USTHB

Faculté de Génie électrique

Département d’électrotechnique

TD de matériaux électrotechniques

Série numéro 4 : Matériaux semi-conducteurs

Exercice 1 : Répondre aux Questions suivantes

1. Définir un semiconducteur intrinsèque et un semiconducteur extrinsèque ?
2. Comment varie la résistivité d’un semiconducteur avec la concentration des éléments de
dopage ?
3. Dans un semi-conducteur la charge e l’électron est qe = -e = -1,6.10-19C. Quelle est la charge
du trou ?
4. Dans un semi-conducteur, donner m’expression de la densité de courant en fonction de la
densité des porteurs (électrons et trous).

Exercice 2 : répondre par vrai ou faux

1) La conductivité électrique d’un semiconducteur intrinsèque croît quand la température augmente.

2) La résistivité électrique d’un métal est nulle au zéro degré absolu (0 Kelvin).

3) La mobilité des électrons et celle des trous (lacunes électroniques) sont égales dans un
semiconducteur intrinsèque.

4) La concentration en électrons libres et celle en trous (lacunes électroniques) sont égales dans un
semiconducteur intrinsèque.

5) Un semi-conducteur extrinsèque de type ‘’p’’ a un nombre de trous (lacunes électroniques) par

unité de volume bien plus élevé que le nombre d’électrons de conduction par unité de volume.

6) Le dopage du silicium par du phosphore (P) permet d’obtenir un semiconducteur extrinsèque de

type ‘’p’’

7) Quand la température augmente, la conductivité extrinsèque d’un semi-conducteur dopé croît

constamment jusqu’à une certaine température pour laquelle la conductivité intrinsèque devient alors
égale à la conductivité extrinsèque.

8) Quand la température augmente, la conductivité extrinsèque d’un semi-conducteur dopé croît et sa

valeur maximale dépend du taux de dopage du semi-conducteur.
Exercice 3.
La conductivité électrique d’un cristal de silicium pur a la valeur σ1 = 408 μS/m à la température T1 =
300 K et la valeur σ2 = 1,54 mS/m à la température T2 = 320 Κ. Déterminer la largeur de la bande
interdite de Fermi wi. sachant que : σ=Ci.exp(-w/2kT)
K constante de Boltzman=1,38.10-23

Définition :La largeur Eg de la bande interdite (en Anglais gap) c’est l'énergie minimale nécessaire
pour qu'un électron effectue une transition entre la bande de valence et la bande de conduction.

Exercice 4 :

Considérons le germanium qui est un semi-conducteur et dont certaines propriétés caractéristiques

sont les suivantes :

- A la température ambiante :  du Ge= 2,2 S/m2

- - Eg= 0,66 eV
- e=3900 cm2/V.s et t=1900 cm2/V.s
- K constante de Boltzman=1,38.10-23
- a) Calculez les densités Ne et Nt des niveaux d’énergie dans la bande de conduction et dans la
bande de valence du germanium à la température ambiante (20 °C).
- b) À quelle température (en °C) doit-on porter le germanium pour que sa conductivité
électrique soit 50 fois plus élevée qu’à la température ambiante (20 °C) ?