‫الجـمهورية الجزائــرية الديمقراطــية الـــشعـبـيـــة‬

PEOPLE’S DEMOCRATIC REPUBLIC OF ALGERIA

‫وزارة التعليم العالي و البحث العلمي‬

MINISTRY OF HIGHER EDUCATION AND SCIENTIFIC RESEARCH

TP Electronique IV Page | 1
 ‫” ‪UNIVERSITY OF TLEMCEN - “ ABOUBAKR BELKAID‬‬ ‫جـــــــــامعة أبي بـكر بـلـقـــــــــــايــد – تلمسان –‬
‫كـــلــيــــة التـكـنـــــولـــــــــــوجــيــــــــــــا‬
‫‪FACULTY OF TECHNOLOGY‬‬

‫‪DEPARTMENT OF ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING‬‬ ‫قســــم الهندســــــة الكهربــــــــائية واإللكــــــتـرونــــــــية‬

‫‪TP Electronique IV‬‬ ‫‪Page | 2‬‬

 Module de TP ELN

TP n: 04

Application Du Theoreme De Thevenin

Un Rapport Préparer
Par :
BOUDAOUD Younes
ABDELLI Mohammed Hamza
ALI DAHMANE Mohammed Tamer Anis
BOUHADJEB Hadjer

TP Electronique IV Page | 3
 I. Objectif
L'étude Des Circuits Electroniques En Utilisant Théorème De Thévenin

II. Partie Théorique

II.i. Théorème de Thévenin
Vu de ses extrémités A et B tout dipôle actif peut être
représentés par une source de Tension équivalente Vo, en série avec
une impédance Zo.

La tension Vo est celle que l’on mesure aux bornes de A et B du

dipôle lorsque celui-ci est ouvert.

L’impédance Zo est l’impédance équivalente du dipôle vue des points

A et B lorsqu’on le rend passif en remplaçant les sources de tension
par des courts-circuits et les sources de courant par des circuits
ouverts.

Iz
A
+
+

Z0
+

Z
Z1 Z
V0

B
Si l’on branche entre les bornes A et B une impédance Z, celle-ci
sera traversée par un courant Iz, tel que

V0
IZ =
Z+Z 0

TP Electronique IV Page | 4
 III. Partie Pratique
III.i. Circuit sans la charge :

Ve(t) = 4 Vcac et f = 1Khz

R1 = 1k Ω , R2 = 470 Ω et C = 0.47μF

> VAB = 0.7 v et ϕ = -72̊

> VAB = V0

car la tension au borne de A te B même tension au

borne de la condensateur C

> par applique le diviseur du tension

Zc
VAB = ∙ Ve
Zc+R1

1
Ona Zc = avec ϖ = 2πf = 6.283∙ 103
cϖ

1
Alor Z c = = 338.3 Ω
( 0.47* 10-6 ) ( 6.283* 103 )
338.3
Donc VAB = ∙ 2 = 0.5 V
III.ii. 338.3 +1000 Circuit avec la
charge :

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 III.ii.1. Tableau de mesures
Rvar 10Ω 50Ω 100Ω 200Ω 300Ω 500Ω 1kΩ 2kΩ 3kΩ 4kΩ 5kΩ 6kΩ 8kΩ 10kΩ

VRvar 0.08 0.1 0.18 0.6 0.4 0.46 0.58 0.62 0.65 0.7 0.7 0.7 0.7 0.7

Iz=VRva/R 0.8 2 1.8 1.5 1.33 9.2 5.8 3.1 2.16 1.75 1.4 1.16 8.75 7

−2 -3 -4 -4 -4 -4 -4 -4 -5 -5
10 10
-3
10
-3
10
-3 10 10
-4 10 10 10 10 10 10 10 10

∆T(10-3) 0 0.06 0.07 0.09 0.12 0.14 0.17 0.18 0.19 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2

 0 21.5̊ 25.2̊ 32.4̊ 43.2̊ 50.4̊ 61.2̊ 64.8̊ 68.4̊ 72̊ 72̊ 72̊ 72̊ 72̊

Iz 6.01 5.36 4.72 3.82* 3.21 2.43 1.51 8.61 6.01 4.62 3.75 3.16 2.40 1.93
Théorique −3 −3 −3 −3 −3 −3 −3 −4 −4 −4 −4 −4 −4 −4
10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10

V0
> Iz Théorique : Iz =
Z0+Rvar
Zc *R 1
> Z0 Théorique = (Zc // R 1)+ R 2 = ( )+ R 2
Zc+R 1r

En calcule Z0 : Ve = Z0∙I

Avec V ch2 = V47 Ω = 0 .28 V

V ch 2 0.28 Ve 2
I= = = 6.2∙ 10-3 A Alor: Z 0= = -3
=
R ch 2 47 I 6.2∙10
322.58Ω

III.ii.2. Mesure de l'impédance équivalente

Ve(t) = 4 Vcac ; f = 1Khz

1- U aux bornes de la résistance R 2.

2- courant I qui traverse le dipôle R 2
I= 4.1∙ 10-3 A
3- En déduire la valeur pratique de Zo, sachant que
2/ √ 2
V= Zo.I Zo = V/I = = 689.86 Ω
4 .1 *10 -3
4- en Comparer la valeur théorique avec la valeur pratique

5- le circuit équivalent du montage avec les valeurs de V0 et Z0 :

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 IV. Exemple n: 2
V.
+ +
VAB

+
R1 10k R4 10k

+
R2 10k R3 10k 5V
10V

10∙10 10∙10
Req1 = = 5K Ω et R eq2 = = 5K Ω → R th = 5 + 5 = 10KΩ
10+10 10+10

10
VAB = Vth = VA – VB ≫ V A = ∙ 10 = 5V et V B = V A /2 = 2.5V
10 + 10

Vth = VA – VB = 2.5V ET I = Vth/(Rth+Rch) donc I = 0.000125A = 125μA

Rmq : Rch = 10KΩ

Conclusion
> En utilisant le théorème de Thévenin, il est possible de modéliser des circuits complexes de

Manière plus compréhensible, ce qui simplifie la résolution d'équations et la prédiction du

comportement du circuit dans différentes conditions.

> Cela s'avère particulièrement utile dans le domaine de l'électronique, où la complexité des

Circuits peut rendre l'analyse manuelle fastidieuse. En adoptant cette approche, les ingénieurs
peuvent gagner du temps et obtenir des résultats plus rapidement, ce qui contribue à l'efficacité du
processus de conception et de dépannage des circuits électroniques.

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