Diodes

Exercice 1 :

On considère le circuit ci‐dessous dans lequel les deux diodes D1 et D2 ont le même seuil Uj :

D1
D2
vs
ve
R2
R1 R1

Déterminer la caractéristique de transfert du montage vs = f(ve)

Exercice 2 :

Soit le montage de la figure ci‐dessous. En considérant les diodes idéales, donner la forme du signal
de sortie vs(t).

v2t)
D2
12V
D1

v1 R=20k vs t
V1(t)
v2 8V
E=10V

Exercice 3 :

Déterminer vs(ve) vs(t) pour le circuit de la figure ci‐dessous :

1
 R1

D1 D2 vs(t)
ve(t)
E1 E2

On donne : ve(t) = Vmax sin(t) et Vmax > E1 > E2

Exercice 4 :

Tracer, de manière précise, la caractéristique de transfert du circuit ci‐dessous. On donne Uj1 =Uj2=
0.7V ; R0 = 20k ; R1 = 15k et R2=10k ; E1 = 5V ; E2 = 15V et 0 < Vin < 30V.

R0 D1 D2
R1 R2 Vout
Vin

E1 E2

Exercice 5 :

On donne le circuit suivant :

u 1 (t )

+ i(t) R
u (t)
1 5V
- u2 (t)
+ 1ms 2ms
t
U 0
- -5V

Avec U 0  3V , R  10k , U j  0.7V et la résistance différentielle de la diode rd  0 .

1‐ Dessiner l’allure de la tension u 2 t  et le courant i t  en expliquant clairement le comportement

du circuit.

2
2‐ Dessiner l’allure de la tension u 2 t  et le courant i t  si on inverse le sens de la diode.

Exercice 6 :

On considère le circuit de la figure ci‐dessous :

Idéale

Déterminer la tension de sortieV0.

Exercice 7

Considérons le circuit ci‐dessous :

iz iL
i1 R1
+ 12V efficace C V0 RL
v1 vC
‐

Avec I z min  5 mA , I L  0 ,..... 50 mA , V0  10V et U j  0.7V . On veut assurer en permanence

une tension vc t   14V .

1‐ Dessiner l’allure de v 1 t  , vc t  et V0 sur le même graphique.

2‐ Calculer la valeur maximale admissible pour R .

3‐ Calculer la capacité de filtrage pour répondre aux conditions sur vc t  .

4‐ Calculer I z max , en déduire la puissance instantanée maximum dissipée dans la diode Zener et dans

la résistance R .

3
 Corrigé Exercices Diodes

Exercice 1 :

Si on suppose que la diode D1 conduit et que D2 est bloquée, la tension d’entrée ve se trouve

appliquée directement à la résistance R1. La tension de sortie vs vaut alors : (a)

Aux bornes de D2 la tension est égale à vs. Ainsi, pour que D2 soit effectivement bloquée, il
faut que la tension vs soit négative et donc ve positive d’après la relation (a).

Si on suppose que la diode D1 est bloquée et que D2 est passante, la tension d’entrée ve se

trouve appliquée à l’autre résistance R1. La tension de sortie vs vaut alors : (b)

Aux bornes de D1 la tension est égale à vs. Ainsi, pour que D1 soit effectivement bloquée, il
faut que la tension vs soit négative et donc ve aussi négative d’après la relation (b).

Il en résulte qu’aucune autre configuration n’est possible et on peut ainsi déterminer la

caractéristique de transfert du circuit :

vs ve

Exercice 2 :

Initialement v2(t) = 12V et la tension v1(t) inférieure, la diode D2 subit une différence de
potentiel (ddp) de ‐2V et D1 une ddp bien plus élevée en valeur absolue. Ainsi c’est cette
dernière qui va conduire et D2 se trouve bloquée. Dans cette gamme de tension ou v2(t) est
supérieure à v1(t) on obtient donc, vs(t) = v1(t).

Lorsque v2 (t) bascule à 0 D1 subit une différence de potentiel inférieure à celle que subit D2
donc c’est cette dernière qui va conduire. Cette fois donc vs(t) = v2(t). Le cycle recommence.

Ainsi, vs(t) sera sous la forme :

4
 vs(t)

Exercice 3 :

On rappelle que : ve(t) = Vmax sin(t) et Vmax > E1 > E2.

Théoriquement 4 combinaisons sont possibles. Le tableau ci‐dessous récapitule l’état des

diodes selon la variation de polarisation et la possibilité ou non d’obtenir ces états de
conductions.

Condition sur Ve(t) Etat de D1 Etat de D2 Vs(t) Etat

Ve(t) E1+Uj & Ve(t) Passante Passante Impossible

 ‐(E2+Uj)

Ve(t)  E1+Uj Passante Bloquée E1+Uj Possible

Ve(t)  E2‐Uj Bloquée Passante E2‐Uj Possible

Ve(t)  E1+Uj & Bloquée Bloquée Ve(t) Possible

Ve(t) E2‐Uj

La figure ci‐dessous récapitule les résultats obtenus et montre la variation de ve et vs en fonction du

temps ainsi que la fonction de transfert vs(ve).

5
 vs
vs(t), ve(t)
vs(t) ve(t)
E1+Uj

E2‐Uj

t Ve

Exercice 4 :

I1 A

I2

1er Cas : Vin –VA  Uj & VA – E2  ‐Uj D1 est bloquée et D2 passante.

Calculons le potentiel en A pour déterminer l’intervalle ou cette condition est remplie.

On peut aussi écrire : 0 ainsi, 0,372

Donc 11,28 et 10,58 .

On en conclut ainsi la condition sur Vin :

⇒ 11,28

2ème Cas : Vin –VA  Uj & VA – E2  ‐Uj D1 passante et D2 bloquée.

6
Dans ce cas 15 et le courant I qui circule est le même qui circule dans les deux
résistances R0 et R1. On peut donc écrire :

En insérant l’expression de VA déterminée dans la condition citée ci‐dessus, on obtient :

⇒ 27,4

3ème Cas : Vin –VA  Uj & VA – E2  ‐Uj D1 et D2 passantes.

La loi de m’aille permet d’écrire :

Ce système d’équation permet de remonter à la condition sur Vin. On trouve après calcul :

11,28 27,4

La tension de sortie est une fonction de la tension d’entrée :

avec,

4ème Cas : Vin –VA  Uj & VA – E2  ‐Uj D1 et D2 bloquées.

Ce cas est impossible. Si les deux diodes sont bloquées aucun courant ne va circuler dans le
circuit et on aura et la condition VA – E2  ‐Uj serait donc impossible.

L’allure de la caractéristique Vin(Vout) sera donc sour la forme de la figure ci‐dessous :

7
Remarque : La courbe Vout (Vin) a été obtenue par simulation avec des diodes n’ayant pas un
seuil exactement égal à 0,7V. Les valeurs de Vin de changement d’état des diodes sont un
peu différentes. L’allure reste la même.

Exercice 5 :

1‐ La tension d’entrée uin(t) résultant de la superposition de U0 et de u1(t) est :

2 8

La diode conduira pour toutes les valeurs de uin inférieures à –Uj (seuil de la diode =Uj) et la
tension de sortie sera fixe et égale à –Uj. Autrement, la diode restera bloquée (courant nul)
et .

Le courant i(t) qui circule dans le circuit lorsque la diode est passante est obtenu par la loi de

mailles : .

Les caractéristiques u2(t) et i(t) sont représentées dans la figure ci‐dessous :

uin(t), u2(t)
i(t)
8

t
‐Uj

‐2

La valeur limite de courant (–0,13mA) est obtenue pour 2 .

2‐ La diode conduira pour toutes les valeurs de uin supérieures à Uj et la tension de sortie
sera fixe et égale à Uj. Autrement la diode sera bloquée et .

Le courant i(t) qui circule dans le circuit lorsque la diode est passante est obtenu par la loi de

mailles : .

La valeur limite de courant 0,73mA est obtenue pour 8 .

8
Les caractéristiques u2(t) et i(t) sont représentées dans la figure ci‐dessous :

uin(t), u2(t)

8 i(t)

Uj t

‐2

Exercice 6 :

Déterminons l’état de V0 en statique (Vin = 0V)

La capacité étant un circuit ouvert, la diode conduit et donc V0 = ‐4,3V (Uj = 0,7V).

V0 = Vin –VC donc VC = 4, 3V.

V0 = VD‐5 et puisque VD ne dépassera pas Uj donc V0 ne dépassera pas ‐5V. Ce qui revient à
écrire : 5

Ainsi : : 9,3 5 9,3V

Exercice 7 :

1‐ Allures des tensions v1 t  , vc t  et V0

2‐ La résistance Rmax est déterminée de manière à assurer le fonctionnement du circuit dans

le pire cas de fonctionnement.

9
En utilisant la maille capacité résistance et diode Zener, on peut écrire 0 et
donc avec et .

Le pire cas de fonctionnement est obtenu lorsque et . La diode Zener

quant à elle, elle serait traversée par le courant minimal IZmin.

Ainsi : 73Ω.

∆
3‐ La tension 14 16. L’équation qui relie l’ondulation à la capacité

donne une erreur par excès puisque T est la période du signal d’entrée et elle est supérieure
à celle du signal de décharge de la capacité.

On arrive donc avec cette équation à déterminer une valeur de capacité qui donnerait une
ondulation inférieure à ce qui est demandé et par conséquent, meilleure.

Ainsi : 665 .
∆ ∆

4‐ 93 , on en déduit la puissance instantanée maximale :

0.93 .

10
 Transistors

Exercice 1 :

1‐ Soit le circuit amplificateur à deux étages de la figure 1. Déterminer les tensions de collecteur et
d’émetteur ainsi que le courant IC et IE de chaque transistor. On donne 1= 2>>1.

Figure 1

Exercice 2 :

On considère le circuit de polarisation de la figure 2.

Figure 2

1‐ Fixer la valeur de RB de façon à positionner le point de repos Q au milieu de la droite de charge. On

donne : VCC =15V, RC = 1kΩ, =200.

2‐ Si on remplace le transistor par un autre dont le gain est égal à 3, que devient Q dans ce cas ?.

11
Exercice 3 :

Soit la structure de la figure suivante :

VCC

RC
R1
IC
IB

UC
R2
RE IE
UE

Figure 3

1‐ Exprimer les tensions UB et UC ainsi que les courants IB et IC, selon deux démarches différentes :

a) en négligeant le courant de base

b) en tenant compte du courant de base

2‐ Pour quelles valeurs limites de résistances, R1 et R2, le courant de base peut être effectivement
négligé (erreur de 10% admissible)

Valeurs numériques :U= 3.4V, Uj=0.7V, R1=66k, R2=33k, RC=1k, RE=3k, =100, Vcc =10V.

3‐ Quelle est la limite entre les modes linéaires et saturés ?

Exercice 4 :

Soit un transistor MOS à canal N avec une tension de seuil VT = 2 V et une polarisation VS =
0V, VD = VG = 3 V. Dans ces conditions, on mesure un courant de drain ID = 1 mA.

1‐ Le point de fonctionnement est‐il dans la zone de conduction (non saturée) ou dans la

zone saturée des caractéristiques ?

2‐ Que devient le courant ID si la polarisation est portée à VD = 5 V et VG = 4 V ?

3‐ Quelle est la résistance du canal Ron autour de VDS = 0 V lorsque VG = 4 V ?

Exercice 5 :

12
Soit le circuit suivant :

Vdd = 5V
R

D
G

Vout
S
Vin

Caractéristiques du MOST : VT = 1 V, β = 0.2 mA/V2.

1‐ Pour R =10 k , calculer la tension Vout pour les deux valeurs de la tension d’entrée Vin = 0
V et Vin = 5 V.

2‐ Déterminer la valeur minimum de R pour que la tension de sortie Vout soit inférieure à 1 V
lorsque Vin = 5 V.

Exercice 6 :

Soit le montage de la figure suivante utilisant un transistor MOS.

VDD

R1

U2
U1

1‐ Pour quelles valeurs de U1 le transistor ne conduit‐il pas ?

2‐ Quelle est la condition sur U2 pour que le MOS soit en saturation ?

13
3‐ Déterminer dans un plan (U1; U2) les différentes zones de fonctionnement du transistor.

4‐ Calculer dans chaque zone, la tension U2 et la représenter sur un diagramme en

fonction de U1.

Application numérique : VT = 0.5 V, R1 = 10 kΩ, β = 50 µA/V2, VDD = 4.5 V

Exercice 7 :

Soit le montage de la figure suivante

VDD

Rd

Figure 4

1‐ Déterminer le courant qui traverse la résistance Rd. Quel est, dans ce cas, le mode de
fonctionnement du transistor ?

Application numérique : VT = ‐0.5 V, Rd = 5 kΩ, β = 50 µA/V2, VDD = 5 V

Exercice 8 :

Pour le circuit ci‐dessus, déterminer en régime dynamique petits signaux :

14
 Figure 5

1‐ Le gain en tension Av.

2‐ L’impédance d’entrée Zin.
3‐ L’impédance de sortie Zout.

Exercice 9 :

Soient les montages amplificateurs, à drain commun et à grille commune, suivants des figures ci‐
dessous :

1‐ Donner dans chaque cas, le schéma équivalent, en régime dynamique, du montage, le gain à vide
ainsi que les impédances d’entrées et de sorties des deux montages et discuter les.

VDD

R1
C1
C2

ue R2
uS
RS

15
 VDD

RD
C2

C1
uS

RS ue

- Vss

Figure 6

2‐ Si on remplace le transistor par un autre dont le gain est égal à 3, que devient Q dans ce cas ?.

Exercice 10 :

VCC

RB RC

C1 C2

RL
u RE
UE

Figure 4

Pour le circuit ci‐dessus, déterminer :

1‐ VC ; VB ; VE et VCE.

2‐ Les impédances d’entrée (gce négligeable) et de sortie, la tension de sortie vout et le gain en
tension.

On donne : Umax=4mV, f=1kHz, RB=720k, RC=4k, RL=6k, =80, Vcc =12V.

Exercice 11 :

Soit la structure de la figure ci‐dessous :

16
 VCC

RC

IC
IB

Δu UC

RE IE
UE
U0

Figure 5

1‐ Sachant que UBE = Uj, calculer le point de repos (Δu = 0) c.à.d les courants IB, IE et IC, ainsi que les
tensions UE et UC.

Valeurs numériques : Uj=0.7V, U0=4.6V, RC=4.7k, RE=3.9k, =200, Vcc =10V.

2‐ Quel est le mode de fonctionnement du transistor ?

3‐ Dessiner le schéma équivalent petits signaux et déterminer gm et gbe.

ue uc
4‐ Déterminer le gain G1  et G1 
u u

Exercice 12 :

Pour chacun des amplificateurs de la figure ci‐dessous, faire l’étude demandée en A, B et C.

VDD VDD VDD

RD RD
R1 C2 C2
R1
C1
C1
C2 C1
uS
uS
ue R2 C3
ue R2
RS uS
RS RS ue

- Vss

17
1‐ Donner le schéma équivalent, en régime dynamique, du montage.

2‐ Calculer le gain en tension à vide G0. Conclure.

3‐ Calculer les impédances d’entrées et de sortie de ce montage. Commentaire.

Exercice 13 :

On considère le circuit de la figure 2 :

Figure 2

1. Décrire le circuit en indiquant le type de polarisation.

2. Déterminer IC et VCE pour les deux transistors
3. Déterminer en régime dynamique petits signaux dans la bande passante :
a. La résistance d’entrée vue par le générateur ;
b. Le gain en tension ;
c. La résistance de sortie vue par la charge RL.
4. Quel est le rôle de l’étage construit autour du deuxième transistor.
5. Donner le schéma équivalent HF et déterminer la fréquence de coupure supérieure.
6. Donner le schéma équivalent BF et déterminer la fréquence de coupure inférieure.
On donne : Rg=1k ; RB1=680k ; RB2=82k ; RC=12k ; R1=82 ; R2=3,3k ; RE=2,7k ;
RL=4,7k ; C1=1 ; C2=10 ; C3=100 ; C4=10 ; E=22V

18
 Corrigé Exercices Transistors

Exercice 1 :

Le circuit de la figure 1 est symétrique et étant donné que les transistors sont considérés identiques,
leurs tensions d’émetteurs seront égales. De même pour les tensions des collecteurs et les courants
IE et IC. On peut ainsi se limiter à l’étude de la moitié du circuit.

120

∙
Avec VB la tension au niveau de la base du transistor : 2,27
, ∙

1,57

13 ≅ puisque β étant très grand (IB négligeable).

Ainsi 15 470 8,84

Exercice 2 :

1‐ L’équation de la droite de charge s’écrit :

Donc :

Le point de fonctionnement se trouve au milieu de la droite de charge donc : 7,5

7,5 .

On en tire : donc 181,33 Ω.

19
2‐ Si on remplace le transistor par un autre dont le gain en courant est 3 fois supérieur, le point
statique de fonctionnement se trouvera décalé vers la parie supérieur de la droite de charge (Ic
augmetera et VCE va diminuer). En effet :

De on peut écrire : 10,9

Exercice 3 :

1‐ a‐ En négligeant le courant de base IB, le même courant circulerait dans les résistances R1 et R2.
Nous pouvons donc considérer le diviseur de tension formé par R1, R2 et écrire :

3,3

Une fois UB calculé, nous pouvons remonter aux courants de collecteur et de base et par la suite
déterminer UC :

0,866 , 8,66 et 9,13

1‐ b‐ En tenant compte du courant de base IB, Si I1 est le courant qui traverse la résistance R1, nous
pouvons écrire : Avec I2 courant dans la résistance R2.

&

D’un autre côté : & 1

1 1
1 1

1 1
1 1

20
 1
3,07
1 1
1 1

Une fois VB exprimé les autres paramètres peuvent être déterminés en utilisant les mêmes équations
de la question a).

Une différence de 0,23V entre les deux valeurs de UB obtenues dans « a » et « b ». Soit une erreur de
7,5% sur la valeur de UB.

2‐ En considérant l’erreur permise (10%), le courant IB peut être négligé si le courant qui traverse les
résistances R1 et R2 est 10 fois plus grand que IB, soit I1=10∙IB.

L’ordre de grandeur de IB dans ce cas est de 0,866µA (question 1‐a).

et donc 115 Ω

3‐ Le transistor se trouve en mode saturé lorsque 3,3

La limite du courant IC sera donc : 6,7

Exercice 4 :

1‐ 3 et 3 1 , nous pouvons donc conclure que le point de

fonctionnement du transistor se trouve en régime de saturation.

2‐ 4 et 5 2 , le transistor est toujours en régime saturé.


L’équation qui régit le courant dans ce cas est : VGS  VT0 2 . L’effet de modulation du canal
2

étant négligé.

Connaissant le courant dans la question 1, nous pouvons déterminer le facteur β en utilisant

l’équation du courant en saturation. Ainsi

3 2 1
2 2

D’où 2 /

21
En utilisant la valeur de β déterminée, nous pouvons calculer la nouvelle valeur du courant ID
pour les conditions de la question 2 :

4 2 4
2 2

∆
3‐ Détermination de
∆

Puisque 0 2 le transistor se trouve en régime linéaire et l’équation

de courant s’écrit donc : .

∆
La résistance Ron à VDS = 0 est donc égale à 250Ω
∆

Exercice 5 :

1‐ Pour Vin = 0V, le transistor est à l’état bloqué et donc le courant ID = 0A. Ainsi, Vout = 5V.

Pour Vin = 5V, le transistor conduit.

Supposons qu’il se trouve en mode normal direct. Dans ce cas le courant ID s’exprime par
l’équation :

2‐

3‐ Pour que 1 soit inférieure à 1V il faut que 1 4

Soit : puisque le transistor se trouve en régime de saturation.

Ainsi La valeur minimale de R est , /

2,5 Ω

Exercice 6 :

1‐ U1 étant la tension de grille, le transistor ne conduit pas tant que

2‐ Le transistor MOS se trouverait en saturation une fois

22
3‐ Zones de fonctionnement du transistor

4‐ Pour , le transistor est bloqué et

Pour le transistor conduit et .

L’expression du courant IDS varie selon si le transistor est en régime de conduction ou en saturation.

Il faudrait donc distinguer les deux régimes de saturation et deux conduction.

 En saturation :

Ainsi, . C’est l’équation d’une parabole négative.

 En régime linéaire :

On obtient ainsi :

Soit : 1 .

L’allure de U2 est difficile à interpréter dans ce cas.

C’est une équation du deuxième ordre qui admet, mathématiquement, deux solutions :

1 1 4

1 1 4

En effectuant un développement limité d’ordre 1, on peut deviner la forme de la variation de U2 en

fonction de U1.

1 1 4

23
=

U2 varie donc en fonction de l’inverse de U1.

Les points limites entre les zones de fonctionnement sont les suivants

Entre blocage et saturation :

Entre conduction et saturation : ce point peut être déterminé par l’égalisation de deux des trois
équations possibles (saturation, conduction et la droite qui les délimitent)

2,69 & 3,19 .

Exercice 7 :

5 , 4.5 ,

Supposons que le transistor se trouve en régime de saturation, dans ce cas :

0.506
2

Dans ce cas 2.47 4.5 l’hypothèse est donc fausse et le

PMOS est en régime linéaire.

La résolution de l’équation du second ordre permettra de trouver la valeur de VDS et d’ensuite

déduire ID.

Exercice 8 :

24
Afin de répondre aux questions, il faut d’abord établir le schéma équivalent du circuit en
régime dynamique :

e gmvbe c

gce
RE
vbe RC RL
vin gbe vout

1‐ Gain en tension Av :

Exprimons vout :

D’un autre côté : , on peut donc écrire :

Soit : 1

Ainsi :

Lorsque l’effet Early est négligeable, le gain du circuit devient :

2‐ Impédance d’entrée :

3‐ Impédance de sortie :

L’impédance de sortie de l’amplificateur est :

Exercice 10 :

1‐ VC ; VB ; VE et VCE.

D’autre part : 1

D’où Ainsi 1

25
 1

2‐

iin ib ic

gmvbe
gbe gce

u RB RC RL uout

RE

1 1 1
1 1

1
//

Gain :

//

// //
≅
1 1

Impédance de sortie :

Pour déterminer l’impédance de sortie, nous éliminons la source d’entrée et appliquons une source
fictive à la sortie qui délivre le courant iout.

26
Exercice 11 :

1‐ En utilisant les lois de mailles, nous pouvons écrire :

Ou encore 3,9 ; 1 ; 1 ; 5 ;

5,3 .

2‐ Par comparaison des tensions UC et UB, nous déduisons que le transistor se trouve en régime actif
normal de fonctionnement.

3‐ Schéma équivalent :

ibe ic

gbe gmube
ube

RC
Δu Δuc
RE Δue

3,85.10 2 A/V 192,3 μA/V

c) ∆

∆ ∆

∆
≅1
∆ 1

Il s’agit donc d’un suiveur

∆ ∆

∆
1.2
∆ 1

Déphasage de  entre ∆ et ∆ et gain très faible !!!!!!. Quasiment aucune amplification !

27
Exercice 12 :

Montage Source Commune

1‐ Schéma équivalent

g d

vgs
R1,2
gds RD us
gmvgs
ue

2‐ Gain à vide :

Si la conductance gds est faible devant 1/RD, le gain Av devient :

3‐ Impédance d’entrée : ,

Impédance de sortie : ≅

Montage Drain Commun

1‐ Schéma équivalent

g s
vgs

R1,2
gds RS us
gmvgs
ue

2‐ Gain à vide :

La tension de sortie s’exprime par :

La loi de maille permet de donner us en fonction de ue et de vgs :

28
Ainsi, nous pouvons obtenir le gain à vide Av :

Si la conductance gds est faible1/RS, le gain Av devient :

3‐ Impédance d’entrée : ,

Impédance de sortie :

Montage Grille Commune

1‐ Schéma équivalent

s gmvgs d

gds
RS
Vgs RD us
ue

2‐ Gain à vide :

La tension de sortie s’exprime par :

D’autre part : , ce qui permet d’écrire :

Ainsi, nous pouvons obtenir le gain à vide Av :

Comme gm est très grand devant gds, le gain Av devient : ≅

3‐ Impédance d’entrée :

On peut ainsi écrire : et on déduit :

1 1 1
≅ //
1 1

29
Impédance de sortie :

Exercice 13 :

1‐ Le circuit amplificateur est constitué de deux étages à transistors bipolaires NPN T1 et T2. La
polarisation de T1 est faite par pont de base. Le point de fonctionnement deT2 est conditionné par
celui du collecteur de T1. T1 est monté en émetteur commun tandis que T2 est en collecteur commun
2‐ Etude en statique

Schéma équivalent du circuit en statique (IB1 négligeable)

2,37 ; 0,48 ; 5,5 ;

1 7 ; 14

3‐ Etude en dynamique

Schéma équivalent du circuit en régime dynamique petits signaux

a. ;

Soit : .

30
 b. ∙

avec // ;

≅1
1

D’un autre côté : avec //

l’impédance d’entrée du transistor T2. 173 Ω ;

Soit 82

D’où le gain ∙ ≅ 82

c. // ≅ 123Ω.

31
 Diagramme de Bode et Filtres

Exercice 1 :

Déterminer les fonctions de transfert correspondant aux diagrammes de Bode suivants :

Figure 1

Exercice 2 :

Soit le circuit ci‐dessous :

32
 Figure 2 :

L’interrupteur S est ouvert, à t = 0 on le ferme, déterminer :

1‐ l’équation différentielle de Vout (Vout est la seule variable dans l’équation)

2‐ Donner l’expression de Vout pour t > 0

3‐Tracer, précisément, Vout (t) avec t :[0, 100ms]

4‐ Quelle est la valeur du courant i3 lorsque t tend vers l’infini ?

5‐ à t = 40ms, on ouvre l’interrupteur S. Quelle serait la nouvelle équation différentielle ?

6‐ Donner l’expression de Vout au‐delà de 40ms.

7‐ Tracer de nouveau, et avec précision, Vout (t) avec t :[0, 100ms]

8‐ Quelle est, dans ce cas, la valeur du courant i3 lorsque t tend vers l’infini ?

Exercice 3 :

Quelle est la nature des filtres ci‐dessous :

Figure 3

Exercice 4 :

33
On considère le circuit RC suivant :

Figure 3 :

1‐ Déterminer l’expression de la fonction de transfert. On considère que l’entrée est sinusoïdale.

2‐ Tracer le diagramme de Bode asymptotique, en module et en phase, de la fonction de transfert.

3‐ Déterminer, en utilisant le diagramme de Bode asymptotique, la tension de sortie Vout lorsque

  
celle d’entrée Vin est égale à 1V  sin 10  t  1V  sin 10  t .
8 7

On donne : R1=100kΩ ; R2=1kΩ ; C1=100pF ; C2=0,1pF.

Exercice 5 :

Figure 6 :

Dans le circuit de la figure 6, on ferme l’interrupteur à l’instant t = 0. Donner IR (t), IL (t), IC (t)
et V0 (t). On donne IR (t) = 1mA, R = 50, C = 0.1F et L = 1nH.

34
 Corrigé Exercices Diagramme de Bode et Filtres

Exercice 1 :

On décompose le diagramme asymptotique en la somme de plusieurs fonctions usuelles ainsi

1‐ ∙ ∙ 1 ∙ 1 ∙ Avec 20 | | 6 soit 2

2‐ ∙ 1 ∙ ∙ ∙ 1 ∙ Avec 20 | | 6 soit 0.5

3‐ Avec 20 | | 50 soit | |

Exercice 2 :

1‐ L’équation différentielle de Vout :

Donc

On peut écrire ∙

Soit Donc

D’un autre côté

On obtient finalement : =0

1 0

3 15
0
4 4

L’équation finale s’écrit donc : 5 0

2‐ Expression de Vout pour t  0

D’après l’équation on a : 5

35
La solution de l’équation du premier degré s’écrit sous la forme :

En utilisant les conditions aux limites on obtient : 5 1

3.

Vout

E=5V
3,2V

20ms 100ms t(ms)

Lorsque t :

4. Lorsque t le condensateur est complètement déchargé et se comporte comme un circuit

ouvert le courant i3 passe dans R1 et R3 et il est égal à : 0,5

5. A t=40ms, l’interrupteur est ouvert. Le condensateur entame sa décharge et la nouvelle équation

différentielle qui régit le fonctionnement du circuit est obtenue à partir de la nouvelle maille :

0 avec et

D’où : .

On peut utiliser la transformée de Laplace : 0

D’où 0 Soit 40 0

Donc 40 Ainsi :

Finalement : 40

36
 ∙
40 40 5 1

Vout

E=5V
3,2V

1,59V

20ms 40ms 65ms 100ms t(ms)

4,3

6. Lorsque t tend vers l’infini le courant i3 devient nulle car la capacité est déchargée.

Exercice 3 :

a. pour 0, l’inductance se comporte comme un court‐circuit et la capacité comme un circuit

ouvert d’où

pour → ∞, l’inductance se comporte comme un circuit ouvert et la capacité comme un court‐

circuit d’où 0

Le circuit se comporte comme un Filtre passe bas.

b. pour 0, 0

pour → ∞,

Le circuit se comporte comme un Filtre passe haut.

c. pour 0 et pour →∞ le circuit laisse passer les basses et hautes

fréquences.

//
pour le gain diminue.
//

Le circuit se comporte comme un coupe bande.

d. pour 0 et pour →∞ le circuit laisse passer les basses et hautes

fréquences.

37
pour le circuit LC parallèle se comporte comme un circuit ouvert.

Le circuit entier est un coupe bande.

Exercice 4 :

1
⁄
1 1

1
1 1

Gain DC : 40

1 1
10 ∙
100

1
10 ∙

2‐ Diagramme de Bode asymptotique :

3‐ En utilisant le diagramme de Bode asymptotique :

38
A 108, le gain est à ‐20dB et la phase /2. Et à à 107, le gain est de ‐40dB +3dB(fréquence de

coupure) ; la phase elle, elle est à /4. Ainsi Vout serait : 100 10

10√2 10 .

Un calcul plus exact donnerait pour la phase :

10 : 78,6°

10 10
10 : 44,4°
10 10

Vout est alors égale à : 100 10 78,6° 10√2 10 44,4°

Exercice 5 :

La loi des nœuds appliquée au circuit permet d’écrire :

; ;

Donc :

On sait que : 0 et que avec 0 0.

Soit :

 ou bien

On peut l’écrire aussi sous la forme :

On pose : soit :

Et on sait que : ∙

On peut donc obtenir l’expression de : ∙

On remplace finalement l’expression de dans celles des expressions des courants ci‐dessus.

39
40