Filière Sciences de la Matière Physique

Polycopié de Cours

Physique des Composants électroniques‐ S6

Préparé par :
Abdelaziz AHAITOUF

Edition : 2018- 2019

Introduction

La contribution de l’électronique dans les produits de grande consommation (automotive,

communication, ordinateurs, etc) ne cesse d’augmenter et elle se fait sans augmentation
significative du prix des produits. Les raisons à cela sont l’automatisation dans la fabrication
des composants électroniques et la réduction incessante de leurs dimensions.

La loi de Moore
Des questions se posent : Est-ce que cette évolution va-t-elle continuer de manière inexorable,
et de nouveaux dispositifs vont-ils apparaître dans les années futures ?
Depuis le début de l’électronique (tube cathodique) jusqu’à nos jours les dispositifs
électroniques ne cessent de s’améliorer et ce au niveau performance et dimensions.
Cette évolution au niveau miniaturisation est régie, jusque-là, par des lois empiriques qui
prédisent le développement des circuits intégrés. La loi phare est celle de Moore qui stipule
que « le nombre de transistors dans un CI double tous les 18 mois ». Cette loi est restée valide
plus de 40 années.

Figure 1 : Loi de Moore

La réduction des dimensions des composants permet une plus grande intégration dans une
surface réduite. On peut ainsi avoir plusieurs fonctionnalités dans un même circuit. On est
ainsi passés des SSI (Small Scale Integration) ou VLSI (Very Large SI) et de circuit à une
seule fonctionnalité (circuit intégré réalisant une seule fonction) à des SIP (System in
package) et SOC (System on Chip : Système sur Puce).
Toutes ces avancées n’auraient été possibles sans les développements réalisés au niveau de la
fabrication des composants à base de semiconducteurs et de la physique qui y est liée.

1
 Chapitre I
Notion sur les semiconducteurs
Ce chapitre a pour but d’introduire la notion de physique des semiconducteurs et donc
contient des définitions et rappels sommaires en la matière.
I. Introduction
Les semiconducteurs sont des matériaux dont les propriétés sont intermédiaires entre les
isolants et les conducteurs.
Trois types de semiconducteurs existent à l’état naturel le carbone (C) le silicium (Si) et le
germanium (Ge). Ceux utilisés en électronique sont le Si et le Ge.
C’est des éléments dont la résistivité est comprise entre 10-3 et 10-5Ω (très mauvais
conducteurs). Le germanium fut le premier semiconducteur à être utilisé, mais le silicium
reste le semiconducteur le plus utilisé en électronique et ce pour plusieurs raisons :
Abondance et donc faible coût de revient
Oxydation facile (SiO2)
Possibilité d’utilisation à des températures élevées
Néanmoins le GaAs et l’InP restent les semiconducteurs de référence dans les dispositifs
optoélectroniques. En applications RF c’est le GaAs et le SiGe qui dominent.
La conductivité des semiconducteurs varie sous l’influence de certains facteurs tels que : la
température, la lumière le champ électrique, le champ magnétique.
II. Notion de bandes d’énergie
Les électrons d’un atome sont placés sur plusieurs orbites (niveau d’énergie) autour du noyau.
Les électrons de la dernière orbite sont les électrons de valence. Ils permettent de faire les
liaisons entre atomes pour constituer le cristal.
Sous l’effet d’un apport énergétique, les électrons de valence peuvent quitter leurs orbites et
devenir libres. Ce sont les électrons libres ou de conduction puisqu’ils peuvent donner
naissance à un courant électrique. Ces électrons libres sont liés au matériau mais pas à un
atome particulier.
A T= 0K il n’y a pas d’apport d’énergie sous forme thermique et tous les électrons de la
couche périphérique sont donc dans la bande de valence et se trouvent donc, dans un état lié.
Principe d’exclusion de Pauli : Un niveau d’énergie d’un atome ne peut contenir plus de 2 e-
Le matériau semiconducteur est constitué d’un nombre N très important d’atomes (5·1022/cm-
3
en moyenne). Chaque niveau atomique se trouve alors scindé en N états distincts dont

2
chacun respecte le principe d’exclusion de Pauli. En pratique, la différence d’énergie entre le
plus haut de ses états subdivisés et le dernier est de quelques eV. Ainsi, l’ordre de grandeur de
différence entre deux états voisins est de 10-22eV. Cette écart est tellement petit que l’on ne
peut plus considérer ces N états comme discrets mais plutôt un continuum d’états permis pour
les électrons. On peut ainsi parler de notion de bandes d’énergie (figure 1).

Figure 1 : Notion de bandes d’énergie

Ainsi dans un cristal, on distingue des bandes d’énergie permises et d’autre non permises. La
bande de conduction contient les porteurs libres et la bande de valence les porteurs qui sont
liés.

Figure 2 :Schéma de bandes d’énergie

Sc Si Ge TiN GaAs GaN InP BN SiC
Eg (eV) 1.12 0.66 0.082 1.42 3.49 1.35 7.5 3.26
Tableau 1 : Valeurs du gap de certains Sc
III. Statistique d’occupation des états électroniques
Lorsque les e- de valence deviennent libres (passent à la BC), ils donnent naissance à un
manque d’e-appelés trou (hole) libre. On parle ainsi de la génération de paires électron-trou
(e--h).
Inversement, lorsqu’un électronlibre (e- de la BC) rencontre un trou, il le comble. C’est le
phénomène de recombinaison de paires e—h.
Un courant électrique est constitué d’un mouvement d’e- libres et d’un mouvement de h libres

3
On définit la probabilité d’occupation d’un état d’énergie E par la fonction de Fermi :

EF = niveau de Fermi ou « potentiel chimique » des électrons. Il correspond au niveau

statistique moyen occupé à l’équilibre thermodynamique par l’ensemble des porteurs
A l’équilibre le niveau de Fermi est constant en tout point du matériau et Les propriétés
électroniques d’un semiconducteur sont contrôlées par la position du niveau de Fermi dans le
gap. La variation de la fonction f(E) est représentée sur la figure 3.

Figure 3 : Statistique de Fermi-Dirac : Variation de f(E) en fonction de E pour

différentes T
III.1. Approximation de Maxwell Boltzmann

La fonction de Fermi f( E) est non linéaire, il faut donc recourir à des approximations de cette
fonction pour pouvoir faire des calculs analytiques.

Deux cas se distinguent :

 , dans ce cas le terme exponentiel est prépondérant devant 1.

et la fonction de Fermi peut se simplifier et s’écrire :

 , dans ce cas le terme exponentiel est négligeable devant 1

et la fonction de Fermi peut se simplifier et s’écrire :

On voit ainsi que dès que la différence énergétique est de quelques kT par rapport à EF, la fonction de
Fermi tend vers 0 ou vers 1 très rapidement puisque la variation est exponentielle

III.2. Notion de Masse effective des électrons

4
Sous l’influence du réseau cristallin les électrons libres de la bande de conduction se comportent
comme des particules de masse différente de m0 (masse des e‐ dans le vide), et de charge – q.

Cela revient à dire qu’un électron de la bande de conduction se comporte comme un électron dans le
vide à condition de remplacer sa masse m0par une masse .

De manière analogue, on définit la masse effective des trous dans un cristal. Celle‐ci est souvent plus
grande que pour un électron dans un même semiconducteur.

III. Densité intrinsèque d’électrons et de trous libres

Sous l’effet de la température T, il y a apport d’énergie proportionnelle à T(K). Il en résulte la
libération de porteurs qui passent de la bande de valence à la bande de conduction. Ceci est à
l’origine de la présence dans le semiconducteur d’une concentration d’électrons et de trous
libres (chaque électron qui quitte la bande de valence laisse derrière lui un trou libre). C’est la
densité intrinsèque de porteurs. La concentration d’électrons libres ni est égale à la densité
intrinsèque de trous libres pi. (Pour le Silicium et à T = 300K, ni  pi  1,45  1010 cm 3 ).
Cette densité intrinsèque d’e- et de h libres est relativement faible devant le nombre d’atomes
dans un semiconducteur et c’est pour cela que les semiconducteurs sont généralement de très
mauvais conducteurs.
La densité d’électrons est fortement dépendante de la température et de la nature du matériau
et s’exprime, à l’équilibre thermodynamique, par l’équation :

Avec : A constante propre au matériau, T la température en K, Eg le gap du semiconducteur et

k la constante de Boltzmann.

Figure 4 : Variation de ni en fonction de T pour le Ge, le Si et le GaAs

III.1. Densité de porteurs libres

5
Les densités d’états dans la bande de conduction, n, et dans la bande de valence, p, s’écrivent :

Avec, NC la densité effective d’états dans la bande de conduction (Nombre d’états par unité
de volume) réellement occupés par les électrons,
Et NV la densité effective d’états dans la bande de valence réellement occupés par les trous.

Ces densités effectives s’écrivent :

Tout calcul fait, on obtient : &

Le produit np s’écrit alors :

III.2. Niveau de Fermi intrinsèque

Le niveau de Fermi traduit un état statistique et non pas un niveau effectivement occupé. Dans
un semiconducteur non dégénéré (ce qui est le cas pour ce cours) le niveau de Fermi se trouve
dans la bande interdite, c’est-à-dire à un niveau non accessible aux électrons.

1  NV  1  3  m* 
Il s’exprime par l’équation : E F  EC  EV   kT ln   EC  EV   kT ln h 
 m* 
2   NC  2  2  e 

IV. Dopage des semiconducteurs

Le dopage consiste à introduire dans le semiconducteur des atomes d’une autre nature appelés
impuretés. Ces impuretés occupent les sites des atomes du matériau et deviennent atomes
dopants.
Une fois dopé le matériau est dit extrinsèque contrairement au matériau pur qui est
intrinsèque. Le rôle du dopage est de contrôler la densité des électrons et de trous libres dans
le matériau et ainsi de contrôler les propriétés électriques du matériau semiconducteur. On
distingue deux types de dopages : dopage type N et dopage type P.
IV.1. Dopage type N ou donneur
Un dopage est qualifié de type N s’il crée un excès d’électrons libres dans le semiconducteur
et l’impureté responsable du dopage type N est appelée atome donneur.

6
 Figure 5 :Dopage type N d’un monocristal de silicium par un atome de phosphore.
Dans la figure 5, on représente le dopage du silicium par le phosphore. L’électron
excédentaire autour de l’atome de phosphore, quitte l’atome pour rejoindre la bande de
conduction. L’atome devient ainsi ionisé positivement.
On considère que La densité d’électrons libres est égale à la densité d’impuretés de type
donneur :
nN  N D
n N  p N

Avec nN densité d’e- libres/cm3 dans un Semiconducteur N, pN densité de trous/cm3 dans un

semiconducteur type N, et ND densité des atomes donneurs introduits dans le semiconducteur.
On démontre en physique de l’état solide que pour une température déterminée et quelque soit
le niveau de dopage, le produit de la densité des électrons et des trous libres est une constante
à l’équilibre thermodynamique.
n N  p N  ni pi  ni2  C te
À température constante et à l’équilibre thermodynamique
IV.2. Dopage type P ou accepteur
Un dopage est qualifié de type P s’il crée un excès de trous libres dans le semiconducteur.
L’impureté responsable du dopage type P est dite atome accepteur.

Figure 6 :Dopage type P d’un monocristal de silicium par un atome de bore.

Dans la figure 6, on représente le dopage du silicium par le bore. L’électron déficitaire autour
de l’atome de bore sera apporté par le réseau qui créera simultanément un trou.

7
On considère que chaque atome accepteur génère un trou libre, donc la densité de trous libres
est égale à la densité d’impuretés de type accepteur.
pP  N A et p P  n P

Avec : nP densité des électrons libres/cm3 dans un semiconducteur type P, pP densité de

trous/cm3 dans un Semiconducteur type P et NA la densité des atomes accepteurs introduits
dans le semiconducteur.
De même que pour le cas du dopage type N, on démontre que :
n P  p P  ni p i  ni2  C te À température constante et à l’équilibre thermodynamique

Dans un semiconducteur type P, les trous s’appellent porteurs majoritaires, et les électrons les
porteurs minoritaires.
De manière analogue, dans un semiconducteur type N, les électrons s’appellent porteurs
majoritaires, et les trous les porteurs minoritaires
IV.3. Position du niveau de Fermi EF – Diagrammes d’énergie
La position du niveau de Fermi varie selon le niveau de dopage dans le matériau.
Dans un semiconducteur type N EF est donné par :
Nc N
E F  E c  kT .Log  E c  kT  Log c
n ND

On définit le potentiel de Fermi :  q F  E F  E i  kT .Log ( N D / n i )

Dans un semiconducteur type P EF est donné par :

Nv N
E F  E v  kT .Log  Ev  kT  Log v
p NA

Le potentiel de Fermi dans le semiconducteur type P s’exprime par :

q F  E i  E F  kT  Log ( N A / ni )

Figure 7 : Position du niveau de Fermi Figure 8 : Position du niveau de Fermi

dans un semiconducteur type N dans un semiconducteur type P

Remarque :Dans ce qui va suivre nous nous limiterons au semiconducteur non dégénéré.

8
Un semiconducteur non dégénéré est un matériau dans le niveau de Fermi se trouve dans la
bande interdite et dont les densités effectives d’états (Nc et Nv ) sont supérieures au niveau de
dopage.
On rappelle que les densités effectives d’états correspondent aux nombre d’états réellement
occupés par les porteurs (électrons pour Nc et trous pour Nv).
V. Déplacement des électrons et des trous
Dans un semiconducteur, le courant est de nature bipolaire, car il s’appuie sur le déplacement
simultané de deux types de porteurs libres (les électrons- et les trous libres). Le déplacement
de chaque type de porteurs peut être produit par 2 phénomènes différents qui peuvent
coexister
 La diffusion qui résulte d’une densité non uniforme des porteurs dans le cristal
 La conduction ou « drift » qui résulte de l’action du champ électrique E sur les porteurs
V.1. Courant de conduction
Le champ électrique E provoque le déplacement des porteurs à une vitesse moyenne vd qui
dépend de l’amplitude de E.
v d ,n    n E
On écrit :
vd , p   p E

Le facteur de proportionnalité est appelé mobilité ( :cm2/Vs).

On admet que la mobilité est indépendante du champ électrique E. Elle est par contre
dépendante de plusieurs paramètres tels que : le type de porteurs, la température et la densité
de dopants.
Définition : La densité de courant de conduction est égale au flux de charges par unité de
temps dans une section unitaire.
On définit la densité de courant pour les trous : J p  q p  p E

Et la densité de courant pour les électrons : J n  qn  n E

Remarque :Les deux densités sont de même signe, car les électrons qui ont une charge
négative circulent en sens inverse du champ.
La densité de courant de conduction totale vaut donc : J  J n  J p  q n n  p p E

Ou J   E avec   q n n  p p  est la conductivité

V.2. Courant de diffusion

Dans les semiconducteurs, un courant peut être créé du fait de la présence d’un gradient de
concentration. C’est le courant de diffusion. Il s’exprime par :

9
 dn
pour les trous et J n   q D n dx pour les électrons
dp
J p  q D p
dx

Avec Dn(respectivement Dp) est la constante de diffusion des électrons (respectivement des
trous)
La densité de courant de diffusion totale vaut donc : J  J n  J p

V.3. Relation entre la mobilité et la constante de diffusion

On démontre que la mobilité et la constante de diffusion sont reliées par la relation
d’Einstein :
Dn Dp kT
 
n p q

kT
Avec k : Constante de Boltzmann, T : température q : charge élémentaire et U T  est le
q

potentiel thermodynamique (V).

VI. Processus de génération et de recombinaison
Dans un semiconducteur hors équilibre thermodynamique le produit n’est plus égal à .
La situation de hors équilibre peut être crée de différentes manières : excitation optique,
polarisation etc…
Le processus de création des porteurs est appelé génération. Le processus inverse est dit
recombinaison.
VI.1. Mécanismes de recombinaison
Le semiconducteur a tendance, une fois l’excitation interrompue, à revenir à la situation
d’équilibre. C’est larecombinaison. Ce retour à l’équilibre s’accompagne d’une perte
d’énergie. Selon la nature de l’énergie perdue on distingue différents mécanismes de
recombinaison.
VI.1.1. Recombinaison multiphonon (Modèle SRH:Schockley Read et Hall)
La recombinaison SRH est un mécanisme indirect. Le retour de l’électron de la bande de
conduction à la bande de valence se produit via des niveaux profonds situés dans le gap.
L’énergie perdue est dissipée sous forme de phonons (vibration de réseau).

Et
Phonons

Figure 9 : Recombinaison SRH

VI.1.2. Recombinaison radiative

10
C'est une transition d'un électron de la bande de conduction à la bande de valence
accompagnée de l'émission d'un photon. La recombinaison radiative peut aussi se produire par
l'intermédiaire de niveaux profonds.

Photon

Photon

directe indirecte

Figure 10 : Recombinaisons radiatives

VI.1.3. Recombinaison Auger
Dans ce mécanisme un électron se recombine avec un trou de la bande de valence et l'énergie
dissipéeest gagnée par un troisièmeporteur. La recombinaison Auger peut être directeou
indirecte. La recombinaisonAuger indirectepeut se produirelorsque le semiconducteur est
fortement dopé.

Porteur
directe indirecte
excité

Figure 11 :Recombinaison Auger

VI.2. Mécanismes de génération
Chaque processus de recombinaison a son équivalent en génération. L'inverse de la
recombinaison multiphonon est la génération thermique des paires électron - trou (Figure 12-
a). Pour les recombinaisons, radiative et Auger, les processus équivalents sont la génération
optique et l'ionisation par impact (Figure 12-b et Figure 12-c respectivement).

Phonons

Photon

(a) (b) (c)

Figure 12 : Processus de génération de paires électron – trou

Remarque :

11
La génération optique est très faible pour une structure en obscurité.
L'ionisation par impact est souvent négligée lorsque le semiconducteur est soumis à un champ
faible par rapport au champ de claquage.
VI.3. Taux de génération-recombinaison
Le taux de recombinaison résultant U est défini comme étant le taux de recombinaison total
R , diminué du taux de génération thermique Gth ( U  R  Gth ). Avec cette définition le

taux de recombinaison résultant est nul en régime permanent et en absence d'injection de

porteurs.
Le diagramme de bandes d'un semi-conducteur parfait est constitué d’une bande de valence et
d’une bande de conduction séparées par une bande interdite. Lorsque la périodicité du semi-
conducteur est perturbée par des atomes étrangers ou des défauts du cristal, des niveaux
d'énergie discrets sont introduits dans le gap (Figure 13). De tels défauts se comportent
comme des centres de recombinaison dans le cas d'un excès de porteurs dans le semi-
conducteur et comme centres de génération dans le cas d'un déficit de porteurs.
Considérons le cas d'un niveau d'impureté d'énergie Et et de densité N t uniformément

distribuée dans le semi-conducteur. Lorsque le centre Et , caractérisé par le coefficient de

capture des électrons libres c n , capture un électron de la bande de conduction (Figure 13-a)

deux événements sont possibles. L'électron est réémis dans la bande de conduction, c'est le
processus d'émission caractérisé par la vitesse d’émission des électrons libres e n (Figure 13-
b) ou bien le centre capture un trou de la bande de valence, ce processus sera caractérisé par
c p (Figure 13-c).

A l’issue de ces deux événements le centre se trouve vide d’électrons et de nouveau deux cas
se présentent, ou bien il va capturer de nouveau un électron de la bande de conduction (Figure
13-a) ou bien émettre un trou vers la bande de valence (Figure 13-d). Ce processus est
caractérisé par sa vitesse d'émission de trous e p .

Une recombinaison se produit lorsqu'on assiste à l'événement "a" suivi de "c", la génération se
produit lorsque le processus "b" est suivi de "d". Un troisième processus qui n'est ni
génération ni recombinaison, est le piégeage. Il se produit lorsque la capture "a" ou "c" est
suivie de l'émission "b" ou "d" respectivement. Dans ce cas il y a échange d’électrons entre le
centre et la bande de conduction pour les pièges à électrons et entre le centre et la bande de
valence pour les pièges à trous.

12
 Ec

cn en

Et
pt nt
cp ep

Ev

(a ) (b ) (c) (d )

Figure 13 : Processus d'émission et de capture dans un semi-conducteur

Une impureté peut se comporter comme un centre de génération-recombinaison, ou comme

un piège à porteurs. Ceci dépend de la position du niveau associé à l’impureté dans le gap, et
à ses sections efficaces de capture.
Généralement les niveaux qui se trouvent proches du milieu du gap se comportent comme des
centres de génération ou de recombinaison, ceux qui sont à proximité des extrema de bandes
agissent comme des pièges (donneurs ou accepteurs).
Un centre de génération - recombinaison, sous l'effet d'un éclairement ou d'une tension peut se
trouver ou bien occupé par des électrons et dans ce cas la densité d'états est nt ou bien occupé
par des trous et dans ce cas la densité d'états est pt . La concentration totale est celle des

pièges à trous plus celle des pièges à électrons : N t = n t + p t .

Il est supposé qu'un taux de recombinaison est proportionnel à la concentration excédentaire

en porteurs minoritaires ( n ). Dans un semi-conducteur de type P les porteurs minoritaires
sont les électrons :

n  n0 n
U 
n n

n : Concentration des électrons.

n0 : Concentration des électrons à l'équilibre.

 n : Durée de vie des porteurs minoritaires en excès.

Si on ne considère que les pièges situés à proximité du milieu de la BI, on peut déterminer le
taux de recombinaison-génération résultant, U, qui traduit la variation de la concentration des
1 pn  ni2
porteurs (électrons ou trous) par unité de temps : U  
0 p  n  2n i

Avec 0: Durée de vie de porteurs; p: concentration des trous; n: concentration des e- et ni la
concentration intrinsèque
13
VI.3.1. Sc à l’équilibre thermodynamique
A l’équilibre thermodynamique, la génération thermique est compensée par la recombinaison
et on :
U 0

VI.3.2. Sc hors d’équilibre

 cas d’excès d’électrons et de trous
Dans un semiconducteur type N et à température ambiante, on peut écrire : nN0  N D et
ni2
pN0 
ND

En supposant un excès de paires électrons-trous : n N  p N tel que N D   p N  p N 0

Alors : n N  ND et p N  p n 0  p N soit :

1 p N N D  n i2
U 
0 p N  N D  2n i

1  n2 
En tenant compte du système : on peut écrire : U   p N  i  soit :
 0  N D 

pN  pN0
U
0

La disparition des porteurs en excès est proportionnelle à l’écart des concentrations par
rapport à l’équilibre thermodynamique.
Dans cette expression le signe (+) traduit un phénomène de recombinaison
 cas d’un déficit d’électrons et de trous

ni
En supposant pour simplifier que : n  n i et p  n i on obtient : U  
2 0

Dans cette expression le signe (-) traduit le phénomène de génération de paires e—h.

14
 Chapitre II
Jonction PN
Une jonction PN est créée par la mise en contact d’une semiconducteur type P et un
semiconducteur type N. Lorsque les côtés P et N sont faites avec le même matériau
semiconducteur la jonction est dite homo-jonction. On parle d’hétérojonction, lorsque les
côtés P et N sont faits de semiconducteurs différents.
I. Jonction PN à l’équilibre
Lors de la mise en contact de deux semiconducteurs de deux dopages différents, P d’un côté
et N de l’autre du fait de la différence structurelle entre les deux faces (Niveaux de dopage et
niveaux de Fermi différents (Figure 1) l’équilibre s’établirait par échange des porteurs par
l’interface (électrons du côté N vers le côté P et vice versa pour les trous) ce qui donnera un
niveau de Fermi unique et constant (Figure 2) pour la structure.

Figure 1 : Diagramme de bandes Figure 2 : Diagramme de bandes

d’énergie d’un semiconducteur N et P d’énergie d’une jonction PN à
séparément l’équilibre
L’équilibre est établi par la succession des phénomènes suivants :
Diffusion importante des électrons du côté n vers le côté p et des trous du côté p vers le côté
n
 Recombinaison des trous, arrivés du côté n, avec les électrons libres et des électrons, arrivés
du côté p, avec les trous

15
 Figure 3 :
Aux environs de la jonction, la plupart des électrons et des trous se sont recombinés entre eux,
le cristal n’est plus électriquement neutre. Ceci a pour conséquence la création d’un champ
électrique E dû aux charges ionisées dirigé du côté n vers le côté p.
 Conduction
Les e- sont repoussés par une force électrostatique –qE
Les e- sont donc repoussés du côté n Courant de conduction
Les h sont repoussés du côté p par cette conduction
 Equilibre
L’équilibre est atteint lorsque la tendance à la diffusion est équilibrée exactement par la
tendance à la conduction
La zone centrale ou existe le champ électrique est quasi-vide de porteurs libres. C’est la zone
de déplétion ou Zone de Charges d’Espace (ZCE). Sa largeur est de l’ordre microns.

Figure 4 : Situation d’équilibre et mise en évidence d’une zone de déplétion autour de la

jonction
La jonction pn à est constituée de :
2 zones neutres. Côté p et côté n
1 zone de déplétion chargée négativement côté p et positivement côté n
I.1. Densité de charges, champ électrique et potentiel à l’équilibre

16
La jonction reste, globalement, électriquement neutre et ses dimensions doivent satisfaire la
condition :
N A x p 0  N D x n0

Avec : xp0 et xn0 les limites de la zone de charges d’espace, NA le niveau de dopage dans la
zone P et ND le niveau de dopage dans la zone N.

Figure 5 : Densité de charges dans une jonction pn abrupte

Le champ électrique E présent dans la jonction pn s’obtient par intégration de la densité de
dE  
charges selon la relation : 
dx 
et E   dx

Figure 6 : Champ électrique dans une jonction pn abrupte

qN A x p 0 qN D x n 0
A x = 0 le champ électrique est maximum et vaut : E max  
 
dV
Le potentiel électrique est obtenu par intégration du champ électrique car : E   gradV  
dx

VB0 : Hauteur de la barrière de potentiel de la jonction pn à l’équilibre

Figure 7 : Variation du potentiel électrique dans une jonction pn abrupte non polarisée

17
Selon la statistique de Maxwell- Boltzmann, et pour un semiconducteur à l’équilibre, le
V VF
UT
n 0  ni  e
potentiel V est relié à la densité des porteurs libres par : VF V
UT
p 0  ni  e

VF est le potentiel de Fermi est constant et n’est défini qu’à l’équilibre

La références des potentiels (V = 0) est choisie en x = -xp0 et en considérant que :
En x = xn0, n0 = ND et V = VB0et en x = -xp0, p0 = NA et V = 0

N 
On peut écrire : soit : V F  U T  ln  A 
 ni 

VB 0 VF VF VB 0
UT
En multipliant les expressions de NA et ND, on obtient : N A N D  ni  e  ni  e U T  ni2  e U T

De l’équation précédente on remonte aisément à l’expression de la hauteur de barrière de

potentiel :
N N 
V B 0  U T  ln A 2 D 
 n 
 i 

Par intégration du champ électrique selon l’axe des abscisses, nous pouvons déterminer la
largeur d la zone de charges d’espace :

En effet, VB 0  E max x p 0  xn 0 
2

1 2 1 1 2 1
D’autre part : xn0  VB 0 et x p 0  VB 0
ND q 1  1 NA q 1  1
N A ND N A ND

2  1 1 
On obtient ainsi la largeur de la ZCE : W0  x n0  x p 0     V B 0 .
q  NA ND 

II.2. Notion de barrière énergétique :

Etant donné la présence de la barrière de potentiel VB0, les électrons doivent dépasser une
barrière énergétique de –qVB0 pour traverser la zone de déplétion (passer de la zone n à la
zone p) de même pour les trous la barrière énergétique est de +qVB0.

18
 Figure 8 : Barrières énergétiques des électrons et des trous
II. Jonction PN polarisée
II.1. Jonction pn polarisée en direct : Application d’une tension positive
Lorsqu’on applique une différence de potentiel VDpositive sur la jonction pn polarisée, la
barrière de potentiel se trouve réduite : V B  V B0  V D (Figure 9).

Figure 9 : Variation du potentiel électrique dans une jonction pn abrupte non polarisée
et polarisée en direct
Ceci suppose bien évidemment que la baisse de potentiel via la zone de charges d’espace est
négligeable. Cette différence de potentiel aura pour conséquence de favoriser le passage des
porteurs d’un côté à l’autre et favoriser ainsi le passage du courant.

Figure 10 : Barrière énergétique des trous et des électrons dans une jonction pn
polarisée en direct
L’augmentation du potentiel VD a pour conséquence de réduire le champ électrique appliqué à
la structure ce qui diminue la composante de courant due à la conduction. Ainsi, le courant de
diffusion n’est plus compensé et on assiste à la création d’un courant dû aux électrons et aux
trous dans la jonction.La largeur de la ZCE elle se trouve réduite puisqu’elle est
proportionnelle à la hauteur de la barrière :

2  1 1 
W  xn  x p     VB
q  N A N D 

II.2. Jonction pn polarisée en inverse : Application d’une tension négative

Lorsqu’un potentiel négatif est appliqué à la jonction, la barrière de potentiel se trouve
amplifiée.

Figure 11 : Variation du potentiel électrique dans une jonction pn abrupte non polarisée
et polarisée en inverse
Avec le même raisonnement que dans le paragraphe précédent, on constate que les barrières
énergétiques se trouvent amplifiées aussi et le courant aura beaucoup de mal à circuler dans la
structure.

Figure 12 : Barrière énergétique des trous et des électrons dans une jonction pn
polarisée en inverse
III. Capacité de déplétion
III.1. Description

20
La largeur de la zone de déplétion de la jonction pn varie en fonction de la différence de
potentiel VDappliquée à la jonction. En effet, toute augmentation (VD) de VD, positive,
provoque une diminution de largeur de la ZCE. Ceci a pour conséquences l’ :
 Apport de charges positives côté p, réalisé par les trous
 Apport de charges négatives côté n, réalisé par les électrons

Figure 13 : Zone de déplétion dans une jonction pn polarisée (à gauche), b- Diminution

de la zone de déplétion due à l’accroissement positif VD (à droite)
Cette variation de charge Q due à VD met en évidence un comportement capacitif.

Figure 14 : Equivalent capacitif de la jonction pn

III.2. Modèle de la capacité de déplétion

La capacité de déplétion ou capacité de jonctionCj est définie par la relation
Q
suivante : C j 
V D

C’est une capacité non linéaire. Elle varie en fonction de la polarisation VD

Elle s’exprime aussi de la manière suivante : C j   A

W

Avec A la surface de la jonction pn et W la largeur de la zone de déplétion

La largeur de la zone de déplétion de la jonction pn varie en fonction de la différence de

2  1 1 
potentiel VD appliquée à la jonction selon la loi : W     V B 0  V D
q  NA ND 

A A
D’où : C j   soit C j 
2  1 1  2V B 0  1 1  V
   V B 0  V D    1  D
q N
 A N D  q N
 A N D  V B0

21
 A
On définit la capacité de déplétion Cj0 à polarisation nulle (VD = 0) : C j 0 
2V B 0  1 1 
  
q  NA ND 

C j0
Et par conséquent : C j 
VD
1
VB0

Figure 15 : Evolution de la capacité de la jonction pn en fonction de la polarisation

22
 Chapitre III
Diode
I. Structure de la diode
Une diode est constituée d’une jonction pn avec deux contacts métalliques. L’électrode
déposée sur le côté p est appelée Anode, tandis que l’électrode déposée sur le côté n est
appelée Cathode.
Une différence de potentiel VD positive entre l’anode et la cathode permet à la diode de se
trouver en conduction.
Symbole de la diode :

Figure 1 : Symbole de la diode

I.1. Contacts Ohmiques
Les contacts ohmiques utilisés sont généralement en aluminium, et ils sont dits ohmiques
quand leur rôle est d’imposer au semiconducteur un potentiel électrique. Leur résistance est
de faible valeur et est appeléerésistance de contact.
II. Modèle physique de la diode à jonction
II.1. Jonction pn polarisée en direct
Comme il a été étudié dans le chapitre précédent, la polarisation directe de la diode provoque
une diminution de la barrière de potentiel de la jonction ce qui engendre la création d’un
courant d’électrons et de trous. La diode est donc dite un dispositif bipolaire.
II.2. Courant d’électrons et de trous
Etant donné la bipolarité de la diode, Chaque type de courant aura deux composantes
correspondant aux deux types de porteurs.
II.2.1. Courants de diffusion Inet Ipdes électrons et des trous
 VD 
ni2 1  UT 
On montre que le courant de diffusion des électrons vaut : I n  Aq nU T e  1  .
N A Ln 
 

 VD 
ni2 1  UT 
De manière analogue que le courant des trous s’écrit : I p  Aq pU T  e  1
ND Lp  
 

Avec A la surface de la jonction, Ln(respectivement Lp) la longueur de diffusion des électrons

(respectivement des trous) dans la région neutre p et µn(respectivement µp) et la mobilité des
électrons (respectivement des trous).

23
A partir des équations ci-dessus on constate que :
 Le courant d’électrons est d’autant plus important que le dopage NA de la région p est faible
Le courant d’électrons.
 Le courant d’électrons est indépendant du dopage ND de la région n.
 Le courant de trous est d’autant plus important que le dopage ND de la région n est faible.
 Le courant de trous est indépendant du dopage NA de la région p.
Le courant total dû la diffusion est la somme des deux composantes In et Ip et s’écrit donc :
  VD 
n2 1 n 2 1  UT 
I  AqU T   p i  n i  e  1
 N L N L 
A n  
 D p
 

 VD 
Soit : I  I s  e UT  1 Avec Is , le courant inverse de saturation.
 
 

Théoriquement Isc’est le courant qui circule dans la diode lorsqu’elle est polarisée en inverse.
Il est de l’ordre du nA voire du fA.
Is dépend du matériau utilisé pour la diode (ni), des dopages, de la surface de la diode et des
longueurs de diffusion.
Si la tension VD dépasse quelques kT (5kT environ), le courant I peut être approximé par :
VD
UT
I  I se

La caractéristique courant tension de la diode est donc est représenté sur la figure 2.

Figure 2 : Caractéristique électrique de la diode à jonction en échelles lin-lin et lin-log

La tension de seuil est obtenue par interpolation linéaire de la caractéristique. Elle représente
le seuil à partir duquel on commence à avoir un courant, non négligeable, dans la diode.
Le courant inverse de saturation lui, peut être obtenu par prolongement de l’interpolation
linéaire de la caractéristique I-V tracée en échelle logarithmique.
III. Comportement en température
Les dispositifs à semiconducteurs sont très sensibles aux variations en température. Ses
variations sont les sont dues en partie à :

24
  La très forte variation en T de la concentration intrinsèque ni

 La tension thermodynamique UT

 Les variations des mobilités des électrons et des trous en fonction de T

Tous ces phénomènes ont pour origine l’agitation thermique des électrons et des trous sous
l’effet de la température.
Pour une diode polarisée en direct le courant inverse de saturation IS a une contribution
 ni2 T  1 n 2 T  1 
importante. On rappelle que I s  AqU T T   p T    n T  i .

 N D Lp N A Ln 

Ainsi, à VD fixe, toute augmentation de température provoque une augmentation de courant et

la variation relative de courant due à une variation de température est de 8% par degré
 I 
 
Celsius.  I   8% .
T C

D’un autre côté, à une même valeur de courant correspondent des valeurs de tensions
inférieures lorsque la température augmente et la variation relative due à ΔVD est de 2mV C .

V D .
 2 mV / C
T

Figure 3 : Variation en fonction de T de la caractéristique de la diode

IV. Effets du second ordre
La caractéristique de courant telle qu’elle a été présentée précédemment, a été obtenue en
considérant que les courants de chaque type de porteurs ne varient pas dans la zone decharge
d'espace. Cette hypothèse est simplificatrice et ne décrit la caractéristique que dans un
intervalle de courant restreint. D’autres mécanismes se manifestent dans la diode et doivent
être pris en compte pour une meilleure description de la courbe I-V.
 Courant de génération et/ ou de recombinaison dans la charge d'espace.
 Résistance série
IV.1. Coefficient d’émission n

25
Le comportement réel d’une diode au silicium polarisée en directe fait apparaître un
VD
nU T
paramètre n appelé coefficient d’idéalité : I  I s e
Le coefficient d’idéalité n traduit le fait qu’il y a une chute de tension VD dans la zone de
déplétion lorsqu’elle est traversée par un courant. Il varie entre 1 et 2. La valeur idéale est 1.
IV.2. Faibles courant dans une diode
VD

Le courant se décrit par : I  I sx e 2U T

C’est un courant créé pour compenser la recombinaison des électrons et des trous dans la zone
de déplétion et il est is en évidence pour les faibles polarisations directes. Ce courant est à
l’origine de la chute du gain  d’un bipolaire fonctionnant à très faibles courants
IV.3. Forts courant dans une diode
Les régions neutres et les contacts métalliques forment une résistance série R dont l’effet
V D  RI
nU T
devient non négligeable à forts courants : I  I s e
Plus les courants sont forts plus le comportement de la diode s’approche de celui de R
IV.4. Courants dans la diode polarisée en inverse
Le courant dans une diode polarisée en inverse est en réalité supérieur à Is (valeur théorique)
ceci est dû à la génération de paires électron - trou dans la zone de déplétion.

Figure 4 :Caractéristique réelle d’une diode à jonction

IV.5. Rupture de la jonction pn
Lorsque la tension inverse augmente en amplitude au-delà d’une certaine valeur limiteVz
appelée tension de claquage, il y a rupture de la jonction pn. Cette rupture peut être due à
deux phénomènes différents :
 Effet Zener
Le champ électrique de la zone de déplétion augmente tellement qu’il brise des liaisons de
valence pour créer des paires électrons – trous.
L’effet Zener se manifeste lorsque les deux côtés de la jonction sont fortement dopés.

26
  Effet d’avalanche
Les porteurs libres acquièrent une grande vitesse en traversant la ZCE ou règne un E fort.
Leur énergie est tellement élevée qu’elle crée des paires électrons - trous par collision, qui à
leur tour créent des paires électrons - trous etc. L’effet est cumulatif.

Figure 5 :Mise en évidence des effets Zener et avalanche dans la caractéristique d’une
diode à jonction
Remarque :
La tension critique pour l’effet Zener diminue avec l’augmentation de la température
contrairement à celle de l’effet d’avalanche.
V. Diode Tunnel
Une diode Tunnel est réalisée avec des semiconducteurs p et n très fortement dopés de
manière à ce que les niveaux de Fermi se retrouvent dans les bandes (semiconducteurs
dégénérés).
La zone de charge d’espace obtenue est très faible (de l’ordre du nm) du fait que les dopages
sont élevés (Figure 6-a).

Figure 6 : Schéma de bandes d’une diode Tunnel pour V=0 (a), V négative (b) et V
positive (c)
Pour les tensions négatives les états occupés dans la bande de valence ont le même niveau
d’énergie que les états vides dans la bande de conduction. Le passage des porteurs se fait
aisément de la BV à la BC (Effet Tunnel de BV vers BC).

27
Pour les tensions positives les états occupés dans la bande de conduction ont le même niveau
d’énergie que les états vides dans la bande devalence. Le passage des porteurs se fait aisément
de la BC à la BV (Effet Tunnel de BC vers BV).
En augmentant la polarisation en direct, on peut arriver à la situation ou le niveau de Fermi de
la zone dopé n est supérieur au sommet de la BV, on assiste alors à une diminution de courant
(Figure 6-a).
Pour des tensions plus élevées en polarisation directe, le courant augmente de nouveau par
injection thermique des porteurs (Figure 6-b).

Figure 6 : Schémas de bande en polarisation positive et caractéristique I-V de la diode

Tunnel
Le symbole de la diode Tunnel est le suivant :

V. Diode de Commutation :
Leur temps de recouvrement est très faible, il est de l’ordre de la ns.
Le temps de recouvrement est la somme due temps de déstockage (temps nécessaire aux
porteurs pour passer d’un côté à l’autre de la jonction)et du temps de transition (temps
nécessaire aux porteurs minoritaires pour commencer à diffuser à travers la jonction).
VI. Diode Schottky
La diode Schottky est un contact métal – semiconducteur (peu dopé N). Le courant dans cette
jonction est unipolaire (principalement dû aux porteurs majoritaires) et sa tension de seuil est
plus faible que celle de la diode normale. Elle est utilisée pour la commutation rapide et sa
capacité est inférieure aux diodes normales et ont un temps de recouvrement quasi nul.

28
 Figure 7 : Diagramme de bandes d’un
contact M-Sc avec couche interfaciale
: Travail de sortie du métal
: Hauteur de barrière du contact M‐Sc
: Valeur asymptotique de à champ
électrique nul
: Niveau d’énergie en surface
: Abaissement de la barrière
: Potentiel à travers la couche interfaciale
: Affinité électronique du semiconducteur
: Potentiel
: Permittivité du semiconducteur
: Permittivité de l’isolant
: Epaisseur de la couche interfaciale
: Densité de charges dans le
semiconducteur
: Densité d’états d’interface dans le
semiconducteur
: Densité de charges dans le métal

Le symbole de la Schottky est le suivant :

VII. Diode Varicap :

Utilise la zone de charges d’espace d’une jonction en polarisation inverse comme diélectrique
d’un condensateur. La valeur de cette capacité varie alors avec la tension. Les varicaps sont
utilisées pour agir sur la fréquence de résonnance d’un circuit oscillant par la tension.
Le symbole de la varicap est le suivant :
VIII. Diode électroluminescente : LED ou DEL
Ce sont des diodes qui émettent de la lumière lors de la recombinaison des paires électrons‐trous, en
polarisation directe. Dans les autres diodes cette énergie est dissipée en chaleur. Selon les éléments
de dopage utilisés (Ga, As, Ph ou B,…), les diodes émettent du rouge, du vert, du jaune, de l'orange,
du bleu ou de l'infrarouge (invisible).
L’allure de la caractéristique est similaire à celle d’une diode normale maissa tension de claquage est
généralement plus faible qu’une diode normale. Quand à la tension de seuil de la LED dépend de la
couleur.
Le symbole de la LED est le suivant :
IX. Photodiode
C’est une diode qui reçoit de la lumière, généralement de l’infra rouge, et délivre du courant
proportionnel à l’énergie lumineuse reçue.
Son symbole est le suivant :

29
X. DidoeZener :
Diode conçue pour fonctionner dans la zone, inverse, de claquage caractérisée par la tension
de seuil VZ dite tension Zener. Elle nécessite un courant Imin pour fonctionner et est limitée
par un courant Imax qui fixe la puissance qui peut y être dissipée.
Son symbole est le suivant :

30
 Chapitre IV
Transistor Bipolaire

I. Introduction
Le terme transistor est une contraction de :« transferresistor ».C’est un composant
actifcapable de modifier un signal par l’application d’un second. Deux grandes catégories,
basiques, de transistors se distinguent. Le bipolaire (TB) et celui à effet de champ(FET).
D’un point de vue physique, le transistor bipolaire (TB) est constitué par la juxtaposition de 2
jonctions PN. Son fonctionnement par contre est bien différent. Il est dit bipolaire parce que
son fonctionnement est lié aux 2 typesde porteurs libres.
II. Constitution et propriétés

Figure 1 : Structure de base d’un TB

La structure du TB est asymétrique3 et est composée de 3 couches à dopages alternés.
L’'émetteur est fortement dopé, il détermine le gain en courant du transistor.
La base est une région extrêmement mince, pour conserver les propriétés du transistor.
Le collecteur est faiblement dopé, ilpermet au transistor de supporter des tensions élevées. O
L’efficacité de cette combinaison est meilleure lorsque le collecteur entoure la base qui
entoure l’émetteur.
III. Comportement Physique
Selon les polarisations appliquées aux deux jonctions constituant le TB on se trouve dans un
mode de fonctionnement donné. Dans ce qui va suivre nous allons discuter chacun de ces
modes séparément.
III.1. Mode blocage
Dans ce mode les deux jonctions base-émetteur (BE) et base-collecteur (BC) sont polarisées
en inverse de manière à ce qu’aucun courant ne circule dans le transistor. Le collecteur se
trouve ainsi isolé de l’émetteur et le transistor est équivalent à un circuit ouvert.

31
III.2. Mode de fonctionnement normal
Dans ce mode la jonction BE est polarisée en direct tandis que la jonction BC est polarisée en
inverse. Les électrons de l’émetteur se trouvent injectés dans la base, très mince, ou ils
transitent rapidement pour passer vers le collecteur avec une efficacité maximale. Ce
mouvement de porteurs donne lieu à un courant
III.2.1. Courants dans le bipolaire
Le courant d’émetteur a 2 composantes :
Une due à l’injection d’électrons depuis l’émetteur vers la B qui est contrôlée, comme
pour une diode, par la différence de potentiel VBE positive aux bornes de la jonction de
commande (Composante A sur la figure 2).
La deuxième est due à l’injection de trous depuis la base vers l’émetteur (en bien
moins grande quantité), également contrôlée par VBE (Composante B sur la figure 2).
Le courant de base a lui aussi 2 composantes :
Une due aux à la recombinaison des électrons en transit par la base avec les trous de
celle-ci (Composante C sur la figure 2).
Une autre due à l’injection de trous depuis la base vers l’émetteur (Composante B sur
la figure 2).
Le courant de collecteur lui est dû à :
La grande majorité des électrons qui sont passés par la base sans se recombiner
(Composante D sur la figure 2).

Figure 2 : Courants dans le transistor bipolaire en fonctionnement normal

III.2.2. Barrières énergétiques en fonctionnement normal
Du fait de la polarisation en inverse de la jonction BC, le niveau d’énergie du collecteur se
trouve inférieur à la base ce qui empêche les électrons du collecteur d’y être injectés (Figure
3-a).

32
Les trous de la base eux se trouvent injectés vers l’émetteur puisque la jonction BE est
polarisée en direct (Figure 3-b).

Figure 3-a : Barrière énergétique des e- en Figure 3-b : Barrière énergétique des h en

fonctionnement normal fonctionnement normal

III.2.3. Modèle
Le courant de collecteur ne dépend que de la différence de potentiel VBE appliquée à la
jonction de commande, il s’écrit donc :
 V  
I C  I S exp BE   1
  U T  

ni2 1
ISétant le courant inverse de saturation (ordre de grandeur : du fA au nA) : I S  AqUT  n
N B WB

WB Largeur de la base, NB dopage de la base, A surface d’injection de l’émetteur

IC
Le courant de base vaut : I B 


β est le gain en courant du transistor (ordre de grandeur: 50-500)

Le courant de l’émetteur est la somme des courants de base et de collecteur : I E  I C  I B
III.3. Mode de saturation
Dans ce mode les deux jonctions du transistor sont polarisées en direct et dans ce cas :
Le mouvement des électrons ayant traversé la jonction base-collecteur s’additionne au
mouvement des électrons ayant traversé la jonction base-émetteur, et il en résulte un
accroissement du courant de recombinaison dans la base du fait de la présence d’une quantité
d’électrons plus importante transitant par la base.
Il apparait aussi une iinjection supplémentaire de trous depuis la base vers le collecteur
puisque la jonction base-collecteur est en direct.

33
 Figure 4 : Fonctionnement en saturation d’un transistor NPN
Ainsi, lorsque le transistor bipolaire passe du régime de fonctionnement normal au régime
saturé, le courant de collecteur diminue contrairement au courant de base qui augmente.
IC I CSat
Par conséquent l’égalité I B  ne reste plus valable et on a : I BSat 
 

Puisque les deux jonctions du transistor bipolaire sont polarisées en direct, leurs tensions
respectives deviennent fixe et on a : VBE  VBC  U j . La tension collecteur-émetteur devient par

conséquent quasi nulle VCESat  VBE  VBC  0 .

En pratique, VBE est légèrement supérieur à VBC.
IV. Quelques limitations physiques observées dans le transistor bipolaire
IV.1. Effet Early
L’hypothèse avancée dans le paragraphe III.2.3, selon laquelle le courant de collecteur ne
dépend que de VBE mais pas de VCE n’est pas exacte. En effet, plus VCE augmente plus la
jonction collecteur-base se trouve polarisée en inverse et donc la ZCE entre collecteur et base
augmente. Ainsi, la largeur effective de la base diminue ce qui conduit à une augmentation du
courant de collecteur.

Figure 5 : Variation de la ZCE observée lors de la variation de VCE

IV.2. Claquage de la jonction collecteur-base

34
A VBE donné, si la tension VCE continue d’augmenter la jonction collecteur-base se trouve
fortement polarisée on assiste à une ionisation par impact qui se trouve amplifiée par effet
d’avalanche ce qui amène à la rupture de la jonction (cf. paragraphe IV.5.du chapitre III).
IV.3. Limitation en puissance
La puissance dissipée au niveau du collecteur ne doit pas dépasser une certaine limite pour
éviter l’échauffement de celui-ci ce qui conduirait à la destruction du transistor par
emballement thermique
IV.4. Forte Injection (FI)
On parle de forte injection lorsque la concentration des porteurs minoritaires injectés
dans une zone donnée atteint le niveau de dopage de cette zone.
Dans une jonction, le phénomène se manifeste dans la zone la moins dopée (base pour une
jonction collecteur-base).
Une fois la FI établie, la concentration des porteurs majoritaires n’est plus considérée
constante et égale au dopage. Cette concentration des porteurs majoritaires va augmenter
simultanément, ce qui va augmenter l’injection de la base vers l’émetteur sans augmenter
l’injection de l’émetteur vers la base avec la même proportion. En conséquence le gain du
transistor chute.

35
 Chapitre V
Transistor MOSFET

I. Introduction
En 1930, L. Lilienfeld de l'Université de Leipzig dépose un brevet qui décrit un élément qui
ressemble au transistor MOS (Métal Oxyde Semiconducteur), mais ce n’est qu’en 1958 que
les structures MOS ont pu être réalisées par Schokley.
Aujourd'hui le transistor MOS constitue l'élément fondamental des circuits intégrés
numériques à large échelle VLSI (Very Large ScaleIntegration).
On définit l’effet de champ comme l variation de la conductance d’un canal, dans un
semiconducteur,par l’application d’un champ électrique.
L’essor connu par le MOSFET est dû à ses propriétés très intéressantes dont on cite :
Très grande impédance d’entrée comparée aux TB
Meilleure stabilité thermique à fort courants ce qui réduit l’emballement thermique
Grande vitesse de switch
Avant d’étudier le transistor MOSFET il est impératif d’étudier la structure de la capacité
M(O)S élément clé de ce transistor.

II. La capacité MOS

II. 1. Notions de travail de sortie et d’affinité électronique

Le travail de sortie m d'un électron dans un métal est l'énergie qui est nécessaire à l’électron

pour s’extraire de ce métal. On le représente par la différence entre le niveau de Fermi du

métal et le niveau d'énergie du vide.

Figure 1 : Travail de sortie du métal

De manière analogue, un semiconducteur est caractérisé par son affinité électronique  qui
représente l'énergie qu'il faut fournir à un électron de la bande de conduction pour l'extraire du

36
semiconducteur et son travail de sortie s, représente la différence entre le niveau de Fermi et
le niveau du vide

Figure 2 :Travail de sortie et affinité électronique dans le semiconducteur

Une structure MOS est constituée d’une couche d’oxyde isolant (SiO2) d’épaisseur d incluse
entre une métallisation et un substrat silicium.
Actuellement et du fait de la miniaturisation le SiO2 n’est plus utilisé comme isolant pour les
transistors nanométriques mais c’est plutôt les isolant à haute permittivité qui sont utilisés.

II.2. Propriétés de la structure MOS idéale

Figure 3 : Structure d’une capacité M(O)S

Idéalement une structure MOS ou MIS devrait présenter les propriétés suivantes :
Les travaux de sortie du métal et du semiconducteur sont identiques :  ms   m   s  0
Absence d’états d’interface. On appelle états d’interface les défauts qui peuvent exister
à l’interface isolant –semiconducteur.
Les seules charges qui existent dans la capacité sont celles induites par l’application de
la polarisation V sur la grille en métal. Elles sont égales et opposées sur le métal et dans le
semiconducteur.
L’isolant est parfait : Il n’y a pas de transfert de charges à travers l’oxyde.
II.3. Régimes de fonctionnement
Dans ce qui va suivre, nous allons présenter la structure MOS avec un substrat type P. Toutes
les notations seront inversées dans le cas où le substrat est de type N et les électrons seront
remplacés par les trous.

37
II.3.1. Régimes de bandes plates VG = 0
Comme ms = 0, les niveaux de Fermi du métal et du semiconducteur sont naturellement
alignés, et donc aucun transfert d’électrons- n’est nécessaire au moment de la mise en contact
électrique et aucune courbure de bande ne sera induite.

Figure 4 : Alignement du niveau de Fermi en régime de bandes plates

II.3.2. Régime d’accumulation VG<0:

L’application d’un potentiel négatif à la grille (VG< 0) se trouve compensée par l’apparition
de charges négatives du côté du métal et des charges positives qui représentent les porteurs
majoritaires sont du côté du semiconducteur à l’interface avec l’isolant. On parle ainsi
d’accumulation de trous à l’interface semiconducteur-isolant.

(x)
+q.p

Ec

qVG EFi
EFs
Ev -
-q.n

Figure 5 : Schéma de bandes et distribution de charges dans la capacité en régime

d’accumulation

II.3.3.Régime de déplétion :

L’application d’un potentiel positif à la grille (VG 0) se trouve compensée, dans ce cas, par
des charges positives du côté du métal ce qui se traduit par un déficit d’électrons. Du côté
semiconducteur, des charges négatives sont nécessaires mais du fait que le substrat est de type
P il n’y a pas d’électronslibres disponibles ceci se compense par une déplétion de trous

38
(accepteurs ionisés non compensés) vers le volume du substrat. Il se crée ainsi une zone de
charges d’espace analogue à la jonction PN. On a ainsi une courbure de bandes vers le bas.

-q.n (x)
Ec
EFi
-
EFs
qVG - Ev
-q.Na

Figure 6 : Schéma de bandes et distribution de charges dans la capacité en régime de

déplétion

II.3.3.Régime d’inversion :

Pour des tensions de grille fortement négatives, la zone de déplétion atteint son maximum et
ne peut s’élargir. Les porteurs minoritaires (les électrons pour un substrat type P)forment une
fine couche au niveau de l’interface de l’oxyde du côté semiconducteur. C’est le régime
d’inversion. Il est appelé ainsi puisque le type de charges est inversé au niveau de la surface
(charges négatives au lieu de positives pour un substrat type P).

-q.n (x)
Ec

EFi
EFs
-
qVG - - Ev

-q.Na

-q.n

Figure 6 : Schéma de bandes et distribution de charges dans la capacité en régime

d’inversion

39
La courbure de bandes en régime d’inversion devient très prononcée et, en surface, le niveau
de Fermi intrinsèque devient inférieur au niveau de Fermi du semiconducteur d’où le terme
d’inversion.

II.3.3.Condition de l’inversion et tension de seuil

Figure7 : Schéma de bandes et potentiel de surface dans un semiconducteur type P

On définit la concentration des porteurs au niveau de la surface en fonction du potentiel de

surface par les équations suivantes :

q ( s  Fi ) ( E FS  Ei )
n surf  ni .e kT  ni .e kT

 q ( s  Fi ) ( Ei  E FS )
p surf  ni .e kT  ni .e kT

Dans la région neutre du semiconducteur type P, la concentration des trous est égale à la
q Fi 
concentration des atomes dopants : p 0  N A  ni exp 
 kT 

kT  N A 
On en tire :  FI  ln 
q  ni 

On se retrouve en régime d’inversion lorsque la concentration des électrons devient

supérieure à celle des trous en surface : nsurf  p surf soit d’après les équations ci-dessus :
s   Fi

40
 kT  N A 
Le régime de forte inversion est obtenu lorsque : nsurf  N A , soit : s  2 Fi  2 ln 
q  ni 

Rappelons que le potentiel est considéré nul en volume du semiconducteur.

En réalité, la charge présente au niveau de la surface joue le rôle d’un écran pour le volume du
semiconducteur et le potentiel de surface reste constant et égal à 2 Fi .

2 s
Dans ce cas la largeur de la ZCE maximum est donnée par : Wdép  Wmax  2 Fi .
qN A

II.3.4.Tension de seuil et caractéristique C-V) de la capacité M(O)S

La tension de seuil appliquée au niveau de la grille, qui permet d’atteindre le régime

d’inversion, est égale à 2 Fi .additionné à la chute de tension Vi à travers l’isolant :
Vth  2 Fi  Vi

Qsc
Vi est donné par : Vi 
Ci

Avec : Qsc la charge dans le semiconducteur : Q sc  qAN AW  A 4 sc qN A  Fi

A
Ci la capacité de l’isolant : Ci  et di son épaisseur.
di

A
On obtient ainsi : Vth  2 Fi  4 sc qN A  Fi
C ox

Selon la polarisation appliquée à la structure M(O)S le régime dont lequel se trouve change et
la valeur de la capacité change. On représente ainsi la capacité M(O)S par le schéma
équivalent suivant :

41
 Figure 8 : Schéma équivalent de la Figure 9 : Caractéristique C-V en en HF
capacité MIS et BF

La courbe C-V obtenu en balayant la tension du régime d’accumulation au régime d’inversion

est représentée sur la figure 9.

L’allure de la courbe, en régime d’inversion, change selon la fréquence utilisée. En effet, en

HF le temps n’est pas suffisant aux porteurs minoritaires pour être générés. Il en résulte une
compensation dela tension appliquée par l’élargissement maximum de la ZCE et la création
d’une fine couche de minoritaires en surface.

En basses fréquences, au contraire, le temps est largement suffisant aux porteurs minoritaires
pour être créés et la couche d’inversion est importante au point que la capacité équivalente à
la structure M(O)S est celle de l’oxyde (Cox) en série avec la capacité d’inversion (Cinv)
( ). La valeur de la capacité est donc équivalente à celle de l’oxyde comme en
régime d’accumulation.

II.4. Structure MOS réelle

A la différence de la structure MOS idéale, la structure réelle présente plusieurs imperfections

et présente les propriétés suivantes :

42
1-La différence des travaux de sortie du métal est non nulle  ms   m   s  0 et il faudra
appliquer une tension VFB1   ms .pour se mettre en bandes plates.

2- Présence de charges dans l’oxyde et leur charge est équivalente à une charge Qox à
Qox
l’interface Oxyde-Métal qui participe elle aussi à la tension de bande plates : V FB 2  
C ox

3- Présence d’états d’interface au niveau de l’interface isolant – semiconducteur et on a ainsi

Qss
une troisième composante de la tension de de bandes plates : V FB3   .
C ox

Les deux premières imperfections ont pour effet une translation de la caractéristique C-V par
rapport à celle idéale. La troisième par contre a pour effet une déformation de l’allure de la
courbe au niveau du régime de déplétion (figure 10).

Figure 10 : Allure de la courbe C-V HF idéale, en absence (1) et en présence des états
d’interface (2)

L’expression de la tension de seuil dans le cas d’une capacité M(O)S réelle s’écrit alors :

Qss Qox
Vth  Vth*  V FB  Vth*   ms  
C ox C ox

III. Le transistor MOSFET

La structure de base d’un transistor est représentée sur la figure 11.

43
 Figure 11 : Structure d’un transistor MOSFET

Différentes variantes du MOS existent les plus courantes sont représentées sur la figure 12 :

Figure 12 : Variantes courantes du transistor MOS

Ainsi, que ce soit pour un NMOSFET ou un PMOSFET on distingue :

44
Le transistor à enrichissement : le canal est normalement vide de porteurs à VGS = 0, et ce
n’est qu’en appliquant une différence de potentiel positive pour un NMOSFET et négative
pour un PMOSFET qu’on crée le canal

Le transistor à appauvrissement (à déplétion) : le canal est normalement créé à VGS = 0

Dans ce qui va suivre on s’intéressera au NMOSFET à enrichissement.

III.1. Courants dans un MOSFET

Le transistor MOSFET est unipolaire et Le courant de grille est idéalement nul puisque la
grille est isolée du semiconducteur par un isolant.
Le MOSFET est un composant symétrique et le courant de drain est identique à celui de la
source et donc seul le courant de drain est déterminé.
Le MOSFET étant un dispositif unipolaire, le courant ID d’un MOSFET à canal n est un
courant d’électrons. Et celui d’un canal p est un courant de trous.
Tels qu’ils sont définis, les potentiels de source et de drain doivent être positifs ou nuls pour
bloquer les jonctions source – substrat et drain – substrat et pour distinguer la source du drain
on utilise la convention suivante :VDS> 0 pour un NMOSFET et VDS< 0 pour un PMOSFET
III.2. Régimes de fonctionnement du MOSFET
Tous les potentiels sont référés à celui de l'électrode du substrat (B:Bulk).
III.2.1. Equilibre
Pour des potentiels nuls sur les 4 électrodes (G, D, S et B), les deux jonctions source-substrat
et drain-substrat sont entièrement bloquées. Ainsi, les zones de déplétions sont quasi-
inexistantes côté source et drain à cause du fort dopage de ces régions mais s’étendent côté
substrat. Il en résulte que les électrons restent confinés dans la source et le drain et ne peuvent
passer vers le substrat.
III.2.2. Faible inversion
Si l'on augmente le potentiel de grille en maintenant les potentiels de source et drain nuls et
pour des tensions de grille inférieure à une tension VTh appelée tension de seuil. Le régime de
faible inversion est établi. Dans ce régime, une très faible densité d’électrons traverse les
jonctions source-substrat et drain-substrat et donne naissance à un courant extrêmement faible
quand le potentiel de drain est supérieur à celui de la source. C’est le courant de sous seuil.
III.2.3. Forte inversion

45
Toujours pour des potentiels de drain et de source nuls, si on augmente la tension de grille au-
delà de VTh, les électrons traversent la source et le drain et arrivent à se répandre sur le canal
et le drain et la source se trouvent reliés par ce canal d’électrons.
III.2.4. Conduction
En ce régime, les deux jonctions conduisent toutes les deux, cependant on augmente le
potentiel d’une des deux électrodes (souvent le drain).Sous l’effet de ce potentiel les électrons
se trouvent attirés vers l’électrode à laquelle est appliquée la différence de potentiel V.
III.2.5. Saturation
Le transistor MOS atteint la saturation lorsqu'on augmente suffisamment le potentiel de l'une
des électrodes, pour que la jonction substrat-électrode (souvent substrat-drain) correspondante
se bloque. Dans ce cas le flux d'électrons, et par conséquent le courant correspondant, n'est
plus tributaire que du potentiel de l'électrode qui injecte et du potentiel de grille.
Vu de l'électrode dont la jonction est bloquée, le transistor MOS se comporte alors comme
une source de courant
III.3. Charges du canal
La structure MOS fonctionne comme un condensateur dont l’électrode inférieure est un
semiconducteur et non un métal. Une différence de potentiel VG positive entre grille et
substrat crée alors une charge positive QG sur la grille : QG  C oxVG .Il se crée alors, la même
charge mais négative dans le substrat. L’expression de cette charge varie selon le régime
d’inversion créé et on distingue :
En faible inversion : QG  QD  C oxVG  C ox Vth  nV 
En forte inversion : QG  QD  QI
Il est intéressant de noter que pour un TMOS en forte inversion :
La charge QD ne varie plus en fonction de VG car le potentiel de surface reste fixe
(Uj+V)
La charge de déplétion est égale à celle calculée pour la condition VG = Vth+nV
Quand VG augmente, seule la charge induite du canal (QI) augmente en amplitude
La charge induite du canal en forte inversion s’écrit : QI  Ci VG  Vth  nV 
II.4. Courant de drain
Pour faire circuler le courant dans le canal formé, il faut appliquer un potentiel de drain
supérieur à celui de la source, ce qui crée un champ électrique horizontal qui tend à déplacer
les électrons du canal depuis la source vers le drain.

46
Le potentiel V du canal varie le long de l’interface Si -SiO2de VS à VD et en prenant l’origine
de l’axe des abscisses au niveau de la source, on peut écrire :
VS  V  V D & 0  x  L

A l’abscisse x, la charge par unité de longueur du canal Q’IW se déplace à la vitesse v et

donne naissance au courant ID, on peut l’écrire donc comme suit : I D  QI' Wv  QI' W    n
dV 

dx 

vitesse

Où μ est la mobilité.
D’un autre côté : QI  QI' A  QI' WL .On peut alors écrire : I D dx   nWQI' dV Soit :
VD


I D L    nW Q I' dV
VS
.

VD VD
W  Q I'  Q I'
I D   n C ox
L 
VS
C ox
dV   
VS
C ox
dV

C ox W
Avec    n Paramètre de la transconductance (µA/V2)
A L

En remplaçant la charge d’inversion par son expression on peut exprimer ID par :

VD
ID    V
VS
GS  Vth  nV dV

Le calcul de cette intégrale donne l’expression finale du courant ID pour VS = 0 et n = 1 :

 V2 
I D   VGS  Vth V DS  DS 
 2 

La valeur VD = VDSsat correspond au maximum du courant soit : V DSsat  VGS  Vth

 n C oxW
I Dsat  VGS  Vth 2
2 AL

47
 Figure 13 :
II.5. Courant sous seuil
Lorsque la tension de grille est inférieure à la tension de seuil, et la surface du semiconducteur
se trouve en faible inversion, le courant de drain qui lui est correspondant est appelé courant
de sous seuil «subthreshold current» ou «Swing».
Ce courant de sous seuil est très important dans la caractérisation des transistors MOS,
particulièrement ceux prévus pour les applications de faible puissance et de faible tension
d’alimentation (ex: Mémoires, logique etc). En effet, c’est ce paramètre qui décrit comment
l’interrupteur bascule entre l’état on et l’état off.
Le courant sous seuil peut être déterminé directement à partir de la caractéristique courant-
 dV 
tension du transistor : S  ln 10  ln G 
 dI D 

En pratique, S est obtenu à partir de la pente du tronçon sous le seuil de la caractéristique ID-
VG tracée en échelle logarithmique.
kT  C 
S peut aussi être exprimé en fonction des éléments capacitifs : S  ln 10  1  D 
q  Ci 

Avec, CD la capacité de déplétion et Ci la capacité de l’isolant.

II.6.Effets de canal court
Lorsque la longueur du canal diminue, les ZCE de la source et du drain deviennent
comparables à la longueur du canal. Dans ce cas, on parle de transistor à canal court.

48
Dans ce cas, la distribution du potentiel dans le canal devient dépendante du champ électrique
transversal régi par la tension de grille et du champ électrique longitudinal régi par la tension
de drain. Le potentiel électrique devient alors bidimensionnel.
Cette bidimensionnalité a pour conséquence :
la dégradation du swing (S augmente)
la tension de seuil devient dépendante de la longueur du canal et des potentiels
appliqués
la réduction du courant de saturation sous l’effet de «punchthrough»
Si le champ électrique devient plus fort :
la mobilité des porteurs devient dépendante du champ électrique
la multiplication des porteurs du côté drain augmente ce qui conduit à un courant de
substrat et aussi au déclenchement d’un transistor bipolaire parasite!!!!
On pourrait avoir une forte injection des porteurs dans l’oxyde ce qui conduit à un
décalage dans la tension de seuil et à une réduction de la transconductance

49
 Chapitre VI
Transistor JFET
I. Introduction
Le transistor FET à jonction JFET est une variante des transistors à effet de champ. Le
principe de fonctionnement du JFET ressemble à celui du MOSFET. Dans le JFET la grille
forme une jonction avec le canal drain – source mais elle est isolée dans le cas du MOSFET
par une couche d’oxyde.
Le JFET est un composant unipolaire de structure plane et à 3 électrodes (grille, drain et
source). Il possède deux accès aux extrémités qui constituent la source et le drain. La couche
P constituant la grille dans un JFET à canal N, est polarisée négativement par rapport à la
source de façon que la jonction soit bloquée. Le rôle de la grille est ainsi de contrôler la
largeur du canal. La figure 1 représente une coupe schématique du JFET.

Figure 1 : Coupe Schématique du JFET

Avec : 2a la largeur maximale du canal, W la profondeur, h la hauteur de la ZCE, b la largeur

effective du canal et L la longueur de la grille.
II. Caractéristiques du JFET
Le transistor JFET présente des propriétés importantes, en l’occurrence :
Une grande impédance d'entrée (106 à 1015) :ce qui permet de l’utiliser comme étage
d'entrée d'un amplificateur

50
 Un courant d'entrée très faible et souvent négligé
Une dérive en température inverse de celle des transistors bipolaires permettant
d'envisager une compensation des dérives
Etre employé comme transducteur car ils sont sensibles à la lumière, aux contraintes
mécaniques ainsi qu'aux champs magnétiques
III. Fonctionnement
On relie la grille à la masse (comme la source) et on applique sur le drain une tension positive
variable.
III.1. Régime linéaire
Pour les faibles valeurs de VDS, le courant ID est faible. Le potentiel dans le canal est
pratiquement le même de la source au drain
Dans ces conditions (faible tension VDS ), le courant drain ID varie linéairement en fonction de
la tension VDS.On parle alors de régime Ohmique.

Figure 2 : Comportement du JFET à faible VDS et VGS = 0

III.2. Régime de saturation
Pour les tensions VDS plus importantes, le potentiel dans le canal est de plus en plus positif
quand on se rapproche du drain.
Lorsque la tension VDS atteint une valeur particulière VP (tension de pincement) : les deux
ZCE (celles des jonctions grille-canal supérieure et inférieure) se rejoignent du côté du drain.
Il y a pincement du canal
Dans ces conditions, le courant drain ID ne peut plus augmenter et atteint une valeur
caractéristique (le courant de saturation IDSat)

51
 Figure 2 : Comportement du JFET à fort VDS et VGS = 0
Si maintenant on donne à VGS une valeur différente de zéro mais négative on va constater un
phénomène semblable mais évidemment décalé :
 D'une part la pente de la portion linéaire de la caractéristique I(V) sera plus
faible

 D'autre part le courant de saturation correspondant au pincement sera lui aussi

plus faible.

Ceci s'explique par le fait que pour un VDS donné, la largeur de la zone désertée dans le canal,
dans le cas où la grille est polarisée, est plus grande que dans le cas où la grille est reliée à la
source ce qui réduit la conductance.

Figure 4 : Comportement du JFET à

Figure 5 : Comportement du JFET à
faibe VDS et VGS< 0
fort VDS et VGS< 0

52
 Département Mathématiques Physique et Informatique
Faculté Polydisciplinaire de Taza
Université Sidi Mohamed Ben Abdallah de Fès

Figure 6 : Caractéristique I-V d’un JFET

IV. JFET en régime statique
Pour simplifier la modélisation du courant du JFET on suppose que :
Le JFET a un canal N symétrique
Le JFET est long :la longueur du canal L est au moins 2 fois plus grande que son
épaisseur 2a
Les deux grilles sont identiques, de profondeur W et fortement dopées P
Les jonctions grille-canal sont supposées planes et abruptes
Le dopage du canal est uniforme est égal à ND
La mobilité des porteurs dans le canal est constante et indépendante du champ
électrique présent
Afin de pouvoir faire la résolution de manière analytique, on suppose que le champ électrique
est perpendiculaire à la jonction dans la zone désertée et qu'il est dirigé de la source vers le
drain dans la zone neutre du canal.
La largeur de la zone de charges d’espace de chaque jonction varie selon l’abscisse x suivant
la loi :

Vb: La tension de barrière des 2 jonctions grille - canal supposées identiques

En l’absence d’un potentiel appliqué sur la grille l’expression devient :

On définit la résistance présentée par une tranche de canal située entre les abscisses x et
x+dx :

Avec σnla conductivité du canal

Le courant ID qui traverse cette tranche dx entraîne une différence de potentiel :

Par intégration entre x = 0 et x = L, de l’expression dV(a-h(x)), on obtient :

Avec la tension interne de pincement

Cette relation est valable du moment que l’inéquation VDS ≤ VDsat est vérifiée
Le pincement du canal intervient lorsque :
L’expression du courant de drain devient alors :

Pour VGS = 0, on obtient le courant de saturation maximum du JFET :

On définit la conductance maximale

Remarque : La caractéristique de transfert ID(VGS) est souvent assimilée à une parabole et

l’expression du courant de drain est donnée de manière empirique par la formule :

V. JFET en régime dynamique

1
En régime dynamique, le transistor JFET possède le même schéma équivalent en régime
dynamique que celui du MOSFET étant donné que le courant de grille est nul et que le
courant de drain peut dépend des tensions vgs et vds.

Avec : et

Figure 7 : Schéma équivalent du transistor JFET en régime dynamique

VI. D’autres variantes des transistors à effet de champ
Cette partie fera l’objet d’exposés présentés par les étudiants.