déplacer vers le potentiel
le plus négatif (dans le sens
opposé de l’électron).
Les matériaux semi-conducteurs
Les semi-conducteurs simples (monoatomiques) sont obtenus à partir du groupe IV du
tableau périodique comme le Germanium (Ge, Eg = 0.66 eV) et le Silicium (Si, Eg = 1,2
eV) qui constitue 98% des composants électroniques. Ces corps simples sont tétravalents
(c.à.d. ils ont 4 électrons dans leurs couches extérieures), cristallisent dans le système
cubique du carbone diamant. Les liaisons
entre atomes sont des liaisons
covalentes très stables.
Matériau Gap (Eg (eV)) A T = 300k

Dioxyde de silicium 9 isolant
(SiO2)
Les structures composées des éléments Silicium (Si) 1,12 SC
des groupes III et V (i.e. AsGa, InP) et Germanium (Ge) 0,66 SC
Arséniure de gallium 1,43 SC
ceux des groupes II et V (i.e. CdTe,
(GaAs)
ZnTe) montrent aussi des propriétés
Etain (Sn) 0,07 Conducteur
des semi-conducteurs
Plomb (Pb) 0,01 Conducteur
Propriétés électroniques des semi-conducteurs
Les porteurs de charge libres dans un SC
Dans un SC il existe deux types de porteurs de charges: les électrons libres, de
charge négative, dans la bande de conduction provenant de la BV par agitation
thermique à cause d’augmentation de la température.
Les trous qui sont des charges positives (+e). En effet se sont des charges des
atomes ionisés positivement après avoir perdu un électron périphérique. Un
trou (la charge +e) peut se déplacer d’un atome à l’autre lorsqu’il est comblé
par un électron se déplaçant dans le sens inverse.
La conduction électrique au sein du SC est assurée par les électrons libres de la
BC et les trous de la BV qui sont considérés comme charges mobiles.
Occupation des niveaux d’énergies dans un SC
Densité d’états d’énergies
A chaque niveau d’énergie E dans la BC correspond un nombre d’états utiles Nc(E) (connu
sous le nom: densité d’états) et chaque état peut être occupé par deux électrons libres de
spins opposés dans la BC.
Pareil pour la bande de valence, à chaque niveau d’énergie E correspond un nombre d’états
Nv(E) utiles.
La bande interdite (BI), comme son nom l’indique, n’esp pas peuplée par des porteurs de
charge et donc la densité d’états est nulle (N(E) = 0)
Quantitativement on montre que: (densité d’états par unité d’énergie N(E)= dN/dE)
32 32
1  2mc*  1  2mv* 
N C ( E ) = 2  2  ( E − EC ) NV ( E ) = 2  2  ( EV − E )
12 12
(cm-3 J-1)
2π  h  2π  h 
mc* et mv* Sont respectivement les masses effectives des électrons dans la BC et des trous
−1
dans la BV  ∂ 2
E ( k ) 
m* = h  
 ∂k 
2
Fonction de Fermi
L’occupation d’un état d’énergie E se fait selon une probabilité fournie par la fonction de
Fermi-Dirac:
1
Pour les électrons de la BC f n ( E ) =
1 + e( E − EF ) / KT 1 1
Pour les trous de la BV f p ( E ) = 1 − fn ( E ) = 1 − =
1 + e( E − EF ) / KT 1 + e( EF − E ) / KT
Fonction de Fermi - suite
A T = 0°K les états d’énergies supérieures à EF
sont vides car f (E) = 0 et les états d’énergies
inferieures à EF sont remplies car f(E) = 1,
donc le SC est isolant à cette température
comme on a indiqué antérieurement.
Le niveau de Fermi EF est le niveau d’énergie
pour lequel la probabilité d’occuper un état de
la BC par un électron est 0,5 (50%)
Densité des porteurs de charges
La densité des porteurs à une énergie donnée (les électrons dans la BC par exemple) est
fonction de la densité d’états Nc(E) et de la fonction de distribution de Fermi fn(E):
n(E)=Nc(E) fn(E). Donc pour obtenir la densité des électrons de la BC on somme n(E) sur
toutes les énergies possibles de la BC.
∞
n= ∫ N (E) f
EC
c n ( E )dE Densité des électrons dans la BC
EV
p= ∫N
−∞
V ( E ) f p ( E )dE Densité des trous dans la BV
Densité des porteurs de charges - suite
Nc(E)dE est le nombre d’états électroniques entre E et E+dE dans la BC

∞
 E − EF   2π mc KT 
3/2
n = ∫ N c ( E ) f n ( E )dE = N c exp  − c  Nc = 2   (cm -3
)
EC  kT   h 2

Densité d’états effectives dans la BC
 E − Ev   2π mV KT 
EV 3/2
p = ∫ NV ( E ) f p ( E )dE = N v exp  − F  Nv = 2  2  (cm -3 )

−∞  kT   h 
Densité d’états effectives dans la BV
Position du niveau de Fermi: EF
 E − EF   n 
n = N c exp  − c ⇒ E = E + kT ln  
kT  Ec + EV kT  n NV 
F c
 N
 c EF = + ln  
 E − Ev   p  2 2  p Nc 
p = N v exp  − F  ⇒ E F = E v − kT ln  
 kT  N
 v
Ec + EV
Dans un semi-conducteur intrinsèque on a n = p = ni et NC ≈ NV donc EF ≈
2
Position du niveau de Fermi: EF - suite
Remarque:
N 
Dans un semi-conducteur de type N, plus la densité des Ec − EF = kT ln  c 
électrons libres augmente, plus le niveau de fermi se  n 
rapproche de EC
N 
Dans un semi-conducteur de type P, plus la densité des EF − Ev = kT ln  v 
trous augmente, plus le niveau de fermi se rapproche de EV  p 
Loi d’action de masse
  E − EF     EF − Ev    Ec − Ev 
n . p =  N c exp  − c N
  v exp  −  = N c N v exp − 
  kT     kT    kT 
 2π mC KT   2π mV KT 
3/2 3/ 2
 Eg   Eg   Eg 
n . p = N c N v exp  −  = 2  2  × 2  2  exp  −  = AT 3
exp − 
 kT   h   h   kT   kT 
A est une constante.
Remarque: Le produit des densités des électrons et des trous est fonction de Eg et de la
température T et est indépendant de la position du niveau de Fermi EF
Semi-conducteur intrinsèque et extrinsèque
Un semi-conducteur intrinsèque est caractérisé par des densités équitables des électrons et
des trous, n = p = ni où ni est la densité intrinsèque des porteurs. L’agitation thermique est à
l’origine de l’excitation des électrons de la bande de valence et donc la génération des
paires électron-trou. Ce processus est équilibré par la recombinaison des électrons de la
bande de conduction et des trous de la bande de valence.
Dans ce cas on a: n = p = ni et le niveau d’énergie de Fermi est appelé niveau de Fermi
intrinsèque: EFi où
Ec + EV kT  NV  EC + EV 3  mV*  mV* ∼ 1 SC à gap indirecte
EFi = + ln  = + KT ln  *  *
=
2 2  Nc  2 4  mC  mC ∼ 10 SC à gap directe
La densité intrinsèque des porteurs, ni, est donnée comme suit,
 EC − EFi   EFi − EV   Eg 
ni = N C exp  −  = NV exp  −  ni = ni = NC NV exp  −
2

 KT   KT   2 KT 
Question: Déterminer les concentrations n et p en fonction de ni, EF, EFi et KT.

Conclure la loi d’action de masse
A T = 300k, kT = 25 meV ⇒ ni = 8x109 cm-3 pour le Si, ni = 1013 cm-3 pour le Ge et ni =

107 cm-3 pour le GaAs. Mais dans 1 cm3 de silicium, il y a 5x1022 atomes.
Semi-conducteur intrinsèque et extrinsèque - suite
Un semi-conducteur extrinsèque est dopé par des atomes étrangers à sa structure afin
d’augmenter et de contrôler sa conductivité électrique par augmentation des densités de porteurs
de charges libres introduits par ces atomes dopés (appelés impuretés).
Cette opération s’appelle dopage. Il existe deux type de dopage: Dopage P et Dopage N
Dopage N: le SC est dopé par des atomes dits donneurs des électrons (impuretés ionisées
positivement) donc apparitions des électrons libres
Dopage P: le SC est dopé par des atomes dits accepteurs des électrons (impuretés ionisées
négativement) donc apparition des charges positives: trous (atomes du SC ionisés
positivement)
+
Cas de Si dopé P Cas de Si dopé N
A – Semi-conducteur de type N
Dans un SC du groupe IV (Si) on introduit des impuretés du groupe V (P: Phosphore, 5
électrons à la couche périphérique). A température ambiante le 5ème électron se libère de
l’atome P et devient électron libre dans la BC, l’atome P devient ion positif localisé.
Les états électroniques des atomes donneurs (ici P) ont un niveau d’énergie ED dans la BI
proche de EC
Dopage N
B – Semi-conducteur de type P
Dans un SC du groupe IV (Si) on introduit des impuretés du

groupe III (B: Bore, 3 électrons à la couche périphérique). A +
température ambiante un électron se libère de l’atome Si et
se fixe sur l’atome B qui devient ion négatif localisé.
Les états électroniques des atomes accepteurs (ici B) ont un
niveau d’énergie EA dans la BI proche de EV
Dopage P
C – Densité des électrons libres dans un semi-conducteur de type N
Le niveau ED est très proche de EC donc on suppose que tous les atomes donneurs sont
ionisés à température ambiante.
Loi d’action de masse: np = ni2
Neutralité électrique: p + ND = n (somme des charge(+) = somme des charges(-))
N D + N D2 + 4ni2
⇒ n=
2
( cm −3 )
2 2
n n
A température de fonctionnement normal on a ND2 >> 4ni2 donc n ≈ ND par suite p = i
≈ i
n ND
Dans le SC de type N: les électrons libres sont des
porteurs majoritaires tandis que les trous sont des
minoritaires
Remarque: Selon la température de fonctionnement
on distingue trois régimes:
1. Régime de gel: ND+ < ND
2. Régime d’épuisement: ND2 >> 4ni2 donc n ≈ ND
3. Régime intrinsèque: ND2 << 4ni2 donc n ≈ ni
D – Position du niveau de Fermi EFn dans un semi-conducteur de type N
 Ec − EFn   Nc 
n = N c exp  −  ≈ N D ⇒ EFn = Ec − kT ln  
 kT   ND 
Question: exprimer la position de EFn en fonction de EFi
Réponse ?  Ec − EF   Ec − EF   EF − EF 
N D ≈ n = N c exp  − n
 = N c exp  −
i
 × exp  −
i

n
 kT   kT   kT 
 EF − EFn  N 
= ni exp  − i  EFn = EFi + kT ln  D 
 kT   ni 
E – Densité des trous dans un semi-conducteur de type P
Le niveau EA des états des atomes accepteurs est proche de EV donc on suppose que tous les
atomes accepteurs sont ionisés négativement à température ambiante.
Loi d’action de masse: np = ni2
Neutralité électrique: p = n + NA (somme des charge(+) = somme des charges(-))
N A + N A2 + 4ni2
⇒ p=
2
( cm −3 )
ni2 ni2
A température de fonctionnement normal on a NA >> 4ni donc p ≈ NA par suite n =
2 2 ≈
p NA
Dans le SC de type P: les électrons libres sont des porteurs minoritaires tandis que
les trous sont des majoritaires
F – Position du niveau de Fermi EFnp dans un semi-conducteur de type P
 EFp − EV   NV 
p = NV exp  −  ≈ N A ⇒ E Fp = EV + kT ln  
 kT  N
 A
Question: exprimer la position de EFp en fonction de EFi
 EFp − EV   EFi − EV   EFp − EFi 
N A ≈ p = NV exp  −  = NV exp  −  × exp  − 
 kT   kT   kT 
 E − EFi  N 
N A ≈ ni exp  − Fp  EFn = EFi + kT ln  D 
 kT   ni 
Remarque: dans SC N, siN D → N C ⇒ E Fn → E C (que se passe-t-il si ND > NC ??)

dans SC P, si N A → N V ⇒ E Fp → EV (que se passe-t-il si NA > NV ??)
Exemple: Calcul de niveau de Fermi

Calculez les niveaux de Fermi du silicium N dopé de 1015 à 1019 dopants/cm3 .
Réponse ?
Exemple: Dopage du semi-conducteur
Un échantillon de silicium est dopé en accepteurs à NA =1015 atomes par cm3. Quel est le
dopage à apporter pour qu’il devient de type N avec un niveau de Fermi à 300K situé à 0,2
eV de la bande de conduction ?
32
19  m 
32
 T  mc
Données: N C = 2, 5 × 10  c    pour le Si: =1,06
 m0   300  m0
Réponse:
N 
Ec − EF = kT ln  c  et n ≈ N D − N A donc
 n 
N   Nc  NC
Ec − EF = kT ln  c  = KT ln   ⇒ N = N +
−  E − EF 
D A
 n  N
 D N A 
exp  c 
 KT 
Transport Electronique dans un semi-conducteur
Processus de conduction dans un cristal SC - illustration
Sens de déplacement des électrons
Le déplacement des porteurs de charges dans
un SC se fait par deux processus: E
1. Application d’un champ électrique E +
2. Présence d’un gradient de concentration E -
1. Courant conduction:
Il est dû au déplacement des électrons et des trous
sous l’effet de la force électrique F = qE
qτ
Pour les élections, J n = −ne vn = neµn E µn =
mn*
qτ
Pour les trous J p = + pe v p = peµ p E µp = *
mp
vn et vn sont respectivement les vitesses
moyennes des électrons et des trous.
µn et µp sont respectivement les mobilités des
électrons et des trous.
le courant de conduction global dans le matériau est: Sens de déplacement des trous
J c = J n + J p = ( neµn + peµ p ) E = σ E τ = τ c 2 (τ c ≈ 10−13 − 10−12 s )
Processus de conduction dans un cristal SC - suite
2. Courant de diffusion:
C’est un transport de porteurs de charges sous l’effet d’un gradient de concentration dû
à la distribution inéquitable de ces porteurs
dn
I∞ −
dx
Il apparait un courant qui tends à homogénéiser la concentration Exemple de courant de diffusion à une dimension
Ce courant est proportionnel au gradient de concentration avec signe opposé car les
particules diffusent vers des régions de plus faible concentration.
En général le courant de diffusion est définit comme suit: J diff = −qDgrad (n)
q = -e pour les électrons, q = +e pour les trous
D est le coefficient de diffusion lié à la mobilité des porteurs par la
relation d’Einstein: KT
Dn = µn Pour les électrons
µ q e
= KT
D KT Dp = µ p Pour les trous
e
Equation Générale des courants
Le courant total dans un matériau est la somme du courant de conduction (ou de dérivé) et le
courant de diffusion
J = J conduction + J diffusion = J c ,n + J c , p + J diff ,n + J diff , p → →
Jc = σ E
J = (σ n + σ p ) E + eDn grad ( n) − eD p grad ( p )
or
J diff = −qDgrad ( n)
J = ( neµn + peµ p ) E + eDn grad ( n) − eD p grad ( p )
J = ( neµn + peµ p ) E + eDn

dn dp
À une dimension: i − eD p i
dx dx
σ = neµn + peµ p ( S .m )
−1
est la conductivité électrique du matériau SC
1 1
ρ= = ( Ω.m ) est la résistivité électrique du matériau SC
σ neµ n + peµ p V =0
Remarque: A l’équilibre thermodynamique (c.à.d.. pas de perturbation

externe: champ électrique, éclairage, pression..) la vitesse moyenne des
porteurs de charges est nulle à cause de leur mouvement aléatoire et donc le
courant de conduction et nul: Jc = 0, le courant de diffusion est nul
(équilibre) donc le courant total est aussi nul (Jtotal = 0)
Exemple 1
Un champ de 50V/cm est appliqué à un échantillon de silicium. La mobilité des trous est
de 200 cm2 V-s. Calculer vitesse de dérive et coefficient de diffusion des trous.
Réponse
Exemple 2
Calculer la résistivité du silicium dopé N à 1015 atomes par cm3
Calculez celle du germanium pour le même dopage.
Semi-conducteur hors équilibre thermodynamique
Equation d’évolution
Ix JxS Jx
= = Nombre de porteurs entrant au barreau SC
q q q
I x + dx J x + dx S J x + dx
= = Nombre de porteurs sortant du barreau SC
q q q
g n .Sdx Nombre de porteurs qui se créent dans le barreau SC
rn .Sdx Nombre de porteurs qui se recombinent dans le barreau SC
 J x J x + dx 
 q − q  + g n .Sdx − rn .Sdx Variation de nombre de porteurs par unité de
∂n  
= temps et de volume dans le barreau SC
∂t Sdx
∂n 1  J x J x + dx  1 1 1 dJ x   1 dJ x
=  − + g − r = J − J
 x + dx  + g − r = g − r −
∂t dx  q q  dx  q dx  
n n x n n n n
q q dx
∂n 1 dJ nx ∂n 1
Les électrons: = g n − rn + Et à 3 dimensions = g n − rn + div ( J nx )
∂t e dx ∂t e
∂p 1 dJ px ∂p
= g p − rp − div ( J px )
1
Les trous: = g p − rp − Et à 3 dimensions
∂t e dx ∂t e
a. Equations de continuité
Les deux dernières équations s’appellent les équations de continuité
Les électrons: ∂n = g − r + 1 div ( J ) → →

jn = enµn E + eDn
dn
i
∂t
n n nx
e Or dx
∂p
= g p − rp − div ( J px )
1 → → dp
Les trous: j p = epµ p E − eD p i
∂t e dx
∂n ∂2n ∂E ∂n
= Dn 2 + nµn + µn E + g n − rn Les électrons:
∂t ∂ x ∂x ∂x
∂p ∂2 p ∂E ∂p
= D p 2 − pµ p − µ p E + g p − rp Les trous:
∂t ∂ x ∂x ∂x
b. Longueur de diffusion et répartition spatiale des porteurs
On considère un barreau SC excité à son extrémité (i.e.
rayonnement). Cela crée un excès de pair électron-trou à
l’extrémité, ∆n1 = n1 − n0
Si le SC est de type P, les électrons vont diffuser à l’intérieur
du barreau en créant un courant de diffusion JnD
On veut déterminer la distribution spatiale de de la densité
des électrons dans le barreau après excitation: n(x) = ?
Equation de continuité pour les électrons:
∂n ∂2n ∂E ∂n
= Dn 2 + nµn + µn E + g n − rn
Contraints: ∂t ∂ x ∂x ∂x
Absence de champs électrique: E = 0, pas de génération à l’intérieur donc gn = 0, le taux

n − n0
de recombinaison est: rn = oùτ n est la durée de vie des électrons excités.
τn ∂n
Le phénomène est stationnaire (c.à.d.. pas de variation en fonction du temps), donc =0
∂t
Donc l’équation de continuité devient: ∂n = D ∂ n − n − n0 = 0 ⇒ ∂ ( n − n0 ) n − n0
2 2
− =0
∂t ∂ x
n 2
τn ∂2 x Dnτ n
Les conditions initiales: ∆n( x = 0) = ∆n0 = n1 − n0 et ∆n( x → +∞) = 0
 x 
La résolution de cette équation différentielle donne: ∆n( x) = ∆n0 exp  −  où L2n = Dnτ n
 Ln 
Ln est appelé longueur de diffusion des électrons Ln = Dnτ n . Pour les trous: L p = D pτ p
Chapitres 4 & 5 (Résumé)

Etude de la Jonction PN
et La Diode à jonction
Par M. Aoutoul
2013
1
Jonction PN - Equilibre thermodynamique
La théorie des jonctions PN constitue la base de la physique des composants à semi-

conducteurs
La jonction abrupte est obtenue quand la densité des impuretés, dans un matériau semi-
conducteur, change brusquement d’accepteurs NA vers des donneurs ND ou vice-versa.
Equilibre thermod.: pas de champ électrique appliqué (pas de tension aux bornes
de la jonction). Pas de courant de conduction ou de diffusion.
 KT dn  d   Ec − EFn   ⇒
dEFn
=0
jn = 0 = qµn  nE +  = µ n KT N
 c exp − 
 q dx  dx   kT   dx
 KT dp  d   EFp − Ev   dEFp
j p = 0 = q µ p  pE −  = µ p KT  N v exp  −  ⇒ =0
 q dx  dx   kT  dx
Donc la condition d’un courant d’électrons et de trous nul implique que le niveau de
FERMI doit être constant à travers l’échantillon du SC.
Mécanisme de fonctionnement de la jonction PN
Deux semi-conducteurs du même

matériau dopés successivement P
et N
Lors du contact deux
phénomènes à observer:
1. La diffuions des charges mobiles

La diffusion des trous du SC P
(majoritaires) vers la région du SC N
(minoritaires)
La diffusion des électrons du SC N
(majoritaires) vers la région du SC P
(minoritaires)
2. Etablissement du champ E permanent
Apparition d’une zone de charge d’espace
dépourvue de charges mobiles, constituée
juste des ions (+) localisés du coté N et
d’autres (-) du coté P, donc établissement
d’un champ E qui empêchera le transport de
porteurs de charges.
Calcul de l’énergie de la
barrière de potentiel: qVb
Eg = ( EFp − Evp ) + ( Ecn − EFn ) + qVb
N 
EFp − Ev p = kT log  v 
Or  NA 
N 
Ecn − EFn = kT log  c  Diagramme de bandes avant contact
 ND 
 N N 
qVb = Eg − kT log  c v 
 ND N A 
 Eg 
Or ni2 = N c N v .exp  − 
 kT 
N N 
qVb = kT log  A 2 D  (eV)
 ni 
Vb: barrière de potentiel ou potentiel de
Vb = f(Eg, Dopage, Température) diffusion (Vd)
Champ électrique E et zone de
charge d’espace ZCE
On veut calculer: xp, xn, E, w et Vb ???
Equation de poisson:
dE d 2V ( x) ρv ( x)
− = =−
dx dx 2 ε
qN D 0 ≤ x ≤ xn
ρ ( x) = 
−qN A - x p ≤ x ≤ 0
qN D xn  x
Zone N En ( x) = − 1 − 
ε  xn 
qN A x p  x 
Zone P E p ( x) = − 1 + 
ε  xp 
xn
Valeur qN x qN x
EM = En (0) = E p (0) = − D n = − A p Vb = − ∫ E ( x) dx
max. de E ε ε − xp
0 xn
Continuité de E à x = 0 Vb = − ∫ E p ( x) dx − ∫ En ( x) dx
En ( x = 0) = E p ( x = 0) ⇒ x p N A = xn N D − xp 0
Champ électrique E et zone de charge d’espace ZCE - suite
Calcul de la largeur de ZCE: w
0 xn
Vb = − ∫ E p ( x) dx − ∫ En ( x) dx =
q
2ε
( N A x 2p + N D xn2 ) or x p N A = xn N D
− xp 0
1/2
 
1/2  
1  2ε  1  2ε 
xp =  Vb  et xn =  Vb 
N D  q( 1 1 
N A  q( 1 1   N + ) 
 N +N )   ND 
 A D  A
2ε  1 1 
w = x p + xn =  +  Vb
q  N A ND  Cas de jonction P+N
Remarques
2ε 1
w dépend de Vb1/2 w≈ Vb = xn
q ND
T ր ni ր Vb ց w ց
Si NA >> ND alors xp << xn ; la zone désertée qN D xn
EM = −
s’étend plus du côté le moins dopé de la ε
jonction (cas de P+N fortement dopé du coté
2 Vb
P: semi-conducteur dégénéré) EM = −
w
Capacité de la jonction PN
La ZCE est constituée de charges fixes et dépourvue de porteurs mobiles donc elle se
comporte comme isolant entouré par deux zones conductrices (P et N). Donc elle peut
être assimilée à un condensateur de section S, d’épaisseur w et de permittivité ε dont la
capacité est:
εS εS
Cj = =
w 2ε  1 1 
 +  Vb
q  NA ND 
Concentration des porteurs en fonction de Vb
SC N loin de la ZCE SC N loin de la ZCE
nn = N D ni2 pp = N A ni2
pn = np =
ND NA
 N A ND 
qVb = kT log  2 
 n i 
 qVb   qV 
n p = nn exp  − pn = p p exp  − b 
  kT 
 kT 
Polarisation d’une jonction PN - Diode
Contacte
Polarisation Directe et Inverse
métallique
anode E'
Polarisation directe: + +
- - cathode P N
application d’une tension - - + +
aux bornes P et N de la - - + + Id
jonction VPN = VAK > 0 P - - + + N N
W’
Polarisation inverse:
application d’une tension
VPN = VAK < 0 V
V
Polarisation d’une jonction PN – Mécanisme de fonctionnement
2ε  1 1  Vb′ = Vb − V < Vb Vb′′ = Vb − V > Vb

w=  +  Vb
q N
 A N D 
2ε  1 1  ′ 2ε  1 1  ′′
2 Vb w=  +  Vb w′′ =  +  Vb
EM = − q q  N A ND 
w  N A ND 
 qV 
n p = nn exp  − b  w' = w 1 −
V
w′′ = w 1 −
V
 kT  Vb Vb
 qV 
pn = p p exp  − b  EM′ = EM 1 −
V
EM′ = EM 1 −
V
 kT  Vb Vb
 qV   qV 
n ' p = n p exp  +  > np n′′p = n p exp 
 kT   < np
 kT 
 qV   qV 
p 'n = pn exp  +  > pn pn′′ = pn exp 
 kT   < pn
 kT 
Polarisation d’une jonction PN – Courant de la jonction
Polarisation Directe
Densités des courants des électrons  dn   dp 
et des trous: jn = µn  neE ′ + KT  j p = µ p  peE ′ − KT 
 dx   dx 
Calcul du courant des trous
Détermination de la concentration des trous dans la régions N après injection:
Equation de ∂p ∂ 2 pn ( x ) pn ( x ) − pn
= Dp + =0 Conditions aux limites:
continuité ∂t ∂ x
2
τp pn(x'n) = p'n et pn(∞) = pn
 ( x − x 'n )  pn: à l’équilibre
pn ( x) − pn = ( p 'n − pn ) exp  −  Lp = D pτ p
 Lp  p’n: après injection

Les régions neutres sont dopées et par suite relativement conductrices, de sorte que la
tension aux bornes de ces régions est négligeable. Le champ électrique dans ces régions est
donc faible alors que parallèlement le gradient de la concentration de porteurs minoritaires y
est important en raison du phénomène d'injection
 dp  dp dp dpn ( x) d [ pn ( x) − pn ]
j p = µ p  peE − KT′  ≈ − µ p KT = −eD p = −eD p = −eD p
 dx  dx dx dx dx
 qV  + eD p pn   eV    x − xn′ 
Or n p ′ = p ( x ' ) = p exp  +  Jp = exp  +  − 1 exp  − 
L p 
n n n
 kT   kT    L p 
Les Diodes
La caractéristique courant-tension d’une diode réelle
Application: Comportement
Redressement linéaire
Mise en forme du
signal (écrêtage…)
Vd ≤ V0
La diode se comporte comme un isolant: Is est de l’ordre de quelques pA
La diode est dite bloquée
Comportement approximativement linéaire
Le courant Is en polarisation inverse (ou courant inverse) augmente avec la
température.
Vd ≫ V0
Comportement approximativement linéaire
Le courant augmente rapidement
La diode est dite passante
Il est existe une tension seuil V0 pour que Id soit non nul
Les Diodes
Limites de fonctionnement d’une diode
1. Zone de Calquage:
Si la polarisation inverse d’une
diode normale dépasse une
tension dite de claquage Vmax cela
peut détruire la diode.
Vmax est de l’ordre de qq 10V à qq

1000V.
Claquage par effet Zener ou

Avalanche
2. Puissance maximale de la diode en
polarisation directe
Vd I d ≤ Pmax
Les Diodes
Point de fonctionnement d’une diode
Comment calculer Vd ei Id quand la diode est

insérée dans un circuit???
Id et Vd respectent les lois de Kirchhoff (la droite de charge)
Id et Vd existent sur la caractéristique de la diode Id = f(Vd)
La diode doit vérifier ces deux conditions pour quelle

fonctionne.
La droite de charge
1 E
Droite de charge de la I d = − Vd +
diode dans le circuit: R R
La détermination du point de fonctionnement
Q se fait:
Graphiquement sur la caractéristique de la
diode.
Analytiquement par remplacement de la
diode par un « modèle simplifié »
Les Diodes
La caractéristique courant-tension d’une diode idéale (1ère
approximation)
Polarisation directe: Vd ≥ 0
La diode est passante =
Pas de tension seuil V0 = 0 court circuit
Vd < 0 : circuit ouvert (Interrupteur fermé)
Polarisation Inverse: Vd < 0

La diode est bloquée = circuit
ouvert (Interrupteur ouvert)
Les Diodes
La caractéristique courant-tension d’une diode idéale (2ème
approximation)
Tension de seuil non nulle V0 > 0

Pas de résistance série
Vd < 0 : circuit ouvert
Pour une diode en Si, V0 = 0,6 – 0,7 V
E − V0
Id =
R
Vd = V0
Id = 0
Vd = E
Les Diodes
approximation)
Tension de seuil non nulle V0 > 0

Resistance en directe rd = Rf non nulle
Vd < 0 : Resistance Rr finie
Pour une diode en Si, V0 = 0,6 – 0,7 V
R f ∼ 10Ω, Rr ≫ MΩ
Vd
NB: Rf est aussi appelée résistance dynamique rd R f = rd ≠
Id
Schéma équivalent
E > V0
E < V0
Les Diodes
approximation)
Exemple:
Déterminer le point de fonctionnement Q
Données: Rf = 15W, Rr = 1MW, V0 = 0,6V
Recalculer Q en utilisant la 2ème
approximation. conclure
Applications: Redressement
le redressement est parmi les
applications principales de la diode .
1ère approximation
La diode redresseuse est passante pendant
l’alternance positive de Ve, et donc conduit le
courant Vs = Ve, et bloquée pendant
l’alternance négative Vs = 0. Le montage ci-
contre au-dessus représente le circuit de
redressement simple alternance en considérant
la caractéristique idéale de la diode (1ère
3ème approximation, avec Rr infinie
approximation)
Les Diodes
Redressement simple alternance: exemple de diagramme de
circuit
Diagramme complet d’un circuit de redressement simple

alternance (diode idéale 1ère approximation)
Les Diodes
La diode Zener
Caractéristique d’une diode Zener réelle
Diode conçue pour fonctionner dans la zone
de claquage inverse
Vz: tension de Zener.
Imin: courant au delà duquel commence le
domaine de Zener
Imax: courant maximal supporté par la diode en
polarisation inverse
Les Diodes
La diode Zener
Caractéristique d’une diode Zener idéale
zone a : I > 0; V > V j Conduction directe
zone b : I = 0; − Vz < V < V j Blocage
zone c : I < 0; V = −Vz Conduction inverse
Exemple d’application: Stabilisation

Lorsque Ve varie la
droite de charge se
déplace verticalement
mais les variations de
la tension de sortie Vs
(∆Vs) restent faibles
par rapport à celles de
Ve (∆Ve) Circuit de stabilisation

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Chap. 1 M.

2. Techniques d’analyse des circuits

La caractéristique I = f(U) d’un dipôle

Composants linéaires en domaine harmonique

Les composant linéaires:

Dans ce cas le facteur de proportionnalité est nommé

Dipôle Passif, Actif

→ la tension aux bornes de la source est indépendante de la charge

→ le courant fourni par la source est indépendant de la charge

Sources et domaine de linéarité

Le domaine de linéarité défini la “plage de fonctionnement”

Réseau linéaire N’est pas un Réseau linéaire

Les sources liées (dépendantes ou contrôlées)

Exemple de circuits comportant des sources dépendantes: (a) de courant ix,

Techniques d’Analyse des Circuits

Le physicien allemand Gustav Kirchhoff a

Loi de Kirchhoff des courants

Par conséquence, en un nœud il ne peut y avoir accumulation des

Autrement dit: La somme des courants entrant est

Transformation Triangle – Étoile (ou ∆−Y)

Transformation Triangle – Étoile (ou ∆−Y) - Exemple

Calculer la puissance dissipée

Transformation Triangle – Étoile (ou ∆−Y)

Exemple d’application (Exercice): Filtres en

Méthode des courants fictifs (courants des mailles)

Avantage: Déterminer tous les courants dans l’ensemble des branches

−v1 + R1ia + R3 (ia − ib ) = 0 ( R1 + R3 ) ia − R3ib = v1

Méthode des courants fictifs (courants des mailles) – cas

Maille b 3 ( ib − ia ) + 10ib + 2 ( ib − ic ) = 0 (4)

9ia − 5ib + 6ic = 50 (3)

3 ( ia − ib ) + v + 6ia = 100 (1) -100+3 ( ia − ib ) + 2 ( ic − ib )

Méthode des courants fictifs (courants de mailles)

Méthode des courants fictifs (courants de mailles)

Théorème de Millman (Tensions des nœuds)

Théorème de Millman - Procédure

1. Identifier les nœuds essentiels et leur nombre ne

(4)+(5): - 3v2 + v3 + 2v1 = 0 (6)

Théorème de Millman – Exercice

La transformation de sources est une méthode qui permet de

La transformation de sources est valable si on mesure entre les

Transformation de sources - Exemple

Remarque: La source de 6V consomme 4,95W 36

Transformation de sources – cas particuliers

Cas 2: Source de courant en série avec une résistance

L’ensemble du circuit linéaire dont les bornes sont a et b peut être

Théorème de Thévenin et source liée - Exemple

Théorème de Thévenin et source liée – Exemple (suite)

Pour le calcul de ZTh il n’est pas possible de désactiver la source de

Théorème de Thévenin – Exercice

Théorème de Thévenin et source liée – Exercice

Remarque : Le circuit peut inclure des composants non linéaires

Réponse = a1e1 + a2 e2 + ...an en + b1i1 + ...bnin

Principe de superposition – Exemple

On veut calculer les

On désactive la source e (cc) pour calculer u ′′R1 et u ′′R2

Principe de superposition et source liée - Exercice

Efficacité du Principe de superposition - Exercice

Principe de superposition et source liée – Ex. / Solution

Transfert maximal de puissance

Transfert maximal de puissance (suite)

Remarque: la condition de transfert maximal déterminée au-dessus

Transfert maximal de puissance - Exemple

1. Nécessité d’un modèle

2.2 Représentation d’un quadripôle