I.U.

T de Limoges Département GEII BRIVE EP1/3

Electronique physique T.D. 3

Exercice 1

1. Enoncer la relation d'Einstein.

On se limite désormais au cas des électrons.
2. On considère un semi-conducteur dont la concentration en électrons libres varie selon l'axe
(Ox). Sachant qu'à l'équilibre, la concentration en électrons libres peut s'écrire :
 E ( x) − E 
n( x) = N exp - c F

c
  kT 

où Nc est une concentration constante, EF une énergie constante, Ec une énergie variant selon
dn
x, k la constante de Boltzmann et T la température, calculer ( x ) en fonction de n( x )
dEc
[relation 1].
3.
a. Donner l'expression de la densité de courant de diffusion d'électrons. Quelle(s) est (sont) la
ou les grandeurs dépendant de x ?

b. Donner l'expression de la densité de courant d'entraînement d'électrons. Quelle(s) est (sont)

la ou les grandeurs dépendant de x ?

c. Sachant qu'à l'équilibre, le courant total d'électrons doit être nul, en déduire la relation liant
dn
n( x ), E( x ) et (x)
dx
dV 1 dEc
4. Sachant que d'autre part, on a E( x ) = − (x) = (x)
dx q dx
dEc dEc dn
avec (x) = (x) . (x)
dx dn dx
dEc
obtenir une relation liant n( x ) et ( x ) [relation 2].
dn
5. A partir des relations 1 et 2, déduire la relation d'Einstein pour les électrons.
Exercice 2
1. On considère un barreau de Silicium de longueur L = 5 mm et de section A = 1 mm2,
fortement dopé N par du phosphore dont la concentration est ND = 2. 1014 cm-3.
On donne : µn = 1,5 103 cm2/Vs ; µn = 5,3 102 cm2/Vs
ni (densité intrinsèque du silicium) = 1,1.1016 m-3
q = 1,6.10-19 C
a. Calculer la concentration en électrons et en trous de ce semi-conducteur fortement dopé N.
Que peut-on dire de la concentration en trous devant ni et ND ?

b. Calculer la résistivité de ce semi-conducteur. Comparer cette résistivité à celle d'un métal :

cuivre dont la concentration des électrons est n = 11.1028/m3 et la mobilité des électrons vaut
µn = 3,2.10-3 m2/Vs.
Conclusion.
c. Calculer le courant qui circule dans ce barreau de Silicium dopé N, sachant que la
concentration est uniforme et que l'on applique une d. d. p. de 5 Volts.
2.Calculer le courant de diffusion des trous dans un barreau de silicium, dans lequel la
concentration des trous varie linéairement de :
5.1015 cm-13 en x = 0 à 1.1010 cm-3 en x = w = 10 µm.

15
5.10 cm -3

1.10 10 cm -3

Pour cela on calculera la constante de diffusion des trous sachant que :

k = 1,38.10-23J/K, T = 300K, q = 1,6.10-19 C, µp = 5,3.102 cm2/Vs A = 1 mm2.