Université IBN TOFAIL Année 2019-2020

Faculté des Sciences TD de physique des composants

Département de Physique Master
Kénitra

Série 1

Exercice 1- Calculer la concentration intrinsèque des porteurs de charges, ni, à T = 200, 400
et 600 K pour :

a- Le silicium : NC=2.8 x 1019 cm-3 NV=1.04 x 1019 cm-3, Eg=1.12 eV

b- Le germanium : NC=1.04 x 1019 cm-3, NV=6.0 x 1018 cm-3 Eg=0.66 eV
c- L’arséniure de gallium. NC=4.7 x 1017 cm-3, NV=7.0 x 1018 cm-3 Eg=1.424 eV

Exercice 2- A 27°C, un échantillon de silicium est dopé de deux manières différentes, la

première avec une concentration donneurs ND = 1.51016 cm-3 et la deuxième avec une
concentration d'accepteurs NA = 51015cm-3. La bande interdite du silicium à la température
ambiante est de 1,12 eV.

a) Rappelez les expressions de la densité d'électron n dans la bande de conduction et la

densité de trous p dans la bande de valence.
b) Donner la relation de la loi d’action de masse et déterminer la concentration des porteurs
minoritaires pour les deux cas.
c) Calculez la position du niveau de Fermi EF dans les deux cas, déterminer Ec - EF pour
le silicium dopé n et et EF - Ev pour le silicium dopé p.

Exercice 3- Calculer EFi par rapport au centre de la bande interdite dans le silicium pour T =
200, 400 et 600 K.

Exercice 4- La concentration d'électrons dans le silicium est n = 3  104 cm-3.

a- Déterminer p.
b- Ce matériau est-il de type n ou p ?
c- Déterminer EF - Ev.

Exercice 5- On considérer le silicium à T = 300 K

a- Déterminer p si EFi - EF = 0.35 eV.

b- En supposant que p de la partie (a) reste constant, déterminer la valeur de EFi - EF
lorsque T = 400 K.
c- Trouver la valeur de n dans les deux parties (a) et (b).
Devoir

Exercice 6- Considérons le silicium à T = 300 K, qui a n = 5  1019 cm-3. Déterminer Ec – EF.

Exercice 7- Considérons un semi-conducteur au germanium à T = 300 K. Calculer les

concentrations d'équilibre thermique de n0 et p0 pour (a) Na = 1013 cm-3, Nd = 0, et (b) Nd = 5 
1015 cm-3, Na = 0.

Exercice 8- Soit un semi-conducteur de silicium dans les conditions suivantes :

(a) T = 300 K, Nd = 2  1015 cm-3, Na = 0

(b) T = 300 K, Nd = 0, Na =1016 cm-3

(c) T = 300 K, Nd = Na =1015 cm-3

(d) T = 400 K, Nd = 0, Na =1014 cm-3

(e) T = 500 K, Nd = 1014 cm-3, Na = 0

1- déterminer la concentrations d'électrons et de trous d'équilibre

2- déterminer le niveau d'énergie de Fermi par rapport au niveau intrinsèque de Fermi.

Exercice 9- Considérons un échantillon de silicium dopé à Nd = 0 et Na = 1014 cm-3. Tracer la

concentration du porteur majoritaire en fonction de la température dans la plage de 200  T 
500 K.

Exercice 10- Dans le silicium à T = 300 K, nous avons trouvé expérimentalement que n0 =
4.5  104 cm-3 et Nd = 5  1015 cm-3. a) Le matériau est-il de type n ou de type p ? (b)
Déterminer les concentrations des porteurs majoritaires et minoritaires. c) Quels types et
concentrations d'atomes d'impureté se trouvent dans le matériau ?

Exercice 11- Considérons le germanium à T = 300 K avec des concentrations de Nd = 1014,

1016, and 1018 cm-3. Soit Na = 0 : Calculez la position du niveau d'énergie de Fermi par rapport
au niveau intrinsèque de Fermi pour ces concentrations dopantes.

Exercice 12- Considérer le silicium à T = 300K avec Na = 0. Tracer la position du niveau

d'énergie de Fermi par rapport au niveau intrinsèque de Fermi en fonction de la concentration
de dopage du donneur dans la plage 1014  Nd  1018 cm-3.

Exercice 13- Le silicium à T = 300 K contient des atomes accepteurs à une concentration de
Na = 5  1015 cm-3. Des atomes donneurs sont ajoutés pour former un semi-conducteur
compensé de type n, de sorte que le niveau de Fermi est de 0,215 eV sous le bord de la bande
de conduction. Quelle est la concentration des atomes donneurs ajoutés ?