Cours d’électrocinétique -TD- 2AP-ENSATé

TD (série -1)

Exercice 1 : Propriétés d’un conducteur en cuivre

Le cuivre est un métal qui libère en moyenne un électron par atome. Nous supposons que le
nombre d’atomes par m3 est de 1029.

1. Calculer la densité moyenne « n » des porteurs. En déduire la densité volumique des charges
mobiles, notée 𝜌v.

2. Un fil de cuivre cylindrique de 1 mm2 de section est parcouru par un courant continu de 1 A.
Calculer la densité de courant 𝐽 . En déduire la vitesse des charges mobiles 𝑣 .

3. La résistivité du cuivre utilisé vaut : 𝜌 = 1,5×10−8 Ω..m. Calculer la résistance d’un tronçon
du fil précédent long de 10 m et déterminer la valeur du champ électrique dans le conducteur.

Exercice 2 : Propriétés du silicium intrinsèque et dopé

Le silicium intrinsèque comprend 5 × 1028 atomes .m−3. À la température ambiante, 2 × 1016

paires électron-trou par mètre cube participent à la conduction électrique, 𝑛 est la densité des
électrons et p la densité des trous : 𝑛 = 𝑝 = 𝑛𝑖 .

Nous connaissons la mobilité des électrons 𝜇𝑛 et des trous 𝜇𝑝 :

𝜇𝑛 = 0,14 m2.V−1s−1 et 𝜇𝑝 = 0,05 m2.V−1s−1

1. Calculer la résistivité du silicium intrinsèque à la température ambiante.

2. Calculer, à la température ambiante, la résistivité du silicium dopé avec des donneurs 𝑁𝑑

avec un taux de dopage de 2 × 10−7. Nous admettons le produit : 𝑁𝑑 ∙ 𝑝 = 𝑛𝑖2 .

3. Calculer dans les deux cas la résistance d’un tronçon de semi-conducteur de 2 mm2 de section
et de 1 cm de longueur.

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