LSM

2 - Mesures physiques Instrumentation

Sance de TP n1 : La diode, dcouverte

des matriaux semi-conducteurs
Nous allons dans cette sance faire une prsentation trs lmentaire des proprits
lectroniques des semi-conducteurs. Cette classe de matriaux, ne de la physique quantique
dans les annes 1930, est encore la base de la plupart des technologies modernes
(photographie numrique, audio et vido numrique, tlcommunications, micro-
informatique, ). Nous nous concentrerons sur un composant fabriqu partir de matriaux
semi-conducteurs : la diode (ou jonction pn) et qui intervient dans un grand nombre de
circuits lectroniques et qui a un comportement fortement non linaire. Ce composant est
la base de composant plus complexes comme les transistors bipolaires (premiers transistors
tout solide).
Symbole lectrique de la diode :

Photo dune diode type 1N4007 :

Lobjectif de ce TP est de raliser par diffrentes mthodes

caractristique I(V) dune diode

La caractrisation dun composant lectronique commence toujours par une tude statique (ou point
de fonctionnement). Dans le cas dun diple il ny a quune seule entre/sortie , dans ce cas il ny a
pas dambigut et seulement deux grandeurs sont pertinentes : le courant qui traverse le diple (I)
et la tension ses bornes (V). Caractriser un diple en statique, revient tudier la relation de
dpendance de lune de ces grandeurs par rapport lautre. En gnral, on regarde la fonction dite :
I(V) statique. Cest--dire que lon impose une tension V continue aux bornes du diple, ici ce sera la
diode, et lon regarde la valeur du courant I qui le traverse, et lon rpte la mesure pour diffrentes
valeurs de V.

I.

Questions prliminaires

II.

Quelle est la caractristique I(V) dune rsistance ?

Daprs cette caractristique que reprsentent les diffrents coefficients de la fonction
caractristique ? Donnez les units associes ces coefficients.
A votre avis est-ce que cette description simple est suffisante ? justifiez.

Caractristique I(V) de la diode 1N4007 (diode noire) : mthode

point point (fastidieuse !)

Vous disposez du matriel suivant pour cette exprience :

1 diode 1N4007
Une alimentation unipolaire 0-15V
2 multimtres
1 oscilloscope numrique TektroniK TDS 2100 ou 210
des rsistances 1k, 10k et 100 k
1 potentiomtre linaire 0 1 k (avec une rsistance de protection de 200 )

a. Proposez un montage avec ce matriel pour obtenir la caractristique I(V)

dune diode

Vous disposez de 30 minutes pour proposer un montage et dessiner le schma lectrique

associez. Vous expliquerez votre raisonnement. Avant de raliser le montage, prsentez
votre proposition lassistant de TP.
vous testerez votre montage sur une diode lectroluminescente votre disposition. Vous
testerez notamment en fonction du sens de la diode le comportement de cette dernire.

Comment comprenez-vous le rsultat ? En dduire le sens passant des diffrentes diodes et

leur tension de seuil (approximatives). Reprez-les. Observez et notez linfluence de la valeur
du courant sur le comportement de la diode.

b. Caractristique I(V) de la diode 1N4007 temprature ambiante

Prenez ensuite la diode 1N4007. Pour suffisamment de valeurs de la tension releves aux
bornes de la diode, mesurez la valeur du courant. Tracez la caractristique de cette diode
!!"#!$ = !(!!"#!$ ). On sattachera tout particulirement bien reproduire la rgion o le
courant commence varier de manire significative. Vous utiliserez pour tracer la
caractristique, un ordinateur muni dun tableur (logiciel Regressi).
Relevez la tension de seuil ainsi que la pente de lasymptote lorsque la diode conduit. Que
reprsente cette pente ? Quelle est son unit ?
Tracez galement la caractristique ln !!"#!$ .

c. Effet de la temprature (si le temps le permets) sur la caractristique de la

diode

Lobjectif est de refaire la mme caractristique que prcdemment mais cette fois en chauffant la
diode, soit avec un module Peltier, soit avec un sche-cheveux .

Tracez la caractristique de cette diode I!"#!$ = f(U!"#!$ ) puis ln I!"#!$

Comparez avec la courbe obtenue temprature ambiante. Conclure

d. Mise en parallle de deux diode

Pour se faire vous utiliserez les diodes lectroluminescentes votre disposition.

Mettez deux diodes en parallles, une dans le sens passant lautre dans le sens bloqu
Mettez les deux diodes dans le sens passant et faite variez la tension. Essayez plusieurs
couples de diodes. Interprtez le rsultat

III. Utilisation de loscilloscope et du Gnrateur Basse-frquence

(GBF) : notion de masse
On se propose ici dobtenir directement les caractristiques !(!) des diodes en utilisant
loscilloscope et un GBF dlivrant une rampe de tension. A priori le montage le plus simple pourrait
tre le suivant :

Voie 1

!!"#!$

GBF

!! = !. !!

Voie 2

Masse

a. Dfinition de la notion de masse

A partir du schma ci-dessus, expliquez pourquoi il nest pas ( priori) possible de visualiser
en mme temps sur les deux entres de loscilloscope !!"#!$ et !! .

En ralit le GBF que vous utilis est dit flottant (la notion sera prsente lors du TP). Cest--
dire que la borne moins du GBF nest pas rfrence la masse de loscilloscope par
lintermdiaire du secteur :

Avec le multimtre mesurez la rsistance entre la masse et la fiche de terre de loscilloscope.

Combien mesurez-vous ? Regardez aussi entre le neutre et la masse.
Faite de mme avec le GBF. Vous vous apercevrez dj quil ny a pas de fiche de terre.
Mesurez alors la rsistance entre la sortie de rfrence (la fiche noire) et le neutre. Combien
mesurez-vous ?

b. Mesure directe de la caractristique I(V) dune diode

Alimentez le circuit par une tension de forme triangulaire variant entre 4 V et + 4 V et de
frquence 108Hz. Vous vrifierez ces valeurs loscilloscope avant de connecter le GBF au
circuit. Vrifiez galement que les traces correspondant aux deux voies de loscilloscope sont
bien centres sur 0 lorsque vous nentrez aucun signal.

Utiliser alors le mode daffichage XY de loscilloscope (menu affichage/display). Inverser le

signe de la voie 2 pour obtenir la caractristique de la diode sur lcran. Dessiner
qualitativement ce que vous observez. Vrifiez que la caractristique obtenue ne dpend ni
de la frquence du signal dentre ni de sa forme.
Remplacer la diode 1N4007 par les diffrentes diodes lectroluminescentes. Relever la
valeur des diffrentes tensions de seuil. Consignez les rsultats dans un tableau. On pourra
par exemple alimenter le circuit avec une tension triangulaire de quelques Hz.