E.N.S.I.T.

Département de Génie Electrique

Travaux Dirigés d’Electronique des Composants
1 ING_ GE

T.D. n °1

Exercice n°1
Soit un cristal de germanium 300K, pour lequel la concentration en porteurs intrinsèques est
ni = pi= 2.5 1019 m-3.
La mobilité des électrons à cette température est 3600 cm2/V.s, celle des trous est 1700
cm2/V.s. Ce cristal est dopé par des atomes donneurs dont la concentration est 5.10 16 cm-3.
Tous les atomes donneurs sont supposés ionisés.
1. Calculer la concentration en électrons et trous, ainsi que la résistivité du matériau dopé
à 300K.
2. On élève la température jusqu’à 400K. Sachant que pour le germanium, la
concentration en porteurs ni (ou pi) double tous les dix degrés, calculer les
concentrations en électrons et trous, ainsi que la résistivité du matériau dopé à 400K.

Exercice n°2 :
1/ Calculer la résistivité 0 à 273K du silicium intrinsèque. On donne la concentration en
porteurs à 273K : ni = pi= 1.6 109 cm-3, mobilité de porteurs à 273K (cm2/V.s) : électrons:
1600 ; trous : 550.
2/ Calculer la valeur 27 de la résistivité à 300K, sachant que la loi de variation de la
résistivité est la forme A.exp(B/T) avec B = 6492K et A est une constante indépendante de la
température.

Exercice n°3 :

On considère trois barreaux cylindriques formés respectivement par un silicium intrinsèque,

un silicium dopé de type N et un en cuivre. Ces barreaux ont chacun une longueur l=50cm et
une section S= 1cm2. La charge élémentaire de l’électron q =1,6 10-19C.
 S

l
On donne à 300K :
Cuivre Silicium Silicium
dopé N
Densité n des électrons libres /cm3 1023 1,6 1010 1015
Densité p des trous libres /cm3 - 1,61010 2,56 105
Mobilité des électrons n [cm2/V.s] 3725 1350 1350
Mobilité des trous p [cm2/V.s] - 480 480

1. Calculer la conductivité électrique Si du silicium, Cu de cuivre et SiN du silicium

dopé N.
2. En déduire les résistances de chaque barreau : RSi du barreau de silicium, RCu du
barreau en cuivre et RSiN.
3. Calculer les intensités de courant ISi, ICu et ISiN qui passeraient respectivement dans les
barreaux de silicium, du cuivre et du silicium dopé N si on applique à chacun une
d.d.p U =1V. Comparer et conclure.