Electronique de Base: Redouane RMAILY Département de Physique 2019-2020

UNIVERSITE CHOUAIB DOUKKALI
FACULTE DES SCIENCES - EL JADIDA
ELECTRONIQUE DE
BASE
Redouane RMAILY
Département de Physique 2019-2020
1
 Généralités sur les circuits électriques:
Théorèmes généraux en régime sinusoïdal
Circuits fondamentaux de l’électronique
 Les quadripôles
 Les semi-conducteurs
 Diode et ses applications
 Transistor bipolaire
2
CHAPITRE 1
GENERALITE SUR LES

CIRCUITS ELECTRIQUES
3
Lois générales des réseaux linéaires
 Définitions :
Un réseau électrique est un circuit complexe constitué de nombreux
éléments (résistances, générateurs, récepteurs, ...etc.) reliés entre eux. Un
réseau est linéaire, si les relations entre courant et tension obéissent à la
loi d’ohm.
D’une façon générale, un réseau comporte des nœuds, des branches et des
mailles.
Nœud : C’est un point du réseau où aboutissent plus de deux conducteurs.
Branche : C’est une portion de circuit entre deux nœuds.
Maille : C’est un ensemble de branches qui forment un circuit fermé. 4
Exemples
A R2 B R3
U2 U3
R1 R4 R5
U1 U4 U5
E
C D
Nœuds
3
Branches Mailles
5 3
5
 Lois de Kirchhoff :
w Loi des mailles :
Dans une maille quelconque du circuit, la somme algébrique des tensions
est nulle.
V 0
w Loi des nœuds :
Dans un nœud quelconque du circuit, la somme des courants rentrants est

égale à la somme des courants sortants.
 I  0 6
w Méthode des nœuds: Exemple :
Si on convient tous les courants rentrants dans le nœud, leur somme est nulle.
Si on convient tous les courants sortants du nœud, leur somme est nulle.
Rentrants Sortants
w Méthode des nœuds: Exemple :
I3 = (VB - VA)/R3
I1 R1 A I3 B R5
On choisit
E1 R3 VN = 0
R2 R4 E2
I1= (E1- VA)/R1 (potentiel de référence)
I2= (- VA)/R2 I2
N
On calcule les courants rentrants dans le nœud à l’aide de la loi d’ohm
Au nœud A: I1 + I2 + I3 = 0 (E1- VA)/R1+ (- VA)/R2 + (VB - VA)/R3 =0
De même, au noeud B : (E2- VB)/R5+ (- VB)/R4 + (VA - VB)/R3 =0
On calcule alors VA et VB et par conséquents les différents courants

88
du circuit
 Théorèmes fondamentaux:
w Diviseur de tension w Diviseur de courant
I I
I1 I2
R1 R1 R2
U
R2 U2 𝑮𝟏
𝑰𝟏 = .𝑰
𝑮𝟏 + 𝑮𝟐
R2 .U
U2 
R1  R2
𝟏
𝑮𝒊 =
𝑹𝒊
9
w Théorème de Thevenin
Tout circuit actif linéaire, qui alimente par les bornes A et B un dipôle , peut être
remplacé par un générateur de tension idéal eTH en série avec une résistance
RTH . La fem eTH du générateur est égale à la ddp mesurée entre A et B quand le
dipôle extérieur est débranché. La résistance RTH est égale à la résistance
mesurée entre A et B quand le dipôle extérieur est débranché et que les
générateurs sont remplacés par leurs résistances internes.
A 𝑅𝑇𝐻 A
Circuit Dipôle Dipôle
𝑒𝑇𝐻
actif extérieur extérieur
linéaire B B
10
r A
Exemple: Calculer le courant i I1 i
I
1/ Détermination de eth e
R1 R U
𝑹𝟏
𝒆𝑻𝑯 = 𝑼𝟎 = 𝒆 − 𝒓𝑰 B
𝒓+𝑹𝟏
2/ Détermination de RTH A
r
RTH = Req = r // R1 R1
RTH B
3/ Circuit de Thevenin i
𝒆𝑻𝑯 𝒆𝑻𝑯
𝒊= R
𝑹𝑻𝑯 + 𝑹 11
w Théorème de Norton
w Source de courant: Définition
Une source de courant idéale fournit un courant constant indépendamment de la tension
apparaissant à ses bornes
A
I= I générateur de courant
parfait
U= R. 
 R
B
parfait I= UAB
12
w Source de courant réelle
 I A
U/ I générateur de courant

U parfait
  
générateur de courant
B réel
réel I =   U/ UAB
13
w Théorème de Norton Générateur de courant: exemple
Caractéristiques du module photovoltaïque G36XCD 14

w Théorème de Norton Générateur de courant: exemple
Caractéristiques du module photovoltaïque G36XCD 15

On peut remplacer tout circuit linéaire, qui alimente par les bornes A et B un dipôle D, par un
générateur de courant idéal en parallèle avec une résistance RN.
•Le courant de Norton est le courant entre les bornes de la charge lorsque celle-ci est court-
circuitée.
•La résistance de Norton est celle mesurée entre les bornes de la charge lorsque celle-ci est
déconnectée. Les sources de courant sont remplacées par un circuit ouvert et les sources de
tension par un court-circuit. On note que RN = RTH.
r A
Exemple: Calculer le courant i I1 i
I
1/ Détermination de IN e
R1 R
𝒆 B
𝑰𝑵 = 𝑰𝒄𝒄 = − 𝑰
𝒓
2/ Détermination de RN A
r
RN = RTH = Req = r // R1 R1
B
3/ Circuit de Norton i
𝑹𝑵 IN RN R
𝒊= 𝑰
𝑹 + 𝑹𝑵 𝑵 17
RTH i i
𝒆𝑻𝑯 IN RN
Thevenin
Norton
RTH = RN
𝒆𝑻𝑯
𝑰𝑵 =
𝑹𝑻𝑯 18
1. Dipôle résistance- inductance R i(t)
En régime permanent sinusoïdal : VR(t)

𝑑𝑖 𝑡 V(t) VL(t)
𝑉 𝑡 = 𝑉𝑀 sin 𝜔𝑡 = 𝑉𝑅 𝑡 +𝑉𝐿 𝑡 =Ri 𝑡 +L L
𝑑𝑡
V(j)= VM .ejωt =(R+jL) I(j) = Z.I(j)
L
Z  R 2  L22   Arctg( )
Avec: et R
19
2. Caractéristiques du dipôle R-L : Fonction de transfert
Si on prend comme sortie la tension aux bornes de la résistance alors, le
rapport tension de sortie sur la tension d’entrée correspond à la fonction de
transfert du dipôle et vaut :
VR ( j) R 1 1 1  
L
TR ( j) 
V ( j)

R  jL

L

1  j

1  ju R
ω=2.π.f
1 j
R
 est la constante de temps du dipôle U est appelée pulsation réduite

1
 Le module de la fonction de transfert est : TR 
1  u2
 Le déphasage apporté par TR est donné par :    Arctg (u )

 Le module de la fonction de transfert est exprimé en décibels (dB)
|TR| (dB) = 20 log10|TR| 20

Le diagramme de bode consiste à tracer le gain en dB et la phase en degrés de la
fonction de transfert sur un papier semi logarithmique
Décade
Octave
21
|TR| (dB)
0.1 1 2 10
-3 1
-6 log10(u)
TR 
1  u2
-20
diagramme
diagramme réel asymptotique    Arctg (u )
φ˚ log10(u)
0.1 1 2 10
diagramme
-45 asymptotique
diagramme
-90 réel
u 0.1 0.5 1 2 10
TR(u) 0.995 0.894 0.707 0.577 0.3015
TR(u)dB -0.043 -0.97 -3 -7 -20.04
Φ° -5.7 -26.56 -45 -63.43 -84.28 22
|TR| (dB)
0.1 1 2 10
-3 1
-6 log10(u)
TR 
1  u2
-20
diagramme
diagramme réel asymptotique    Arctg (u )
φ˚ log10(u)
0.1 1 2 10
diagramme
-45 asymptotique
diagramme
-90 réel
Le dipôle se comporte comme un filtre passe

bas 23
Si la sortie du dipôle est prise aux bornes de la bobine Sa fonction de transfert
s’écrit
𝑽𝑳 𝒋𝝎 𝒋𝑳𝝎 𝒋𝒖
𝑻𝑳 𝒋𝝎 = = =
𝑽 𝒋𝝎 𝑹+𝒋𝑳𝝎 𝟏+𝒋𝒖
Dans ce cas le dipôle se comporte comme un filtre passe

haut
 Fréquence de coupure
C’est la fréquence pour laquelle le Gain est égale au Gain max divisé par 𝟐
Ou bien 𝑮𝒅𝑩 = 𝑮𝒅𝑩,𝒎𝒂𝒙 - 3dB
𝑹
Pour le filtre passe bas: 𝒇𝒄 =
𝟐. 𝝅. 𝑳 24
Exercice: R2
A B
Déterminer le courant dans la I1
résistance R3 par: E R1 R3 I
1/ méthode des nœuds.
2/ théorème de Thévenin. N
3/ théorème de Norton
On donne: E=100V, I=5A, R1= 25 Ω
R2= 10 Ω et R3= 50Ω
25
CHAPITRE 2
LES QUADRIPOLES
26
1. Définition
Un quadripôle est un circuit électrique, qui a 4 bornes de communication avec l’extérieur : 2

bornes d’entrée et 2 bornes de sortie.
Entrée IE Quadripôle IS Sortie
 Le quadripôle est caractérisé par 4 grandeurs: 𝐔𝟏 , 𝐈𝟏

𝐔𝟐 , 𝐈𝟐
I1 I2
U1 Quadripôle U2
27
 Un quadripôle est dit linéaire s’il existe une relation linéaire entre U1 , U2 , I1 et I2 .
 Un quadripôle est dit symétrique s’il présente le même aspect vu de l’entrée et vu de
la sortie.
 Un quadripôle est dit réciproque si une source de tension placée en entrée conduit à
un courant I2 égal au courant I1 obtenu lorsque la source de tension est placée en
sortie
2. Différents types de quadripôles
Quadripôle actif: est un quadripôle contenant au moins une source(de courant ou de
tension)
Quadripôle passif: est un quadripôle qui ne contient aucune source
Quadripôle réactif: est un quadripôle qui contient uniquement des bobines et des
capacités
28
3. Paramètres internes d’un quadripôle
Nous étudions des quadripôles linéaires: Les quatre grandeurs U1, I1, U2, I2 sont liées
par des relations linéaires. Les coefficients de ces relations sont appelés paramètres
du quadripôle.
I1 I2
U1 Quadripôle U2
 Paramètres impédances ( paramètre Z)

Ils permettent d’exprimer les tensions en fonction des courants
𝑼𝟏 = 𝒁𝟏𝟏 𝑰𝟏 + 𝒁𝟏𝟐 𝑰𝟐
𝑼𝟐 = 𝒁𝟐𝟏 𝑰𝟏 + 𝒁𝟐𝟐 𝑰𝟐
Soit, sous forme matricielle:
𝑼𝟏 𝒁𝟏𝟏 𝒁𝟏𝟐 𝑰𝟏 Z11 = Z22 Q symétrique
=
𝑼𝟐 𝒁𝟐𝟏 𝒁𝟐𝟐 𝑰𝟐 Z12 = Z21 Q réciproque
Z
29
Z est la matrice impédance du quadripôle
Matrice d’impédance
U1 = Z11I1 + Z12I2
U2 = Z21I1 + Z22I2 21
On « mesure » la valeur des éléments en
imposant une source à un accès et laissant Circuit équivalent
l’autre en circuit ouvert.
I2=0 I1=0
impédance d'entrée à circuit ouvert

impédance de sortie à circuit ouvert
impédances de transfert à circuit ouvert 30
 Exercice
Déterminer les éléments de la matrice impédance du quadripôle suivant:
Il vient :
31
 Paramètres admittances ( paramètre Y)
On les définit en exprimant les courants en fonction des tensions
𝑰𝟏 = 𝒀𝟏𝟏 𝑼𝟏 + 𝒀𝟏𝟐 𝑼𝟐
𝑰𝟐 = 𝒀𝟐𝟏 𝑼𝟏 + 𝒀𝟐𝟐 𝑼𝟐
Soit, sous forme matricielle:
𝑰𝟏 𝒀𝟏𝟏 𝒀𝟏𝟐 𝑼𝟏 Y11 = Y22 Q symétrique
=
𝑰𝟐 𝒀𝟐𝟏 𝒀𝟐𝟐 𝑼𝟐 Y12 = Y21 Q réciproque
Y = Z-1 Y est la matrice admittance du quadripôle
La matrice Y est l’inverse de la matrice Z. Circuit équivalent

Elle n’existe donc pas toujours (il faut que Z, si elle existe, soit inversible)
32
𝑰𝟐
𝒀𝟐𝟐 =
𝑼𝟐 𝑼𝟏 =𝟎
𝑰𝟏
𝒀𝟏𝟏 = admittance d'entrée en court-circuit
𝑼𝟏 𝑼𝟐 =𝟎
admittance de sortie en court-circuit
admittances de transfert en court-circuit.

𝑰𝟏 𝑰𝟐 33
𝒀𝟏𝟐 = 𝒀𝟐𝟏 =
𝑼𝟐 𝑼𝟏 𝑼𝟐 =𝟎
𝑼𝟏 =𝟎
 Exercice
Déterminer les éléments de la matrice admittance du quadripôle suivant:
Il vient :
34
𝑈1 𝑇11 𝑇12 𝑈2
Matrices de chaîne T =
𝐼1 𝑇21 𝑇22 −𝐼2
Rem : le coef 𝑇11 représente U1/U2 à I2 nul

𝑡 𝑡12
Matrices de transmission t
𝑈2
𝐼2
= 𝑡11 𝑡22
𝑈1
−𝐼1
21
Rem : confusion possible avec matrice de chaîne
Matrices hybrides H
Rem : les éléments des matrices hybrides sont de différentes

dimensions (V/A, A/V, sans dimension).
Matrices autres…
Pourquoi autant de matrices ? 35
Lors de connexion entre quadripôles, on choisit une matrice ou une autre pour
calculer plus facilement la matrice résultante.
4. Association de deux quadripôles
Série-série Série-parallèle parallèle-série
Association en cascade:
parallèle-parallèle
36
 Association série - série
Les courants de l’entrée sont les mêmes et Les

courants de la sortie sont les mêmes
I1  I1  I1 I 2  I 2  I 2
Les tensions à l’entrée et à la sortie s’ajoutent
U1  U1  U1 U 2  U 2  U 2 I1 I2

U1 Q U2
37
Nature de la matrice du quadripôle résultant?
Les grandeurs indépendantes sont des courants I1  I1  I1 I 2  I 2  I 2
Les grandeurs dépendantes sont des tensions U1  U1  U1 U 2  U 2  U 2
La matrice est donc matrice d’impédance
 U1   U1   U1  Z 
            11
Z12  I1   Z11 Z12  I1  Z11  Z11 Z12  Z12  I1  𝒁𝟏𝟏 𝒁𝟏𝟐 𝑰𝟏
     =
 U 2   U 2   U 2   Z 21
  
Z 22  I 2   Z 21  
Z 22  
 I 2   Z 21  Z 21 Z 22  Z 22  I 2  𝒁𝟐𝟏 𝒁𝟐𝟐 𝑰𝟐
Z = Z’+Z’’
 Association série-parallèle  Association parallèle-série
𝑯= 𝑯′ + 𝑯′′ 𝑮 = 𝑮 ′ + 𝑮"
38
 Association parallèle-parallèle  Association en cascade
𝑻 = 𝑻′ ∗ 𝑻′′
𝒀 = 𝒀′ + 𝒀" Attention à l’ordre !!!

Selon le montage électronique, on choisit une matrice qui existe et qui est « facile » (à identifier).
 Exemple 1:
I1 I2
U1 U2
Pour info:
d’où:
39
 Exemple 2:
𝑰𝟏 𝒀𝟏𝟏 𝒀𝟏𝟐 𝑼𝟏
=
𝑰𝟐 𝒀𝟐𝟏 𝒀𝟐𝟐 𝑼𝟐
Y Y  1 Z
Y     Pour info: T 
1 
 Y Y  0
 Exemple 3:
Déterminer la matrice de chaine du quadripôle suivant ?
I1 I2
1 𝑍1 1 0 1 𝑍2 Z1 Z2
T=T1*T3*T2=
0 1 1 𝑍3 1 0 1
U1 Z3 U2
𝒁𝟏 𝒁𝟏
𝟏+ 𝒁𝟏 + 𝒁𝟐 𝟏 +
𝒁𝟑 𝒁𝟑
Il vient: 𝑻 =
𝟏 𝒁𝟐
𝒁𝟑 𝟏+ T1 T3 T2
𝒁𝟑
40
5. Paramètres externes d’un quadripôle
 Introduction:
Le quadripôle est souvent utilisé

refermé sur des dipôles actifs et
passifs comme le montre la figure ci-
contre. Ces dipôles sont des
terminaisons du quadripôle.
La 1ère terminaison est un générateur
de Thévenin (à gauche) qui attaque le
quadripôle à son entrée.
La 2ème terminaison est une charge U1  Z11 I1  Z12 I 2

ZL . U 2  Z 21 I1  Z 22 I 2
U1  Eg  Z g I1

U 2   Z L I 2 41
 Impédance d’entrée Ze : Ze=U1/I1
Ze est l’impédance vue en entrée quand le quadripôle est chargé par ZL
Ze 
U1 Z Z
 Z11  12 21
quadripôle non chargé(Z L  ) Ze  Z11  Ze à vide
I1 Z 22  Z L
NB : l’impédance d’entrée dépend de l’impédance de la charge (ZL)
 Impédance de sortie Zs : Zs=U2/I2 à Eg=0
Zs est l’impédance vue en sortie quand le quadripôle est fermé par l’impédance du générateur
(c.à.d. que Eg est désactivée)
𝑼𝟐 𝒁𝟏𝟐 𝒁𝟐𝟏
(impedance de
U 1
𝒁𝒔 = =𝒁𝟐𝟐 − Si U1=0  Z s  2  Z 22  sortie avec
𝑰𝟐 𝑬 𝒁𝟏𝟏 +𝒁𝒈 I2 Y22
𝒈=𝟎 entrée CC)
 Gain en tension : 𝑨𝒗 = 𝑼𝟐 𝑼𝟏 𝑈2 𝑍21
𝐴𝑣 = =
𝑈1 𝑍 + 𝑍11 𝑍22 − 𝑍12 𝑍21
11 𝑍𝐿
 Gain en tension composite : 𝑨𝒗𝒈 = 𝑼𝟐 𝑬𝒈
U 2 U 2 U1 Ze
Avg    Av
Eg U1 Eg Ze  Z g 42
 Gain en courant: 𝑨𝒊 = 𝑰𝟐 𝑰𝟏
I2  Z 21
U 2  Z21I1  Z 22 I 2  Z L I 2 Ai  
I1 Z L  Z 22
Exemple:
Soit le quadripôle suivant, alimenté par Zg I1 I2

Z1 Z2
une source de tension eg d’impédance
interne Zg et chargé par une impédance eg U2 ZL
U1 Z3
ZL:
Déterminer:
1/ les impédances d’entrée et de sortie.
2/ les gains en tension et en courant.
43
Applications
44
 Fonction de transfert à vide (Transmittance): H(p)
U
Fonction de H ( p)  2 où p = j
transfert à vide U1 I2 0
21
11
NB: la fonction de transfert adoptée ici
représente l’amplification en tension
En régime sinusoïdal Forcé

U2
 H ( j ) e 
j arg H  j  
 G   e  
jj 
H ( j ) 
U1
G() : Gain du Quadripôle

j(): déphasage entre l’entrée et la sortie
1) Fonction de transfert d’un réseau passif : par quadripole
Calculer U2(p)/U1(p)
 Dipôle R-C
On reconnaît des « quadripôles » en cascade : la matrice de chaîne T

résultante est le produit des matrices T de chaque quadripôle.
1 Z  1 0
T 
1 T 
Z Z
0  1 / Z 1

Produit des matrices

Il vient :
1 R  1 0 1  RCp R
T  
0 1 
 Cp 1
  Cp 1

le coef A représente U1/U2 à I2 nul

U2(p) 1
=
D’où une façon de calculer la fonction de transfert U2/U1 = 1/A U1(p) 1+RCp 46
 Continuons le réseau
Rappel :
1 Z
T 
1
Z
0 
 1 0
T 
1
Z
1 / Z 
(que l’on pouvait écrire directement)
T=
=
V2(p) 1
=> =
V1(p) 47
2) adapter une charge à une source, de façon à maximiser le transfert de
puissance moyenne
Cas basique : on dispose d’une source, d’une charge, mais non adaptée
P est fonction de RL
P passe par un
maximum pour RL = Rth
48
On
intercale un
quadripôle :
(1)
(2)
De (2) on déduit I2 que l’on place

dans (1), pour en sortir U1/I1 = Zin:
Un calcul similaire
donne U2/I2 (à Eg = 0) ) Zout :
49
Le quadripôle doit être réglé pour avoir :
(condition de transfert maximal de puissance)
max max
Et Q ayant le moins de pertes possible

ou selon un cahier des charges donnant Sans résistance
l’atténuation sortie/entrée. L
C
QUADRIPOLE ADAPTATEUR D’IMPEDANCES 50

Exemples de montage adaptateur d’impédance : cas de figure fréquent (en HF) :
quadripôle passif
Les quadripôles passifs (sans source interne), sont définis par 3 paramètres.
donne :
Pour un quadripôle passif, nous

avons Z21 = Z12
Si ce quadripôle passif est symétrique, nous

avons Z11 = Z22
(symétrique : permutation entrée/sortie sans conséquence)
51
Exemple concret
(purement résistif) :
600 Ω 50 Ω
Adapté 600 Ω Adapté 50 Ω
612,21 34,991
34,991 51,01
Vue du point (1), l’impédance est : 577,13 + 34,991 // (16,019+50) = 600Ω

Vue du point (2), l’impédance est : 16,019 + 34,991 // (577,13+600) = 50 Ω 52
CHAPITRE 3
LES SEMI CONDUCTEURS
53
Semi-conducteurs : description
Un cristal semi conducteur intrinsèque est

constitué d’un ensemble d’atomes dont les
noyaux sont répartis dans l’espace de façon
régulière. La cohésion des atomes est assurée
par la mise en commun des électrons de valence
pour former des liaisons dites de covalence. Les
électrons qui participent à ces liaisons sont des
électrons liés. Les électrons excédentaires, s’ils
existent, sont des électrons libres.
Si 54
Les matériaux Semi-conducteurs
 Les semi-conducteurs simples (monoatomiques): sont obtenus à partir du groupe
IV du tableau périodique.
 Le germanium (Ge) a été le premier semi

conducteur utilisé.
 Le silicium (Si) est devenu le matériau
prédominant (98 % des composants actuels).
 Les semi-conducteurs composés:

Classification périodiques
 Un élément du groupe III avec un élément du groupe V
(Arséniure de gallium GaAs)
 Un élément du groupe II avec un élément du groupe VI
( ZnTe, MgS)
 Un élément du groupe I avec un élément du groupe VII
(CuBr, CuI)
55
 Structure atomique:
Les semi conducteurs les plus utilisés sont le Ge et le Si. Les atomes de ces
éléments possèdent 4 électrons de valence (4 électrons sur l’orbite périphérique):
+4
Répartitions des 14 e- du Si Représentation simplifiée :Couche de valence + cœur
chaque atome du Si possède autour de lui huit électrons quatre qui lui sont propres et quatre qui
proviennent de ses plus proches voisins :
56
 Liaison covalente:
57
 Les bandes d’énergie:
• Les électrons d’un solide sont répartis dans plusieurs
bandes d’énergie séparées par des bandes interdites.
• Seules les bandes externes déterminent les propriétés
électriques du solide.
 Bande de conduction (BC)
Bande de
valence
C’est la bande la plus externe. Les électrons
qui s’y trouvent ont perdu
toute attache avec leurs atomes ce sont des
électrons libres. Elle détermine les propriétés
électrique du matériau.
 Bande de valence (BV)
C’est la bande qui est juste inférieur, de point de vue énergie, à la bande de conduction. Les
électrons qui occupent cette bande sont des électrons liés (c-à-d, liés à l’atome et ce sont
eux qui assurent la cohésion du cristal).
58
 Bande interdite (BI)
Pour qu’un électron puisse passer de la BV à la BC, il faut lui apporter une énergie Eg.
Métal- isolant- Semi-conducteur
 Métal (conducteur)  Isolants  Semi-conducteurs

Se caractérise par une Se caractérisent par Sont caractérisés par une
bande interdite faible une bande interdite à bande interdite faible, de
(ou chevauchement largeur élevée, donc l’ordre de 1eV à 1.5eV. Un
entre BV et BC), donc à les électrons de la BV apport modéré de température
température ambiante ne peuvent atteindre fait passer les e- de la BV
les électrons de la la BC, par vers la BC. Plus T , plus le
BV ont assez d’énergie conséquence la BV nombre d’e- libres augmente,
pour atteindre la BC est pleine d’électrons le semi conducteur passe
et la BC est vide donc de l’isolant au
conducteur
59
Métal- isolant- Semi-conducteur
 Métal (conducteur)  Isolants  Semi-conducteurs

Se caractérise par une Se caractérisent par Sont caractérisés par une
bande interdite faible une bande interdite à bande interdite faible, de
(ou chevauchement largeur élevée, donc l’ordre de 1eV à 1.5eV. Un
entre BV et BC), donc à les électrons de la BV apport modéré de température
température ambiante ne peuvent atteindre fait passer les e- de la BV
les électrons de la la BC, par vers la BC. Plus T , plus le
BV ont assez d’énergie conséquence la BV nombre d’e- libres augmente,
pour atteindre la BC est pleine d’électrons le semi conducteur passe
et la BC est vide donc de l’isolant au
conducteur
60
Ec
Ec
Ev Ev Ec
Ev
61
Mécanisme de la conduction dans les Semi-conducteurs : Notion de trous
 Un électron d’un semi conducteur nécessite au moins l’énergie de Gap

(1.1eV Si, 0.7eV Ge) pour être libre.
 En quittant la bande de valence pour la bande de conduction, il laisse un

vide dans la liaison entre deux atomes appelé trou.
 La perte de l’e- entraîne l’apparition d’une charge positive (ion+) et l’existence

du trou se comporte comme une charge positive qui capture un électron
voisin, ce qui donne un autre trou à la place de ce dernier . Ce processus se
répète indéfiniment. Il est appelé génération-recombinaison
62
63
Deux types d’entités sont responsables de la conduction dans
un semi-conducteur :
 Les e- libres qui circulent au

niveau de la bande de conduction
 Les e- liés qui vont de trou en
Électron de valence
trou : ce type de conduction porte
le nom de conduction par trous.
BV
mouvement du trou
64
apparition des porteurs de charge « thermiques »
paires « électrons-trous »
L’agitation thermique est à l’origine de l’excitation des électrons de la

bande de valence et donc la génération des paires électron-trou. Ce
processus est équilibré par la recombinaison des électrons de la
bande de conduction et des trous de la bande de valence.
Génération thermique de paires « électron-trou » -
Recombinaison
T > 0°K électrons
trous
Génération thermique de paires « électron-trou » -
Recombinaison
T > 0°K
recombinaison
Propriétés électronique des Semi-conducteurs
 Densité des porteurs électrons et trous :
La physique statistique montre que la densité des électrons libres (qui se trouvent dans la bande
de conduction) n s’écrit : 𝑬𝒄 − 𝑬𝑭
𝒏 = 𝑵𝒄 𝒆𝒙𝒑 −
𝑲𝑻
et la densité des trous ( qui se trouve dans la bande de valence) p s’écrit :
𝑬𝑭 − 𝑬𝒗
𝒑 = 𝑵𝒗 𝒆𝒙𝒑 −
𝑲𝑻
Nc et Nv, sont respectivement la densité effective d’états des électrons dans la bande de conduction
et la densité effective d’états des trous dans la bande de valence. Elles dépendent de la température
et du semi conducteur
Ec et Ev : sont respectivement le niveau le plus bas de la B.C et le niveau le plus haut de la B.V.
EF : est un niveau appelé niveau de Fermi.
T : la température en °K
K : est la constante de Boltzmann
Pour le Si à 300K Nc = 2.8 1019 cm-3 Nv = 1.8 1019 cm-3
68
 Loi d’action de masse:
𝑬𝒈
𝒏. 𝒑 = 𝒏𝒊𝟐 = 𝑵𝒄 𝑵𝒗 𝒆𝒙𝒑 − Eg = Ec - Ev
𝑲𝑻
l’évolutions des densités d’e- et des trous en fonction de la température s’écrit :
𝑬𝒈
𝒏. 𝒑 = 𝑨𝑻𝟑 𝐞𝐱𝐩 − A est une Constante
𝑲𝑻
Remarque:
Le produit des densités des électrons et des trous est fonction de Eg et de la température T et est
indépendant de la position du niveau de Fermi EF
 Semi conducteur intrinsèque et extrinsèque:
Un semi-conducteur intrinsèque est caractérisé par des densités équitables des électrons et des
trous, n = p = ni où ni est la densité intrinsèque des porteurs.
𝑬𝒈
𝑬𝑭𝒊 =
𝟐
niveau de Fermi
intrinsèque
69
 Dopage d’un Semi conducteur:
Le dopage est l’introduction d’impuretés dans un semi conducteur pur.
Le semi conducteur ainsi obtenu est appelé extrinsèque. Les dopeurs (impuretés)
sont des éléments de la colonne III ou V de la table des éléments périodiques :
70
 Semi conducteur type N:
Un semi conducteur est du type N lorsque le dopeur est de la colonne 5
atome du
Phosphore
électron libre
Les quatre électrons du dopeur assurent la

liaison atomique alors que le cinquième
reste en excès. C’est un e- quasi libre. Il lui
faut une faible énergie de l’ordre de 0.01eV
(Ge) et 0.05eV (Si) pour le rendre libre.
L’atome dopeur devient un ion +.
71
Silicium dopé « N »
Silicium dopé « N »
+
 Semi conducteur type P:
Un semi-conducteur est appelé type p lorsque le dopeur utilisé appartient aux
éléments de la colonne III de la table périodique. Exemple: le Bore (B)
Trou
A température ambiante un électron se -
libère de l’atome Si et se fixe sur

l’atome B qui devient ion négatif.
74
Silicium dopé « P »
Silicium dopé « P »
-
 Densité de charge dans un Semi conducteur extrinsèque:
Considérons un semi-conducteur où nous avons introduit une densité ND d'atomes

donneurs et une densité NA d'atomes accepteurs. A température ambiante, toutes les
impuretés sont ionisées. Le bilan des charges ou la neutralité électrique permet d’écrire :
𝒏 + 𝑵𝑨 = 𝒑 + 𝑵𝑫
n densité des électrons libres provenant des liaisons de covalence rompues

et des électrons libérés par les donneurs
p trous libres provenant des liaisons de covalence rompues et des trous
originaires des accepteurs
ND densité des charges fixes +q provenant des atomes donneurs ionisés
NA densité des charges fixes -q provenant des atomes accepteurs ionisés
77
A partir de la loi d’action de masse (n.p = ni2 ) et l’équation de la neutralité
électrique (𝒏 + 𝑵𝑨 = 𝒑 + 𝑵𝑫 ) on peut écrire :
S.C type N S.C type P

NA=0 Dopage par les donneurs ND=0 Dopage par les accepteurs
𝑵𝑫 ± 𝑵𝑫𝟐 + 𝟒 𝒏𝒊𝟐 𝑵𝑨 ± 𝑵𝑨𝟐 +𝟒 𝒏𝒊𝟐
𝒏= 𝒑=
𝟐
𝟐
si NA>>2ni ;
si ND>>2ni ;
p ≈ NA Les trous sont les porteurs
n ≈ ND Les e- sont les porteurs majoritaires
majoritaires 𝒏𝒊𝟐
𝒏𝒊𝟐 𝒏 ≈ Loi d’action de masse
𝑵𝑨
𝒑 ≈ Loi d’action de masse
𝑵𝑫
78
 Position du niveau de fermi dans un Semi conducteur:
S.C type N S.C type P
79
Conductivité d’un Semi-conducteurs
Puisque la conduction dans un semi-conducteur est assurée par les électrons et les trous, la
conductivité totale est obtenue par la sommation de la conductivité des électrons et celle des trous
𝝈 = 𝝈𝒏 + 𝝈𝒑
𝝈𝒏 est la conductivité des e- et 𝝈𝒑 la conductivité des trous.
Désignons par n la densité des e- et p celle des trous , nous pouvons lors écrire :
𝝈 = 𝒒𝒏𝝁𝒏 +𝒒𝒑𝝁𝒑
𝝈𝒏 𝝈𝒑
𝝁𝒏 La mobilité des électrons et 𝝁𝒑 celle des trous
Le courant dans le semi-conducteur est constitué de deux composantes :

Un courant de diffusion et un courant de conduction
 Le courant de diffusion est dû au déplacement des porteurs provenant des atomes de dopage, des
zones les plus denses vers les zones moins denses
 Le courant de conduction est dû à l’existence d’un champ électrique E
80
 Equation générale des courants:
 La densité totale du courant des électrons :

Jn = q Dn grad n + q n µn E Dn et Dp sont respectivement
 La densité totale du courant des trous : les constantes de diffusion
Jp = -q Dp grad p + q p µP E des électrons et des trous
Elles sont données par les

 La densité totale du courant dans le semi- relations d’Einstein :
conducteur est :
Dn = µn UT ; Dp = µpUT
Jtot = Jp +Jn
UT = kT/q
k= 1,38.10-23 J/K
81
Exercice d’application:
un semi-conducteur est caractérisé par ses densités d’états d’énergie

disponible dans la bande de conduction Nc et dans la bande de valence Nv
et par son énergie de bande interdite Eg. Déterminer à la température
ambiante:
1- Sa densité de porteurs intrinsèque ni
2- Le type de semi-conducteur si le niveau de Fermi est placé à 0,3eV de la
bande de valence
3- les densités des électrons dans la bande de conduction et des trous
dans la bande de valence
4- Le type et la densité d’atomes d’impuretés
5- La conductivité si la mobilité des trous est μp=0,06 m2/V.s
On donne: Nc=Nv=2,5.1019 états d’énergie par cm3 ; Eg=1,12eV
K=1,38.10-23 J/K
82
CHAPITRE 4
LES DIODES
83
Jonction p-n
Considérons deux barreaux de silicium : l’un dopé P au bore, l’autre dopé N au

phosphore. Le bilan des porteurs libres à une température fixée est indiqué ci-
dessous :
Le rapprochement des deux barreaux, de manière à réaliser leur contact

physique au niveau d’une jonction dite “métallurgique”, conduit alors à deux
phénomènes se manifestant de part et d’autre de l’interface PN : 84
 Permanent:
 Diffusion: (transitoire)
Les atomes d’impuretés voisins de la jonction
 Les électrons diffusent de la du côté N s’ionisent positivement
région N vers la région P  Les atomes d’impuretés voisins de la jonction
 Les trous diffusent de la région P du côté P s’ionisent négativement
vers la région N  Création d’une Zone de Charge d’Espace (Z.C.E)
 Apparition d’un champ électrique interne qui
s’oppose au processus de diffusion
85
P N
Zone dépeuplée de porteurs de charge mobiles

P N
Zone de déplétion
E0
 Diagramme de bandes
Si(P) Si(N) Si(P) Si(N)
Ecp
Ecp Ecn qVb
EFn Eg Ecn
EFp=EFn=EF
EFp Evp
Evp Evn
EVn
Diagramme de bandes avant contact Diagramme de bandes après contact
 Barrière de potentiel
Puisque les porteurs majoritaires ne peuvent plus traverser la jonction, on dit qu’il existe une barrière
de potentiel au niveau de Z.C.E qui empêche ce passage.
La barrière de potentiel est donnée par l’expression suivante :
𝑲𝑻
𝑵𝑨 . 𝑵𝑫 𝑽𝑻 = Potentiel Thermique
𝑽𝒃𝒊 = 𝑽𝑻 . 𝑳𝒏 𝒒
𝒏𝒊𝟐
VT = 26 mV (T=300°K)
88
 La largeur de la Z.C.E
A l’aide de cette barrière interne de potentiel Vbi on définit la largeur de la zone de transition :
𝟐𝝐 𝟏 𝟏
𝑾= + 𝑽
𝒒 𝑵𝑨 𝑵𝑫 𝒃𝒊
 Capacité de la jonction
La zone de déplétion, constituée de charges fixes, est dépourvue de porteurs de charges
mobiles, elle se comporte comme un isolant. Entourée de part et d’autres de deux zones
conductrices N et P, elle peut être assimilée à une capacité de section S et d’épaisseur w :
𝜺. 𝑺 𝜺. 𝑺
𝑪𝒋 = =
𝑾 𝟐𝜺 𝟏 𝟏
+ 𝑽
𝒒 𝑵𝑨 𝑵𝑫 𝒃𝒊
Cette capacité de jonction (ou capacité de transition) est obtenue pour une polarisation nulle, elle
est généralement faible (de 1 à 100 pF).
89
Jonction p-n: Répartition du champ et du potentiel
 Densité de charge:
ρ = |qe| Nd pour 0<x<xn
ρ = - |qe| Na pour -xp<x<0
ρ = 0 ailleurs
𝝆 𝒙
 Equation de poisson ∆𝑽 𝒙 = - 𝜺
 Conservation de la charge (neutralité globale)
Naxp= Nd xn
 Répartition du champ xP xN
Pour : -xP < x < 0 Pour : 0 < x < xN
𝒒𝑵𝒂 𝒒𝑵𝒅
𝑬𝒑 (𝒙) = − 𝒙 + 𝒙𝑷 𝑬𝒏 (𝒙) = 𝒙 − 𝒙𝑵
𝝐 𝝐
𝟐. 𝑽𝒃𝒊
𝑬𝑴 = − 90
𝑾
 Répartition du potentiel
𝒒𝑵𝒂 𝟐
Pour : -xP < x < 0 𝑽 𝒙 = 𝑽𝑷 + . 𝒙 + 𝒙𝑷
𝟐𝝐
𝒒𝑵𝒅 𝟐
Vbi
Pour : 0 < x < xN 𝑽 𝒙 = 𝑽𝑵 − . 𝒙 − 𝒙𝑵
𝟐𝝐
xP xN
- W
𝒒𝒆
 En posant V(x = xN) = Vbi, on a : 𝑽𝒃𝒊 = 𝑵𝒅 𝑿𝑵 𝟐 + 𝑵𝒂 𝑿𝑷 𝟐
𝟐𝝐
 Vbi est une caractéristique du semi-conducteur utilisé
 La barrière de potentiel Vbi ~ 0.7 V pour le Si et ~0.3 V pour le Ge
 Dans la couche de déplétion toute paire de porteurs de charges minoritaire migrera

rapidement sous l’effet du champ E existence d’un faible courant de fuite
(quelques dizaines de nA) appelé courant de saturation.
91
Polarisation de la diode
 Constitution d’une diode
Une diode est une jonction PN

comportant 2 contacts électriques, un A P N K
sur la région N, un sur la région P. Ces
contacts ohmiques sont faits par dépôt
d’une fine couche métallique. Couche métallique
Le contact métallique relié à la région
P s’appelle l’Anode, celui relié à la ID
région N, la Cathode. On représente la
diode par son symbole avec les A K
conventions de signe pour le courant
et la tension.
Vd
92
 Polarisation direct
 En appliquant une différence de potentiel

positive Vd: Eint
Pôle + branché à la région p (sens direct)
La différence de potentiel (Vbi) qui existait
est réduite; elle vaut Vbi - Vd
Eext
La borne positive repousse les trous vers la
jonction où ils rencontrent les électrons Jonction PN polarisée en
repoussés par la borne négative. Un petit direct
courant traverse ainsi la diode. La couche de
déplétion se rétrécit.
 Relation entre ID et Vd Avec:
IS courant inverse ou de saturation de
𝑽𝒅 la diode entre 10-12 et 10-14A
𝑰𝑫 = 𝑰𝑺 𝒆𝒙𝒑 −𝟏 𝑲𝑻
𝑼𝑻 𝑼𝑻 =
𝒒
93
 La barrière de potentiel est réduite:
Vbi – Vd
 La largeur de la zone de transition est diminuée:

𝟐∈ 𝟏 𝟏
𝑾′ = + 𝑽𝒃𝒊 − 𝑽𝒅
𝒒 𝑵𝑨 𝑵𝑫
 La capacité est donc augmentée:

∈.𝑺
𝑪′𝒋 = ′ Eint
𝑾
 Polarisation inverse
+ du générateur est relié à la zone N et le – à la zone P Eext
Le champ électrique extérieur Eext appliqué par le générateur a le même
Jonction PN polarisée en
sens que le champ interne de la jonction Eint d’où aucun courant ne circule inverse
la diode est dite bloquée. Elle est équivalente à un circuit ouvert.
En fonctionnement direct En fonctionnement inverse
𝑽𝒅 ID = -IS ≈ 0
𝑰𝑫 ≈ 𝑰𝑺 𝒆𝒙𝒑 94
𝑼𝑻
Caractéristique courant- tension de la diode
 Polarisation directe + i
i
Dans le sens direct, la couche de déplétion se rétrécit
beaucoup et lorsque la tension atteint environ 650mV Is
(pour le Si); l’intensité du courant croît alors v Us v
exponentiellement.
-
Lorsqu’on place la diode dans un circuit elle doit vérifier sa Caractéristique réelle d’une diode
caractéristique mais en même temps celle du circuit externe
Le pt.  des 2 courbes est appelé le pt. de fonctionnement Q R I
I
(0, E/R) saturation (pt. de fonctionnement)

+ V
E-
Q Droite de charge
blocage éq. droite de charge

V E = R.I + V
95
(E,0)
 Polarisation inverse
Dans le sens inverse, le champ électrique peut devenir très intense dans la couche de déplétion. Par
conséquent les porteurs de charge qui traversent cette couche y sont fortement accélérés. Si le champ
dépasse une certaine valeur, les porteurs peuvent acquérir une énergie cinétique
suffisante pour exciter des électrons de la bande de valence à la bande de conduction. Il se produit alors
un processus de multiplication, appelé effet d’avalanche. On observera alors une brusque augmentation
du courant inverse
Polarisation
inverse
Caractéristique complète d’une
diode
Polarisation
directe
Zone de claquage par effet Zener

96
ou avalanche
Modèles statiques
En technologie, un modèle est une représentation simplifié d’une chose complexe.
 Première approximation: Diode idéale
 pas de tension seuil Id

 conducteur parfait sous polarisation directe Id
 Vd <0: circuit ouvert Vd
Vd
Id
 Schémas équivalents : pente=1/Ri Ri diode “passante”
 Id  0
Val >0 Vd Val
V
Val I d  al , Vd  0
Ri
Ri
Val Id Ri diode “bloquée”
 Vd  0
Vd Val
Val< 0
Val I d  0, V97
d  Val
 deuxième approximation
 tension seuil Vo non nulle Id

Id
 caractéristique directe verticale
(pas de “résistance série”) Vd

Vd
 Vd < Vo : circuit ouvert
Vo
Id Ri diode “passante”
 Schémas équivalents : pente=1/Ri
 Id  0
Val >Vo Vd Val Vo Val  V 0
Id  , Vd  V 0
Vo Val Ri
Ri
Val Id diode
Ri
“bloquée”
Val<Vo Vd Val
I d  0, Vd 98
 Val
Val
 troisième approximation
 tension seuil Vo non nulle Caractéristique réelle

 résistance directe Rf non nulle
pente = 1/Rf
 Vd <0: résistance Rr finie très grande
pente = 1/Rr~0 Modélisation
Vd
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1
Vo
 Schémas équivalents
Ri Vo
diode passante
Val Vd Id  I d  0 et Vd  Vo
Rf  Vd  Vo  R f I d
Id
Ri diode bloquée Rr >>>
Val <Vo : Vd
Val Val  Vd  Vo Id≈0 99
Les différents modèles statiques
Modèle idéal Modèle avec seuil Modèle linéarisé

Id Id Id
V0
Vd Vd Vd
Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante Diode bloquée Diode passante
A K A K
Id Id Id Id Id Id
Vd <0 Vd ≥ 0 Vd < V0 Vd ≥ V0 Vd < V0 Vd ≥ V0

A K A K A K V0 A K A K
A K
Id ≥ 0 V0 Rd
Id = 0 Id ≥ 0 Id = 0 Id = 0
Vd = V0 Vd = V0 + Rd Id
Vd = 0
Fonctionnement en régime dynamique: modèle « petit signal »
A la tension de polarisation Vp on ajoute une tension variable de faible amplitude.

La tension appliquée Vp impose un point de fonctionnement statique. La tension
variable
Vp fait des petites variations autour du point de fonctionnement.
Vin = V0 sin (ωt)
id(t) et Vout(t) sont sinusoïdaux.
Tant que l’on travaille sur la petite portion P1, P2 de la caractéristique de la diode, on peut
modéliser cette dernière, en régime dynamique, par sa résistance Rd.
On peut alors considérer que le système travaille en régime linéaire.
∂Vd KT
Rd = Rd =
∂Id qId Id doit être autour du point de repos
101
Exemple: point de fonctionnement
En utilisant les divers modèles de la diode, déterminer le
point de fonctionnement (ID0 , VD0 ).
- Modèle 1: diode parfaite.

- Modèle 2: diode avec une tension
seuil V0 =0.6V.
- Modèle 3: diode avec une tension
seuil V0 =0.6V et une
Données: E= 12V, R1= 6kΩ, R2=3kΩ
résistance RD =100Ω et R= 1kΩ
102
Diodes Spéciales
103
Diode Zener
IKA
K
Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse,
caractérisée par une tension seuil négative ou « tension Zener » (VZ) A
 Caractéristiques
Id
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
-Vz Vd Izmin est l'intensité au dessous de laquelle
la tension n'est plus stabilisée.
-IZmin
Izmax est l'intensité au dessus de laquelle,
la puissance P = Vz.Imax dissipée dans la
diode devient destructrice.
-IZmax
104
Stabilisation de tension
Condition de stabilisation: Izmin < Iz < Izmax
Modèles électriques équivalents
Modèle idéale Modèle linéarisé
V V
V=VZ V=V +R I
Z Z
Vz Rz
Vz 105
Thévenin
106
Thévenin
3 cas peuvent être analysés
- RL fixée - RL fixée - RL variée
- E fixé - E varié - E fixé

107
Stabilisation de tension (RL et E fixés)
1. Résistance maximale (Rmax ) pour la stabilisation de tension

La diode est passante pour:
𝐸 − 𝑉𝑍
ETH > VZ RL.E > (RL + R)VZ 𝑅 < 𝑅𝐿
𝑉𝑍
𝐸 − 𝑉𝑍
𝑅𝑚𝑎𝑥 = 𝑅𝐿
𝑉𝑍
2. Courants: I, IRL , Iz
108
Stabilisation de tension (RL et E fixés)
1. Résistance maximale (Rmax ) pour la stabilisation de tension
𝐸 − 𝑉𝑍
ETH > VZ RL.E > (RL + R)VZ 𝑅 < 𝑅𝐿
𝑉𝑍
𝐸 − 𝑉𝑍
𝑅𝑚𝑎𝑥 = 𝑅𝐿
𝑉𝑍
Stabilisation de tension (RL fixée et E varié)

1. Tension de polarisation minimale (Emin)pour la stabilisation de tension
𝑅𝐿 + 𝑅
ETH > VZ RL.E > (RL + R)VZ 𝐸> 𝑉𝑍
𝑅𝐿
𝑅𝐿 + 𝑅
𝐸𝑚𝑖𝑛 = 𝑉𝑍
𝑅𝐿
109
Stabilisation de tension (RL variée et E fixé)
1. Résistance minimale (RLmin ) pour la stabilisation de tension

𝑉𝑍
ETH > VZ RL.E > (RL + R)VZ 𝑅𝐿 > 𝑅
𝐸 − 𝑉𝑍
𝑉𝑍
𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 = 𝑅
𝐸 − 𝑉𝑍
110
Diode à capacité variable ou « Varicap »
C’est une diode à jonction. Elle présente une capacité variable en fonction de la tension inverse qui lui
est appliquée. Ce composant est très employé dans les oscillateurs à fréquence contrôlée par une
tension externe( V.C.O: Voltage Controlled Oscillator).
La valeur de la capacité Cj dépend de la tension inverse( VR = VB-VA)
𝐶𝑗𝑜
𝐶𝑗 = 𝑛
𝑉 ≡
1 + 𝑉𝑅 A B A B
0
Cj
Schéma électrique
Schéma équivalent
Cj0: capacité de la jonction sans
tension extérieure
V0≈ 0,6V (pour le silicium)
n: constante qui dépend du procédé
de fabrication de la diode 111
Diode électroluminescente (LED): Light Emitting Diode
Fonctionnement
 Sous l'effet de la différence de tension appliquée à la jonction PN, les
électrons et les trous se recombinent et donnent naissance à des photons,
d'où l'émission de lumière
 Cette recombinaison exige un changement du niveau d’énergie des
électrons libres, la longueur d’onde est lié au GAP d’énergie du semi-
conducteur
 La couleur émise par la LED est liée à la longueur d’onde
Autres diodes:
Diode tunnel, diode schottky, photodiode,……………..
112
Limitation d’emploi d’une diode
Pour un fonctionnement normal d’une diode SC
I
IM
A ne pas dépasser:
Courant maximal: I < IM
ZF Tension inverse maximale:
VIM
VM V VI < VIM
ZF Puissance maximale: (effet Joule)
 Hyperbole de dissipation maximale
II Température de la jonction:
Si  tj = 200 °C
Ge  tj = 100 °C
113
Applications
114
Fonctionnement en redresseur
Comment obtenir une tension continue à partir
d’une tension alternative?
Transformateur
V(t)=Asinωt
redressement
régulation
Récepteur
Dispositif
Dispositif
Dispositif
filtrage

de
de
de
Tension Tension Tension Tension Tension
Alternative Alternative Variable Continue Continue
Adaptée A signe Non Régulée
Constant Régulée
115
Transformateur
Le transformateur est de type abaisseur de tension.
Schéma électrique
Relations
On appelle m le rapport de
transformation :
I1 I2
N 2 u2 I 1
m= = =
u1 u2 N 1 u1 I 2
N1 N2
Fonctionnement en redresseur
 Redressement mono alternance
A D
K
VD(t)
V(t) UR(t) R V(t)= VM sin(ωt)
D.passante Diode bloquée

Polarisation directe
117
eg(t)
T
Us
𝑇 𝜋
0 t 1 1
< 𝑈𝑟 > = 𝑈𝑟 𝑑𝑡 = 𝑈𝑚 sin 𝜃 𝑑𝜃
𝑇 0 2𝜋 0
Ur(t)
𝑼𝒎
=
𝝅
0 t
Vd(t)
Us
0
t
diode
passante diode
bloquée
 Redressement double alternance On considère que les diodes sont idéales
Vd3 Vd1
u(t)
u(t)= R.i = v(t) – Vd1 – Vd2 = -v(t) – Vd3 - Vd4
v(t) R i
Vd2 Vd4 118

Pour v(t) ≥ 0
1
v (t)
D1, D2 passantes et D3,D4 sont bloquées
u(t) = v(t) – Vd1 - Vd2 = v(t) – 0 - 0

u(t) = v(t)
u (t)
Pour v(t) ≤ 0
Vd3
 D3, D4 passantes et D1,D2 sont bloquées
u(t) = -v(t) – Vd3 – Vd4 = -v(t) – 0 - 0
u(t) = -v(t)
Vd4
119
 Redressement double alternance
Vd1  
Vd3
u(t)  
v(t) R i
Vd2 Vd4
𝑇 𝜋
1 1
< 𝑈𝑟 > = 𝑈𝑟 𝑑𝑡 = 𝑈𝑚 sin 𝜃 𝑑𝜃
𝑇 0 𝜋 0
𝟐.𝑼𝒎
= 𝝅
120
 Propriétés du redressement double alternance
eg(t)
T
2Us
0 t Vd3 Vd1
-2Us
Tp Tb Tp Tp
u(t)
VR(t) Tb Tb
D1+D2 D3+D4 D1+ D2 D3+D4 v(t) R i
0 t
passantes passantes passantes passantes Vd2 Vd4
Les 4 diodes bloquées Les 4 diodes bloquées
 La période du signal redressé VR(t) est divisée par 2 donc sa fréquence est double.
 L’amplitude du signal du générateur eg(t) doit être > 2Us pour obtenir un signal VR non nul
 Plus L’amplitude du signal du générateur eg(t) est grande plus la durée de blocage Tb diminue
et celle de passage Tp augmente
121
 Redressement mono alternance avec Filtrage
Le filtrage consiste à éliminer l’ondulation du signal redressé.
Pour filtrer un signal simple alternance, on branche un condensateur de capacité C aux
bornes de la résistance de charge R
Vs(t) A K
Ve(t) C VS(t)
VM U
Vm UMAX
0 AC ̃ R
US 0 DC
Ts T/4 T Tj T+T/4 t Ve(t)=VMsin(ωt)
Ve(t)
Ts< ωt < T/4 D. passante Chargement de C
T/4 < ωt <Tj D. bloquée Déchargement de C à travers R
Tj < ωt < T+T/4 D. passante Chargement de C

122
Ondulation :
U
Taux d'ondulation : 𝜼 = UMAX

0 DC
Le signal en sortie est filtré, il est peu ondulé, presque continu.
 Plus 𝜼 est faible, plus le signal devient continu

 𝜼 = 0 pour un signal continu et 1 pour un signal alternatif
 𝜼 diminue lorsque la fréquence augmente
 Pour un redressement double alternance la fréquence est double.
Donc 𝜼 plus faible que dans le cas de redressement mono alternance
 𝜼 diminue lorsque R augmente et/ou C augmente 123
Doubleur de tension
 Fonction : Produire une tension de

sortie continue à partir d’un signal
d’entrée variable. La tension continue
est généralement un multiple de
l’amplitude du signal d’entrée.
124
CHAPITRE 5
TRANSISTOR BIPOLAIRE
125
Introduction
Le transistor est un élément:
 clef de l’électronique
 actif
Ses applications
 Amplifier un signal: amplificateur de tension, de courant, de puissance
 Agir comme un interrupteur commandé: essentiel pour

l’électronique numérique
 Être utilisé comme une source de courant 126

Ses formes
Composant discret
Il existe:
Circuit intégré
 qlq unités :( A.O)
 quelques centaines de
millions de transistors par
circuit :(microprocesseurs)
127
Types de transistors
On distingue 2 types de transistors : Le transistor bipolaire et le transistor à

effet de champ
Transistor bipolaire Transistor à effet de champ

transistor bipolaire : commandé par un courant transistor à effet de champ: commandé par une tension
Icontrôle I commandé  A  I contrôle I commandé  G  Vcontrôle
Vcontrôle
source de courant
source de courant
commandée par un
commandée par une
courant
tension
A = “gain” en courant
G = transconductance.
128
 Constitution
Le transistor bipolaire est réalisé dans un monocristal comportant trois zones de dopage différentes.
On reconnaît deux jonctions PN que l'on peut considérer comme
deux diodes lorsque le transistor n'est pas polarisé.
N Collecteur P
N P Base N
P Emetteur
P
N
N
Symboles, tensions et courants
Transistor NPN Transistor PNP
L'émetteur est repéré

par la flèche qui
symbolise le sens
réel du courant
grandeurs positives grandeurs négatives

Loi de Kirchhoff appliquée au transistor bipolaire : IE = IC + IB 129
Fonctionnement du transistor- Effet amplificateur de courant
Pour polariser correctement un transistor, il faut que :
 la jonction entre B et E soit polarisée dans le sens direct,
 la jonction entre C et B soit polarisée dans le sens inverse.
Remarques :
 la base est faiblement dopée
 la base est très fine
 Transistor NPN
 L’émetteur (E) est fortement dopé. Son rôle est d’injecter des électrons dans la base.
 La base (B) est faiblement dopée et très mince. Elle transmet au collecteur la plupart
des électrons venant de l’émetteur.
 Le collecteur (C) recueille les électrons qui lui viennent de la base d’où son nom.
130
 Jonction émetteur polarisée en directe
pour créer un champ externe 𝑬𝒆𝒙𝒕 opposé
au champ interne 𝑬𝒊𝒏𝒕.
Si 𝑬𝒆𝒙𝒕 > 𝑬𝒊𝒏𝒕 ,les électrons majoritaires au

niveau de l’émetteur peuvent passer dans la base.
La base est faiblement dopée et très mince donc
très peu d’électrons se recombinent avec des
trous. Le courant de base est très faible.
 Jonction collecteur polarisée en inverse, Le champ externe 𝑬𝒆𝒙𝒕 est dans le même sens
que le champ interne 𝑬𝒊𝒏𝒕.
Les électrons qui n’ont pas été recombinés avec les trous au niveau de la base peuvent
passer dans le collecteur
131
 Relations fondamentales
𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑩 + 𝑽𝑩𝑬

𝑰𝑪 = 𝜶𝑰𝑬 + 𝑰𝑪𝑩𝟎
ICB0 : Courant inverse dû à la génération thermique

des paires électrons trous à proximité de la jonction
base collecteur
α : Coefficient de transfert du courant d’émetteur
𝜶 0,99 transistors classiques

Posons : 𝜷= (Gain en courant) α=
𝟏−𝜶
0,95 transistors de puissance
𝑰𝑪 = 𝜷𝑰𝑩 + 𝟏 + 𝜷 𝑰𝑪𝑩𝟎 ≈ 𝜷𝑰𝑩
Le courant de collecteur est sensiblement égal à β fois le courant de base
132
Le transistor considéré comme un quadripôle
Le transistor ayant trois électrodes, l’une
d’elles sera commune à l’entrée et à la sortie.
Il en résulte trois montages principaux.
Montage entrée sortie

émetteur commun base collecteur
collecteur commun base émetteur
base commune émetteur collecteur
133
Réseau des caractéristiques statiques du transistor
(Montage émetteur commun)
Le transistor comporte trois accès, il est donc caractérisé par 6 grandeurs

électriques:
 3 courants IB, IC et IE
 3 tensions VBE, VCE et VCB
Comme 𝑰𝑬 = 𝑰𝑪 + 𝑰𝑩 et 𝑽𝑪𝑩 = 𝑽𝑪𝑬 + 𝑽𝑬𝑩
4 relations indépendantes sont nécessaires

pour le caractériser
134
 Montage de mesure
Grandeurs d’entrées:
(VBE , IB )
Grandeurs de sorties:
(VCE , IC )
 Caractéristiques à IB constant: VBE et IC en fonction de VCE

 Caractéristiques à VCE constant : VBE et IC en fonction de IB
135
 Caractéristiques à VCE constant
 Caractéristiques d’entrée IB = f(VBE):
C’est la caractéristique qui relie les deux grandeur d’entrée :
- Courant de base IB
- Tension base-émetteur VBE
En observant la structure, on s’aperçoit qu’il s’agit d’une jonction PN. On retrouvera donc une
caractéristique de transfert identique à celle d’une diode.
Le schéma de principe du tracé de la caractéristique IB=f(VBE) est le suivant:

On fait varier la tension VBE puis on relève le courant de base correspondant
136
 Caractéristiques d’entrée IB = f(VBE):
 On retrouve, comme prévue, l’allure de

la caractéristique courant - tension
d’une diode. N’existe un courant dans la
base que pour VBE>Us.
 Cette caractéristique est généralement

donnée pour différentes valeur de la
tension VCE, ce qui justifie la deuxième
source de tension dans le montage
137
 Caractéristiques de transfert IC = f(IB):
Schéma de principe est le même que celui de IB = f(VBE)
IC(mA)
Cette caractéristique représente la fonction principale
du transistor : l’amplification en courant.
En effet, on remarque que la caractéristique de
transfert est une droite, ce qui traduit une relation
linéaire entre le courant de base et de collecteur. On
note le coefficient de proportionnalité β, ce qui
donne:
IC = β.IB
IB(μA)
138
 Caractéristiques à IB constant
 Caractéristiques de sortie IC = f(VCE):
Dans le schéma ci contre, on doit tout d’abord fixé un
courant de base pour qu’il y ait existence d’un courant
de collecteur. C’est le rôle de la source de tension
VBEo. Dans un deuxième temps, on fait varier VCE avec
une source de tension réglable, puis pour chaque
valeur de VCE on relève le courant IC correspondant.
Schéma de principe de relevé de la

Caractéristiques de Transfert IC=f(VCE)
Sur cette caractéristique, on

peut remarquer que le
courant collecteur croit très
rapidement pour se stabiliser
autour de la valeur β.IBn.
139
Réseau de transfert en Réseau de sortie
courant: IC = f (IB) IC = f (VCE) pour IB = Cte
pour VCE=cte
IC = β IB
Réseau d’entré
IB = f (VBE) pour VCE = Cte Réseau de transfert en tension
Ne présente pas d’intérêt en pratique
Le réseau de caractéristiques est donné pour une température définie
140
 Trois zones de fonctionnement
1. Zone de blocage :
VBE<US , IB = 0, IC = 0 Zone de saturation
(circuit ouvert entre E et C)
2. Zone de saturation: Zone linéaire
La jonction base collecteur est polarisée en

inverse :
VCE = VCESAT << VBE , IC < β IB
(Le transistor est équivalent à un court circuit
entre E et C)
VC
3. Zone de fonctionnement normal ou linéaire : E
VCE
Pour tout VBE > US, et pour tout VCE > VCESAT MAX
IC = β IB = constante Zone de blocage
141
 Valeurs limites des transistors
 Tension inverse de claquage:

Pour tout VCE > VCEMAX, la
jonction base collecteur qui est
polarisée en inverse devient
passante par effet d’avalanche,
Le courant IC augmente
excessivement. VC
E
VCE
 Puissance maximale dissipée: MAX
P=VCE.IC < PM
142
Polarisation du transistor
Polariser un transistor consiste à définir son état de fonctionnement

par l'adjonction de sources de tension continues et de résistances.
 Objectif de la polarisation:
 Fixer les valeurs des tensions VBE , VCE et des courants IB , IC

pour imposer la localisation des points de fonctionnement
dans le réseau
 Choisir le régime de fonctionnement
 Ces grandeurs vont être imposées par les éléments extérieurs
au transistor. 143
 Soit le circuit suivant:
Circuit d’attaque
Circuit de
charge
Droite d'attaque IB = f (VBE) :

− V BE V BB
 D'après la loi des I B= +
RB RB
mailles appliquée
sur le circuit,
Droite de charge IC = f (VCE) :
nous avons:
− V CE V CC
I C= +
RC RC
144
Sur la caractéristique IC = f(VCE) du transistor, on
trace la droite de charge statique
VCE = VCC - RC.IC
Le point d'intersection entre la droite de charge
statique et les caractéristiques du transistor
nous donne le point de fonctionnement A,
B ou S du montage ou point de polarisation.
- Si le point de fonctionnement est en A alors

le transistor fonctionne dans la zone linéaire.
- Si le point de fonctionnement est en B alors
le transistor est bloqué.
- Si le point de fonctionnement est en S alors
le transistor est saturé.
145
 Mode de Saturation (point S)
Hypothèse: VBB >> VBEsat ≈ 0,6 V ou 0,7V Hypothèse: VCC >> VCEsat ≈ 0 V
VBB – VBEsat = RB*IB VCC – VCEsat = RC*IC

𝑽𝑩𝑩 − 𝑽𝑩𝑬𝒔𝒂𝒕 𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑪𝑬𝒔𝒂𝒕
𝑰𝑩 = 𝑰𝑪 =
𝑹𝑩 𝑹𝑪
𝑽𝑩𝑩 𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑩 ≈ 𝑰𝑪 ≈
𝑹𝑩 𝑹𝑪
𝑽𝑪𝑪 𝑉𝐵𝐵 𝑉
d’où: IC < β.IB 𝑹𝑪
<𝛽 𝑅𝐵
𝑅𝐵 < 𝛽. 𝑅𝐶 . 𝑉𝐵𝐵
𝐶𝐶
Si VBB=VCC alors la condition pour saturer le transistor devient: RB<β.RC
Etat de la sortie Vs (sortie sur le collecteur) quand le transistor est saturé:

VCE = VCEsat= 0 d’où Vs = Vc = 0 car(VE = 0) 146
 Blocage (point B)
Condition de blocage: IB = IC = IE = 0 et VBE < Us
VBB – VBE = RB*IB = 0 VBB ≈ VBE < Us

En pratique, il est préférable de prendre VBB < 0
Etat de la sortie Vs (sortie sur le collecteur) lorsque le transistor est bloqué:

Les courants sont nuls. Il n’y a donc pas de chute de tension aux bornes de RC, d’où Vs = VCC
 Fonctionnement en régime linéaire (point A)
Nous avons alors: IC = β.IB
IE ≈ I C
VBE = Us
VCE > VCEsat
En régime linéaire, nous avons, la plupart du temps VBB = VCC
D’où: VCE = VCC – RC.IC
VBE = VCC – RB.IB 147
Montages de polarisation
 Polarisation par deux alimentations Droite d'attaque IB = f (VBE) :
− V BE V BB
I B= +
RB RB
Droite de charge IC = f (VCE) :

− V CE V CC
I C= +
RC RC
Ce montage nécessite deux alimentations Coûteux, encombré

 polarisation par résistance de base
Droite d'attaque IB = f (VBE) :
− V BE V CC
I B= +
RB RB
VCC Droite de charge IC = f (VCE) :

− V CE V CC
I C= +
RC RC 148
Dans le régime linéaire (amplification) on a :
V CC − V BE0
I C0≈ β I B0= β
RB
 Les dispersions de β sont grandes pour le même type du transistor.

En plus, β dépend de la température.
 Le point de fonctionnement est donc instable ce qui représente le principal

inconvénient de ce montage.
149
 polarisation par pont de base
𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝑏𝑒
+VCC 𝐼𝐵 =
𝑅𝑡ℎ + 𝛽𝑅𝐸
RC
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑐𝑒
VCC Rth 𝐼𝐶 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸
Vth 𝑅2
RE avec 𝑉𝑡ℎ = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
Pont diviseur et 𝑅𝑡ℎ = 𝑅1 //𝑅2
𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝑏𝑒
𝑉𝑡ℎ = 𝑅𝑡ℎ 𝐼𝐵 + 𝑉𝑏𝑒 + 𝑅𝐸 𝐼𝐸 𝐼𝐶 ≅ 𝛽. 𝐼𝐵 = 𝛽
𝑅𝑡ℎ + 𝛽𝑅𝐸
En choisissant Rth<< β.RE 𝑽𝒕𝒉 − 𝑽𝒃𝒆

𝑰𝑪 ≅
𝑹𝑬
Le point de polarisation devient indépendant de β donc plus stable

vis à vis de la température
150
 polarisation par contre-réaction au collecteur
Propriété intéressante du
montage :
Le transistor ne peut rentrer en
saturation puisque VCE ne peut
être inférieur à 0.7V
𝐸 − 0,7
𝐼𝐶 ≈ Cas particulier : RB=0
𝑅𝐶 + 𝑅𝐵 𝛽
𝐸−0,7
 𝐼𝐶 ≈
𝑅𝐶
 VCE = 0,7V
Le transistor se comporte
Contre-réaction au collecteur comme une diode
151
Exemple:
R1 = 22KΩ
R2 = 6,8KΩ
VCC RE = 470Ω
RC = 1KΩ
VCC = 15V
VBE = 0,6V
β = 250
1) Déterminer le point de fonctionnement

2) Comment peut on ramener le point de repos au milieu de la droite de charge statique ?
152

Electronique de Base: Redouane RMAILY Département de Physique 2019-2020

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UNIVERSITE CHOUAIB DOUKKALI

FACULTE DES SCIENCES - EL JADIDA

 Diode et ses applications

GENERALITE SUR LES

Dans un nœud quelconque du circuit, la somme des courants rentrants est

On calcule alors VA et VB et par conséquents les différents courants

U/ I générateur de courant

Caractéristiques du module photovoltaïque G36XCD 14

Caractéristiques du module photovoltaïque G36XCD 15

En régime permanent sinusoïdal : VR(t)

V(j)= VM .ejωt =(R+jL) I(j) = Z.I(j)

 est la constante de temps du dipôle U est appelée pulsation réduite

 Le déphasage apporté par TR est donné par :    Arctg (u )

|TR| (dB) = 20 log10|TR| 20

Le dipôle se comporte comme un filtre passe

Dans ce cas le dipôle se comporte comme un filtre passe

Un quadripôle est un circuit électrique, qui a 4 bornes de communication avec l’extérieur : 2

Entrée IE Quadripôle IS Sortie

 Le quadripôle est caractérisé par 4 grandeurs: 𝐔𝟏 , 𝐈𝟏

Quadripôle passif: est un quadripôle qui ne contient aucune source

 Paramètres impédances ( paramètre Z)

impédance d'entrée à circuit ouvert

Y = Z-1 Y est la matrice admittance du quadripôle

La matrice Y est l’inverse de la matrice Z. Circuit équivalent

admittances de transfert en court-circuit.

Déterminer les éléments de la matrice admittance du quadripôle suivant:

Rem : le coef 𝑇11 représente U1/U2 à I2 nul

Rem : confusion possible avec matrice de chaîne

Rem : les éléments des matrices hybrides sont de différentes

Série-série Série-parallèle parallèle-série

Les courants de l’entrée sont les mêmes et Les

I1  I1  I1 I 2  I 2  I 2

Les tensions à l’entrée et à la sortie s’ajoutent

U1  U1  U1 U 2  U 2  U 2 I1 I2

𝒀 = 𝒀′ + 𝒀" Attention à l’ordre !!!

Le quadripôle est souvent utilisé

Soit le quadripôle suivant, alimenté par Zg I1 I2

En régime sinusoïdal Forcé

G() : Gain du Quadripôle

On reconnaît des « quadripôles » en cascade : la matrice de chaîne T

Produit des matrices

le coef A représente U1/U2 à I2 nul

(que l’on pouvait écrire directement)

De (2) on déduit I2 que l’on place

Et Q ayant le moins de pertes possible

QUADRIPOLE ADAPTATEUR D’IMPEDANCES 50

Pour un quadripôle passif, nous

Si ce quadripôle passif est symétrique, nous

Adapté 600 Ω Adapté 50 Ω

Vue du point (1), l’impédance est : 577,13 + 34,991 // (16,019+50) = 600Ω

LES SEMI CONDUCTEURS

Un cristal semi conducteur intrinsèque est

 Le germanium (Ge) a été le premier semi

 Les semi-conducteurs composés:

Répartitions des 14 e- du Si Représentation simplifiée :Couche de valence + cœur

Métal- isolant- Semi-conducteur

 Métal (conducteur)  Isolants  Semi-conducteurs

 Métal (conducteur)  Isolants  Semi-conducteurs

 Un électron d’un semi conducteur nécessite au moins l’énergie de Gap

 En quittant la bande de valence pour la bande de conduction, il laisse un

 La perte de l’e- entraîne l’apparition d’une charge positive (ion+) et l’existence

 Les e- libres qui circulent au

L’agitation thermique est à l’origine de l’excitation des électrons de la