Bases de Lélectronique 2017-2018

Bases de l’électronique
Guy Lamarque
Objectifs du module
 Comprendre et analyser de manière qualitative et
quantitative le fonctionnement d’un montage
électronique simple à base :
• De composants passifs (résistances, capacités,
inductances).
• De composants actifs (diodes, transistors bipolaires)
• De circuits intégrés (Amplificateurs Opérationnels,

circuits spécifiques)
Objectifs du module
 Savoir câbler un montage électronique simple à partir d’un
schéma électrique.
 Etre capable d’utiliser une documentation technique afin

d’extraire les principaux paramètres d’un composant
électronique
 Savoir utiliser les principaux appareils mis à la disposition de

l’électronicien :
• Alimentation de laboratoire
• Générateur basse fréquence
• Multimètre
• Oscilloscope
Déroulement du module…
 Amplificateur Opérationnel
 Montages de bases
 AOp réel
 Diode
 Modèle et principales relations
 Montages redresseurs
 Transistor Bipolaire
 Modèle et principales relations
 Montage Tout Ou Rien (commande)
 Montages Amplificateur
Ordre de difficulté croissant…

La notation
 J’accorde beaucoup d’importance aux TPs…
1
NoteFinale   Moyenne DS TP  2  Moyenne DS Théorique 
3
• 3 séances de TP de 2H30
• Un DS de TP (4ème séance de TP)
• Un DS finale (dernière séance de TP)
Le sujet du DS de TP est donné à l’avance.
 Pour les DS théoriques, si vous savez faire les TDs (si vous avez compris
les TDs) vous saurez faire le DS…
• Un DS sur l’Amplificateur Opérationnel
• Un DS sur la diode
• Un DS sur le transistor bipolaire
 Dans chaque DS théorique il y a ≈ 5 points sur 20 pour les questions de

cours intelligentes…
La notation
 Pas d’interrogation surprise…
• Si vous n’avez pas regardé le cours avant le cours
suivant, le TD ou le TP…
ça ne sert à rien!!!
 Interrogation au début de chaque séance de TP
pour voir si vous avez préparé de TP avant de venir.
Je n’exclus pas d’en faire en début de TD si vous ne

jouez pas le jeu.
Pré requis du module
 Savoir utiliser un simulateur de montages
électronique.
Les TPs devront tous être préparés en utilisant le
simulateur avant la séance.
 Le module de circuits et mesures électrique du 1er

semestre
 Certain n’ont pas validé ce module mais il n’est
jamais trop tard…
iPhone X
Intérêt du module… Il y en a…
Véhicules hybrides voire électriques.
Humanoïde
Robot industriel
Intérêt du module… Recharge par induction
 Intégrer une voie spéciale sur les routes dans le but de recharger les
véhicules électriques par le sol.
 Les recherches menées en Allemagne, en Corée du Sud et en Italie ont pu
aboutir à des essais sur la recharge par induction des autobus électriques en
mouvement.
Intérêt du module…Route Intelligente
 Une joint-venture entre Vinci et le groupe britannique de BTP Balfour Beatty,

va transformer 18 kilomètres de l'autoroute anglaise M5 en route intelligente,
notamment grâce à des capteurs capables d'analyser le trafic en temps réel.
Intérêt du module…Route Solaire
 La « Solar Roadways » (route solaire) est pavée de panneaux solaires et

pourrait être utilisée pour :
 Se dégeler d’elle-même.
 S’illuminer de milliers LED pour la signalisation ou l’éclairage.
 Sur les parkings, elle pourrait alimenter des bornes pour recharger les
voitures électriques.
La route est longue et semée d’embuches…
Obsolescence « programmée »
On parle beaucoup, en ce moment, avec l’affaire «Apple » d’obsolescence
programmée mais c’est quoi au juste ?
 Regardons de quoi il en retourne avec un « objet simple » que vous
connaissez tous : La lampe avec détecteur de mouvement
Si on démonte le « détecteur de mouvement »,
c’est très instructif. Voilà ce que l’on trouve à
l’intérieur. C’est du « made in china » dans toute sa
splendeur .
amplificateur opérationne
On retrouve…
Capteur d’intensité lumineuse LDR
(Light Dependent Resistor )
Interface de puissance : Relais
Réglage consignes :
Potentiomètres
Capteur de movement de
type PIR (Pyroelectric
Infrared sensor)
Transistor bipolaire
Aop (Amplificateur Opérationnel)

Obsolescence « programmée » : Le relais
Dans un premier temps intéressons nous à l’interface de puissance le
relais :
 Son rôle est de commander une charge alimentée par la tension
secteur (230V/50Hz)
 C’est quoi une relais ? Un contact (250V/10A)
Une bobine (électro aimant)

(12V/10mA)
Pour connaitre les caractéristiques techniques de tous les composants
électronique il faut télécharger la « datasheet » éditer par le
constructeur (http://www.datasheetcatalog.com). La « datasheet »
 Regroupe toutes les caractéristiques techniques du composant
 Présente les principaux schémas d’applications
Affectation des
différentes broches
Dimensions du composant
Puissance de la charge : 30W

Caractéristiques de la bobine
Durée de vie du composant

La durée de vie du composant dépend de la charge :
 5x107 à vide (sans charge)
 105 pour une charge résistive de 125VAC, 300mA à 1HZ
Si on utilise ce relais pour :
 Faire clignoter un feu de travaux à 1HZ (1 fois par seconde) jour et nuit
(105 / (24x3600) = 1.16 Jours => ce n’est pas la bonne solution)
 Pour piloter l’éclairage dans les escaliers de Polytech (100 fois par jour)
105 / (100 x 365) = 2.7 ans => On sait que passé la garantie d’un an le
système devrait tomber en panne…)
 Quand on conçoit un système en fonction de son utilisation et du coût
du système on peut prédire sa durée de vie et les composants qu’il
faudra remplacer.
 Dans notre cas on peut grâce à une électronique adaptée multiplier la
durée de vie de relais par un facteur 100. Il suffit de commander la charge
au « zéro de tension » donc au zéro de courant.
Capteur de lumière : LDR
Réponse en fréquence de l’œil

Réponse en fréquence du capteur
Réponse en fréquence de la LDR proche de celle de l’œil humain.

Sensible aux mêmes longueurs d’ondes.
Capteur de lumière : LDR
La résistance de la LDR varie linéairement
avec l’intensité lumineuse :
 1 MΩ dans l’obscurité
 4 à 7 K Ω à 100 lux (rue de nuit bien
éclairée 20 à 70 lux, extérieur en plein soleil
50K à 100K lux).
Ce capteur convient bien à cette application.
Un simple montage diviseur de tension

Courbe de réponse du capteur
permettra d’obtenir une tension
proportionnelle à l’intensité lumineuse.
Un montage « simple » : Diviseur de tension
i(t)
Diviseur de tension
R1 v1(t)
 V1 = ?
v(t)
 V2 = ?
R2
v2(t)
I=?
Expérience : « Simple »
 VA = ?
 VB = ?
 VC = ?
 IR1 = ?
 IR2 = ?
 IR3 = ?
 IGénérateur = ?
Soit le montage suivant :
Valeur théorique :
R2
VVout  VAlimentation
R1  R 2
Si les deux résistances sont
identiques : R1 = R2 = R
1
VVout  VAlimentation
2
 Si on utilise un simulateur type LTSpice on retrouve ce résultat
Si on fait la mesure :
 Avec un oscilloscope
 Avec un multimètre
On retrouve les résultats théoriques et ceux obtenus en simulation pour

 R2=100Ω
 R2=10KΩ
 Mais pas pour R2=10MΩ

 Pourquoi ?
 Problème d’hypothèse! (c’est la première source d’erreur
lorsqu’on fait de l’électronique)
Vérification théorique :
Oscilloscope d’impédance d’entrée ≈1MΩ
VOscilloscope 
R 2 // R Oscilloscope  VAlimentation
R1  R 2 // R Oscilloscope 
Oscilloscope
Si R1=R2=R
D’où (cas général) : D’où (cas ROscilloscope>>R) :

ROscilloscope
VOscilloscope  VAlimentation 1
R  2 R Oscilloscope  VOscilloscope  VAlimentation
2
Diviseur de tension : Potentiomètre
 Pour fixer la consigne un potentiomètre câblé en diviseur de
tension convient tout à fait.
Résistance variable : Potentiomètre
Un potentiomètre est une résistance variable si :
 On relie deux bornes entres elles
 On laisse une borne non connectée
kR kR Résistance variable R de résistance :

 k R avec 0 ≤ k ≤ 1
 0 ≤ kR ≤ R
Borne non
connectée
Diviseur de tension : Potentiomètre
Pour un potentiomètre de i(t)

résistance R on a :
 R1 = k R avec 0 ≤ k ≤ 1 kR
v1(t)
 R2 = (1-k) R avec 0 ≤ k ≤ 1
 R = R1 + R2 v(t)
(1-k)R
v2(t)
v2 t   1  k  vt 
Revenons sur des choses « simples »
ve vs = ?
Pour vous aider…

 Quelle est la résistance du fil?
 Quel est le courant qui circule dans le fils?
Et enfin…
 Quelle est la tension vs?
Résistance d’un conducteur
Résistance d’un conducteur
L
R : Résistance en Ω
ρ : Résistivité en Ω.m R
L : Longueur en m
S : Section en m² S
Résistivité (ρ) de quelques conducteurs
Cuivre : 17 x 10-9 Ω.m Fer : 104 x 10-9 Ω.m
Or : 22 x 10-9 Ω.m Etain : 142 x 10-9 Ω.m
Aluminium : 30 x 10-9 Ω.m Plomb : 207 x 10-9 Ω.m
Attention :
Lorsque la fréquence augmente il faut prendre en compte
l’effet de peau.
A fréquence élevée, le courant à tendance à circuler quasi

exclusivement à la surface des conducteurs.
Philosophons…Cas d’un fil.
R=0Ω
En première approximation :
 Un fil a une résistance nulle
R
Si on est plus rigoureux :
 Un fil a une résistance NON nulle
Z Pour les puristes :
 Un fil n’est pas seulement résistif (c’est
une impédance complexe : R, L, C)
En électronique, il faut toujours :
 Faire des hypothèses « raisonnables» .

 Utiliser le bon modèle.
Philosophons…Cas d’un fil.
Prenons un exemple :
Les câbles électrique d’une habitation :
 Vue de la transmission d’énergie électrique :

 Un câble électrique a une résistance nulle
 Cependant, lorsqu’on choisit un câble de section inadaptée et qu’on le

connecte à des appareils gros consommateurs d’énergie : Le câble
chauffe. Pourquoi?
C’est d’ailleurs ce phénomène qui est à l’origine de nombreux incendies
d’origine électrique.
 Si ce même câble est utilisé pour transmettre de l’information (modem

CPL) :
 Un fil n’est pas seulement résistif (c’est une impédance complexe :
modèle R, L, G, C).
Temps de propagation dans un conducteur
Vitesse de propagation dans un câble électrique :
 2 x 108 m/s
Temps de propagation :
 5 ns/m
Temps de propagation dans un circuit électronique :
 quelques ns
Exemple :
Dans les véhicules moderne (bus Control Area Network) :
 Entre, la pédale de frein, le calculateur qui prend en compte
l’information de freinage et le calculateur qui effectue la
commande, en considérant une dizaine de mètres de câble…
 Il se passe ≈ 60-70 ns
Il faut relativiser : Le temps de réaction du « conducteur » et
de l’ordre d’une seconde…
Revenons sur des choses « simples »
ve vs = ?
Pour vous aider…

 Quel est le courant qui circule dans la résistance R1?
 Quelle est la tension vs?

Les différents composants
 Composants passifs versus actifs
Les composants électronique passifs (respectivement actifs) ne
permettent pas (respectivement permettent) d'augmenter la
puissance d'un signal.
 Composants passifs
 Résistance
 Condensateur
 Inductance
 Transformateur
 Diode (semi-conducteur)
 Composants actifs :
 Transistor (semi-conducteur)
 Circuit intégré (ensemble de semi-conducteur)
Quels Composants pour quelle Electronique ?
 Electronique Analogique (BF, HF)
 Résistance
 Condensateur
 Inductance
 Diode
 Transistor
 Amplificateur opérationnel (circuit intégré)
 Electronique Numérique (circuits intégrés)

 Microprocesseur
 Composant programmable
 Mémoire
 Porte logique (obsolète)
Quels Composants pour quelle Electronique ?
 Electronique de Puissance/Electrotechnique
 Résistance
 Condensateur
 Inductance
 Diode
 Transistor
 Circuit intégré (pont en H)
 Même si les composants portent le même nom :

 Les modèles ne sont pas identiques.
 Les hypothèses simplificatrices ne sont pas identiques.
 Personnes ne peut être spécialiste de toutes ces disciplines.
 Quelques exemples…
Bloc alimentation secteur
Transformateur
Redressement
Filtrage
Visualisation
Chargeur de téléphone
Redressement
CI Analogique
Hacheur
Transformateur HF
Unité Centrale Sèche linge
Intelligence Commande
Connexions
vers Boutons
Alimentation
Unité Centrale Automatisme Portail
Alimentation
Commande
CI Numérique
Portes logiques
« Intelligence »
Tuner TV Analogique
CI : Analogique
TV-UHF-Tuner
(400MHz)
CI : Analogique
PLL-1.3GHz
CI : Numérique
EEPROM
Tuner TV Analogique
Amplificateur Audio Stéréo
Section audio stéréo sur

un téléviseur en fin de vie…
 C’est simple :
 Un circuit intégré
(TDA 4935).
 Quelques
composants passifs.
 C’est le montage proposé

dans la datasheet
La datasheet
Contenu :
 Schéma d’application
L’électronique c’est simple mais…
 Le plus dure c’est de savoir :
 quelles sont les hypothèses
 quel est le modèle que l’on peut appliquer.
Ensuite que l’on fasse les calculs à la main

ou avec un simulateur
ce n’est plus un problème.

Quelques Rappels
Pour ce module il faut se rappeler

(module « circuits électriques »)
des relations suivantes…
Relations indispensables…
 Loi d’ohm
 U : Tension (V) U  RI U
 R : Résistance (Ω) R
 I : Ampère (A) I
 Association de résistances
 Résistances en série  Résistances en parallèles
Req  R1  R2  ...  RN 1 1 1 1
   ... 
Req R1 R2 RN
 Puissance dissipée
 P : Puissance (W)
 U : Tension (V)
 R : Résistance (Ω)
 I : Ampère (A)
 En continu  En alternatif
2
U 2
U eff
P  RI  2
P  RI 2
eff 
R R
 Tension moyenne  Tension efficace
1 t T 1 t T 2
  u (t )dt
U moy
T t
U eff  
T t
u (t )dt
 Courant moyen  Courant efficace
1 t T 1 t T 2
  i (t )dt
I moy
T t
I eff  
T t
i (t )dt
 T : période du signal U Max I

 Pour une sinusoïde : U eff  I eff  Max
2 2
 Charge électrique d’un condensateur
 qA : Charge de l’armature A (C)
 C : Capacité du condensateur en (F)
 U : Tension aux bornes du condensateurs (V)
q A  CU
 Intensité de charge (décharge) d’un condensateur
dq(t ) du (t )
i (t )  C
dt dt
 Capacité d’un condensateur plan
 ε0 : Permittivité du vide 1/36π 109
 εr : Permittivité relative de l’isolant
 S : Surface des armatures en regard (m2)
 e : Epaisseur du diélectrique (m)
S
S
e C    r
e
 Energie emmagasinée
 W : Energie (J) 1
 C : Capacité (F) W  CU 2
 U : Tension aux bornes (V) 2

 Association de condensateurs
 Condensateurs en série
1 1 1 1
   ... 
Ceq C1 C2 CN
 Condensateurs en parallèles
Ceq  C1  C2  ...  C N
 Tension aux bornes d’une inductance
 U : Tension (V)
 L : Inductance (H)
di(t )
 I : Intensité (A) u (t )  L
dt
 Energie emmagasinée
 W : Energie (J) 1 2
 L : Inductance (H) W  LI
 I : Intensité (A) 2
 Association d’inductances
 Inductances en série
Leq  L1  L2  ...  LN
 Inductances en parallèles
1 1 1 1
   ... 
Leq L1 L2 LN
 Loi des nœuds
La somme algébrique des courants aboutissant à
M un nœud est nulle.
i
k 1
k 0
M : nombre de branches connectées au nœud
considéré.
 Loi des mailles

M Le long d’une maille, la somme algébrique des
u
tensions est nulle.
k 0
k 1 M : nombre de dipôles (branches) formant la
maille considérés.
Caractéristiques de la tension secteur
 Forme d’onde de la tension secteur ?
 Fréquence?
 Tension maximale?
 Tension moyenne?
 Tension efficace?
 Forme d’onde du courant secteur?

Réponse en fréquence
Gain
X dB  20 Log10 X
Exemple :
• 20 dB = 10
• 40 dB = 100
• Etc…
Fréquence de coupure à -3dB : Fréquence pour laquelle le gain vaut -3db.

Phase
Circuit RC
C’est un pont diviseur…

Z1  R
1 Vs 1
Ve Z2   Vs 
jC Ve 1  jRC
Module RC
Si ω→0
alors Gdb (ω )= 0 dB
Si ω=ωc=1/RC
alors Gdb(ω c) = -3 dB
Pulsation (fréquence) de
coupure
ω = 2πf

GdB    10 Log10 1  RC 
2

Phase RC
Si ω→0
alors Θ(ω) = 0°
Si ω=ωc=1/RC
alors Θ(ωc) = -45°
Pulsation (fréquence)
de coupure
    Arctg RC 

Nombres complexes
Soit un nombre complexe Z = a + jb
Module de Z = a + jb Z  a  b
2 2
b
Phase de Z = a + jb  arctan  
a
Nombres complexes
Propriétés du module
Soit 2 nombres complexes Z1 et Z2
Z1  Z 2  Z1  Z 2
Z1 Z1
 
Z2 Z2
Nombres complexes
Propriétés de la phase
Soit 2 nombres complexes Z1 et Z2
Arg Z1  Z 2   Arg Z1   Arg Z 2 
 Z1 
Arg    Arg Z1   Arg Z 2 
 Z2 
Logarithme
Propriétés
x
Log   Log x   Log  y 
 y
 
Log x nLog x 
n
Historique
Tube électronique
 1904 : John Ambrose Fleming, à partir des observations de Thomas
Edison (1883), invente la « diode à vide »
 1906 : Lee De Forest ajoute une troisième électrode qui permet de
contrôler le courant, il vient d’inventer « l’audion » encore appelée
« triode ».
 La triode est un très bon amplificateur de tension.
 Apogée : 1960-1970
 Radio, télévision, ordinateur (exemple ENIAC comptait pas moins de
18000 tubes à vide)
 Inconvénients :
 Consommation
 Tension élevée (≈250V)
 Encombrement,
 Fiabilité ( Durée de vie ≈ 2 000H, les téléviseurs tombaient en panne
régulièrement à cause d’une « lampe » grillée)
 Toujours utilisés :
 Amplificateur audio HI-FI pour mélomanes…
Historique
Transistor
 1947 : John Bardeen, William Shockley et Walter Brattain , alors
chercheurs pour la compagnie Bell téléphone, inventent le transistor.
 1956 : ces trois chercheurs reçoivent le prix nobel de physique pour
leur invention.
 C’est le composant de base de l’électronique il est utilisé
principalement comme :
 Interrupteur
 Amplificateur
 Progrès par rapport au tube à vide :
 Petit
 Fiable (durée de vie ≈100 000H)
 Alimentation par pile possible (9V)
 Très rapidement il va être associé à d’autres composants au sein d’un
même circuit
Historique
Circuit Intégré
 1959 Jack S. Kilby met au point le premier circuit intégré comportant 5
000 composants élémentaires.
 Numérique :
 Portes logiques
 Microprocesseurs
 1971 : Premier microprocesseur, le 4004 (2 300 transistors)
 Analogique :
 Amplificateur Opérationnel
 Aujourd’hui c’est surement plusieurs dizaines de millions de références
de circuits intégrés disponibles sur le marché…
 Lorsque le nombre de transistors est supérieur à 10 000 on parle de circuits
VLSI
Historique
VLSI (Very Large Scale Integration : entre 10 000 et 100 000 transistors)
1978 : 8086 INTEL (29 000 transistors)
A partir de 100 000 transistors on parle de ULSI
ULSI (Ultra Large Scale Integration : à partir de 100 000 transistors)

 1982 : 80286 INTEL (275 000 transistors)
 1989 : 80486 INTEL (1.16 millions de transistors)
 2006 : Core 2 Quad (582 millions de transistors)
 Les circuits intégrés ne sont pas des inventions majeurs.
 C’est « simplement » le résultat d’une meilleure maîtrise des

procédés de fabrication et d’intégration.
Amplificateurs opérationnels
Plusieurs types de boîtiers Plusieurs types de symboles
-
+
Amplificateur Buffer
différentiel
Attention :
 C’est un composant actif, il doit
donc être alimenté (mono tension,
alimentation symétrique).
 On ne représente jamais
l’alimentation sur le schéma.
Pré Amplificateur micro
Amplificateur EMG
Amplificateurs EMG
Etage d’entrée
Amplificateur d’instrumentation
INA 118
Amplificateurs EMG
Filtrage actif
Amplificateurs EMG
Sommateur + Filtage
Amplificateur opérationnel idéal
Impédance d’entrée : Zi = ∞
Impédance de sortie : Zo = 0
Gain : A = ∞
VE+ +
Zo VOut = A(VE+-VE-)
Zi
VE- ε +
- A(VE+-VE-) ε = (VE+-VE-)
-
Amplificateur différentiel : la sortie dépend

de la différence des deux entrées VE- et VE+
Amplificateur opérationnel idéal
En régime linéaire :
Vout  VE- = VE+ , (ε = 0).
 La condition (ε = 0) est réalisée par une
+VAlime « contre réaction » (boucle de retour sur l’entrée
V+Sat inverseuse).
 La tension de sortie ne peut en aucun cas être
supérieure aux tensions d’alimentations de
l’AOp.
ε  Amplification.
V-Sat En régime de saturation :
-VAlime  L’AOp est saturé (si ε ≠ 0).
 La condition (ε ≠ 0) est réalisée par une
« contre réaction » (boucle de retour sur l’entrée
non inverseuse), ou en boucle ouverte.
 Comparateur.
Amplificateur Opérationnel idéal
 Gain :
La fonction première d’un amplificateur opérationnel est
d’amplifier.
Plus le gain est important plus l’amplificateur remplit sa
fonction première.
Ce gain doit toujours être diminué par des composants
externes.
Le gain est supposé infini (AOp idéal).
 Impédance d’entrée :
L’impédance d’entrée est supposée infinie (AOp idéal).
La source qui commande l’amplificateur Opérationnel n’est pas
affectée par AOp.
Amplificateur Opérationnel idéal
 Impédance de sortie :
L’impédance de sortie est supposée nulle (AOp idéal).
L’amplificateur opérationnel peut ainsi fournir autant de courant
que nécessaire à la charge.
 Temps de réponse :
La sortie doit changer d’état au moment même où l’entrée
change d’état.
La réponse en fréquence doit être plate et la bande passante
infinie.
 Offset :
La sortie de l’amplificateur doit être nulle lorsque la différence de
tension entre l’entrée positive et l’entrée négative est nulle.
Amplificateur opérationnel
Montage inverseur
Eo Ro
ie ie G 
Ei Ri
i=0
ε=0 Re  Ri
Utilité :
 Amplification de signaux de faible amplitude (pré ampli micro,
amplification signaux IR,…).
Montage non inverseur
i=0 Eo Ro
G  1
ε=0
Ei Ri
i=0 ie
Ei
Re  
ie
Utilité :
 Amplification de signaux de faible amplitude (pré ampli micro,
amplification signaux IR,…).
Montage suiveur de tension
i=0
Ei Ei
Eo
i=0 ε=0 G 1
Ei
Utilité :
 Impédance d’entrée élevée.
 Impédance de sortie faible.
 Adaptation d’impédance entre deux étages successifs.
Montage sommateur
Utilité :
 Addition (calculateur analogique).
 Table de mixage.
i=0 Ro N
Eo    E n
ε=0 Ri n 1
Montage sommateur pondéré
Utilité :
 Addition pondérée (calculateur
analogique).
 Table de mixage.
N
i=0 En
ε=0
Eo   Ro 
n 1 Rn
Montage dérivateur
ici dEi t 
Eo   RoCi
dt
i=0
dEi t 
iCi  Ci
dt
Utilité :
 Dérivation (calculateur analogique).
 Modifier la forme d’un signal.
Montage intégrateur
1
Eo 
Ri Co  Ei (t )dt
Utilité :
 Intégration (calculateur analogique).
 Modifier la forme d’un signal.
Montage Amplificateur de différence
Ro
Eo  E2  E1 
Ri
Utilité :
 Soustraction (calculateur analogique).
Montage Amplificateur différentiel d’instrumentation
Utilité :
 Amplification de signaux de
très faible amplitude
(instrumentation médicale,…)
R2  2 R 
Vo  1  VE2  VE1 
R1  R0 
Amplificateur Opérationnel
Comparateur à seuil
R2 // R3 R2 // R1
Seuils  Vcc  VoMax
R1  R2 // R3 R3  R2 // R1
Amplificateur Opérationnel réel
Zed : Impédance d’entrée différentielle
(input differential impedance).
ZMC ZMC : Impédance d’entrée de mode commun
VE+ (impedance common mode).
+
Zo VOut = A(VE+-VE-)
ε Zed
+
VE-
- A(VE+-VE-)
-
BW : Le constructeur précise souvent la
ZMC bande passante pour un gain unitaire (A = 0
dB, BW : unity gain bandwidth ).
Lorsqu’un AOp ne reçoit aucun signal sur ses
entrées, il subsiste une tension continue Voffset.
Voffset : représente la tension qu’il faudrait
appliquer entres les deux entrées de l’AOp
I+ (lorsque celles-ci sont à zéro) en boucle
ouverte pour que la tension de sortie soit
+ nulle.
VE+
VOut
Voffset AOp
- Idéal
VE-
I- Lorsqu’aucun signal n’est appliqué à l’entrée

de l’AOp il existe des courants de polarisation
sur les entrées (I+ et I-).
Les constructeurs indiquent :
 Courant de décalage en entrée (Input offset current).

I OC  I   I  
 Courant de polarisation moyen (Input bias current).
 
I I
I BC 
2
Dépassement
Entrée
Amplitude Sortie
90% dV (Vmax  Vmin )  80%

dV SR  
dt Temps de montée
10%
dt Temps
Temps de montée
SR : Lorsque la vitesse de variation du signal de sortie devrait être supérieure à
la vitesse de balayage (slew rate) de l’amplificateur, la tension de sortie est une
droite.
Temps de montée : Le temps que met le signal de sortie pour passer de 10% à
90% de sa tension maximale de sortie (Rise Time).
Lorsqu’on diminue le gain (contre
20 log A (dB) réaction), gain en boucle fermé on
augmente la bande passante du
montage.
D’où l’intérêt de « cascader » les étages
d’amplification.
0
Fc Fc F (Hz)
Les constructeur précisent souvent la bande passante pour un gain unitaire
(A=0dB).
Gain unitaire : Amplification x Bande Passante = Constante

Amplificateur Opérationnel Réel
Exemple : Caractéristiques principales (TL07x)
Tension d’alimentation
Tension d’offset, Courant de décalage et de polarisation

Amplificateur Opérationnel Réel
Exemple : Caractéristiques principales (TL072)
Impédance d’entrée
Gain unitaire, Slew Rate, Temps de montée

Diodes/LED
Chargeur de téléphone LED : Light Emmitting Diode

Symboles et Convention
Une diode est un composant à semi-conducteur qui laisse passer le courant
dans un sens, et pas dans l’autre.
Symboles
Convention Vd
Id La flèche indique le sens passant
de la diode.
Anode Cathode
Diode à jonction
Une diode réelle est le plus souvent réalisée au moyen d’une jonction
PN, dont la caractéristique directe est donnée par :
 VVd  KT P N
I d  I SS  e t  1 Avec Vt 
  q
 
Iss : Courant de saturation inverse
K : Constante de Boltzmann (1.38 x 10-23 JK-1)
q : Charge d’un électron (1.36 x 10-19 C)
T : Température en (K)
Vd : Tension directe (V)
η : Coefficient de matériau (1< η<2), 1 pour le silicium
V0 : Tension de seuil (0.7V pour un substrat de silicium)
Diode à jonction
Caractéristique directe
1,4
1,2
0,8
Id (mA)
0,6
0,4
0,2
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
-0,2
Vd (V)
Diode Idéale
Le comportement d’une diode peut être décrit par sa caractéristique
courant-tension : VA ≥ VK
Id A K
Interrupteur ouvert
Id
Interrupteur fermé
A K
Vd
Vd = VA - VK
VA < VK
Diode avec seuil
Si on tient compte de la tension de seuil de la diode, son
comportement peut être décrit par sa caractéristique courant-tension :
Id VA ≥ VK + V0
A + - K
Id V0
A K
V0 Vd
Vd = VA - VK
VA < VK
Diode avec seuil et résistance
Si, de plus, on tient compte de la résistance interne de la diode, son
comportement devient :
VA ≥ VK+ V0
Id
A + - K
Id
V0 Rd
A K
V0 Vd
Vd = VA - VK
VA < VK
A K
La résistance de la diode Rd est une résistance dynamique.
Elle varie avec l’intensité qui traverse la diode.
La résistance dynamique de la diode est la dérivée de la caractéristique
électrique en un point.
Id
d (Vd  f ( I d )) Vd
Rd  
dI d I d ΔId
 VVd 
I d  I SS  e t  1
 
 
V0 ΔVd Vd
En dérivant l’expression du courant direct Id
 VVd 
I d  I SS  e t  1
 
 
On obtient :
I SS
Vd Vt
Rd  e Vt Rd 
Vt Id
Ordre de grandeur :
 Rd = 1Ω pour 40mA
 Rd = 1KΩ pour 40µA
Diode à jonction
Caractéristique directe
1,4
1,2
0,8
Id (mA)
0,6
0,4
0,2
0
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8
-0,2
Vd (V)
Attention : La valeur du « seuil » dépend de l’échelle d’observation des

courants.
Diode à Jonction (tension faible)
0,48
0,43
0,38
0,33
0,28
Id (µA)
0,23
0,18
0,13
0,08
0,03
-0,02 0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3

Vd (V)
Diode à jonction
Lorsque la tension inverse devient trop Id
grande, il apparaît un phénomène de
« claquage ».
Le « claquage » non contrôlé est
généralement destructeur.
Zone de claquage
Iss
V0 Vd
Seuil
Sens Bloquant Sens Passant

Caractéristique inverse Caractéristique directe
Redressement Mono Alternance
Lorsque la diode est passante :
VO  VI  Vd
U max U max
VOeff  VOmoy 
2 
Détecteur de crête
La capacité se charge lorsque la diode
est passante.
Vd La capacité ne peut pas se décharger.
Détecteur de crête
Vd
Décalage (clamping)
La capacité se charge lorsque la
diode est passante :
Vc VO  VI  Vc
La capacité ne peut pas se
décharger.
Lorsque Vc atteint la valeur Vc = -VIMAX VO  VI  VIMax

Ecrêtage
Id
Redressement Double Alternances
U max
VOeff 
2
2U max
VOmoy 

Redressement Pont de Graetz
U max
VOeff 
2
2U max
VOmoy 

Diode zener idéale K K
Id
A A
Vz VAK < 0
K Vd
Iz
Iz VAK > 0
+
Vz
A
Diode zener
Caractéristiques :
 L’effet zener concerne la caractéristique inverse de la diode.
 En direct, une diode zener se comporte comme une diode

normale.
 En inverse, le constructeur fait en sorte que l’effet zener ou

d’avalanche se produise à une tension bien déterminée, et ne soit
pas destructif. La caractéristique inverse présente alors l’allure
d’un générateur de tension à très faible résistance interne
(quasiment idéal).
Diode zener
Caractéristiques :
 En général, les constructeurs spécifient :

 La tension d’avalanche Vzt pour un courant déterminé Izt.
 A ce point de fonctionnement Vzt/Izt on définit la résistance
dynamique de la diode zener rzt.
 Le courant Izm, courant maximal pour lequel la puissance
dissipée dans le composant est maximale (destruction de la
diode au-delà de ce courant).
 Le coefficient de variation en température de la tension Vzt.
 La tension de zener peut varier entre 2.4V et 270V.

Diode zener
Caractéristiques :
 En dessous de Vzt = 5V, c’est l’effet zener qui prédomine.
 Au dessus de Vzt = 10V, c’est l’effet d’avalanche qui prédomine.
 Entre ces deux valeurs c’est une combinaison de ces deux effets.
Applications :
 Régulation.
 Décalage.
 Ecrêtage.
Diode zener « réelle »
Id K K
 Sachant que la caractéristique
réelle est une exponentielle.
A A
Vz VAK < 0
VAK > 0 Vd
K Iz
Iz
+
Vz
rz
A
Régulation d’une tension
« Pont diviseur »
Régulation zener
Photodiode I Courant dans
Lorsque la lumière atteint la jonction, l’obscurité
un courant inverse supplémentaire –IL
se superpose au courant « ordinaire »
de la diode. Ce courant provoque une Courant en plein
translation de la caractéristique
soleil
V
IL
 VV 
Utilisations : I  I S  e t  1  I L
 Photodiode  
 Cellule photovoltaïque
 
Photodiode
 Le courant IL dépend de l’éclairement.
 S = R IL
Ordre de grandeur (quelques dizaines de µA).

Photovoltaïque
La photodiode se comporte comme un générateur de f.e.m. de

l’ordre de 0.7V et de résistance interne Ri≈0.7/IL dépendant de
l’éclairement.
Diode électroluminescentes (LED)
Caractéristiques :
 Ces diodes spécifiques ont la propriété d’émettre de la lumière
dans une bande de fréquence déterminée par les caractéristiques
du matériau employé quand elles sont traversées par un courant
direct.
 Il existe des Leds de différentes couleurs (rouge, verte, jaune,

blanche, infrarouge,…)
 La tension de coude de ces composants est plus élevée que

celle des diodes ordinaires, et elle dépend de la couleur.
 La tension de coude varie entre 1.2V et 3.8V environ.
Diode électroluminescentes (LED)
V0 ≈ 1. 7V
I = V/R1 V ≈ 10V-1. 7V
I ≈ 25mA V ≈ 8.3V
Transistor Bipolaire
Transistors bipolaires
Architecture interne d’un Amplificateur Opérationnel
On distingue deux types de transistors qui différent par leur
structure :
 Le transistor NPN dans lequel la base, zone de type P, est
située entre deux zones de type N, l’émetteur et le collecteur.
Transistor de type NPN

 Le transistor PNP dans lequel la base, zone de type N, est
située entre deux zones de type P, l’émetteur et le collecteur.
Transistor de type PNP

 La flèche sur le symbole indique l’émetteur et le type de
transistor.
 Le transistor est un semi-conducteur contrôlable permettant

deux types de fonctionnement :
 Un fonctionnement en bloqué-saturé ou en commande
Tout Out Rien (TOR).
 Un fonctionnement en amplificateur de courant.

Caractéristiques NPN
En fonctionnement normal :
 La jonction BE (Base-Emetteur) est polarisée dans le sens direct.
 La jonction BC (Base-Collecteur) est polarisée dans le sens
inverse.
 VBE ≈ 0.7V
 VBC ≤ 0 => VCE ≥ 0.7V
 IC ≥ 0, IB ≥ 0, IE ≤ 0
 IC + IE + IB = 0
 IC = β IB (β > 0)
 IC =- a IE ≈ -IE (a > 0)
Caractéristiques PNP
En fonctionnement normal :
 La jonction BE (Base-Emetteur) est polarisée dans le sens direct.
 La jonction BC (Base-Collecteur) est polarisée dans le sens
inverse.
 VBE ≈ -0.7V
 VBC ≥ 0 => VCE ≤ -0.7V
 IC ≤ 0, IB ≤ 0, IE ≥ 0
 IC + IE + IB = 0
 IC = β IB (β > 0)
 IC =- a IE ≈ -IE (a > 0)
Caractéristiques de transfert idéales NPN
IC
IB IB = f(VBE)
IC = f(IB)
V0 = 0.7V VBE
IB
IC IC = f(VCE)
 Dans le cas d’un PNP
il suffit de changer tous IB = Cte
les signes.
V0 = 0.7V VCE
Caractéristiques de transfert réelles
IC Les différentes caractéristiques :
Ic = f(VCE)
VCE Ic = f(IB)

IB
VBE
VBE = f(IB)
Sont obtenues à partir de ce

montage en faisant varier (V1, V2
et R1)
Caractéristique IC = f(IB)
On fait varier le courant IB en faisant varier la tension V1.
 Le courant dans le
collecteur (IC) et
proportionnel (β) au
courant dans la base (IB).
 Le gain en courant β
dépend un peu de VCE.
Caractéristique IC = f(IB)
Mode saturé.
 Si le courant dans Régime linéaire
la base (IB) augmente IC = β IB
au-delà d’une Régime saturé
certaine valeur IBSat, le IC = βSat IBSat
transistor est saturé IC = Cste
(IC est alors constant Régime bloqué
pour toutes valeurs IC = 0
de IB>IBSat). IB = 0
IBSat
Caractéristique VBE = f(IB)
On fait varier le courant IB en faisant varier la tension V1.
 On retrouve la
caractéristique
courant/tension d’une
diode.
 La caractéristique VBE =
f(IB) dépend un peu de VCE
Caractéristique IC = f(VCE)
On fait varier la tension V2 pour différentes valeurs de R1; c’est-à-
dire pour différentes valeurs du courant IB.
Régime linéaire :
 Une petite variation autour
du courant IC entraîne une forte
variation de la tension VCE.
Régime linéaire
Caractéristique IC = f(VCE)
Si on fait un zoom à l’origine.
Régime linéaire :
 Une petite variation
autour du courant IC
entraîne une forte variation
de la tension VCE.
Régime linéaire
Régimes de fonctionnement
Pour définir les différents régimes de fonctionnement prenons un
exemple :
Sortie
Entrée Utilisation
Commande
Droite de charge Saturé
IC
A Point de fonctionnement
E/RC A’ (IC0, VCE0, IB0)
IB = Cte
E  RC I C  VCE
IB0
Equation d’une droite : IC0
E VCE A’’
Ic  
RC RC V0 = 0.7V VCE0 E VCE
Droite de charge Bloqué

Point de fonctionnement
Si le point de fonctionnement et trouve en A’ et A’’
 VCE > 0.7V, IB > 0, IC > 0
Le transistor fonctionne en régime « normal » ou « linéaire » ou

encore « actif ».
On a IC = β IB.
Si le point de fonctionnement et trouve en A’’

 VCE = E, IB = 0, IC = 0
Le transistor est dit « bloqué ».

Point de fonctionnement
Si le point de fonctionnement et trouve entre A et A’

 VCE < 0.7V
La jonction n’est plus polarisée en inverse et IC < β IB.
IC est limité par le circuit extérieur et non par le transistor.
Le transistor est dit « saturé ».

Régime Bloqué
 RB -> ∞
 IB = 0
 IC = 0
 VCE = E
 P = VCE IC = 0
Régime Normal, Linéaire, Actif
VBE  Vseuil  0.7V

eB VBE
IB  
RB RB
I C  I B
βIB
VCE  E  RC I C
P  VCE I C
Régime Saturé
E VCE
VCE  0 voire VCE  0.2V I C  I Csat  
RC RC
eB VBE
IB  
RB RB
VBE  VSeuil  0.7V
P  VCE I C  0
Transistor en commutation
On utilise le transistor en régime :
 Si eb = 0 alors le transistor est Bloqué
 Le transistor est Saturé si IC < βIB, i.e.

I CSat   Sat I BSat
E  VCE (eb  VBE )

   Sat
RC RB
E (eb  VBE )
I C  I B  
RC RB
Transistor en commutation
Commande d’un relais :
 Le transistor permet de commander
en Tout Ou Rien (TOR) le relais à partir
d’une tension d’entrée Ve.
 Le relais comprend entre ses bornes
une bobine (inductance L) en série avec
une résistance r.
 La diode D est une « diode de roue
libre » qui assure la continuité du
courant dans l’inductance du relais au
blocage du transistor. Sans la diode une
surtension détruirait le transistor.
Transistor en amplification
 Le transistor est un composant unidirectionnel.
 Pour amplifier un signal qui évolue dans le temps il faut ajouter
une composante continue appelée « polarisation »
 Qui fixe le point de fonctionnement sur la droite de charge.
 On utilise alors le théorème de superposition :
 Dans un circuit linéaire comportant plusieurs sources de
tension et/ou de courant, le courant (ou la tension) en tout
point du circuit est égal à la somme algébrique des courants
(tensions) produits indépendamment par chaque source
agissant seule (i.e. le courant produit par une seule source
lorsque toutes les autres sources sont éteintes).
Transistor en amplification
 Une source de tension parfaite « éteinte » doit être remplacée
par un court-circuit.
 Une source de courant idéale « éteinte » doit être remplacée par

un circuit ouvert.
Circuits de polarisation
Montage simple
 Le point de repos dépend beaucoup
de β.
I C  I B
VCC  VBE 0
I B0 
R1
VCC  VBE 0
IC 0  
R1
 β varie beaucoup d’un transistor à
l’autre.
Montage difficilement utilisable

Circuits de polarisation
Montage classique
 R1 et R2 sont choisies de manière à
ce que le courant I soit grand (I > 10 I
Ib0) devant le courant Ib0
R2
VB  Vcc
R1  R 2
 Comme Ic0 est grand devant Ib0 I
VB  VBE 0 VB
I E 0  IC 0 IC 0 
RE
 Le point de fonctionnement est
indépendant de β.
Schéma de perturbation
Supposons que :
 IB varie de ΔIB = ib
 Alors IC varie de ΔIC=ic=βib

 VBE varie de ΔVBE=vbe
 Et on a ic
VBE vbe βib

  rbe
I B ib ib
Où rbe est la résistance dynamique de la jonction BE

Il est souvent commode d’exprimer ic en fonction de vbe :

ic  ib  vbe
rbe ic
On note :
ic  g m vbe gmvbe
Où
 ib rbe
gm 
rbe
est la transductance du transistor.
gm est une grandeur intéressante, car elle dépend
essentiellement du courant de collecteur, et non du transistor. En
effet, gm n’est autre que la dérivée de Ic par rapport à VBE au point
de fonctionnement.
I c ic
  gm
VBE vbe
Autres notations :
 la résistance dynamique rbe est souvent notée h11e (hie en
anglais)
 Le gain en courant statique β est noté hFE
 Le rapport β=IC/IB n’est pas tout à fait égal au rapport h21e=ic/ib
(hfe en anglais).
Utiliser un logiciel de simulation
 Pour valider le fonctionnement d’un schéma électronique, on a de
plus en plus recourt à des outils de simulation logiciel.
 Le programme de simulation le plus connu est SPICE (Simulation
Program with Integrated Circuit Emphasis)
 Ce logiciel a été développé dans les années 1970 à l’université de
Berkeley.
 Ce logiciel a servi de base à la plupart des simulateurs, libres ou
commerciaux, actuellement sur le marché. On peut citer :
 LTspice (Gratuit Linear Technology)
 Tina-TI (Gratuit Texas Instruments)
 TINA (Evaluation DesignSoft)
 NI Multisim (Gratuit Analog Devices)
 OrCAD PSice A/D (Evaluation Cadence OrCAD)
Compétences acquises
 Connaître et savoir utiliser les différents appareils de mesures :
 Alimentation stabilisée (Tektronix PS280)
 Générateur de fonctions (TTi TG550)
 Multimètre (TTi 1604)
 Oscilloscope (HP 54603B)
 Savoir câbler un montage électronique simple à base :

 De composants passifs (résistances, capacités, inductances).
 De composants actifs (diodes, transistors)
 De circuits intégrés (Amplificateurs Opérationnels, circuits spécifiques)
 Comprendre et analyser de manière qualitative et quantitative le

fonctionnement d’un montage électronique simple à base :
 De composants passifs (résistances, capacités, inductances).
 De composants actifs (diodes, transistors)
 De circuits intégrés (Amplificateurs Opérationnels, circuits spécifiques)
Utiliser un logiciel de simulation
 Ces outils ne dispensent pas :
 De connaître l’électronique.
 De connaître le comportement des différents composants.
 De réfléchir…
 On peut obtenir « n’importe quoi » avec ce genre d’outils si on ne
connait pas :
 Les limites des modèles de composants qui sont choisis.
 Le pas de calcule.
 Ces outils permettent :
 De gagner du temps.
Lorsqu’on les utilise correctement.
Vous savez vous servir LTSpiceIV (1er semestre)

La plaque de connexion.
Lignes reliées horizontalement
généralement utilisées pour :
 les alimentations (Rouge)
 la masse (Noir)
Lignes reliées verticalement. Le haut

n’est pas relié au bas.
Objectifs du module
• savoir utiliser les différents appareils de mesures :
• Alimentation stabilisée (Tektronix PS280)
Réglage de la
limitation de
courant
Réglage de la
tension variable
Borne Négative
Référence Masse
Borne de terre LED Rouge :

Court Circuit
Borne Positive
Objectifs du module
• Générateur de fonctions (Tektronix AFG1022)
Objectifs du module
• Multimètre (TTi 1604)
Objectifs du module
• Oscilloscope (Tektronix TBS1052B)
 Sinon les séances de TP ne servent à rien…

Bases de Lélectronique 2017-2018

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Bases de l’électronique

• De composants actifs (diodes, transistors bipolaires)

• De circuits intégrés (Amplificateurs Opérationnels,

 Etre capable d’utiliser une documentation technique afin

 Savoir utiliser les principaux appareils mis à la disposition de

Ordre de difficulté croissant…

 Dans chaque DS théorique il y a ≈ 5 points sur 20 pour les questions de

Je n’exclus pas d’en faire en début de TD si vous ne

 Le module de circuits et mesures électrique du 1er

Véhicules hybrides voire électriques.

 Une joint-venture entre Vinci et le groupe britannique de BTP Balfour Beatty,

 La « Solar Roadways » (route solaire) est pavée de panneaux solaires et

Aop (Amplificateur Opérationnel)

Une bobine (électro aimant)

Puissance de la charge : 30W

Durée de vie du composant

Réponse en fréquence de l’œil

Réponse en fréquence de la LDR proche de celle de l’œil humain.

Ce capteur convient bien à cette application.

Un simple montage diviseur de tension

On retrouve les résultats théoriques et ceux obtenus en simulation pour

 Mais pas pour R2=10MΩ

D’où (cas général) : D’où (cas ROscilloscope>>R) :

kR kR Résistance variable R de résistance :

Pour un potentiomètre de i(t)

Pour vous aider…

A fréquence élevée, le courant à tendance à circuler quasi

 Faire des hypothèses « raisonnables» .

 Vue de la transmission d’énergie électrique :

 Cependant, lorsqu’on choisit un câble de section inadaptée et qu’on le

 Si ce même câble est utilisé pour transmettre de l’information (modem

Pour vous aider…

 Quelle est la tension vs?

 Electronique Numérique (circuits intégrés)

 Même si les composants portent le même nom :

 Personnes ne peut être spécialiste de toutes ces disciplines.

Section audio stéréo sur

 C’est le montage proposé

Ensuite que l’on fasse les calculs à la main

ce n’est plus un problème.

Pour ce module il faut se rappeler

 T : période du signal U Max I

 U : Tension aux bornes (V) 2

 Loi des mailles

 Forme d’onde du courant secteur?

Fréquence de coupure à -3dB : Fréquence pour laquelle le gain vaut -3db.

C’est un pont diviseur…

    Arctg RC 

Arg Z1  Z 2   Arg Z1   Arg Z 2 

ULSI (Ultra Large Scale Integration : à partir de 100 000 transistors)

 Les circuits intégrés ne sont pas des inventions majeurs.

 C’est « simplement » le résultat d’une meilleure maîtrise des

Amplificateur différentiel : la sortie dépend

I- Lorsqu’aucun signal n’est appliqué à l’entrée

90% dV (Vmax  Vmin )  80%

Gain unitaire : Amplification x Bande Passante = Constante

Tension d’offset, Courant de décalage et de polarisation

Gain unitaire, Slew Rate, Temps de montée

Chargeur de téléphone LED : Light Emmitting Diode

Attention : La valeur du « seuil » dépend de l’échelle d’observation des

-0,02 0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25 0,3

Sens Bloquant Sens Passant

Lorsque Vc atteint la valeur Vc = -VIMAX VO  VI  VIMax

 L’effet zener concerne la caractéristique inverse de la diode.