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Chapitre III : Transistor bipolaire à jonction

- Bipolar Junction Transistor (BJT) -
Introduction
Le transistor est un composant électronique à base de semi-conducteur ayant des propriétés
intéressantes et utilisé dans différentes applications. L’invention du transistor en 1947 a révolutionné
la manière avec laquelle sont construits les appareils électroniques, en particulier les ordinateurs. Les
deux types de transistors les plus populaires sont les transistors bipolaires à jonction (BJT) et les
transistors à effet de champ (FET). Un transistor, qu’il soit BJT ou FET, remplie deux fonctions
principales : l’amplification et la commutation.
Dans ce chapitre, nous nous intéressons au transistor bipolaire. Ce dernier est composé de 3 semi-
conducteurs de types N, P et N (respectivement) ou de type P, N et P (respectivement). On obtient
ainsi 2 types de transistors bipolaires : NPN et PNP.

I. Le transistor bipolaire de type NPN (ou la jonction NPN)

1. Structure de base et principe de fonctionnement
E B C
On obtient un transistor NPN par la juxtaposition de 3 semi-conducteurs (SC) de
types N, P et N comme dans la figure ci-contre. La jonction NPN a les propriétés
suivantes :
• La partie dopée P a une épaisseur plus petite que les 2 SC de type N ;
• Le SC de type N noté n+ (ou E) est plus dopé que le SC de type N noté n (ou C) ;
• Le SC le plus dopé est appelé « l’émetteur » et le moins dopé est appelé « le collecteur » ;
• Le SC dopé P est appelé « la base ».
a. Polarisation du transistor NPN
Parmi toutes les manières possibles pour polariser le transistor, la seule intéressante est lorsqu’on
polarise la jonction EB en direct et la jonction BC en inverse comme illustré dans la figure 1.

Figure 1 : Polarisation correcte du BJT NPN.

Noter que :
- 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 = 5 − 2 = 3𝑉 > 0,7𝑉 ➔ la jonction BE est polarisée en direct.
- 𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 5 − 8 = −3𝑉 < 0,7𝑉 ➔ la jonction BC est polarisée en inverse.

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Les électrons vont passer normalement dans la jonction EB (N+P) polarisée en direct. Mais à cause du
dopage très fort de l’émetteur (N+) et de la faible épaisseur de la base (P), les électrons issus de E
(émetteur) vont rejoindre, dans leur majorité, le collecteur C (SC de type N). Toutefois, un petit nombre
d’électrons va passer par B pour rejoindre l’autre borne du générateur.
Ceci signifie qu’un courant circulera dans le transistor dans le sens inverse de celui des électrons. On
distingue 3 courants :
• Le courant de l’émetteur 𝐼𝐸
• Le courant du collecteur 𝐼𝐶
• Le courant de la base 𝐼𝐵
Il faut noter que 𝐼𝐸 ≫ 𝐼𝐵 et 𝐼𝐶 ≫ 𝐼𝐵 (car le nombre d’électrons qui passent par la base est très petit).
Selon la loi des nœuds, on a
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
Parfois, on peut être amené à négliger la valeur de 𝐼𝐵 et utiliser l’approximation 𝐼𝐸 ≈ 𝐼𝐶 .
En réalité, il existe des relations entre 𝐼𝐸 , 𝐼𝐶 et 𝐼𝐵 autre que la loi des nœuds. En effet, on a :
𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 et 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
Ou 𝛽 est un coefficient de grande valeur (~200) appelé amplification en courant et 𝛼 très proche de
1 en restant inferieur à 1.
𝛼
Il y a une relation entre 𝛼 et 𝛽 : 𝛽 = 1−𝛼 (à démontrer).

La figure 2 donne une vue intéressante d’un transistor bipolaire. On y voit aussi la différence entre un
NPN et un PNP.

Figure 2 : Structure du transistor bipolaire [1].

b. Symboles et caractéristiques du transistor BJT NPN

Le symbole qui représente le transistor bipolaire NPN est montré dans la figure 3 avec les sens des
courants 𝐼𝐸 , 𝐼𝐶 et 𝐼𝐵 et les tensions 𝑉𝐵𝐸 et 𝑉𝐶𝐸 .

Representation 1 Représentation 2 avec

les courants et tensions
Figure 3 : Symboles du BJT NPN [Wikipédia].

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Comme tout quadripôle, le transistor BJT est caractérisé par 4 quantités :

- Le courant d’entrée : 𝐼𝐵
- La tension d’entrée : 𝑉𝐵𝐸
- Le courant de sortie : 𝐼𝐶
- La tension de sortie : 𝑉𝐶𝐸
Comme pour la diode (jonction PN), le transistor bipolaire possède une caractéristique d’entrée
représentée par la courbe 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 ) (voir figure 4).

Figure 4 : Caractéristique d’entrée du BJT [2].

De plus, à partir de la relation 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 , il est évident que la caractéristique de transfert 𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 )
peut être facilement tracée (voir figure 5).

Pente = 𝛽

Figure 5 : Caractéristique de transfert 𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 ) du BJT [2].

La figure 6 montre les 2 caractéristiques 𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 ) et 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 ) sur le même graphique. On peut
également représenter la caractéristique de sortie 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ) et la caractéristique 𝑉𝐵𝐸 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 )
(moins intéressante que les précédentes) sur le même graphique (voir plus loin dans ce cours).

Figure 6 : Caractéristiques 𝐼𝐶 = 𝑓(𝐼𝐵 ) et 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 ) tracées

sur le même graphique.

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c. Montages à transistor bipolaire NPN

Il y a 3 possibilités de branchement du transistor BJT NPN donnant lieu à 3 types de montages :
- Montage émetteur commun (EC) : l’émetteur est commun à l’entrée et à la sortie (Figure 7(a)).
- Montage collecteur commun (CC) : le collecteur est commun à l’entrée et à la sortie (Figure 7(b)).
- Montage base commune (BC) : la base est commune à l’entrée et à la sortie (Figure 7(c)).

Figure 7 : Montages EC, CC et BC d’un BJT NPN [3].

Dans la suite de ce cours, sauf indication contraire, on ne considèrera que des montages « émetteur
commun ».
d. Modélisation du transistor NPN
Vu de l’entrée, le transistor NPN est équivalent à une simple diode de tension seuil 𝑉0 .
En sortie, on a 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 , ce qui signifie que le courant d’entrée 𝐼𝐵 a été amplifié d’une valeur 𝛽 pour
donner un courant de sortie 𝐼𝐶 de valeur plus grande (effet transistor).
➔ Le transistor se comporte donc comme un générateur de courant.
Ce qui justifie le choix du schéma équivalent de la figure 8 pour modéliser le transistor BJT NPN.

Figure 8 : Modélisation du BJT NPN [Wikipédia].

2. Circuits de polarisation du BJT NPN (régime statique)

Un transistor possède 2 modes de fonctionnement ou 2 régimes :
▪ Régime statique : Correspondant à la polarisation du transistor ou à son alimentation. En effet,
pour pouvoir fonctionner un transistor a besoin d’une source d’alimentation (le transistor est
un composant actif) ;
▪ Régime dynamique : Correspondant au fonctionnement du transistor comme amplificateur
ou commutateur (objectif d’utilisation du transistor).
On peut donc dire que le régime statique, qu’on étudiera dans cette section, fournit de l’énergie au
transistor pour pouvoir fonctionner en régime dynamique. Dans une section ultérieure, on fera une
étude détaillée du régime dynamique.
a. Un circuit de polarisation basique
Soit le circuit de polarisation représenté dans la figure 9. Ce montage est basique et n’est jamais utilisé
dans les applications réelles, mais il nous permettra de comprendre le principe de la polarisation d’un
transistor.

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𝑉𝐶𝐶 = 10𝑉, 𝑉𝐵𝐵 = 5𝑉

𝑅𝐵 = 10𝑘Ω, 𝑅𝐶 = 100Ω
𝛽 = 150

Figure 9 : Circuit basique de polarisation du BJT NPN.

Vérifions que le transistor est correctement polarisé avec les valeurs utilisées pour les différents
composants. Ceci signifie qu’il faut vérifier que :
▪ La jonction BE est polarisée en direct ;
▪ La jonction BC est polarisée en inverse.
Pour la jonction BE, il est évident qu’elle est polarisée en direct car 𝑉𝐵𝐵 = 5𝑉 > 0,7𝑉 (en supposant
que la tension seuil 𝑉0 = 0,7𝑉). Ce qui implique que 𝑉𝐵𝐸 ≈ 0,7𝑉.
D’autre part, la tension 𝑉𝐶 au collecteur est égale à : 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 ou bien 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝛽𝐼𝐵
De plus, on a 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑅𝐵 𝐼𝐵 ce qui donne l’expression suivante pour 𝐼𝐵 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
Une application numérique donne 𝐼𝐵 = 0,43𝑚𝐴.
En retournant à l’expression de 𝑉𝐶 et en effectuant une AN, on obtient pour 𝑉𝐶 = 3,55𝑉.
Donc la tension 𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 = 0,7 − 3,55 = −2,85𝑉 est négative est par conséquent, la jonction
BC est polarisée en inverse. On en déduit que le transistor BJT NPN du montage de la figure 9 est
polarisée correctement (BE polarisée en direct, BC polarisée en inverse).
b. Polarisation par réaction sur l’émetteur
Le circuit de polarisation par réaction sur l’émetteur est montré dans la figure 10. Ce montage est plus
pratique que le précèdent même s’il présente lui aussi quelques inconvénients comme l’instabilité du
coefficient d’amplification 𝛽.

Figure 10 : Polarisation par réaction sur l’émetteur [3].

Le transistor est correctement polarisé si 𝑉𝐵𝐸 > 0,7𝑉 et 𝑉𝐵𝐶 < 0𝑉 (on a pris le seuil = 0 pour simplifier).
Pour 𝑉𝐵𝐸 , il suffit que 𝑉𝐶𝐶 soit suffisamment grande pour garantir que 𝑉𝐵𝐸 > 0,7𝑉.
Pour 𝑉𝐵𝐶 , on a 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 et 𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐵 𝐼𝐵
Donc, il faut avoir 𝑅𝐵 𝐼𝐵 > 𝑅𝐶 𝐼𝐶 ou bien 𝑅𝐵 > 𝛽𝑅𝐶 .

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c. Polarisation par pont de base et réaction sur l’émetteur

Ce montage de polarisation (figure 11) est très utilisé dans la pratique car il présente des propriétés
intéressantes en matière de stabilité. C’est ce montage qu’on va utiliser lorsqu’on étudiera les
montages réels en régime dynamique.

Figure 11 : Polarisation par pont de base [3].

3. Étude de la caractéristique de sortie 𝑰𝑪 = 𝒇(𝑽𝑪𝑬) d’un BJT NPN

a. Présentation de la caractéristique
Il est évident que 𝐼𝐶 depend de 𝑉𝐶𝐸 mais aussi de 𝐼𝐵 puisque 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 . Ceci signifie que pour chaque
valeur de 𝐼𝐵 , il y a une caractéristique de sortie 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ) différente.
Une caractéristique de sortie donnée comporte 3 zones ou régions (voir figure 12) :
i. La zone linéaire : délimitée par 2 valeurs particulières de 𝑉𝐶𝐸 , à savoir 𝑉𝐶𝐸 𝑀𝑎𝑥 et 𝑉𝐶𝐸 𝑠𝑎𝑡 . Dans
cette zone :
- 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ➔ Pour chaque valeur de 𝐼𝐵 , il y a une courbe 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ) différente ;
- 𝐼𝐶 dépend très peu de 𝑉𝐶𝐸 .
La zone linéaire correspond au fonctionnement normal du transistor.
ii. Zone de saturation : si 𝑉𝐶𝐸 ≤ 𝑉𝐶𝐸 𝑠𝑎𝑡 , on passe à la zone de saturation. Dans cette zone :
- 𝐼𝐶 ne dépend plus de 𝐼𝐵 et on a 𝐼𝐶 < 𝛽𝐼𝐵 ;
- 𝐼𝐶 dépend fortement de 𝑉𝐶𝐸 ;
- 𝑉𝐶𝐸 est très petit : 𝑉𝐶𝐸 ≈ 0 ce qui implique que 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐶 > 0 (où on a pris 0 comme
tension seuil), ce qui signifie à son tour que dans ce cas les jonctions BE et BC sont
toutes les deux passantes.
iii. Zone de claquage : si 𝑉𝐶𝐸 ≥ 𝑉𝐶𝐸 𝑀𝑎𝑥 , on est dans la région de claquage où la valeur du courant
𝐼𝐶 augmente exponentiellement ce qui pourrait endommager le transistor.

Zone linéaire
Saturation

Claquage

𝑉𝐶𝐸 𝑠𝑎𝑡 𝑉𝐶𝐸 𝑀𝑎𝑥

Figure 12 : Caractéristiques de sortie du BJT NPN [1].

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Valeur particulière de 𝐼𝐵 : 𝐼𝐵 = 0 :
Si 𝐼𝐵 = 0 alors le transistor est en état bloqué. Dans ce cas les jonction BE et BC sont toutes les deux
bloquées.
Pour résumer…
La figure 13 montre tous les états possibles des jonctions BE et BC et le mode de fonctionnement
correspondant pour le transistor NPN.

Figure 13 : Les états possibles des jonctions BE et BC.

b. Limites d’utilisation du transistor
Le transistor pourra fonctionner sans casser à l’intérieur d’un domaine d’utilisation bien déterminé qui
est limité par 3 paramètres :
- Le courant maximal de sortie 𝑰𝑪 𝑴𝒂𝒙
Pour un fonctionnement normal et sans risques sur le transistor, il faut que le courant de sortie 𝐼𝐶 reste
inferieur a une valeur maximale 𝐼𝐶 𝑀𝑎𝑥 : 𝐼𝐶 < 𝐼𝐶 𝑀𝑎𝑥 .
- La tension maximale de sortie 𝑽𝑪𝑬 𝑴𝒂𝒙
On doit avoir toujours 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐸 𝑀𝑎𝑥 sinon le transistor entre dans la zone de claquage.
- La puissance maximale de sortie 𝑷𝑴𝒂𝒙
La puissance de sortie est donnée par 𝑃 = 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 . À tout moment, on doit avoir 𝑃 < 𝑃𝑀𝑎𝑥 ou bien
𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 < 𝑃𝑀𝑎𝑥 . La limite 𝑉𝐶𝐸 𝐼𝐶 = 𝑃𝑀𝑎𝑥 nous donne l’expression suivante de 𝐼𝐶 :
𝑃𝑀𝑎𝑥
𝐼𝐶 =
𝑉𝐶𝐸
Qui représente l’équation d’une hyperbole représentée dans la figure 14. On en déduit que pour
respecter les 3 conditions précédentes (𝐼𝐶 < 𝐼𝐶 𝑀𝑎𝑥 , 𝑉𝐶𝐸 < 𝑉𝐶𝐸 𝑀𝑎𝑥 et 𝑃 < 𝑃𝑀𝑎𝑥 ), il faut faire
fonctionner le transistor dans la zone non hachurée. La zone hachurée correspond donc à la région de
fonctionnement interdite du transistor.

𝑷𝑴𝒂𝒙
𝑰𝑪 =
𝑽𝑪𝑬

Figure 14 : Limites d’utilisation du BJT NPN [1].

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c. Réseau de caractéristiques du transistor BJT NPN

La figure 15 présente la caractéristique générale (ou réseau de caractéristiques) d’un transistor BJT
NPN où on voit toutes les caractéristiques du transistor représentées dans un seul graphique.

Figure 15 : Réseau de caractéristiques du BJT NPN [4].

II. Fonctionnement du BJT NPN comme amplificateur

Comme mentionné plus haut, un transistor peut se trouver en 2 régimes : régime statique (polarisation
ou repos) ou régime dynamique. Nous avons dit que le régime dynamique est celui qui correspond à
la vraie fonction (amplification ou commutation) du transistor ou sa raison d’être. Mais un transistor
ne peut pas fonctionner correctement dans son régime dynamique s’il n’est pas polarisé ou s’il est mal
polarisé. Donc, il faut bien préparer le régime statique pour que le transistor fonctionne correctement
dans son régime dynamique (amplifier correctement un signal par exemple).
Dans cette section, on va voir pourquoi un régime statique bien définie est nécessaire pour le bon
fonctionnement du transistor en son régime dynamique.
1. Le point de fonctionnement statique et son rôle
Appelé aussi point de repos ou point de polarisation. Comme pour la diode, le point de fonctionnement
représente les valeurs des paramètres d’entrée et de sortie (𝐼𝐵 , 𝑉𝐵𝐸 , 𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 ) pour un circuit de
polarisation donné.
Soit le montage de polarisation de base représenté dans la figure 16.
a. Point de fonctionnement d’entrée (𝑽𝑩𝑬𝟎 , 𝑰𝑩𝟎 )
On s’intéresse à l’entrée. On a :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵
𝟏 𝟏
Donc 𝑰𝑩 = − 𝑹 𝑽𝑩𝑬 + 𝑹 𝑽𝑪𝑪 . Cette équation est appelée « équation de la droite d’attaque ».
𝑩 𝑩

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Figure 16 : Montage de polarisation basique.

Comme dans le cas de la diode, déterminons graphiquement le point de fonctionnement d’entrée

(𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐵0 ) : à partir de l’équation de la droite d’attaque on trace la droite d’attaque et on prend
l’intersection de cette dernière avec la caractéristique d’entrée 𝐼𝐵 = 𝑓(𝑉𝐵𝐸 ) pour obtenir le point de
fonctionnement d’entrée 𝑄(𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐵0 ).

Figure 17 : Détermination graphique du point de fonctionnement d’entrée.

b. Point de fonctionnement de sortie 𝑸𝒔 (𝑽𝑪𝑬𝟎 , 𝑰𝑪𝟎 )

De la même manière, on peut obtenir le point de fonctionnement de sortie (voir figure 18) en utilisant
la caractéristique de sortie 𝐼𝐶 = 𝑓(𝑉𝐶𝐸 ) et la droite de charge obtenue à partir de son équation donnée
par :
𝟏 𝟏
𝑰𝑪 = − 𝑽𝑪𝑬 + 𝑽
𝑹𝑪 𝑹𝑪 𝑪𝑪
Le point de fonctionnement statique représente donc les deux paires (𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐵0 ) et (𝑉𝑪𝐸0 , 𝐼𝑪0 ).
Noter bien qu’on trouvera les mêmes résultats si on utilise le montage de polarisation avec deux
sources d’alimentation 𝑉𝐶𝐶 et 𝑉𝐵𝐵 représenté par la figure 9. Dans ce cas les deux équations seront :
1 1
𝐼𝐵 = − 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉
𝑅𝐵 𝑅𝐵 𝐵𝐵
1 1
𝐼𝐶 = − 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉
{ 𝑅𝐶 𝑅𝐶 𝐶𝐶

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Figure 18 : Détermination graphique du point de fonctionnement de sortie.

c. A quoi sert le point de fonctionnement statique ?

Un transistor doit opérer en régime dynamique pour pouvoir remplir sa fonction qui est, par exemple,
amplifier un signal. Le signal à amplifier est en général variable, souvent sinusoïdal. C’est pour cette
raison que les circuits utilisés dans les applications d’amplification avec transistor ressemblent au
montage de la figure 19.

Figure 19 : Montage basique pour amplifier un signal sinusoïdal.

La différence entre ce montage et celui de la figure 16 est la présence d’un signal sinusoïdal 𝑣𝑒 (𝑡) en
plus de la tension d’alimentation (de polarisation) 𝑉𝐶𝐶 . 𝑣𝑒 (𝑡) est le signal qu’on souhaite amplifier. De
plus, on remarque que les paramètres d’entrée et de sortie du transistor (notés dans ce cas 𝑖𝐵 (𝑡),
𝑣𝐵𝐸 (𝑡), 𝑖𝐶 (𝑡) et 𝑣𝐶𝐸 (𝑡)) ne sont plus constants mais dépendent du temps parce que 𝑣𝑒 (𝑡) dépend du
temps.
Le théorème de superposition nous dit que le courant 𝑖𝐵 (𝑡), par exemple, est composé de 2 parties :
une partie continue 𝐼𝐵0 (venant de 𝑉𝐶𝐶 ) et une partie variable 𝑖𝑏 (𝑡) (venant de 𝑣𝑒 (𝑡)). 𝑖𝐵 (𝑡) peut donc
s’exprimer par :
𝑖𝐵 (𝑡) = 𝐼𝐵0 + 𝑖𝑏 (𝑡)
La même chose est vraie pour les autres paramètres 𝑣𝐵𝐸 (𝑡), 𝑖𝐶 (𝑡) et 𝑣𝐶𝐸 (𝑡) :
𝑣𝐵𝐸 (𝑡) = 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑣𝑏𝑒 (𝑡)
{ 𝑖𝐶 (𝑡) = 𝐼𝐶0 + 𝑖𝑐 (𝑡)
𝑣𝐶𝐸 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐸0 + 𝑣𝑐𝑒 (𝑡)

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Dans les 4 expressions précédentes, les valeurs 𝐼𝐵0 , 𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐶0 et 𝑉𝐶𝐸0 sont les valeurs représentant le
point de fonctionnement statique autour desquels varient les paramètres sinusoïdaux 𝑖𝑏 (𝑡), 𝑣𝑏𝑒 (𝑡),
𝑖𝑐 (𝑡) et 𝑣𝑐𝑒 (𝑡), respectivement. Ceci est illustré par la figure 20 pour la tension d’entrée 𝑣𝐵𝐸 (𝑡).

Valeur moyenne
de 𝒗𝒃𝒆 (𝒕) = 0

(a) (b)

𝑽𝑩𝑬𝟎 Valeur moyenne de 𝒗𝑩𝑬 (𝒕) = 𝑽𝑩𝑬𝟎

(c)
Figure 20 : Illustration de l’expression 𝑣𝐵𝐸 (𝑡) = 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑣𝑏𝑒 (𝑡).
.
Mais a-t-on répondu à la question : A quoi sert le point de fonctionnement statique ?
Prenons par exemple le cas de la tension d’entrée 𝑣𝐵𝐸 (𝑡). La valeur (continue) 𝑉𝐵𝐸0 issue de la tension
de polarisation (d’alimentation) 𝑉𝐶𝐶 a permis de "faire remonter" la tension sinusoïdale 𝑣𝑏𝑒 (𝑡) pour
l’éloigner de la valeur moyenne 0 et ainsi donner une tension 𝑣𝐵𝐸 (𝑡) dont la moyenne est 𝑉𝐵𝐸0 .
Mais pourquoi faire ça ?
Rappelons la caractéristique d’entrée 𝑖𝐵 = 𝑓(𝑣𝐵𝐸 ) d’un transistor BJT
NPN montrée ci-contre. On remarque bien que lorsque la tension 𝑣𝐵𝐸 est
inferieure à la tension seuil (~0,7V), le courant 𝑖𝐵 est nul ce qui implique
que le transistor est bloqué. Un transistor bloqué ne peut pas remplir sa
fonction d’amplification bien évidemment !!
Lorsque la tension 𝑣𝐵𝐸 varie autour de 0 (sa moyenne est égale à 0), elle
prend des valeurs négatives (donc < 0,7𝑉) dans les intervalles de temps
[1,2] et [3,4] (voir figure 20-(a)). Par conséquent dans ces intervalles, le
transistor sera bloqué et ne fonctionnera pas correctement.
D’où l’intérêt du point de fonctionnement statique (les valeurs 𝐼𝐵0 , 𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐶0 et 𝑉𝐶𝐸0 ) qui éloigne le
signal d’entrée (tension 𝑣𝑏𝑒 (𝑡)) de 0 pour garantir que le transistor est toujours dans sa région de
fonctionnement normal.
On comprend maintenant le rôle de la polarisation (alimentation 𝑉𝐶𝐶 ) dans un montage à transistor.
On comprend également que les valeurs du point de fonctionnement statique doivent être
suffisamment grandes pour garantir un fonctionnement normal du transistor.

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La figure 21 illustre graphiquement 1 la variation des paramètres 𝑖𝑏 (𝑡), 𝑖𝑐 (𝑡) et 𝑣𝑐𝑒 (𝑡) autour de leurs
valeurs moyennes respectives 𝐼𝐵0 , 𝐼𝐶0 et 𝑉𝐶𝐸0 en utilisant la caractéristique de sortie et la droite de
charge. Noter bien que dans cet exemple 𝐼𝐵0 = 300𝜇𝐴, 𝐼𝐶0 = 30𝑚𝐴 et 𝑉𝐶𝐸0 = 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 3,4𝑉.

Figure 21 : Illustration graphique de la variation des paramètres

du BJT autour de leurs valeurs moyennes [1].

2. Étude. complète du BJT NPN (régime statique et dynamique)

a. Modèle équivalent d’un BJT NPN en petits signaux AC
On parle de petits signaux lorsque le signal d’entrée 𝑣𝑒 (𝑡) a une amplitude suffisamment petite pour
garantir le fonctionnement du transistor dans sa zone linéaire (pas de distorsions en sortie). Dans ce
cas, on peut modéliser le BJT NPN par ce qu’on appelle « le schéma équivalent en petits signaux AC ».
Ce Schéma est montré dans la figure 22.

Figure 22 : Schéma équivalent du BJT NPN en petits signaux AC.

Il faut noter que ce schéma
. correspond au fonctionnement en régime dynamique du transistor. C’est
pour cela que les paramètres statiques 𝐼𝐵0 , 𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐶0 et 𝑉𝐶𝐸0 ne sont pas représentés. On représente
uniquement les paramètres dynamiques 𝑖𝑏 (𝑡), 𝑣𝑏𝑒 (𝑡), 𝑖𝑐 (𝑡) et 𝑣𝑐𝑒 (𝑡).
Les ℎ𝑖𝑖 sont appelées « paramètres hybrides » du transistor :
 ℎ11 est la résistance dynamique de la jonction BE. Noter que la tension seuil (~0,7V) de la
jonction BE n’est pas représentée dans le schéma car elle correspond au paramètre statique
𝑉𝐵𝐸0 , c’est-à-dire 𝑉𝐵𝐸0 ≈ 0,7𝑉.

1 Une illustration graphique plus complète en utilisant le réseau de caractéristiques du BJT NPN est faite pendant
la séance de cours.

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 ℎ21 est tout simplement le coefficient d’amplification en courant du transistor : ℎ21 = 𝛽.

1
 ℎ est la résistance interne du générateur de courant que représente le transistor BJT. Donc
22
ℎ22 est une admittance.
Nous avons donc, d’une part, 𝑖c (𝑡) = 𝛽𝑖b + ℎ22 𝑣ce (𝑡), et d’autre part 𝑣be(𝑡) = ℎ11 𝑖b.
On obtient donc le système d’équations suivant :
𝑣be (𝑡) = ℎ11 𝑖b
{
𝑖c (𝑡) = 𝛽𝑖b + ℎ22 𝑣ce (𝑡)
Qui peut être écrit sous forme matricielle comme suit :
𝑣𝑏𝑒 ℎ 0 𝑖𝑏
( ) = ( 11 )( )
𝑖𝑐 ℎ21 ℎ22 𝑣𝑐𝑒
Ou bien avec une notation différente
𝑣𝑏𝑒 𝑟𝑒′ 0 𝑖𝑏
( )=( 1) ( )
𝑖𝑐 𝛽 𝑣𝑐𝑒
𝑟
Qu’on peut trouver dans d’autres livres.
1
Dans la plupart des applications, on considère que ℎ est suffisamment grande pour l’assimiler à un
22
circuit ouvert (résistance infinie). Le schema équivalent du BJT devient alors plus simplifié comme le
montre la figure 23.

Figure 23 : Schéma équivalent simplifié du BJT NPN en petits signaux AC.

b. Étude. d’un montage réel
Soit le montage de polarisation de la figure 24.

Figure 24 : BJT NPN monté en EC avec polarisation par pont de base.

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Le transistor BJT est monté dans ce montage en émetteur commun en utilisant une polarisation par
pont de base. Le montage de la figure 24 contient :
• Le signal AC d’entrée 𝑣𝑒 à amplifier ;
• Une résistance de charge 𝑅𝐿 pour récupérer la tension de sortie 𝑣𝑠 ;
• 3 condensateurs de couplage qui servent à bloquer la composante continue en régime
dynamique.

Comprendre le rôle des condensateurs (important)

Le condensateur 𝐶3 avec la resistance 𝑅𝐿 constituent un filtre passe haut qui laisse passer les
fréquences plus hautes qu’une fréquence particulière. Donc la valeur de 𝐶3 sera choisie de sorte à
laisser passer tout signal ayant la même fréquence que le signal d’entrée 𝑣𝑒 . Mais il ne laissera pas
passer les fréquences basses et en particulier la fréquence nulle (composante continue). Donc la
tension d’alimentation 𝑉𝐶𝐶 (qui est continue ➔ fréquence nulle) sera bloquée et en sortie on
récupèrera une tension 𝑣𝑠 amplifiée qui oscille autour de sa valeur moyenne 0.
Donc un condensateur bloque la composante continue d’un signal.
Le condensateur 𝐶1 a pour rôle de laisser passer le signal 𝑣𝑒 et bloquer toute tension continue
(composante continue).
Le condensateur 𝐶2 permet d’éliminer la résistance 𝑅𝐸 en regime dynamique. En effet, 𝐶2 se comporte
vis-à-vis la tension continue 𝑉𝐶𝐶 comme un circuit ouvert et donc 𝑉𝐶𝐶 va passer à travers 𝑅𝐸 . Par contre,
le condensateur 𝐶2 se comporte comme un fil vis-à-vis la tension sinusoïdale ce qui signifie qu’en
régime dynamique la résistance 𝑅𝐸 est équivalente à un fil (𝑅𝐸 en parallèle avec un fil -le condensateur
𝐶2 -). Donc la tension aux bornes de 𝑅𝐸 sera purement continue.
En ce qui concerne les paramètres du transistor : 𝑖𝐵 , 𝑣𝐵𝐸 , 𝑖𝐶 et 𝑣𝐶𝐸 , ils contiendront les deux
composantes, variable (issue de 𝑣𝑒 ) et continue (issue de 𝑉𝐶𝐶 ) car ils ne sont pas affectés par les 3
condensateurs. Ce qui explique le fait que ces grandeurs varient autour de leurs valeurs statiques
respectives 𝐼𝐵0 , 𝑉𝐵𝐸0 , 𝐼𝐶0 et 𝑉𝐶𝐸0 qui constituent le point de fonctionnement du transistor en régime
statique. Ce qui justifie les 4 équations déjà rencontrées plus haut dans ce cours :
𝑖𝐵 (𝑡) = 𝐼𝐵0 + 𝑖𝑏 (𝑡)
𝑣𝐵𝐸 (𝑡) = 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑣𝑏𝑒 (𝑡)
𝑖𝐶 (𝑡) = 𝐼𝐶0 + 𝑖𝑐 (𝑡)
{ 𝑣𝐶𝐸 (𝑡) = 𝑉𝐶𝐸0 + 𝑣𝑐𝑒 (𝑡)
Résultat
Le montage de la figure 24 fonctionne donc en régime statique pour permettre la polarisation du
transistor en fixant les valeurs du point de fonctionnement à l’aide de 𝑉𝐶𝐶 . Et il fonctionne en régime
dynamique qui correspond à la fonction d’amplification du transistor BJT qui amplifie le signal d’entrée
𝑣𝑒 en un signal de sortie 𝑣𝑠 .
Étude du régime statique
En régime statique, le montage de la figure 24 est équivalent au montage de la figure 11 (voir plus
haut : polarisation par pont de base et réaction sur l’émetteur). Comme mentionné plus haut, les
condensateurs sont dans ce cas équivalents à des circuits ouverts (résistance infinie).
L’étude en régime statique revient à déterminer le point de fonctionnement du transistor pour le
circuit de polarisation considéré (polarisation par pont de base dans ce cas). Ceci est déjà fait dans la
section précédente (Le point de fonctionnement statique et son rôle).
Étude du régime dynamique
En régime dynamique, le montage de la figure 24 est équivalent au montage de la figure 25. Comme
mentionné plus haut, les condensateurs sont dans ce cas équivalents à des fils (résistance nulle).

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En AC, la tension continue 𝑉𝐶𝐶 est équivalente à une masse. On l’appelle masse AC.

Figure 25 : Montage équivalent en régime dynamique.

Schéma équivalent en petits signaux AC

En utilisant le schéma équivalent du transistor BJT NPN de la figure 23, on peut obtenir celui du
montage de la figure 25 comme montré dans la figure 26.

Figure 26 : Schéma équivalent en petits signaux AC.

Qui est équivalent au montage de la figure 27 avec 𝑅12 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 .

𝑅 𝑅
Figure 27 : Schéma équivalent en petits signaux AC avec 𝑅12 = 𝑅 1+𝑅2 .
1 2

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Après avoir déterminé le schéma équivalent du montage considéré, on va faire l’étude dynamique de
ce dernier. Celle-ci consiste à évaluer les performances de ce montage en matière d’amplification. Ces
performances sont mesurées par le calcul de quelques paramètres tels que les gains en tension et en
courant et les impédances d’entrée et de sortie.
Gain en tension 𝐴𝑣
𝑣
Le gain en tension 𝐴𝑣 = 𝑣𝑠 peut être calculé en présence de la charge 𝑅𝐿 ou bien en son absence (gain
𝑒
à vide).
Exprimons d’abord le gain à vide noté 𝐴𝑣0 . En absence de 𝑅𝐿 , le schéma équivalent devient comme
montré dans la figure 28.

Figure 28 : Schéma équivalent sans la charge 𝑅𝐿 .

Le calcul est dans ce cas très simple. En effet, on a les équations suivantes : 𝑣𝑒 = ℎ11 𝑖𝑏 , 𝑣𝑠 = −𝑅𝐶 𝑖𝑐 et
𝑖𝑐 = ℎ21 𝑖𝑏 = 𝛽𝑖𝑏 .
𝑣 −𝑅𝐶 𝛽𝑖𝑏
Il vient donc que 𝑣𝑠 = −𝑅𝐶 𝛽𝑖𝑏 et par conséquent 𝐴𝑣0 = 𝑣𝑠 = . Le gain à vide est alors donné
𝑒 ℎ11 𝑖𝑏
par l’expression suivante :
𝑅𝐶
𝐴𝑣0 = −𝛽
ℎ11
Pour obtenir le gain 𝐴𝑣 avec la charge correspondant au montage de la figure 27, il suffit de remplacer
𝑅𝐶 par 𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 et donc :
𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿
𝐴𝑣 = −𝛽
ℎ11
Le signe « - » indique que la tension de sortie a été inversée par rapport à la tension d’entrée. On
appelle ce type de montage un inverseur.
Gain en courant 𝐴𝑖
𝑖
Calculons le gain en courant 𝐴𝑖 = 𝑖𝑠 pour le montage de la figure 27.
𝑒
𝑅𝐶
On a 𝑖𝑠 = 𝑅 𝑖𝑐 (application d’un diviseur de courant).
𝐶 +𝑅𝐿
𝑅12
De la même façon, on a 𝑖𝑏 = 𝑖
𝑅12 +ℎ11 𝑒
On obtient alors
𝐶𝑅
𝑖𝑠 𝑅𝐶 +𝑅𝐿 𝛽𝑖𝑏
𝐴𝑖 = = 𝑅 +ℎ
𝑖𝑒 12 11
𝑖𝑏
𝑅12
Donc
𝑅𝐶 𝑅12
𝐴𝑖 = 𝛽
(𝑅𝐶 + 𝑅𝐿 )(𝑅12 + ℎ11 )

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Impédance d’entrée 𝑍𝑒
𝑣
Elle est donnée par 𝑍𝑒 = 𝑖 𝑒 = 𝑅12 ∥ ℎ11
𝑒
Impédance de sortie 𝑍𝑠
Pour calculer l’impédance de sortie, il faut :
• Débrancher la charge et la remplacer par un générateur de tension 𝑣𝑆 débitant un courant 𝑖𝑆 ,
• Court-circuiter les sources de tension indépendantes (en l’occurrence 𝑣𝑒 ).
Dans ce cas simple l’impédance de sortie est tout simplement 𝑍𝑠 = 𝑅𝐶 (voir détails dans l’annexe).

III. Les autres montages du BJT NPN et le BJT PNP

1. Transistor BJT NPN en montage collecteur commun (CC)
On obtient un montage collecteur commun en reliant la sortie à l’émetteur. Dans ce cas le collecteur
sera commun à l’entrée et à la sortie. La figure 29 montre un BJT NPN monté en collecteur commun
en utilisant une polarisation avec pont de base.

Figure 29 : BJT NPN monté en collecteur commun.

Le schéma équivalent en petits signaux alternatifs du montage précèdent est montré dans la figure 30.

Figure 30 : Schéma équivalent du montage collecteur commun.

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2. Transistor BJT NPN en montage base commune (BC)

Une façon simple de réaliser un montage base commune est de relier la base à la masse via un
condensateur de couplage, appliquer le signal d’entrée à amplifier 𝑣𝑒 (𝑡) entre l’émetteur et la base
(masse) et prendre la sortie entre le collecteur et la base (masse) comme montré dans la figure 31.

Figure 31 : BJT NPN monté en base commune [1].

En régime de polarisation (statique), l’étude est équivalente a ce que nous avons vu précédemment
puisque le montage se ramènera à celui de la figure 11 (condensateur = circuits ouverts en régime
statique).
Le schéma équivalent en petits signaux alternatifs du montage précèdent est montré dans la figure 32.

Figure 32 : Schéma équivalent du montage base commune.

Question : calculer le gain en tension 𝐴𝑣 du montage précèdent.

3. Le transistor bipolaire PNP
Le principe de fonctionnement d’un BJT PNP est identique a celui du BJT NPN sauf que dans le premier,
les 2 jonctions PN sont EB et CB (au lieu de BE et BC pour le NPN) comme le montre la figure 33 (à
comparer avec la figure 1). Donc un BJT PNP est polarisé correctement si :
- La jonction EB est polarisée en direct : 𝑉𝐸𝐵 = 𝑉𝐸 − 𝑉𝐵 = 8 − 5 = 3𝑉 > 0,7𝑉

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- La jonction CB est polarisée en inverse : 𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = 2 − 5 = −3𝑉 < 0,7𝑉

Figure 33 : Polarisation correcte du BJT PNP.

Les deux relations suivantes restent valables : 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 et 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 .

Symbole du BJT PNP

Figure 34 : Symbole du BJT PNP.

Exemple de polarisation du BJT PNP

Soit le montage de polarisation montré dans la figure 35.
Vérifions que le transistor PNP de ce montage est correctement polarisé. Pour ce faire, il faut s’assurer
que 𝑉𝐸𝐵 ≥ 0,7𝑉 > 0 et 𝑉𝐶𝐵 < 0,7𝑉…
Dans la maille d’entrée, on a : 𝑉𝐸𝐵 + 𝑅𝐵 𝐼𝐵 = −𝑉𝐵𝐵 = 5𝑉
La maille d’entrée est équivalente à un circuit contenant un générateur de tension de 5V, une diode et
une résistance. Il est évident qu’une tension de 5V est largement suffisante pour mettre la diode en
état passant. Par conséquent, la jonction EB est passante et que 𝑉𝐸𝐵 ≈ 0,7𝑉.
Connaissant la valeur de 𝑉𝐸𝐵 , on peut en déduire celle de 𝐼𝐵 :
−𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐸𝐵 5 − 0,7
𝐼𝐵 = = = 0,43𝑚𝐴
𝑅𝐵 10𝑘Ω
La valeur de 𝐼𝐶 est alors : 𝐼𝐶 = 100 × 0,43 = 43𝑚𝐴.

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Figure 35 : montage basique de polarisation du BJT PNP.

Calculons maintenant 𝑉𝐶 :
On a 𝑉𝐶𝐸 − 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 = −12𝑉
Donc 𝑉𝐶𝐸 = −12 + 100 × 43 × 10−3 = −7,7𝑉
Ce qui signifie que 𝑉𝐶 = −7,7𝑉 car 𝑉𝐸 = 0.
D’autre part, on a 𝑉𝐸𝐵 ≈ 0,7𝑉 ➔ 𝑉𝐵𝐸 ≈ −0,7𝑉 et donc 𝑉𝐵 ≈ −0,7𝑉 car 𝑉𝐸 = 0.
Sin on calcule 𝑉𝐶𝐵 , on a 𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐵 = −7,7 + 0,7 = −7𝑉 < 0 et par conséquent la jonction CB est
polarisée en inverse.
Puisque la jonction EB est polarisée en direct et la jonction CB est polarisée en inverse, le BJT PNP du
montage de la figure 35 est alors correctement polarisé.

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Annexe : Détermination de l’impédance de sortie pour le montage

émetteur commun (Figure 25)
Pour calculer l’impédance de sortie, il faut
i. Débrancher la charge et la remplacer par un générateur de tension 𝑣𝑆 débitant un courant 𝑖𝑆 ;
ii. Court-circuiter les sources de tension indépendantes.
On obtient le montage suivant :

Remarquer que nous avons considéré la résistance interne du générateur d’entrée 𝑣𝑒 afin d’avoir des
informations suffisantes pour résoudre le problème.
Ce même montage est équivalent au montage suivant :

𝑣𝑠
Cherchons l’impédance de sortie 𝑍𝑆 = 𝑖𝑠
𝑣𝑠
On a d’une part 𝑖𝑠 = 𝑖𝑐 + 𝑖𝑅𝑐 = 𝛽𝑖𝑏 + 𝑅𝑐

D’autre part, la maille d’entrée nous donne (𝑅𝑔 //𝑅12 )𝑖𝑏 + ℎ11 𝑖𝑏 = 0
Donc [(𝑅𝑔 //𝑅12 ) + ℎ11 ]𝑖𝑏 = 0 ce qui implique 𝑖𝑏 = 0
Par conséquent l’expression de 𝑖𝑠 devient
𝑣𝑠
𝑖𝑠 =
𝑅𝑐
Ce qui donne pour l’impédance de sortie
𝑣𝑠
𝑍𝑆 = = 𝑅𝑐
𝑖𝑠

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Références :
[1] Electronic devices, 9th edition, Thomas L. Floyd.
[2] http://www.bedwani.ch/electro/ch14/index.htm
[3] https://ft.univ-setif.dz/externe/postgraduation/cours/Chapitre-IV-Final-Transistor.pdf
[4] http://users.polytech.unice.fr/~cpeter/ELEC/DOCS_COURS/4_transistor_bip.pdf

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