Cours Electronique Fondamentale 1

REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE
MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR

ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
Support de cours : Electronique fondamentale I

Niveau : 2éme Année licence
Préparé par : Dr. Chemachema Karima
2017/2018
Sommaire
Chapitre I : Régime continu et théorèmes fondamentaux
1. Définitions
2. Tensions et courants continus
3. Relation tension – courant
4. Théorème fondamentaux
4.1 Diviseur de tension
4.2 Diviseur de courant
4.3 Théorème de superposition
4.4 Théorème de Thévenin
4.5 Théorème de Norton
4.6 Théorème d’équivalence Thévenin-Norton
4.7 Théorème de Millman
4.8 Théorème de Kennelly
4.9 Théorème du transfert maximal de puissance
Exercices corrigés
Chapitre II : Les quadripôles passifs
1. Définition
2. Matrices représentatives des Quadripôles
3. Association des quadripôles
4. Grandeurs fondamentales des quadripôles
5. Fonction de transfert (Transmittance)
6. Diagramme de Bode
Exercices corrigés
Chapitre III : Les Diodes

1. Notions sur la théorie des bandes d’énergie
2. Semi conducteurs
3. Jonction P-N
4. Caractéristique d’une diode réelle à base de Silicium
5. Diode dans un circuit
6. Applications des diodes
7. Diodes spéciales
Exercices corrigés
Chapitre VI : Les Transistors bipolaires

1. Transistors bipolaire
2. L’effet transistor
3. Mode de fonctionnement
4. Réseau de caractéristiques
5. Polarisation
6. Droites de charge
7. Amplificateur à transistor monté en émetteur commun
8. Amplificateur à transistor monté en collecteur commun
9. Amplificateur à transistor monté en base commune
Bibliographie
Chapitre I : Régime continu et théorèmes
fondamentaux
1. Définitions :
 Un circuit ou réseau électrique est un ensemble de conducteurs reliés entre eux
et contenant en général des générateurs, des récepteurs et des résistances.
 Un dipôle est un élément électrique capable ou non de fournir de l’énergie,
communiquant avec l’extérieur seulement par deux bornes. La résistance ou la
source de tension entre B et M de la figure constituent deux exemples de
dipôles.
 Un nœud est un point du réseau où sont connectés plus de deux conducteurs.
 Une branche est une portion de réseaux située entre deux nœuds.
 Une maille est un ensemble de branche formant un circuit fermé, qui ne passe
qu’une fois par un nœud donné.
Figure 1 réseau électrique
2. Tensions et courants continus :

Selon la forme de la tension (ou du courant) délivrée par le générateur qui alimente un
circuit, on dit que ce circuit fonctionne selon un certain régime. S’il délivre une
tension constante, le circuit fonctionne en régime continu.
Il existe deux choix pour l’orientation du courant i et de la différence de potentiel v
a. Générateur de tension idéal :

Un générateur de tension idéal délivre une différence de potentiel constante et
indépendante du courant qu’il délivre.
1
a. Générateur de courant idéal
Un générateur de courant idéal délivre un courant constant et indépendamment de la

différence de potentiel entre ses bornes.
b. Générateur réel de tension

Un générateur réel de tension possède souvent une résistance interne Rg placée en
série avec le générateur idéal de tension Eg.
Rg A
Eg
c. générateur réel de courant

Un générateur réel de courant possède souvent une résistance interne Rg placée en
parallèle avec le générateur idéal de courant Ig.
Ig Rg
3. Relation tension-courant :
a) Cas d’une Résistance
La résistance est définie par la relation qui s’établit entre la tension à ses bornes et le
courant qui la traverse, appelée loi d’ohm :
U(t)= R i(t)
La puissance instantanée dissipée par une résistance est :
P(t) = u(t) i(t) en watt
b) Cas d’un condensateur

Pour un condensateur, l’équation :
2
i(t)=c
montre que si u(t) = cste on a bien : i(t) = 0. du(t)/dt
Donc en régime continu, aucun courant ne traverser un condensateur, et le
condensateur se comporte comme circuit- ouvert.
c) Cas d’une bobine

Si une inductance L parcourue par un courant d’intensité i, la tension aux bornes de
l’inductance est :
U(t) = Ldi(t)/dt
En régime continu, une bobine présentera toujours une différence de potentiel nulle à
ses bornes, et la bobine se comporte comme court-circuit.
4. Théorèmes fondamentaux :
4.1. Diviseur de tension :
Lorsqu’on a une association série de résistances, on peut exprimer la tension aux
bornes de l’une d’elles, connaissant la tension au bornes de l’ensemble.
4.2. Diviseur de courant :

Lorsqu’on a une association parallèle de résistances, on peut exprimer le courant dans
l’une d’elles, connaissant le courant global.
3
4.3. Théorème de superposition :

Soit un réseau linéaire comportant n sources indépendantes de tension et de courant
que nous pouvons noter : S1, S2, . . ., Sn, et une grandeur à calculer, comme par
exemple IK le courant dans la branche K. Appelons IK1, IK2, . . . , IKn, les valeurs de
cette grandeur crée individuellement dans cette branche par chaque source agissant
seule. Les autres sources étant passivées.
IK = IK1 + IK2 + · · · + IKn
Remarque :
Passiver une source revient à la remplacer par sa résistance interne. Autrement dit,
ceci revient à court-circuiter les sources de tension et à ouvrir les sources de courant.
Exemple :
Calculer le courant dans la résistance de 23Ω en utilisant le principe de superposition,
dans le circuit suivant :
4Ω
I
27Ω 47Ω
Ig=20A 23Ω
E=200V
Solution :
Etape 1 : En supposant que seule la source de 200V est active, la source de courant de
20A est passivée.
Etape 1 : E  0 et Ig = 0 :
Le schéma devient :
4Ω I1 IT
27 47 47Ω Req1
23Ω
E E
avec : =27 // (4+23) = 27.27 / (27+27) = 13.5Ω. IT
Ensuite on associe les deux résistances 47Ω et Req1

Et calculer le courant total, le schéma devient : E
Req
avec : = + = . Ω , donc : = / . =3.31 A
En utilisant le diviseur de courant on a: =  . / = .
Etape2 : E = 0 et Ig  0 :
4
4Ω
I2 I2
27Ω 47Ω 20A Req2 20A
23Ω 23Ω
= + . / = 21.15 Ω
En utilisant le diviseur de courant:
= . . /( . + ) = 9.58A
Etape3: Le courant I dans la résistance 23Ω est la somme algébrique des courants I1
et I2 :
= + = 11.23
4.4. Théorème de Thévenin :

Considérons un circuit électrique linéaire placé entre deux points A et B. le circuit
précédent peut être remplacé par un générateur équivalent de Thévenin de force
électromotrice ETH et de résistance interne RTH.
 La valeur ETH est égale à la tension mesurée entre A et B à vide, c’est-à-dire
lorsque le dipôle n’est pas connecté à d’autres éléments externes (charge
déconnectée).
 La résistance interne RTH correspond à la valeur de la résistance vue entre A et
B lorsque les sources indépendantes sont passivées.
A
Réseau
linéaire
B
Exemple :
Dans le circuit suivant déterminer les éléments du générateur équivalent de Thévenin.
I A
4Ω 6Ω
VAB
E1 =10V E2 =8V
B
5
Solution :
Etape 1 : calcul de Eth à vide.
=V = 6I + 8
On doit calculer le courant I, d’après la loi de Kirchoff :
Maille: −4 −6 − = 0 ⇒ I = (E1 − E2)/10 = 2/10 = 0.2A

donc :
= 9.2V
Etape 2 calcul de la résistance Rth lorsque tous les générateurs sont passivés, on
obtient :
A
4Ω 6Ω
B
4.6
= 4Ω //6Ω = = 2.4Ω
4+6
4.5. Théorème de Norton :
Tout circuit électrique linéaire peut être remplacé par un dipôle équivalent vis-à-vis
des points A et B, c’est-à-dire vu d’un élément placé entre A et B par un générateur
de Norton équivalent de courant IN et de résistance interne RN.
 La valeur IN du générateur de courant équivalent est égale à l’intensité mesurée
entre A et B dans un court-circuit (charge court-circuitée).
 La résistance interne RN correspond à la valeur de la résistance vue entre A et
B lorsque les sources indépendantes sont passivées.
A
Réseau
linéaire
B
Exemple :
Dans le circuit suivant déterminer les éléments du générateur équivalent de Norton.
A
4Ω 6Ω
E1 =10V E2 =8V
B
6
Solution :
Etape1 : calcul du courant IN de court-circuit. Donc il faut court-circuiter la branche

AB.
C A
4Ω 6Ω 1
2 IN
I1 I2
E1 =10V E2 =8V
B
D’après les lois de Kirchoff :
Maille 1: E1- 4I1 =0  I1=10/4=2.5A
Maille 2: E2-6I2 =0  I2=8/6=1.33A
Noeud C: I1+I2 =IN  IN = 3.83A
Etape 2 : pour calculer RN il faut passiver les générateurs de tension et de courant :

A
4.6
= 4Ω //6Ω = = 2.4Ω
4+6
4Ω 6Ω
RN = 2.4 Ω
B
4.6. Equivalence Thévenin-Norton
Un générateur de tension de thévenin, de force électromotrice Eth et de résistance
interne Rth est équivalent à un générateur de Norton, de courant IN =Eth /Rth et de
même résistance interne RN.
4.7. Théorème de Millman :

Le théorème de Millman permet la détermination directe de potentiel de nœud d’un
réseau de résistance par rapport à un potentiel de référence, à partir de la loi des
nœuds. On considère un nœud A auquel aboutissent K branches, les potentiels Vi des
extrémités des branches sont tous définis par rapport à un même potentiel de référence
Vref ; Ri la résistance de la branche i ; Gi sa Conductance.
7
La loi des nœuds s’écrit :

=
− − −
⇒ + + ⋯+ =0
∑
 =
∑
Exemple :
Dans le montage suivant, déterminer le potentiel au point A par utilisation du
théorème de Millman :
R1=10Ω A R2=5Ω
E1=10V
R3=20Ω E2=5V
Solution :
Appliquons le théorème de Millman au point A:
0
+ +
=
1 1 1
+ +
AN : 10 5
+
= 10 5 = 5.7
1 1 1
10 + 5 + 20
4.8. Théorème de Kennelly:

Ce théorème permet de transformer le schéma d’un réseau en triangle en un schéma
étoile, ou «  » en un schéma en « T ». On considère l’association des trois
résistances RA, RB, Rc dite en étoile, soient IA, IB, Ic les courants entrants
respectivement aux points A, B, C et VA, VB, Vc les tensions en ces mêmes points :
8
A
IA A IA
RA
IB IC B RB RC
C IB IC C
B
On applique le théorème de Millman au point X pour exprimer VX :
+ +
=
1 1 1
+ +
Calculons les courants IA, IB, IC :
− 1
= = [( + ) − − ] (1)
+ +
− 1
= = [− +( + ) − ] (2)
+ +
− 1
= = [− − +( + ) ] (3)
+ +
Pour l’association des résistances R1, R2, R3 en triangle on a :

Le courant IA est la somme des courants dans R3 et dans R2 :
− − 1 1 1 1
= + = + − − (4)
− − 1 1 1 1
= + = − + + − (5)
− − 1 1 1 1
= + = − − + + (6)
Les deux schémas doivent être équivalents quelles que soient VA, VB, Vc, donc :
de (2) et (5) on a :
+ + + +
= =
9
de (1) et (4) on a :
+ +
=
On peut également exprimer les résistances RA, RB, Rc en fonction des résistances R1,
R2, R3. On obtient alors les relations :
= =
+ + + +
=
+ +
Exemple :
Par application du théorème de Kennelly, déterminer RAB :
Solution :
10
Aux points A, C et D, on effectue une transformation étoile triangle :
Les valeurs des résistances sont indiquées sur le schéma.
4.9. Théorème du transfert maximal de puissance:

Dans un réseau électrique, le générateur est censé fournir l’énergie nécessaire à un
récepteur qui l’accepte. Considérons le réseau élémentaire constitué d’un générateur
réel de tension et d’une résistance de charge RU.
La puissance fournie par le générateur est égale à :
Pf = E.I = Rg.I2 + RU.I2 =Rg + RU
11
La puissance absorbée par la charge :

Pu= Ru .I2
Comment faut-il choisir RU vis-à-vis de Rg pour que la puissance transmise soit

maximale ?
Nous cherchons la valeur optimale de la résistance d’utilisation RU(opt). Pour cela,
calculons la puissance PU en fonction de Rg :
Étudions la loi de variation de la puissance en calculant sa dérivée :
La puissance transmise est maximale (en mathématiques, nous disons que la courbe
passe par un extremum) lorsque cette dérivée s’annule, c’est à dire pour RU = Rg.
Elle vaut alors :
12
Exercices du chapitre I
Exercice 1 :
1 . Déterminer la tension UBM en fonction de UAM.
2 . Déterminer les tensions UAM, puis UBM en fonction de E.
Figure 1
Exercice 2 :
Dans le montage représenté sur la figure 2, déterminer la tension U en utilisant le

principe de superposition.
R1=15Ω R2=40Ω
E1=10V E2=12V
U R3=20Ω
R4=5Ω R5=20Ω
Figure 2
Exercice 3 :
Calculer le courant circulant dans la résistance R3 du circuit électrique suivant en

utilisant le théorème de Thévenin.
I
R2=47Ω
R1=27Ω
R3=27Ω
E1=200V
Figure 3 E2=50V
13
Chapitre II : Quadripôles passifs
1. Définition :
Un quadripôle est un réseau qui peut être représenté par une boite munie de quatre
bornes de liaison avec les circuits extérieurs (deux bornes d’entrée et deux bornes de
sortie).
Zg
ZC
Quatre grandeurs électriques caractérisent un Q :

Le courant I
Grandeurs d’entrée :
La tension V
Le courant I
Grandeurs de sortie :
La tension V
2. Matrices représentatives des quadripôles :

2.1. Matrice impédance :
On exprime les tensions en fonction des courants. Les éléments de la matrice ont la
dimension d’impédances.
Zij : s’appellent les paramètres Z.

Exemple d’application :
Déterminer les paramètres Z du quadripôle T :
1ére méthode :
Z1 Z3
Z2
 Détermination de Z11 : Si I2 = 0 alors V1 = Z11.I1
= = +
15
= =
Z1 Z3
Z2
= =
= = +
Autre méthode : on écrit la loi des mailles en entrée et en sortie:
Z1 Z3
Z2
= + . (I1 + I2 ) = ( + ) +
= + . (I1 + I2 ) = +( + )
2.2. Matrice admittance :
On exprime les courants en fonction des tensions. Les éléments de la matrice ont la
dimension d’admittances.
16
Exemple :
Déterminer les paramètres Y du quadripôle en  :
Z2
Z1 Z3
D’après la loi des noeuds, on peut écrire :
= + . (V − V ) = ( + ) −
= + . (V − V ) = − +( + )
2.3 . Matrice de transfert :
On exprime les grandeurs de sortie en fonction des grandeurs d’entrée.
2.4. Matrice hybride :
Exemple :
Trouver les matrices de transfert de deux Q :
I1 I2 I1 Z I2
V1 V2 V1 V2
Z
 
Q Q
Solution :

Pour le quadripôle Q :
D’après la loi des mailles :

= −
=−
17
Sous forme matricielle :
1  = 1
= donc
0 1 − 0 1

Pour le quadripôle Q :
=
= −
Sous forme matricielle :
1 0
= donc  = 1 0
1 − 1/ 1
3. Association des quadripôles :

3.1. Association en cascade :
Les deux sorties du premier sont reliées aux deux entrées du second. On utilise les
matrices de transfert [T1] et [T2] des deux quadripôles associés.
La matrice de transfert du quadripôle équivalent est donc égale au produit de la

seconde.
3.2. Association en série :

Dans ce cas il y a additivité des tensions aux bornes des quadripôles. Les courants
sont identiques.
18
En notation matricielles, on a :
D’autre part :
3.3. Association en parallèle :
4. Grandeurs fondamentales des quadripôles :

4.1. Impédance d’entrée :
C’est l’impédance = = vue à l’entrée quand la sortie est chargée par une
impédance Zch. On utilise la matrice impédance.
19
4.2. Impédance de sortie :

C’est l’impédance = = vue à la sortie quand l’entrée est fermée par une
impédance Zg qui est l’impédance du générateur. (Ce qui revient à court- circuiter la
source de tension).
Un calcul analogue au précédent donne :
4.3.Gain en tension :
C’est le quotient de la tension de sortie par la tension d’entrée.
=
20
Cas particulier : les quadripôles passifs ∆( ) = 1
 =
+
4.4. Gain en courant :
C’est le quotient du courant de sortie par le courant d’entrée.

=
Un calcul analogue au précédent :
−
= =
+
5. Fonction de transfert (transmittance) :
Soit Q un quadripôle constitué par un système linéaire possédant une entrée Ve et

une sortie Vs.
Ie IS
Ve Q VS
= cos( + )⇒ = avec =
= cos( + )⇒ = avec =
On appelle fonction de transfert :
( )= ( )
= =
H : Module de la fonction de transfert.
Φ : Argument de la fonction de transfert.
 Définition des paramètres caractéristiques:
 On définit la fréquence de coupure ωc d’un système comme étant celle pour

laquelle le gain maximum en tension est divisé par √2.
| |
| ( )| =
√2
21
| ( )|
Ou | ( )| = 20
√
= −3
 On appelle Bande passante BP d’une fonction de transfert H(jω), la gamme des

fréquences pour lesquelles le gain est compris entre son maximum et -3dB.
BP = Δf = fc2-fc1.
H
H0
H0/√2
6. Filtres électriques :
6.1. Définition :
Un filtre est un Q ou succession de quadripôle conçu à transmettre de manière
sélective une bande de fréquence. Un filtre possède une ou plusieurs bandes passantes
où le signal le transmet sans atténuation et une ou plusieurs bandes atténuées dans
lesquelles les signaux sont étouffés.
6.2. Principaux types de filtres:
22
 Un filtre passe bas : laisse passer les pulsations inférieures à une pulsation
ωc.
 Un filtre passe haut : laisse passer les pulsations supérieures à une pulsation
ωc.
 Un filtre passe bande : laisse passer les pulsations comprises entre ωc1 et ωc2.
 Un filtre coupe bande (rejet) : laisse passer les pulsations inférieures à ωc1 et
supérieures à ωc2.
7. Fonctions élémentaires :
Fonction1 : H(jω) = K = constante
 Gain : GdB=20.log| | =
>0 | |>1 ⇒
<0 | |<1 ⇒ é
 Phase : ∅ = ( ) =0 >0
= ±180 <0
Par convention on prend (-π = -180).
Courbes de Bode de la fonction H( jω) = K.
Fonction2 : H(jω) =
 Gain : GdB = 20log| ( )| = 20.
Sur une échelle semi-logarithmique est une droite passant par (ω0 ,0). La pente est
définie de la manière suivante :
23
pour ω= ω0 ⇒ = 20 . log 1 = 0 .
pour ω=2 ω0⇒ = 20 . log 2 = 6 .
pour ω=10ω0 (1 é )⇒ = 20 . log 10 = 20 .
 Phase : ∅ =
Fonction3 : H(jω) = /
 Gain : GdB = 20log| ( )| = 20 = −20. log
/
 Phase : ∅ = −
La fonction 3 s’obtient en inversant la fonction 2 qui se traduit simplement par un
changement de signe du gain et de la phase.
Fonction 4: H(jω) =1+
 Gain : GdB = 20.log| ( )| = 20. +( )

 Phase : Arg (H(jω))=Arctg(ω/ω0)
Asymptotes :
=0
Pour ≪
=0
= 20 log : 20 / é .
Pour ≫
=
Fonction 5: H(jω) =
 Gain : GdB = 20.log| ( )| = −20. +( )
24
 Phase : Arg (H(jω)) = - Arctg(ω/ω0)

Asymptotes :
=0
Pour ≪
=0
Pour
= −20 log : − 20 / é .
≫
=−
Exemple : Etude d’un filtre passe haut du premier ordre (CR)
- Fonction de transfert :
D’après le diviseur de tension :
= . = .
/
Ve VS
1
⇒ ( )= = .
1+ 1+ /
avec : = / .
Donc H(jω) c’est le produit de la fonction 2 et la fonction 5.
- Gain en dB :
GdB = 20.log | ( )| = 20. log − 20. 1+( ) = +
 Phase : Arg (H(jω)) = − = + .

Asymptotes :
=0
- Pour ≪
=0
- Pour
= −20 log : − 20 / é .
≫
=−
= −3
Point particulier (pulsation de coupure): =
= /4
25
Le diagramme de Bode est :
 Aux très hautes fréquences, le gain est confondu avec l’axe ox. Aux très basses
fréquences, GdB est une droite de pente +20dB/décade.
 La phase admet pour asymptote /2 rd en basse fréquence et φ = 0 rd en hautes
fréquences.
GdB
26
Exercices du chapitre II
Exercice 1 :
Calculer les paramètres impédance de ce quadripôle.
I1 I2
330Ω
V1 150Ω 680Ω V2
Figure 1
Exercice 2 :
Déterminer l’impédance de sortie Zs du quadripôle représenté sur la figure 2, celui-ci

étant alimenté par un générateur délivrant une tension sinusoïdale et possédant une
résistance interne r.
r C R2
e(t) R1
Figure 2
Exercice 3 :
Soit le circuit de la figure 3. Montrer que la fonction de transfert H(jω) peut se mettre
sous la forme :
1 + jω/ω
H(jω) =
1 + jω/ω
Déterminer ω1 et ω2 et tracer le diagramme de Bode dans le cas où R = 9kΩ,
r = 1kΩ, C = 100nF.
R
r
Ve Vs
Figure 3
27
Chapitre III : Diodes
28
1. Notions sur la théorie des bandes d’énergie :

1.1. Définition :
Si on prend plusieurs atomes isolés et qu’on les rapproche pour former un édifice
cristallin, les niveaux d’énergie vont se coupler pour former une succession de
niveaux groupés en bandes d’énergie permises et des bandes interdites.
1.2. Niveaux d’énergie dans les solides :

On distingue dans le réseau cristallin, dans le sens des énergies croissantes :
a) Bande de valence :
Elle est susceptible d’être occupé par les e- de valence quand ils sont dans leur
état d’énergie les plus faibles.
b) Bande interdite :
Ou il n’y a aucun e-. La largeur de la bande interdite appelée le Gap, joue un
rôle dans les propriétés électriques des matériaux.
c) Bande de conduction :
Qui est susceptible d’être occupé par des e- qui ont une énergie suffisante
pour s’arracher à l’attraction du noyau.
- Si cette bande est vide on dit que le matériau est un isolant, sa largeur de BI
est quelques ev.
- Si la bande de conduction est partiellement occupée, le matériau est appelé
semi conducteur, son GAP est faible.
- Si le gap est très faible, le matériau est un conducteur.
2. Semi conducteurs :
2.1. Semi conducteur intrinsèque :
Un semi conducteur est un corps dont la résistivité ρ :
29
 Varie en sens inverse de la température.

 est généralement comprise entre 10-4 et 102Ω.m à température ambiante
(300k (270)).
 La conductivité  = neµ est directement liée à la concentration n des e
libres. Pour un s.c 107<n<1028 e/m3.
 Un s.c intrinsèque (pur) compte 4 e- de valence qui ne sont pas libre de se
mouvoir, mais ils sont piégés par des liaisons covalentes.
Les atomes sont reliés entre eux par des liaisons covalentes qui assurent la cohésion
de l’ensemble. Ce Corp. est appelé s.c intrinséque.
A température ambiante, certain liaisons covalentes peuvent se casser du fait de
l’agitation thermique. Quelque e brisent alors leurs lien et se déplacent aléatoirement
à travers le cristal rendent possible la conduction. L’e- qui a quitté sa place laisse
derrière lui un vide appelé « trou ». Dans un s.c intrinsèque : le nombre d’e n est
égale au nombre de trous p de telle manière que : n = p = ni (ni concentration
intrinsèque).
2.2. Semi conducteur extrinsèque :
Un s.c extrinsèque (impur) est obtenu en ajoutant certains éléments étrangers dans le
s.c pur, pour augmenter de façon importante le nombre de porteurs de charge mobile,
cette opération est appelée « dopage ».
a) S.C de type N
On dope le cristal intrinsèque avec des éléments ayant un e- de valence de plus : on
peut doper du Si (4e-) avec le phosphore (P), l’arsenic (As) qui possède 5 e- (atomes
donneurs). 4 e- vont faire des liaisons covalentes avec les atomes de Si environnants,
et les 5 e-sera un e- libre, tous ces e- libres seront les porteurs majoritaires. Il existera
encore quelques trous, mais en très faible quantité.
30
b) S.C de type P :
On dope le cristal intrinsèque avec un élément possédant un nombre inférieur
d'électrons de valence : on peut doper du silicium (4 électrons de valence) avec du
Bore, de l'indium, du Gallium ou de l'Aluminium qui possèdent 3 électrons de valence
(atome accepteur).
Ces atomes vont prendre la place d'atomes de silicium dans le cristal. Comme ils
possèdent 1 électron de valence en moins, il va se créer des trous dans le semi-
conducteur. Les trous deviennent porteurs de charges mobiles majoritaires : le semi
conducteur est de type P. Il subsistera quelques électrons libres dans le cristal
(porteurs minoritaires).
3. La jonction PN :
3.1. Constitution :
La jonction PN st obtenue par l’association d’un semi conducteur dopé N et d’un S.C
dopé P.
Après assemblage, il apparait une zone dépourvue de porteurs libres au voisinage de

la jonction.
Les trous du S.C de type P diffusent vers le SC de type N et réciproquement pour les
e- du S.C de type N. Il y a de nombreuses recombinaisons ce qui provoque la
disparition des porteurs mobiles dans la zone centrale. Il ne reste que les ions fixes.
C’est la zone de charge d’espace (ZCE).
31
Les ions fixes de part et d’autre créent alors un champ électrique interne Ei qui
s’oppose à la cause qui lui a donnée naissance c'est-à-dire la diffusion des porteurs
majoritaires (force électrostatique en sens inverse) ce qui conduit à un état d’équilibre.
Le champ interne crée une ddp entre la région N et La région P appelée barrière de
potentiel.
3.2 Jonction PN polarisée :

3.2.1 Jonction PN polarisée en direct :
Si on applique à une jonction PN une différence de potentiel de telle maniére :
La borne de la région P est reliée à la borne (+) du générateur.
La borne de la région N est reliée à la borne (-) du générateur.
La source de tension V crée un champ électrique E externe qui s’oppose au champ

interne Eint. Quand la source de tension atteint un seuil (0.3V pour le Ge et 0.7V pour
le Si). Le champ externe devient plus grand que le champ Eint ce qui entraine la
diminution de la barrière de potentiel et l’accroissement de la diffusion des porteurs
majoritaires.
3.2.2 Jonction PN polarisée en inverse:

Les polarités de l’alimentation U sont cette fois-ci inversées (le pole + est relié à N et
le pole (–) à P).
Le champ électrique externe crée par la tension U renforce l’action du champ interne
Eint. De ce fait les e- et les trous ne peuvent diffuser d’une région à l’autre. Il y aura
blocage de la jonction PN.
4. Caractéristique d’une diode réelle à base de Silicium :
Cette caractéristique décrit l’évolution du courant traversant la diode en fonction de la
tension à ses bornes en courant continu.
32
Id
Id
Vd
Vd
V0
 Pour Vd < 0 la diode se comporte comme un isolant, la diode est bloquée.
 Pour Vd > 0.7V le courant augmente rapidement avec une variation à peu prés
linéaire.
L'intensité Id du courant traversant la diode, est donnée par l'expression suivante:
= −
η
=
= ; : = . . /
IS : courant de saturation.
5. Diode dans un circuit :

5.1. Point de fonctionnement :
Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le
courant qui la traverse.
Id
Vd
E RL
Au point de fonctionnement de la diode (Id , Vd) remplissent ces deux questions :

- Id et Vd respectent les lois de kirchoff.
- Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant.
Droite de charge : =
33
5.2. Résistance d’une diode :

a) Résistance statique :
D’après la loi d’Ohm, cette résistance est égale au rapport : R = Vd/Id.
La résistance R change en fonction de la fonction de la tension Vd et du courant Id, de
ce fait elle ne s’avère pas être un paramètre très significatif.
b) Résistance dynamique :
La résistance dynamique étant l’inverse de la pente de la caractéristique en un point
donné, on peut la déduire par :
1
=
5.3. Schéma équivalent du diode :

Plusieurs schémas équivalents simplifiés sont proposés :
a) Diode idéale :
On néglige la tension de seuil et la résistance interne de la diode. La caractéristique
est alors :
b) Diode parfaite (avec seuil) :
On néglige la résistance interne, mais tenir compte du seuil de la diode. La
caractéristique devient :
c) Diode réelle :
Ici on prend en compte la résistance de la diode. Ceci peut être utile si on utilise la
diode en petits signaux alternatifs et qu’on a besoin de sa résistance dynamique.
Parfaite
34
6. Les applications des diodes :

6.1. Redressement simple et double alternance :
C’est la transformation d’un signal alternatif en tension continue.
6.1.1. Redressement monoalternance :
Il admet l’alternance positive et annule l’alternance négative. Une simple diode en
série avec la charge suffit à réaliser cette fonction.
 Valeur moyenne et valeur efficace de la tension de sortie:

Le signal d’entrée est : e(t)=Em sin ωt
Dans le cas d’une diode idéale, la tension de sortie ou tension redressée a pour
expression :
0 ≤ ≤ /2
( )=
0 /2 ≤ ≤
 La valeur moyenne : = ∫ =
 La valeur efficace : = ∫ =
6.1.2. Redressement double alternance avec pont de Graëtz :

Lors de l'alternance positive de la tension d'entrée ve, seules les diodes D1 et D4,
ayant une tension d'anode supérieure à Vd, conduiront. Les diodes D2 et D3 sont
bloquées. Pour l'alternance négative, ce sont les diodes D2 et D3 qui conduisent.
35
Alternance positive Alternance négative
 Valeur moyenne et valeur efficace de la tension de sortie :

 La valeur moyenne : = ∫ =2
 La valeur efficace : = ∫ =
√
6.2. Ecrêteurs (limiteurs de crête) :

Ils sont utilisés pour couper des portions de tension de signaux au dessous ou du
dessus de certains niveaux.
Dans le cas de la figure suivante les deux diodes D1 et D2 sont idéales et
E1> E2 , e(t) = Emsinωt (E1 < Em).
1) Tracer i = f (e) ; v = g(e).
2) Tracer v(t) et e(t) dans un même repère.
i
R
D1 D2
e(t) V
E1 E2
Pendant l’alternance positive :
< :
⎧
⎪
⎪ = 0; ( )= ( )
e(t) > 0 : > :
⎨
⎪
⎪ = ; ( )=
⎩
Pendant l’alternance négative :

<− :
⎧
⎪
⎪ = ; ( )=
⎪
e(t) < 0 :
⎨ >−
⎪
⎪
⎪ = 0; ( ) = ( )
⎩
36
i v
E2/R E1
e -E2 e
-E2 E1 E1
-E2
6.3. Multiplicateurs de tensions :

Ils utilisent la technique de fixation de niveau afin d’accroitre les tensions crêtés
redressées plutôt que d’augmenter la tension à l’entrée du transformateur. Utilisés
dans les applications à haute tension et à faible courant comme les récepteurs de
télévision.
Action du doubleur de tension simple alternance :

Vcréte : tension de crête.
Vc1-Vc2+ Vcréte = 0  Vc2= Vcréte+ Vc1= Vcréte+ Vcréte= 2Vcréte.
37
7. Diodes spéciales :
7.1 Diode Zener :

7.1.1 Caractéristique:
C’est une diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse,
caractérisée par une tension de seuil négative ou tension Zener VZ.
Caractéristique I-V d'une diode Zener avec les paramètres

du modèle linéaire.
7.1.2 Régulateur (stabilisateur) à diode Zener :
Avoir une tension régulée de 5V sur RL avec une tension d’entrée mini de 12V.
Calcul de iL :
Nous avons : 10 < < ∞ avec RL impédance de charge. La maille 2 donne
= × soit = / nous avons = 0.5 .
38
 Calcul de i :
= + soit = 0.24 + 0.5 = 0.74
 Calcul de R
.
La maille 1 donne = × + soit = = = . Ω
.
Nous choisissons R=10Ω :
 Calcul de Umini :
La maille 1 donne : = × + soit = 10 × 0.74 + 5.1 = 12.5
 Calcul de Umaxi:
= + soit = . + . = .
La maille 1 donne : = × + nous avons = .
 Calcul de la puissance de R :
= × nous avons = × . =20.5 W
Nous prendrons une résistance de 10Ω capable de dissipée 25W.
 Conclusion :
Nous venons de réaliser une alimentation stabilisée en tension (5.1V) capable de
fournir un courant maxi de 0.5A avec une tension U d’entrée comprise entre 12.5 et
19.4V.
39
7.2 Diodes varicaps :

La zone vide de porteurs d’une jonction polarisée en inverse voit son épaisseur
augmenter si on augmente la tension inverse. Cette zone joue le rôle du diélectrique
d’un condensateur. Si l’épaisseur de cette zone augmente la capacité diminue car
C = ε.S/e. On obtient un condensateur dont la capacité est fonction de la tension
inverse appliquée selon une loi du type :
Si on insère une telle diode dans un circuit oscillant, on peut régler la fréquence de
résonance du circuit en agissant sur la tension de commande de la diode au lieu d’agir
mécaniquement sur un condensateur variable
7.3 Diodes électroluminescentes (DEL): Ces diodes spécifiques à base d'arséniure

de gallium ont la propriété d'émettre de la lumière dans une bande de fréquence
déterminée par les caractéristiques du matériau employé quand elles sont traversées
par un courant direct. Une diode électroluminescente peut- être schématisée par la
figure….
40
7.4 Diodes Photodiodes :
Les photos détectrices transforment les radiations lumineuses (visible ou non) en

signaux électriques. On les nomme aussi détecteur optiques, photo coupleurs ou
capteur optiques. Le symbole d’une photodiode est celui d’une diode, auquel on a
ajouté deux flèches pour symboliser l’action du rayonnement.
Symbole d’une Photodiode

Une photodiode est constituée d'une jonction PN polarisée en inverse présentant une
surface apte à recueillir le rayonnement lumineux. La structure d'une telle diode est
représentée à la figure.
structure d’une Photodiode
En pratique les zones P et N sont séparées par une couche non dopée I dans laquelle
un champ électrique E est établi à l'aide de la polarisation inverse.
La caractéristique de la photodiode est donc donnée par:
Où IL est le courant dû aux porteurs générés par le rayonnement lumineux.
41
Exercices du chapitre III

Exercice 1 :
Dans le circuit suivant, déterminer l’état passant ou bloqué de la diode. Dans le cas où
la diode est passante, déterminer le courant I qui la traverse. On supposera que la
diode est parfaite et possède une tension de seuil égale à 0.7 V.
R1=100Ω R3=200Ω
E=10V
R2=200Ω R4=80Ω
Figure 1
Exercice 2 :
Dans le circuit de la figure (2) la diode est supposée parfaite (V0 = 0.7V, rd = 0Ω, Ri =
), calculer VR2dans les cas suivants : E =5V et E= -5V.
R1=1KΩ D1 D2
E R2=1KΩ
Figure 2
Exercice 3 :
R D1
Soit le circuit suivant où les diodes sont idéales.
a) La diode D1 est passante ou bloquée. U 100V

b) La diode D2 est passante ou bloquée. E=200V
D2
c) Quelle est la valeur de la tension U.
60V
Figure 3
42
Chapitre VI : LES TRANSISTORS BIPOLAIRES
43
Chapitre VI : Transistors bipolaires
1. Transistors bipolaires :
Un transistor bipolaire est constitué d’un monocristal de semi-conducteur
(principalement le silicium) dopé pour obtenir deux jonctions, disposées en série et de
sens opposé. Il existe donc deux types fondamentaux de transistors bipolaires, dits
complémentaires:
• les transistors NPN dans lesquels une mince couche de type P est comprise entre
deux zones de type N : figure 1(a).
• les transistors PNP dans lesquels une mince couche de type N est comprise entre
deux zones de type N : figure 1(b).
Figure 1
La couche intermédiaire est appelée base. Cette couche est très mince et est
légèrement dopée. Les porteurs majoritaires sont donc en quantité assez faible.
L’une des deux autres zones est appelée émetteur. Il s’agit de la zone la plus
dopée du transistor. Son rôle consiste à injecter des porteurs (électrons dans le cas
d’un transistor NPN) dans la base.
La dernière zone qui est de même type que l’émetteur est appelée collecteur.
Son dopage est plus faible que celui de l’émetteur et sa géométrie est différente.
Le rôle principal du collecteur est de recueillir les porteurs.
Le transistor est donc un composant à trois bornes (tripôle) reliées respectivement
à l’émetteur, à la base et au collecteur. Sa représentation schématique, ainsi que
les symboles normalisés sont donnés à la figure 1 pour les deux types.
2. L’effet transistor
Parmi les différentes façons de polariser un transistor de type NPN, une seulement
présente un intérêt primordial. Si nous polarisons la jonction émetteur-base en direct
et la jonction collecteur-base en inverse, nous obtenons la configuration suivante
(figure 2).
44
Figure 2
En premier lieu, supposons que seule la jonction BC soit polarisée et qu’elle le soit
en inverse. Elle est traversée par un courant très faible dû aux porteurs minoritaires
appelé ICB0.
Polarisons maintenant la jonction base-émetteur en direct. Les électrons qui sont
majoritaires dans la région de l’émetteur (type N) diffusent en grande quantité à
travers la jonction émetteur-base, polarisée en direct, créant ainsi un courant émetteur
IE. Les électrons de l’émetteur traversent en majorité la base et arrivent jusqu’au
collecteur. Ainsi l’émetteur « injecte » ou « émet » des porteurs majoritaires et le
collecteur les collecte.
3. Mode de fonctionnement :
a- Fonctionnement linéaire :
Les courants iC et iB sont proportionnels : iC = βiB. β est le coefficient d’amplification
du transistor. La tension vBE est pratiquement constante et vaut environ 0,7 V pour
un transistor au silicium.
Une loi des noeuds donne la relation iE = (β+ 1)iB.
b- Fonctionnement non linéaire :
Le courant iB est soit nul, donc iC l’est aussi ; on dit alors que le transistor est bloqué
(état logique 0) et équivalent à un interrupteur ouvert. Si iB est tel que iC prend une
valeur maximale notée iCsat, on se trouve alors dans l’état saturé (état logique 1) où le
transistor est équivalent à un interrupeteur fermé. Les Figure 3 et Figure 4 indiquent
les éléments essentiels de ce fonctionnement.
Figure 3 Figure 4
4. Réseau de caractéristiques statiques :

Grâce à un tel schéma, dans le cas du transistor NPN, on relève les caractéristiques de
la Figure 5.
45
 entrée [iB = f(vBE) paramétrée par vCE],

caractéristique d’une diode en direct. La tension vBE est donc une tension de
seuil (0,7V).
 sortie [iC = f(vCE) paramétrée par iB],
pour différentes valeurs de iB, iC et vCE sont liés proportionnellement dans la
limite de la puissance maximale du composant (Pmax = cte, d’où l’hyperbole
de dissipation maximale).
 transfert en courant [iC = f(iB) paramétrée par vCE] traduit le fait que les
courants iB et iC sont proportionnels.
 transfert en tension [vCE = f(vBE) paramétrée par iB]. indique que vCE évolue
peu pour vBE maintenue constante.
Figure 5
5. polarisations :
La polarisation consiste à définir le point de fonctionnement statique (point de repos)
du transistor caractérisé par les valeurs VBEo, IBo, ICo et VCEo.
Il existe différents procédés de polarisation :
 Polarisation directe par résistance de base.

 Polarisation par pont de résistances de base.
Figure 6
46
6. Droites de charge :
a) Droite d’attaque statique
L’examen du circuit d’entrée permet d’écrire l’équation de maille :
VBB = RBIB + VBE
C’est l’équation d’une droite que l’on appellera la droite d’attaque. Cette droite est
représentée sur la caractéristique de base du transistor. Les valeurs de VBE et de IB
devant vérifier à la fois l’équation de fonctionnement du transistor et celle du réseau
d’entrée, elles seront déterminées par l’intersection entre la droite d’attaque statique et
la caractéristique de base du transistor comme le montre la figure 7.
Il est évident que si le point P est tel que VBE0 < 0, 6V, alors le transistor sera bloqué
et IBE0 = 0.
b) Droite de charge statique
L’équation de maille du circuit de sortie nous donne : VCC = VCE + RCIC. La droite
représentative de cette équation est appelée droite de charge statique. L’intersection
de cette droite avec la caractéristique de collecteur du transistor donne les valeurs de
VCE et de IC comme le montre la figure 8. La caractéristique de collecteur choisie
correspondra au courant de base IB0 déterminé par la droite d’attaque statique.
Figure 7
Figure 8
c. Calcul des coordonnées du point de repos Q:

Pour calculer les coordonnées IC0 et VCE0 du point Q, on admet l'approximation : VBE
≈ VBE0.
A l'entrée du transistor, on peut remplacer VCC, Rb1 et Rb2 par le générateur de
Thévenin: ETh et RTh.
avec: ℎ = 2 1+ 2 et ℎ= 1// 2
47
7. Amplificateur à transistor monté en Emetteur commun :

7.1. Schéma du montage :
Figure 9
7.2. Schéma équivalent du montage en régime dynamique petits signaux :

On remplace le transistor par son schéma équivalent et on suppose court-circuitée la
source de tension continue E, on obtient ainsi :
Figure 10 Schéma équivalent en alternatif.
 Gain en tension.
Le gain en tension peut être défini de deux manières :
- le gain à vide, c'est à dire sans charge connectée en sortie du montage.
- le gain en charge, avec la charge connectée.
On va d'abord procéder à quelques simplifications dans le schéma :
- Rp = R // R .
b1 b2
- On va négliger h22.
- on supprime la charge R (hypothèse de calcul).
u
avec ces hypothèses, le schéma devient :
48
Figure 11 Schéma équivalent simplifié
On a les équations suivantes :

=ℎ (1)
=− (2)
=ℎ (3)
(1) et (2) ⇒ = −ℎ (4)
= = =ℎ (5)
 Impédance d'entrée :
Par définition, l'impédance d'entrée est égale à : = (6)

Ici, le schéma est simple, le générateur d'entrée débite sur deux résistances en parallèle.
On a donc :
= //ℎ (7)
 Impédance de sortie :
La grandeur représentative est l'impédance de sortie : = (8)
Si on transforme la sortie du montage Figure 11 (transformation Norton / Thévenin), on
obtient le schéma suivant :
Figure 12 Schéma équivalent simplifié
L'impédance de sortie est donc ici très simple à identifier :

= (9)
8. Amplificateur à transistor monté en collecteur commun :

Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie l'émetteur. C'est le collecteur qui est
le point commun entre l'entrée et la sortie. On notera que c'est faux pour la
polarisation, car le collecteur est relié au +E et l'entrée se fait entre base et masse, et la
sortie entre émetteur et masse. En fait, le collecteur est bien commun en alternatif, car
le générateur de polarisation +E est un court circuit pour ce régime, et donc, le
49
collecteur va se retrouver à la masse alternative : ce sera donc bien la patte commune

entrée sortie.
Figure 13
8.2. Schéma équivalent du montage en régime dynamique petits signaux :
Figure 14
 Gain en tension :
Si on applique la loi des nœuds au niveau de l’emetteur (figure 14), on voit que le
courant circulant dans R est égal à (β+1) i et va de l'émetteur vers le collecteur. On peut
E b
alors poser les équations suivantes :
= +( + ) (10)
=( + ) (11)
On déduit le gain à vide des équations (10) et (11) :
( + )
= = ( )
+( + )
 Impédance d'entrée.
Le courant i est égal à i augmenté du courant circulant dans R .
e b p
L'impédance d'entrée va donc être égale à R //(v /i ). On peut tirer cette dernière valeur de
p e b
l'équation (10) :
= +( + ) (13)
On en déduit la valeur de l'impédance d'entrée :
= +( + ) (14)
 Impédance de sortie.
Le calcul va être plus compliqué que pour l'émetteur commun. On remarquera qu'ici la
sortie n'est pas séparée de l'entrée, ce qui fait que tout le circuit d'entrée va influer sur
50
l'impédance de sortie, y compris la résistance interne du générateur d'attaque Rg. Comme

dans le cas général cette impédance n'est pas nulle, nous l'avons faite figurer sur le
schéma figure 14.
Là aussi, il faut calculer les caractéristiques du générateur de Thévenin équivalent :
= ( +( + ) (15)
= − (16)
Si on considère le générateur de Thévenin équivalent au générateur d'entrée plus R , on

P
peut écrire :
= ( // ) (17)
Si on pose :
= (18)
En injectant (17) et (18) dans (16), on obtient :

.
= (19)
//
En remplaçant ib par cette valeur dans (15), on a :

.
= ( +( + ) = (20)
//
Après un développement laborieux, on trouve :

( // )
= // (21)
9. Amplificateur à transistor monté en base commune :

Le montage commence à nous être familier : en effet, mis à part l'emplacement du
générateur d'attaque et le condensateur de découplage qui est ici situé sur la base, le
montage est le même que celui de l'émetteur commun.
Figure 15
Le schéma équivalent est le suivant :
51
Figure 16
 Gain en tension.
Du schéma Figure16, on tire les équations suivantes :
=− (22)
=− (23)
D'où l'expression du gain en tension à vide :
= = (24)
 Impédance d'entrée.
Du circuit d'entrée, on tire l'équation suivante :
= −( + ) (25)
Si on tire i de l'équation (23) et qu'on le remplace par sa valeur dans (25), on obtient :
b
= +( + ) (26)
On en tire l’impédance d’entrée :
= = // (27)
 Impédance de sortie.
Pour éviter de longs calculs inutiles, on ne tiendra pas compte de la résistance du
générateur d'attaque Rg.
C'est l'équation du générateur de Thévenin de sortie : on en déduit que
Z = Rc (28)
s
52
53
Solution des exercices

Exercice 1 :
1) Calculer la résistance équivalente vue des points B et M pour le réseau
suivant :
R R R R
A B A B
Req1
UAM 2R 2R 2R
E
 E UAM 2R
UBM Req1
M M M M
en parallèle
.
Avec = = =R
Donc on peut utiliser e diviseur de tension :
= = =
+ 2 2
2) Calculer la résistance équivalente vue des points A et M pour le réseau
suivant :
R R
A B
E UAM 2R Req1
UBM
Req2
M M
( ).
Avec : = =
R
Le circuit devient : A
E UAM Req2
Utilisant le diviseur de tension :
= = =
+ 2 2
54
Donc :
/2
= = =
2 2 4
Exercice 2 :
Calcul de U en utilisant le théorème de superposition :
R1=15Ω R2=40Ω
E1=10V E2=12V
U R3=20Ω
R4=5Ω R5=20Ω
Etape 1 : E1  0 , E2 = 0V donc le schéma devient :
R1=15Ω R2=40Ω R14=20 Ω Req1 R14=20 Ω
E1=10V E1=10V R25=60 Ω E1=10V
U1 R3=20Ω U1 R3=20Ω U1 Req1
R4=5Ω R5=20Ω
.
avec : R = = 15Ω
Donc en utilisant le diviseur de tension :
= = 4.28
+
Etape 2 : E1 = 0 , E2  0V donc le schéma devient :
R1=15Ω E2=12V Req2

R2=40Ω R14=20 Ω E2=12V R25=60 Ω
R25=60 Ω E2=12V
U2 R3=20Ω U2 R3=20Ω Req2 U2
R4=5Ω R5=20Ω
55
.
avec R = = 10Ω
donc en utilisant le diviseur de tension :
10.12
= = = 3.42
+ 10 + 25
donc : = + = 7.7
Exercice 3 :
 Etape 1
Pour appliquer le théorème de Thévenin, on décompose le réseau en cherchant
d’abord le modèle équivalent vu des bornes A et B :
on détermine VAB lorsque la charge R3 est débranchée :
= + +
Donc
=− + −
On doit calculer le courant I, d’après la loi de Kirchoff :
Maille: − 47 − 27 = 0 ⇒ I = E1/74 = 200/74 = 2.7A
donc : = = 23.1V
I A
R2=47Ω
R1=27Ω
VAB
E1=200V
B
E2=50V
 Etape 2 :calcul de la résistance Rth lorsque tous les générateurs sont passivés, on
obtient :
A
47.27
= 27Ω //47Ω = = 17.14Ω
47 + 27 27Ω 47Ω
B
56
Enfin, le courant circulant à travers R3 vaut :

IAB
A
23.1
= = = 0.52
+ 17.14 + 27
B
Exercice 1 :
I1 I2=0
Déterminer les paramètres Z du réseau suivant :
On a les équations du quadripôle : 330Ω
V1 150Ω 680Ω V2
= . + .
= . + .
On ouvre les bornes de la sortie : I2 = 0 (sortie en Figure 1

circuit ouvert)
 = =
Z 1= 150 ∥( 330 + 680)=130.6Ω
donc Z11 = 130.6 Ω
 =
On utilise le diviseur de tension
680 680
= =
330 + 680 330 + 680
donc = =
. .
= 87.9Ω  Z21 = 87.9Ω
 Maintenant, pour calculer les deux autres paramètres il faut ouvrir les bornes
d’entrée
I1=0 (entrée en circuit ouvert) : I1=0 I2
 = = 330Ω
V1 150Ω 680Ω V2
Z 1= (150 + 330) ∥ 680 = 281.37Ω
Z22 = 281.37 Ω Figure 1

donc
57
 =
On utilise le diviseur de tension
150 150
= =
330 + 150 330 + 150
.
donc = = = 87.9Ω  Z12 = 87.9Ω
Exercice 2 :
Déterminer l’impédance de sortie Zs du quadripôle :
C’est l’impédance = = vue à la sortie quand l’entrée est fermée par une
impédance Zg qui est l’impédance du générateur. (Ce qui revient à court- circuiter la
source de tension).
= −
+
r C R2
e(t) R1
On doit calculer La matrice [Z] du quadripôle en T :
I1 I2
C R2 Figure 2
V1 R1 V2
Figure 2
Les deux équations caractéristiques du quadripôle sont:
1
= + ( + )
= + ( + )
+ 1/
donc la matrice [Z]:
+
l’impédance de sortie Zs est :
( + )(1 + ( + ) )−
=
1+ ( + )
58
Exercice 3 :
R
La fonction de transfert H(jω) : r
Ve Vs
On applique le diviseur de tension on trouve : C
1
(r + jcω)V Figure 3
V =
r + R + 1/jcω
donc la fonction de transfert :

1+ 1+ /
( )= = =
1+ ( + ) 1+ /
Les pulsations caractéristiques ω1 et ω2 sont défini par :

= = 10 / ; =( = 10 /
)
Diagramme de Bode :
Gain en dB et Phase :
 GdB= 20.log| ( )| = 20. + ( ) − 20. +( ) = +
 Phase : Arg (H(jω)) = arctg(ω/ω1) - arctg(ω/ω2) = φ1 + φ2
Etude de G1 et φ1 :
Asymptotes :
=0
Pour ≪
=0
= 20 log : 20 / é .
Pour ≫
=
Etude de G2 et φ2 :
=0
Pour ≪
=0
Pour
= −20 log : − 20 / é .
≫
=−
59
Tracé du D.B :
GdB Φ(rd)
φ1
20dB G1 /2
ω2 ω ω2 ω
ω1 ω1 φ
G
-20dB -/2
φ2
G2

Exercice 1 :
R1=100Ω R3=200Ω
C A
E=10V
R2=200Ω R4=80Ω
Figure 1
Déterminer l’état passant ou bloqué de la diode :

 La meilleure technique pour rechercher si une diode est passante consiste à
supposer à priori que la diode est bloquée. Si tel est le cas, ceci est très facile à
vérifier ; si elle est passante, on aboutit très vite à une absurdité qui montre qu’elle ne
peut pas être bloquée.
Supposons donc que la diode soit bloquée. Dans ce cas, aucun courant ne circule dans
la diode et les deux résistances R1 et R2 forment un diviseur de tension, même chose
pour R3 et R4 :
. .
On a donc : = = = 2.85V
. .
et = = = 6.66
 VA-VC = 2.85 - 6.66 = -3.81V
La diode présenterait donc une différence de potentiel à ses bornes de -3.81V, ce qui
est vrais. La diode est donc bien bloquée.
60
Exercice 2 :
R1=1KΩ D1 D2
E R2=1KΩ
Figure 2
Cas 1 : pour E = 5V la diode D2 n’est pas passante ; VR2 = 0V.
Cas 2 : pour E = -5V la diode D1 n’est pas passante ; VR2 = 0V.
Exercice 3 :
R D1
D2 est passante dans ce cas le potentiel au point
d'intersection entre R et D1 devient égal à 60 V U

E=200V 100V
ce qui bloque D1 Donc dans ce circuit D1 D2
60V
est bloquée et D2 passante.
Figure 3
a) D1 est bloquée.
b) D2 est passante.
c) U = 200-60 = 140V
61
Bibliographie
1. Electronique, Gilles Choisy, Ellipses 2003.
2. Electricité générale, Tahar Neffati, Dunod 2003.
3. Electricité – Electromagnétisme, Frédéric Bancel, Dunod 1999.
4. "Principes d'Electronique", Albert Paul Malvino, Dunod, Paris, 2002.
5. Exercices et problèmes d’Electricité générale, Yves Granjon, Dunod 2003.
62

Cours Electronique Fondamentale 1

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REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR

Support de cours : Electronique fondamentale I

Chapitre II : Les quadripôles passifs

Chapitre III : Les Diodes

Chapitre VI : Les Transistors bipolaires

Figure 1 réseau électrique

2. Tensions et courants continus :

a. Générateur de tension idéal :

a. Générateur de courant idéal

Un générateur de courant idéal délivre un courant constant et indépendamment de la

b. Générateur réel de tension

c. générateur réel de courant

La puissance instantanée dissipée par une résistance est :

P(t) = u(t) i(t) en watt

b) Cas d’un condensateur

c) Cas d’une bobine

4.2. Diviseur de courant :

4.3. Théorème de superposition :

avec : =27 // (4+23) = 27.27 / (27+27) = 13.5Ω. IT

Ensuite on associe les deux résistances 47Ω et Req1

4.4. Théorème de Thévenin :

On doit calculer le courant I, d’après la loi de Kirchoff :

Maille: −4 −6 − = 0 ⇒ I = (E1 − E2)/10 = 2/10 = 0.2A

Etape1 : calcul du courant IN de court-circuit. Donc il faut court-circuiter la branche

D’après les lois de Kirchoff :

Maille 1: E1- 4I1 =0  I1=10/4=2.5A

Maille 2: E2-6I2 =0  I2=8/6=1.33A

Noeud C: I1+I2 =IN  IN = 3.83A

Etape 2 : pour calculer RN il faut passiver les générateurs de tension et de courant :

4.7. Théorème de Millman :

La loi des nœuds s’écrit :

4.8. Théorème de Kennelly:

On applique le théorème de Millman au point X pour exprimer VX :

Calculons les courants IA, IB, IC :

Pour l’association des résistances R1, R2, R3 en triangle on a :

Aux points A, C et D, on effectue une transformation étoile triangle :

Les valeurs des résistances sont indiquées sur le schéma.

4.9. Théorème du transfert maximal de puissance:

La puissance fournie par le générateur est égale à :

Pf = E.I = Rg.I2 + RU.I2 =Rg + RU

La puissance absorbée par la charge :

Comment faut-il choisir RU vis-à-vis de Rg pour que la puissance transmise soit

Étudions la loi de variation de la puissance en calculant sa dérivée :

1 . Déterminer la tension UBM en fonction de UAM.

2 . Déterminer les tensions UAM, puis UBM en fonction de E.

Dans le montage représenté sur la figure 2, déterminer la tension U en utilisant le

Calculer le courant circulant dans la résistance R3 du circuit électrique suivant en

Quatre grandeurs électriques caractérisent un Q :

2. Matrices représentatives des quadripôles :

Zij : s’appellent les paramètres Z.

 Détermination de Z11 : Si I2 = 0 alors V1 = Z11.I1

 Détermination de Z21 : Si I2 = 0 alors V2 = Z21.I1

 Détermination de Z12 : Si I1 = 0 alors V1 = Z12.I2

 Détermination de Z22 : Si I1 = 0 alors V2 = Z22.I2

Autre méthode : on écrit la loi des mailles en entrée et en sortie:

2.2. Matrice admittance :

D’après la loi des noeuds, on peut écrire :

2.3 . Matrice de transfert :

On exprime les grandeurs de sortie en fonction des grandeurs d’entrée.

2.4. Matrice hybride :

D’après la loi des mailles :

Sous forme matricielle :

Sous forme matricielle :