KLOUZAZNA SEMICOND Part003

Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 03)
Mr. K. Louzazna.
Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
6 avril 2021
Document destiné aux étudiants du Master M1 (Physique des Matériaux)
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Physique des Matériaux Semiconducteurs (partie 03) 6 avril 2021 1 / 16
Sommaire
1 Section no.1
*/ Propriétés électroniques des matériaux semiconducteurs.
*/ Cas des matériaux semiconducteurs dopés (extrinsèques) :
- Dopage Négatif N
- Dopage Positif P

Section no.1
Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Par définition, le dopage des matériaux semiconducteurs est une opération
d’implantation d’atomes étrangers dans les matéraiux en question de
manière à varier leurs proriétés physiques et leurs champs d’applications
dans le domaine de la technologie des composants, des dipositifs et des
circuits intégrés (Integrated Circuits, IC’s).
En pratique, le dopage est réalisé avec suivant deux (02) processus de

manière soit à générer un grand nombre d’électrons additionnels dans la
bande de conduction CB augmentant ainsi le nombre d’électrons libres de
cette bande CB soit à extraire un grand nombre d’électrons de la bande de
valence VB augmentant ainsi le nombre de trous mobiles de cette bande
VB. Par définition, le premier type d’atomes de dopage augmentant la
charge électrique négative de bande CB va constituer un dopage de type
négatif (N). A la différence, le second type de dopage augmentant la
charge électroique postive de la bande de valence VB est un dopage de
type postif (P).
Section no.1

Ainsi, le dopage de forte densités d’atomes étrangers pentavalents
(donneurs, donnors) est à l’origine d’une libération d’un grand nombre
délectrons libres additionnels dans la bande de conduction CB du matériau
semiconducteur de manière à augmenter fortement la densité de ces
électrons libres dans cette bande CB :
ñ∗ = ñ + ñD avec ñD >> ñ et ñ = ñi
A l’opposé, un dopage avec des atomes étrangers trivalents (accepteurs,

acceptors) est responsable d’une capture d’une grand nombre d’électrons
liés de la bande de valence VB du matériau semiconducteur de manière
réduire fortement le nombre des électrons liés de cette bande VB et ainsi
d’augmentant fortement la densité de ses trous mobiles :
p̃ ∗ = p̃ + p̃A avec p̃A >> p̃ et p̃ = ñi

Section no.1

Du point de vue de la structure électronique, l’implantation d’atomes
étangers donneurs (D) ou accepteurs (A) dans des matériaux
semiconducteurs a pour effet de générer à l’intérieur de la bande interdite
FB (région du gap) de ces matériaux deux (02) niveaux atomiques
dégénérés d’énergies respectives ED et EA qui sont respectivement
localisés au-dessous du minima EC de la bande CB et au-dessus du
maxima EV de la bande VB. Ainsi, ces niveaux additionnels donneurs (D)
et accepteurs (A) vont constituer des niveaux pièges trap levels) qui vont
soit libérer des électrons additionnels vers la bande CB soit capturer des
électrons de la bande VB.
D’un point de vue de la charge électrique, le niveau donneur (D) va

manfister une charge électrique positive QD+ > 0 après la libération de ses
propres électrons vers la bande CB et le niveau accepteur (A) va acquérir
une charge électrique négative QD− < 0 après la capture des électrons de la
bande VB.
Section no.1
6' 7' 7 InP 6' 7' 7 InP

5' 6 6
+5 +5 5'
5 5
4 4
4' 4'
0 0
3' 3'
2' 2'
23 23
1' 1'
-5 1 -5 1
-10 -10
L 0.0 0.5 1.0 L 0.0 0.5 1.0
G X G X
Section no.1

Dans un point de vue théorique, pour le cas d’une ionisation partielle des
atomes de dopage, les deux (02) densités ÑD+ et ÑA− des atomes dopants
ionisés dans un matériau semiconducteur sont données par :
ÑD+ = ÑD .fDp (E = ED ) et ÑA− = ÑA .fAn (E = EA )
En pratique, le nombre de trous créés dans le niveau donneur ED qui est

égale au nombre des électrons de ce niveau ED libérés vers la bande CB
est décrit par la fonction de distribution suivante :
1
fDp (E = ED ) = (EF −ED )
avec γDp = 2
+ K
1 + γDp .e B .T
De même, le nombre des électrons additionnels capturés par le niveau

accepteur EA de la bande VB est égale au nombre de trous mobiles générés
1
dans cette bande VB : fAn (E = EA ) = (E −E ) avec γAn = 41
+ A F
1+γAn .e KB .T

Section no.1

Note :
*/ Pour les cas d’une ionisation compléte (entière) des atomes dopants :
ÑD+ = ÑD et ÑA− = ÑA
*/ En général, la densité des atomes donneurs de dopage ionisés est
définie par :
ÑD+ = ÑD − NDo = ÑD .fDp (E = ED ) avec fDp = [1 − fDn (E = ED )]
ÑD représentant la densité totale des atomes donneurs de dopage
implantés dans le matériau semiconducteur et ÑDo la densité des atomes
dopants restants neutres (non-ionisés) et qui est donnée par :
ÑDo = ÑD .fDn (E = ED )
1 1
avec fDn (E = ED ) = (ED −EF )
et γDn =
+ 2
1 + γDn .e KB .T

Section no.1

*/ les coeffcients γDp = 2 et γAp = 4 sont introduits de manière à prendre
en compte :
a/ l’occupation de chaque de chaque niveau donneur ED par un seul

électron au maximum (de spin ↑ ou ↓) interdisant ainsi toute possibilité
d’occupation de ce niveau ED par deux (02) électrons de spins oppoés :
1
γDn = → γDp = 2
2
b/ la capture de chaque niveau accepteur EA par un seul électron au
maximum (de spin ↑ ou ↓) en plus de la double-dégénéresence de la bande
VB contituée des deux branches (02) d’énergies (HH et LH) :
1
γAn = → γAp = 4
4

Section no.1

A partir d’une application de l’équation de neutralité globale d’un matériau
semiconducteur dopé-N :
CB D VB
Q(−) + Q(+) + Q(+) =0
→ −|e|.ñ + |e|.ñD + |e| .p̃ = 0

En posant :
ñ = ñN , ñ = p̃N et ñD = ÑD+
Après substitution :
ÑD ñi+2
−ñN − (EF −ED )
+ = 0 avec ñN .p̃N = ni+2
+ ñN
1 + 2.e KB .T
l’équation au second-ordre résultante est développée sous la forme :

+2
ñN + B.ñN + C = 0

Section no.1

avec :
ÑD
B=+ (EF −ED ) et C = −ñi+2
+
1+e KB .T
Les deux (O2) solutions prores à cette équation au seocnd-ordre sont :

1h p i
ñ 1 = −B ± B +2 − 4.C
N 2 2
Après substitution, la densité des électons de la bande CB qui vont

constituer des porteurs de charges majoritaires du semiconduteur dopé-N
est développée sous la forme :
 v 
u +2
u
1 ÑD u ÑD  + 4.ñ+2 

ñ 1 =  − ( −E )
± t ( −E ) i
N 2 2  E
+ F D
E
+ F D

1 + e KB .T 1 + e KB .T

Section no.1

La densité des trous mobiles de la bande de valence VB qui vont
constituer des poteurs de charges minoritaires du semiconduteur dopé-N
est calculée à partir d’une application de la loi d’action de masse :
ñi+2 ñi+2
p̃ = =
N 1
v
ñ
 !+2 
2 u
N 1

2
u
ÑD ÑD
1
2
−
(EF −ED ) ±t (EF −ED ) + 4.ñi+2 
+ +
1+e KB .T 1+e KB .T
En pratique, l’effet de la température sur la localisation (position) du

quasi-niveau (potentiel chimique) de Fermi EF∗ (T ) = µ(T ) propre à ce
matériau semiconduteur dopé-N est déterminé sur la base d’une
substitution des densités des électrons libres de la bande CB et des trous
mobiles de la bande VB :
(EC −EF∗ ) (EV −EF∗ )
− +
ñN = ÑC .e KB .T
et p̃N = ÑV .e KB .T

Section no.1

L’équation de la neutralité du semiconducteur dopé-N va donner lieu
Ã l’équation suivante :
(EC −EF∗ ) ÑD (EV −EF ) ∗
− + K
ÑC .e KB .T
− − Ñ V .e B .T =0
(E ∗ −ED )
!
F
+
1+e KB .T
(EC −EF∗ ) (EC −EF∗ ) (EF∗ −ED )

− − +
ÑC .e KB .T
+ ÑC .e KB .T
.e KB .T
(EV −EF∗ ) (EV −EF∗ ) (EF∗ −ED )

+ + +
−ÑV .e KB .T
− ÑV .e KB .T
e KB .T
− ÑD = 0
EC EF∗ EC EF∗ EF∗ ED

−K +K −K +K +K −K
ÑC .e B .T e B .T + ÑC .e B .T .e B .T .e B .T .e B .T
EV EF∗ EV EF∗ EF∗ ED
+K −K +K −K +K −K
−ÑV .e B .T .e B .T − ÑV .e B .T .e B .T .e B .T .e B .T − ÑD = 0
Section no.1
EC EF∗ EC
E∗
+2 E
−K +K −K + F − D
ÑC .e B .T e B .T + ÑC .e B .T . e KB .T .e KB .T
EV ED
+K −K
−ÑV − ÑV .e B .T .e B .T − ÑD = 0
E∗
+ K F.T
En posant : z = e B , l’équation au second-ordre correspondante :
(E +E )
E

− K C.T − KC .TD
ÑC .e B .z + ÑC .e B .z +2
(E −E )

+ V D
− ÑV + ÑV .e KB .T + ÑD = 0
Après réarrangement :
z +2 + B.z + C = 0

Section no.1

avec :
E
− K C.T
ÑC .e B
E
+ K D.T
B= ( E +E )
= e B
− KC .TD
ÑC .e B
(EV −ED )

+ K
− ÑV + ÑV .e B .T
+ ÑD
C= (E +E )

− KC .TD
ÑC .e B
Les deux solutions (racines) de cette dernière équation aus second-ordre

sont données par :
1h p i
z 1 = −B ± B +2 − 4C
2 2

Section no.1

AprÃ¨s substitution :
 v 
(EV −ED )

E ∗
u
1 + K
ÑV + ÑV .e B .T + ÑD 
u
F 2
 + KEBD.T
u 2E
+ 1 u + K D.T
e KB .T
= −e ± te B + 4

2 (E +E )

− KC .TD 
ÑC ..e B
Ainsi, le quasi-niveau de Fermi résultant est développée sous la forme

suivante :
E
+ D
E ∗ 1 = KB .T .`n 12 −e KB .T ±
F 2
v   
u
+ V
(E −ED ) 
KB .T
u ÑV +ÑV .e

u 2E +ÑD  

u + D 
te KB .T + 4 
− C
(E +ED ) 
ÑC ..e KB .T 




Section no.1


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*/ Cas des matériaux semiconducteurs dopés (extrinsèques) :

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En pratique, le dopage est réalisé avec suivant deux (02) processus de

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

ñ∗ = ñ + ñD avec ñD >> ñ et ñ = ñi

A l’opposé, un dopage avec des atomes étrangers trivalents (accepteurs,

p̃ ∗ = p̃ + p̃A avec p̃A >> p̃ et p̃ = ñi

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Physique des Matériaux Semiconducteurs.

D’un point de vue de la charge électrique, le niveau donneur (D) va

Physique des Matériaux Semiconducteurs.

6' 7' 7 InP 6' 7' 7 InP

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En pratique, le nombre de trous créés dans le niveau donneur ED qui est

De même, le nombre des électrons additionnels capturés par le niveau

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a/ l’occupation de chaque de chaque niveau donneur ED par un seul

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→ −|e|.ñ + |e|.ñD + |e| .p̃ = 0

l’équation au second-ordre résultante est développée sous la forme :

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Les deux (O2) solutions prores à cette équation au seocnd-ordre sont :

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En pratique, l’effet de la température sur la localisation (position) du

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(EC −EF∗ ) (EC −EF∗ ) (EF∗ −ED )

(EV −EF∗ ) (EV −EF∗ ) (EF∗ −ED )

EC EF∗ EC EF∗ EF∗ ED

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Les deux solutions (racines) de cette dernière équation aus second-ordre

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