FICHE DE TD N°3

MASTER 1 PHYSIQUE COMPUTATIONNELLE

2019/2020
PHYSIQUE DES SEMI-CONDUCTEURS

EXERCICE N°1
Calculez n et p dans un semi-conducteur dopé n à 1015/cm3 et éclairé avec un taux
de réaction de 1016cm-3s-1Les durées de vie des électrons et des trous sont de 10
microsecondes.
EXERCICE N°2
Calculer le temps libre moyen ainsi que le libre parcours moyen d'un électron ayant une
mobilité de 1000 cm2/V.s à 300 K.
On prendra mn = 0.26 m0

EXERCICE N°3
Calculer les concentrations des électrons, des trous, les mobilités et les résistivités d'un
barreau de silicium à la température ambiante (300K) pour les concentrations suivantes:
(a) 5 × 1015 atomes/cm3 de bore;
(b) 2 × 1016 atomes/cm3 de bore et 1.5 × 1016 atomes/cm3 d'arsenic
(c) 5 × 1015 atomes/cm3 de bore, 1017 atomes/cm3 d'arsenic, et 1017 atomes/cm3 de gallium.

EXERCICE N°4
Un barreau de silicium est dopé au phosphore à 1016 atomes/cm3 . Calculer la tension de Hall
pour un échantillon avec W = 500μm, A = 2.5×10-3 cm2, I = 1mA, et Bz = 10-4 Wb/cm2.
EXERCICE N°5
Soit un barreau de semi-conducteur de type n à la température ambiante (300K), la
concentration des porteurs varie de 1 × 1018 à 7 × 1017 cm-3 sur une distance de 0.1 cm.
Calculer la densité du courant de diffusion.
La constante de diffusion Dn = 22.5 cm2/s.
EXERCICE N°6
Des porteurs minoritaires ( trous) sont injectés dans un semi-conducteur homogène de type n.
Un champ électrique de 50V/cm est appliqué aux bornes de ce semi-conducteur, et ce champ
déplace ces porteurs minoritaires d'une distance de 1cm dans un temps de 100 µs. Calculer la
vitesse de dérive et la diffusivité de ces porteurs minoritaires à la température ambiante
(300K).
EXERCICE N°7
Un barreau de GaAs (nno = 1014 cm–3 ) est éclairé par une lumière où sont créés 1013 paires
électron-trou /cm3 chaque microseconde (µs), pour τn = τp = 2 μs,
Calculer la variation de la concentration des porteurs minoritaires
EXERCICE N°8
Un barreau de GaAs (nno = 1014 cm–3 ) est éclairé par une lumière où sont créés 1013 paires
électron-trou /cm3 chaque microseconde (µs), pour τn = τp = 2 μs,
Calculer la quasi niveau de Fermi à la température ambiante (300K).