INSA de Lyon
Département Génie Electrique
ÉLEVATEUR DE TENSION POUR UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE
FELIX HILDENBRAND, CLAUDIA LO-PRESTI, GROUPE 3GE3
Resume. Ce document décrit
le principe de notre montage
élévateur de tension et illustre le
fonctionnement par des simula-
tions et des schémas-blocs.
1. Introduction
Notre montage a pour but de réguler la tension à
la sortie d’une cellule photovoltaı̈que. Typiquement
une cellule mono-cristalline débite un courant qui a
une tension comprise entre 0,55 V et 0,63 V, les deux
dépendent de la puissance reçue. La tension est in-
trinsèque au silicium, contrairement au courant qui
dépend du rendement et varie d’un type de cellule
à un autre. La tension de la cellule étant variable
notre montage devra s’adapter à celle-ci et fournir
en permanance une tension de 5V.
2. Solution envisagé
2.1. Idée générale. Le principe du montage est
celui d’un convertisseur DC/DC, communément ap-
pelé hacheur, de type boost car élévateur de tension.
Nous avons opté pour cette solution car elle permet
un fonctionnement en puissance. Le boost est com-
mandé de manière à fournir toujours une tension de
sortie constante, quelque soit la tension d’entrée. Le
réglage du gain du convertisseur passe par la mod-
ification du rapport cyclique. Pour ce faire un cir-
cuit de commande de type ”Pulse Width Modula-
tor”(PWM), donnera un signal de commande à la
cellule de commutation.
1
Mini-projets d’électronique 3GE
2eme semestre 2009/2010
2.1.1. Principe du boost.
Principe du boost
Le fonctionnement du hacheur se décompose en
deux phases: la charge de la bobine et la décharge
de la bobine dans le condensateur. La cellule de
commutation se décompose en deux parties:
• une diode qui est passante quand le potentiel
est plus élevé au niveau de la bobine qu’au
niveau de la charge. Cet état sera appelé S1.
• un interrupteur contrôlé par un circuit de
commande qui relie la bobine à la masse
quand il est fermé. Ainsi la bobine est
chargée par la cellules PV. Cet état sera ap-
pelé S2.
C’est deux états sont caractérisés par le temps ton
qui correspond à l’état S2 et tof f qui correspond
à l’état S1. La période totale d’un cycle sera ap-
peler T. Le rapport D = tTon est appelé le rapport
cyclique. Le gain du montage est donné par:
Us 1
Ue = 1−D .
2.1.2. Principe du PWM. Le circuit de commande
doit convertir la tension d’entrée dans le rapport cy-
clique correspondant. Pour ce faire on récupère la
tension au borne de la cellule PV grâce à un suiveur.
2 FELIX HILDENBRAND, CLAUDIA LO-PRESTI, GROUPE 3GE3

Ensuite on la compare avec une signal triangulaire. 3.2.2. La bobine. Grâce à la relation:
Quand la tension triangle passe au dessus de la ten- L· ∆I
∆t = Ue
sion Ue le comparateur passe en positon haute, ce
qui correspond à l’état S2. Il suffit donc de bien nous pouvons dimensionner la bobine. ∆t = ton et
choisir la pente du signal triangulaire pour avoir les ∆I doit rester minimale car le courant de la cel-
rapports cycliques correspondants. lule est fixé pour un ensoleillement donné. On fixe
l’ondulation du courant ∆Imax à 0,01 A. Ainsi on
trouve:
Ue (V ) L(mH)
0,55 2,45
0,63 2,75
On prend la plus grande des deux valeurs, ainsi
∆Imax ne sera pas dépassé.

3.2.3. Le condensateur. Le condensateur est régie

par la relation:
Pulse Width Modulator ∆Us Is
∆t = C
2.2. Schéma. voir Annexe. D Us
On prend ∆t = ton = D·T = f ; Is = Rc et
Ue
3. Simulation Us = 1−D donc on a:
Ue D
Les logiciels utilisés sont Simplorer et Qucs. ∆Us = Rc Cf 1−D

3.1. Démarche. Avant de commencer les simula- D’après le cahier de charge la tension de sortie doit
tions nous avons tenté de dimensionner les com- être fixe à 5% près. D’où ∆Us = 5 · 0,05 = 0,25
posants par des calculs. Ensuite, nous avons simulé V. Ainsi on trouve, pour une valeur maximale de la
le circuit de puissance tout seul, pour confirmer le charge qu’on fixe à 100 Ω, les valeurs suivantes:
choix des rapports cycliques et des composants; puis Ue (V ) C(µF)
le circuit de commande avec un GBF en entrée du 0,55 8,9
comparateur. Finalement, nous avons combiné les 0,63 8,74
deux. ON choisie la valeur la plus élevé pour réduire les
3.2. Calculs. ∆Us au maximum.

3.2.1. Le rapport cyclique. Pour diminuer les pertes
dans le circuit, nous avons choisi une fréquence
élevée, 20 kHz, comme fréquence de commutation.
Afin de dimensionner correctement le circuit nous
avons pris les deux valeurs extrêmes de Ue , 0,55 et
0,63, pour calculer la valeur min et la valeur max de
ton et 5 V comme tension de sortie Us .
Ue (V ) D ton (s)
0,55 0,89 0,445 ·10−4
0,63 0,874 0,437 ·10−4
3.2.4. Le signal de commande. Dans une première
phase de notre projet nous allons utilisé un GBF
pour générer le signal triangle. À terme il pourra
être remplacer par un circuit adapté pour rendre le
montage totalement autonome. Nous avons à notre
disposition une tension de 5V pour générer le signal
triangle. Le rapport varie de façon linéaire avec la
tension Ue et comme la période de référence est la
même on retrouve ton quand la tension triangle est
supérieure à Ue .
 ÉLEVATEUR DE TENSION POUR UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE 3

3.3.2. Le circuit de puissance. Avec les composants

calculés on n’arrive pas aux résultats espérés la ten-
sion max. pour 0,55 V en entrée est de 2,05V. Ce
résultat est très loin de la valeur espérée.

Le signal de commande

3.3. Résultats. Pour les premières simulations

nous avons choisi des composants standards pour
les AOPs, le 741 et pour le MOSFET, un n-mosfet
avec une tension VGS(th) de 3V. La cellule PV est
est représentée par un schéma équivalent composé Le circuit totale avec les valeurs calculés
d’une source de courant, d’une diode et de deux
résistances. Mais ce n’est pas totalement surprenant étant
donnée que la pulsation de base à changer. On aug-
3.3.1. Circuite de Commande. Nous avons com- mente la bobine à 22 mH, ce qui correspond à une
mencé par tester le circuit à 20 kHz et il se trouve réduction du ∆Ie d’un facteur 10. Le circuit est
qu’il ne donne pas les résultats attendus. largement plus performant. La bobine peut emma-
gasiné plus d’énergie avec une variation de courant
très petite. Mais on remarque le pique de tension
après la monté. Pour éviter cette surtension nous
allons augmenter la capacité d’un facteur 5. Finale-
ment on a le résultat suivant pour Us :

Le signal de commande à 10kHz

Une réduction de la fréquence de commutation nous
amène des résultats plus intéressants. La fréquences
maximale que nous avons trouvé est de 9 kHz.
Mais il est possible que nous n’avions pas réussi à
maı̂triser tous les facteurs de la simulation. Il faudra
vérifier par l’expérience cette limite. Le circuit totale avec L=22mH et C=45µF
4 FELIX HILDENBRAND, CLAUDIA LO-PRESTI, GROUPE 3GE3

Un essai avec la tension Ue = 0, 63V donne une ten- • 1 AOP LM741

sion Us plus élevée. On se rapproche de 5V, mais • 1 n-MOSFET TPC6003 ou IRF 630, avec
la tension de sortie varie, le circuit de commande 3,5 > VGSth > 3,0 ; IM AX > 6 A.
ne fonctionne donc toujours pas de manière satis- • 1 C 47 µF
faisante. Une analyse du signal mesurée au gate du • 1 L 22 mH, Isat > 7A
MOSFET montre que le rapport cyclique ne varie • 1 diode avec If M AX =8A
pas de manière suffisante et que le slew rate de
3.5. Débogage. Pour le débogage il faut mesurer
l’AOP comparateur est trop importante pour don-
les valeurs suivants:
ner un signal précis. Nous nous proposons donc
d’utiliser un AOP plus adapté aux applications de • La fréquence maximale de travail pour le cir-
comparateur. Un signal de commande plus précis cuit de contrôle.
nous permettra d’atteindre la tension voulue pour • La tension maximale à la sortie de l’AOP
les deux toutes les tensions d’entrée. comparateur.
Pour l’instant le montage ne répond pas entièrement • Le lissage de la tension de sortie.
au cahier de charge, mais nous sommes confiants que • La tension de commutation du MOSFET.
suite aux tests nous pouvons optimiser le montage • Le rendement globale du montage
de manière à y répondre. 4. Conclusion
3.4. Composants. Nous avons une solution globale, mais seulement
• 1 cellule mono-cristaline avec un rendement une partie des fonctions est validée par des simula-
d’environ 16% tions. Nous chercherons à compléter ceci lors de la
• 1 AOP LMH7332 construction du montage.

5. Annexe

Figure 1. circuit complet