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Electronique Slim Yacoub

République Tunisienne

Ministère de l’enseignement Supérieur

Et de la Recherche Scientifique

Institut National des Sciences Appliquées et de Technologie

Support de Cours

Module: D’électronique

2ème Année IIA et RT

Enseignant:

Slim Yacoub

1
Electronique Slim Yacoub

CH1 Elément actif à semi-conducteur


I Modèles statiques de la diode a jonction PN 8

I.1 Introduction:

I.2 Le modèle idéal:

I.3 Le modèle a seuil: 9

I.4 Le modèle linéarisé:

II Fonctionnement linéaire de la diode (régime petit signaux) 10

II.1 polarisation de la diode

II.2 Puissance maximale de la diode 11

II.3 Les claquage dans les diodes

II.3.1 le claquage par avalanche

II.3.2 Le claquage par effet tunnel 12

II.3.3 Le claquage thermique

II.4 Les capacités de la diode a jonction PN

III Les diodes zener 13

III.1 Modèle statique 14

III.2 Modèle linéarisé

CH2 Les Transistor bijonction


I Introduction 16

I.1 Polarisation d’un transistor: 17

II. montage a émetteur commun 18

II.1 Rapport α et β

II.2 Modèle Ebers-Moll 19

III. Caractéristique d’un transistor 20

III.1 Caractéristique du collecteur

III.2 caractéristiques de base 21


2
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III.3 Caractéristiques du gain en courant

III.4 Valeurs limites des transistors 22

III.5 Droite de charge en continu

III.6 Transistor Interrupteur 23

III.7 Transistor source de courant 24

IV Circuit de polarisation d’un transistor

IV.1Polarisation de base 25

IV.2 polarisation par réaction d’émetteur

IV.3 polarisation par réaction de collecteur 27

IV.4 polarisation par diviseur de tension 28

V circuit a transistor PNP 29

VI. Maintenance des transistors 31

CH3 Amplificateur à Transistor


A. Montage émetteur commun 32

I Introduction

I.1Condensateur de couplage et condensateur de découplages

II Application du théorème de superposition aux amplificateurs 33

II.1 Circuit équivalent en alternatif et en continu

II.2 Résistance en alternatif de la diode émetteur 35

II.3 Beta β en alternatif 36

III Amplificateur à émetteur à la masse

III.1 Modèle en alternatif d’un étage à émetteur commun 38

III.1.I Impédance d’entrée

III.1.2 Impédance de sortie

III.1.3 Modèle en courant alternatif d’un amplificateur à émetteur à la masse 39

3
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B. Montage collecteur commun


I Principe 40

I.1 Droite de charge statique

I.2 En dynamique 41

I.2.1 Circuit équivalent en courant alternatif 42

Impédance totale d’entrée de l’amplificateur

Impédance de sortie 43

Modèle en courant alternatif

C. Montage base commune


I Introduction 45

II Polarisation par diviseur de tension

II.1 Le circuit équivalent en alternatif 46

II.2 Le modèle en courant alternatif d’un amplificateur a bas commune 47

D. Paramètre hybride
I les paramètres hybride 48

II schéma équivalent en petit signaux

II.1 gain en courant et en tension 49

CH.4 Amplificateur de puissance


A Amplificateur classe A et classe B
I. Transistor classe A 51

I.1 Droite de charge en dynamique d’un amplificateur à émetteur commun

I.2 saturation et blocage dynamique 52

I.3 Dynamique du signal alternatif de sortie 53

II. fonctionnement en classe A 55

II.1 Puissance de charge 56

4
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II.2 Puissance dissipé par un transistor

II.3 Courant d’alimentation ou courant consommé

III Transistor classe B 57

III.1 Amplificateur Push-Pull

III.1.1L’équivalent en courant continu CC 58

III.1.2 L’équivalent en courant alternatif CA :

III.1.3 Distorsion de croisement de recouvrement ou de passage par zéro 60

III.1.4 Polarisation par diviseur de tension 61

III.1.5 Amplificateur d’attaque ou de pilotage d’un amplificateur classe B 64

III.2 fonctionnement en classe B

III.1.1 Puissance de charge

III.1.2 Puissance dissipé par un transistor

II.1.3 Puissance fournie au circuit Ps

III.3 Polarisation par diviseur de tension

III.4 Amplificateur d’attaque ou de pilotage d’un amplificateur classe B

B Amplificateur classe C
I Fonctionnement en classe C 65

Chapitre 5 les amplificateurs opérationnels


Introduction 68

I l’amplificateur différentiel ou de différence

I-1 Analyse en courant continu 69

-a Courant de queue IT.

-b Courant de décalage d’entrée

-c Tension de décalage d’entrée

I.2 Analyse en courant alternatif

Impédance d’entrée:

Gain en mode commun

5
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- Taux de rejection en mode commun (Common Mode Rejection Ratio)

I.2.1 Polarisation par miroir de courant 71

II l’Amplificateur opérationnel

II.1 Introduction 73

II.1.1 Symboles

II.1.2 Fonctionnement de l’amplificateur en comparateur 74

II.2 La rétroaction

II.2 .1 Définition

II.2.2 Différents type de contre-réaction 75

III Application linéaires de l’amplificateur opérationnel 76

III.1 Montages classiques

III.1.1 Amplificateur suiveur 77

III.1.2. Amplificateur non inverseur

III.1.3. Amplificateur inverseur 78

III.1.4 Amplificateur sommateur ou additionneur

III.1.5. soustracteur ou amplificateur de différence 79

III.1.6. Dérivateur Intégrateur 80

III.1.7. Convertisseur courant tension 81

III.1.8. Convertisseur tension courant

IV. Les filtres actifs 82

IV. 1Les filtres passe-bas

IV.2 Filtre passe-haut 84

Chapitre 6 Oscillateur
I Oscillateur sinusoïdaux 85

I.1 Gain de boucle et phase

II Oscillateur à pont de Wien 86

6
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II.1 Réseau d’avance de retard

II.2 fonctionnement 88

III.Oscillateur colpitts 89

III.I Montage a émetteur commun

IV Cristaux de quartz 91

IV.1 Fondamentales et harmoniques

IV.2 Résonnance série et résonance parallèle

V Minuterie 555 92

V.1 Bascule RS

V.2 Schéma fonctionnel du 555 93

V.2.1 Fonctionnement en Multivibrateur Monostable 94

V.2.2 Fonctionnement en multivibrateur astable 95

Bibliographie 96

7
Electronique Slim Yacoub

CH1 Elément actif à semi-conducteur

I Modèles statiques de la diode a jonction PN

I.1 Introduction:

Les modèles sont utilisés pour l’analyse des phénomènes, des processus, des systèmes et des
éléments. La diode est un élément non linéaire, l’équation liant le courant ID et la tension VD
est non linéaire :
VD

I D = I S (e m.VT
− 1)

VT : potentiel thermique

Is ; courant inverse

m : coefficient d’ajustement empirique

VD : tension appliquée aux bornes de la diode

Ceci rend l’analyse d’un circuit électrique comportant des diodes difficile. Pour faciliter donc
cette analyse on remplace les diodes par des modèles linéaires.

I.2 Le modèle idéal:

En direct la diode est considérée comme un circuit fermé :

VD =0 pour ID ≥ 0

En inverse la diode est considérée comme un circuit ouvert

ID =0 pour VD ≤ 0

a b c
A
A
ID

ID VD VD

0 VD K K

Fig1 Modèle idéal d’une diode a jonction PN a: forme graphique; b: schéma équivalent de la
diode en direct; c: schéma équivalent de la diode en inverse

8
Electronique Slim Yacoub

I.3 Le modèle a seuil: La forme analytique du modèle est exprimée par les équations :

VD = V0 pour ID ≥ 0

ID = 0 pour VD ≤ V0

a b c
A
A
ID ID
V0 VD VD

0 V0 VD K K

Fig2 Modèle a seuil a: forme graphique; b: schéma équivalent de la diode en direct; c: schéma
équivalent de la diode en inverse

I.4 Le modèle linéarisé:

La forme analytique du modèle est exprimée par les équations :

VD = V0 + rD .I D pour ID ≥ 0

ID = 0 pour VD ≤ V0
a b c
A
A
ID ID
VD VD
V0
∆ ID
α
rD
0 V0 VD

∆ VD K K

Fig3 Modèle linéarisé a: forme graphique; b: schéma équivalent de la diode en direct; c:


schéma équivalent de la diode en inverse

∆VD
rD . = cot anα =
∆I D

9
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II Fonctionnement linéaire de la diode (régime petit signaux)

Quand on fait passer un courant variable (par exemple sinusoïdal) id à travers une diode, si la
tension VD sur la diode a la même forme, la diode fonctionne en régime linéaire. Ceci est vrai
pour de très petites amplitudes de id et VD.

ID iD

A
t

VD
vD

Fig4 Diode linaire

II.1 polarisation de la diode

Le rôle de ID0 est de placer le point A au milieu d’une section linéaire de la caractéristique. La
diode doit être polarisée par le courant ID0 avant qui id ne soit appliqué.

V D = E 0 − .I D .R (1)

Equation du circuit de polarisation condition externe (1).


VD

.I D . = I S .e m.VT (2)

Equation de la caractéristique directe de la diode (condition interne) (2).

VD

ID
E0

Circuit de polarisation

10
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E0/R

ID
ID0 A

E0
VD0 VD
0
Fig5 Détermination graphique du point de fonctionnement de la diode

II.2 Puissance maximale de la diode

Tj − Ta
P = V D 0 .I D 0 = .
Rth
Puissance Puissance dissipée
électrique

Rth résistance thermique de la diode de l’ordre °c/W et atteint quelques centaines de °c/W
pour les diodes de petites puissance.

Tj : Température de la jonction

Ta : Température ambiante

Tj max − Ta
Pmax de la diode : P = (V D 0 .I D 0 )max = .
Rth

II.3 Les claquage dans les diodes

II.3.1 le claquage par avalanche

Dès que la tension inverse atteint une valeur critique appelée tension de claquage VBR , le
courant inverse s’accroit vite et sa valeur est limitée seulement par la résistance branchée en
série avec la jonction.

11
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dVD
La résistance dynamique de claquage : rz = = cot anα pour I d 〈 I z min
dI D

ID

VBR

α IZmin VD

IZmax

Fig6 Caractéristique complète d’une diode a jonction PN

II.3.2 Le claquage par effet tunnel

Il se produit quand l’anode et la cathode de la diode sont fortement dopées dans ce cas le
claquage par effet tunnel précède le claquage par avalanche

II.3.3 Le claquage thermique

Quand la diode est polarisée en inverse, VD0 est la tension inverse et ID0 le courant inverse.
Quand VD0 augmente la puissance électrique s’accroit et provoque une augmentation de la
température de la jonction Tj jusqu'à Tjmax d’où le claquage thermique

II.4 Les capacités de la diode a jonction PN

ε 0 .ε r .S
La capacité de transition CT =
d

S : aire de la jonction

d : largeur de la jonction

ε 0 Permittivité du vide

12
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ε r Permittivité relative du semi conducteur

τp.I Dp + τn.I Dn
La capacité de diffusion C D =
m.VT

τp : Temps de vie des trous

τn : Temps de vie des électrons

I Dp , I Dn courant de diffusion des trous et des électrons

τp.I Dp
τp >> τn et I Dp >> I Dn ⇒ CD =
m.VT
id

Vd C=CD+CT

rd C

Fig7 Schéma équivalent hautes fréquence de la diode

m.VT τp.
rD = ⇒ CD =
ID rD

En inverse C D << CT ⇒ C = CT

En direct C D >> CT ⇒ C = CD .

Les diodes en inverse sont utilisées comme condensateur dans les circuits intégrés. On les
utilisent aussi comme capacité commandé en tension dans les circuits de syntonisation.

Remarque : en continu l’impédance de la diode tend vers l’infini et les capacités sont
négligeables

III Les diodes zener

Presque toutes les diodes à jonction PN peuvent fonctionner dans leurs zones de claquage
électrique a condition qu’il reste réversible. Mais on conçoit des diodes zener spéciales pour
obtenir contrôler et garantir leurs paramètres souhaités.

La tension de claquage VBR est appelée souvent tension zener Vz

13
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Iz
Vz

Symbole

III.1 Modèle statique

a b c
K
K
ID IZ
VZ VD VD

0 VZ VD A A
Fig.8 Modèle idéale d’une diode Zener a: forme graphique; b: schéma équivalent dans la zone
de claquage; c: schéma équivalent avant le claquage

V D = VZ pour IZ ≥ 0

IZ = 0 pour VD ≤ VZ

III.2 Modèle linéarisé

a b c
K
K
IZ Iz
VZ VD VD
α
rz
0 Vz VD
A A

Fig.9 Modèle linéarisé d’une diode à jonction PN a: forme graphique; b: schéma équivalent
dans la zone de claquage; c: schéma équivalent avant le claquage

14
Electronique Slim Yacoub

VD = VZ + rZ I Z pour I Z ≥ 0

IZ = 0 pour VD ≤ VZ

Le circuit de polarisation de la diode zener est le suivant


R

VD

IZ
E0

Fig.10 Circuit de polarisation

Coordonnées du point de fonctionnement

E 0 − VZ
I D0 =
R + rz

E0 .rZ + R.VZ
VD 0 =
R + rz

R sert à placer le point de fonctionnement dans la zone linéaire de la caractéristique de


claquage.

15
Electronique Slim Yacoub

CH2 Les Transistors bijonctions

I.1 Introduction

L’impact du transistor dans le monde est énorme. En effet ce dernier a permit de réaliser
les circuits intégrés, les composants optoélectroniques et les microprocesseurs.

Un transistor ce présente comme suit :

C C

B B

E E
NPN PNP
Fig.1 Symbole d’un transistor

Émetteur Collecteur Émetteur Collecteur


Base Base

N P N P N P

Transistor NPN Transistor PNP

Fig.2 Semi-conducteur NPN et PNP

Dans le cas d’un transistor NPN :

L’émetteur est fortement dopé il injecte des électrons dans la base

La base est légèrement dopée et très étroite elle conduit la plupart des électrons injectés
par l’émetteur dans le collecteur

Le collecteur est moyennement dopé il collecte les électrons provenant de la base.

16
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Le transistor comporte deux jonctions il ressemble donc a deux diode, la première est
appelée la diode émetteur la seconde diode collecteur.

I.1 Polarisation d’un transistor:

• Montage base commune

N P N

- - -
- VEB VCB
+
+ +
+
Fig.3 Polarisation des deux diodes en direct.

Petit courant Petit courant

N P N

+ + +
+ VEB VCB

-
- -
-

Fig.4 Polarisation des deux diodes en inverse (rarement adoptée).

• Tension de claquage

Pour avoir l’effet transistor normal la diode collecteur doit être polarisé en inverse avec une
tension collecteur inférieure a la tension limite BVCE de même pour la diode émetteur qui
parfois dans certains transistor est polarisée temporairement en inverse.

17
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II. Montage a émetteur commun

RC

N
VCC

RB

P
Pt commun des deux sources de tension
N
VBB Reliées a l’émetteur d’où émetteur commun
commun

Fig.5 Montage à émetteur commun

Le fonctionnement d’un transistor en montage EC est le même qu’en montage BC.

L’émetteur est plein d’électron libres lorsque VBE> 0.7 V ce dernier injecte ces électrons
dans la base qui diffusent dans le collecteur d’où ils sortent pour aller vers la source externe
de tension.

II.1 Rapport α et rapport β en continu (régime statique)

Dans la plupart des transistors plus de 95% des électrons injectés par l’émetteur passent au
collecteur. Le rapport αcc qui lie Ic à IE :

IC
α CC = ≈1
IE

Moins de 5 % des électrons tombent dans la base Le rapport βcc qui lie Ic à IB :

IC
β CC =
IB

β CC est compris généralement entre 50 et 300.

Relation entre β CC et α CC

18
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IE I 1 1
On a I E = I C + I B ⇒ = 1+ B ⇒ = 1+
IC IC α CC β CC

α CC
⇒ β cc =
1 − α CC

Deux circuits équivalent

N +

VCE

P -
+
N
VBE
-
Fig.6 Transistor

IC=αCC.IE
+
α CC. Ι E
IB
VCE

+ +
-
VBE r’b V’BE IE
-
-
Fig.7 Modèle d’un transistor

VBE= IB r’b +V’BE

II.2 Modèle Ebers-Moll:

- VBE=0.7V

19
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- IB r’b =0

- IC =IE α CC=1

- IB =IE /β CC

Conclusion :

Pour qu’un transistor fonctionne de façon linéaire :

1 La diode émetteur doit être polarisée en direct

2 La diode collecteur doit être polarisée en inverse

3 La tension entre les bornes de la diode collecteur < à la tension de claquage

III Caractéristique d’un transistor

Les caractéristiques qui lient les courants et les tensions d’un transistor représentent
graphiquement son fonctionnement.

RB
RC

β CC=100 +
+ VCC

VBB
-
-
Fig.8 Montage pour tracer les caractéristiques du transistor

III.1 Caractéristique du collecteur

On fixe IB a une valeur, on fait varier Vcc et on trace Ic =f(VCE).


IC Claquage
IC

Claquage

IB=20µA

2mA
IB=10µA

1mA

1V 1V
VCE VCE
Fig.9 Caractéristiques pour IB=10µA et IB=20µA

20
Electronique Slim Yacoub

Si VCE fonctionne au dessus de la zone de claquage le transistor ne fonctionne plus en tant que
source de courant.

III.2 caractéristiques de base

La caractéristique de base est celle d’une diode :

IB

1mA

0.7V
VBE

Fig.10 IB en fonction de VBE.

III.3 Caractéristiques du gain en courant

β CC T=150°c

T= -50°c

IC

Fig.11 β pour deux températures différentes

Le gain β CC d’un transistor change avec la température. Il faut concevoir des circuits qui ne
dépendent pas trop de β CC.

21
Electronique Slim Yacoub

III.4 Valeurs limites des transistors

Région active le transistor se comporte


IC
comme une source de courant

Région de
saturation

Région de Claquage à
éviter

VCE
Fig.12 Ic en fonction de Vce à Ib cste

III.5 Droite de charge en continu (en régime statique)

RB
RC

VCE +
+ VCC

VBB
-
-

Fig.13 Polarisation d’un transistor

VCC − VCE
On a I C = équation de la droite de charge statique
RC

La droite de charge statique définit la dynamique d’un transistor elle va d’environ 0 à Vcc et
le transistor se comporte comme une source de courant à l’exception des points de saturation
et de blocage.

22
Electronique Slim Yacoub

IC Saturation
Q pt de fonctionnement
IB>IB sat
Vcc/Rc
IB=IB sat

Q
Blocage

IB= 0
Vcc VCE

Fig.14 Caractéristiques d’un transistor

La droite de charge statique définit la dynamique d’un transistor elle va d’environ 0 à Vcc et
le transistor se comporte comme une source de courant à l’exception des points de saturations
et de blocages.

III.6 Transistor Interrupteur

Un transistor saturé se comporte comme un interrupteur fermé du collecteur à l’émetteur. Un


transistor bloqué se comporte comme un interrupteur ouvert.

• Courant de base

V BB − VBE
La maille d’entrée donne I B =
RB

IC
Vcc/Rc Interrupteur fermé

Interrupteur ouvert

VCE
Vcc

Fig.15 Points de saturation et de blocage

- Si le courant de base est supérieure ou égale IBsat => interrupteur fermé

- Si le courant de base est nul => interrupteur ouvert

VBB et RB fixe le courant de base

23
Electronique Slim Yacoub

III.7 Transistor source de courant

RC
VCE
+
+ VCC
RE
VBB
-
-

Fig.16 Transistor polarisé

IC
Vcc/(Rc+RE)
Q

VCE

Fig.17 Droite de charge statique

VCE + I E .RE − VCC + I C .RC = 0 or I C ≈ I E

VCC − VCE
⇒ IC ≈
RC + RE

VBB − VBE
La maille d’entrée => IE = ≈ IC
RE

On remarquera que le courant collecteur ne dépend pas de βcc.

IV Circuit de polarisation d’un transistor

Avant d’appliquer un signal alternatif à un transistor il faut déterminer un point Q de


fonctionnement près du point milieu de la droite de charge statique. Pour que le dispositif
demeure linéaire la diode émetteur doit rester en polarisation directe et la diode collecteur doit
rester en polarisation inverse. Les fluctuations du courant et de la tension ne doivent ni saturer
le transistor ni le bloquer :

24
Electronique Slim Yacoub

IV .1 Polarisation de base

Appelée aussi polarisation fixe cette façon de polariser un transistor n’est pas bonne car le
point Q n’est pas stable en effet βcc peut varier d’un rapport 9/1 selon le courant et la
température.

RC

VCE
VBB VCC +
+ RB

-
-

VCC

RB RC

Fig.18 Polarisation de base

IV.2 Polarisation par réaction d’émetteur

Le but de ce montage est de compenser les variations de βcc

RC

VCE
VCC +
+ RB

-
VBB RE -

Fig.19 Polarisation par réaction d’émetteur

25
Electronique Slim Yacoub

VCC

RB RC

RE

Fig.20 Polarisation par réaction d’émetteur

La maille 1 ⇒ VCE + I E .R E − VCC + I C .RC = 0 or I C ≈ I E

VCC − VCE
⇒ IC ≈
RC + RE

IC
La maille d’entrée => ⇒ V BE + I E .R E − VCC + I B .R B = 0 or I B =
β cc

VCC − V BE
IC ≈
R
RE + B
β CC

RE Compense les variations de β CC

Si on augmente trop RE on risque de saturer le transistor elle est presque aussi sensible que la
polarisation de base donc on l’évite.

Exemple: Calculer le courant collecteur de saturation du transistor représenté ci-dessous.

26
Electronique Slim Yacoub

VCC

430Kohm 910ohm

100ohm

IC
14,9mA
βcc=300
9,33mA Q

βcc=100
3,25 mA

15 V
VCE

Fig.21 Polarisation par réaction d’émetteur

15
I Csat = = 14,9mA
910 + 100

15 − 0.7
IC pour β cc = 100 ⇒ I C = = 3,25mA
430.10 3
+ 100
100

IC pour β cc = 300 ⇒ I C = 9,33mA

IV.3 Polarisation par réaction de collecteur

Droite de charge

⇒ VCE − VCC + (I C + I B ).RC = 0

27
Electronique Slim Yacoub

VCC − VCE
I C >> I B IC ≈
RC

si T↑ ⇒ β cc ↑ ⇒ IC ↑ ⇒ VCE ↓ ⇒ RB I B ↓ ⇒ IB ↓ ⇒ IC ↓

VCC

RB
RC

Fig.22 Polarisation par réaction de collecteur

Maille d’entrée

IC
⇒ V BE − VCC + (I C + I B ).RC + I B R B = 0 or IB =
βcc

VCC − V BE
⇒ IC ≈
R
RC + B
β cc

On est toujours sensible à la variation de βcc mais ce montage est beaucoup plus efficace que
celui par réaction d’émetteur, avec cette méthode le transistor n’est jamais saturer en effet :

Vcc − 0,7
Si R B ↓ I C au pire = < I Csat
Rc

IV.4 Polarisation par diviseur de tension

R2
Vth = VCC
R2 + R1

Rth = R1 // R2

28
Electronique Slim Yacoub

Vcc

R1 Rc

R2
RE

Fig.23 Polarisation par diviseur de tension

RC

VCE
VCC +
+ Rth

-
Vth RE -

Fig.23 Polarisation par diviseur de tension: équivalent thévenin

V. Circuit à transistor PNP

IC
VCB
IB
VCE

VBE IE

Fig.24 Transistor PNP Fig.25 Courant conventionnel

Les diodes émetteur et collecteur pointent dans des sens opposés donc tous les courants et

29
Electronique Slim Yacoub

toutes les tensions sont inversées et pour polariser en direct la diode émetteur d’un transistor
PNP la polarité de VBE doit être négative et pour polariser la diode collecteur en inverse VCB
doit voir la polarité positive.

Lorsque l’alimentation est positive on renverse habituellement la représentation des


transistors

VCC -VCC

RB RB
RC RC

Fig.26 Polarisation d’un NPN Fig.27 Polarisation d’un PNP circuit original

+VCC
RB RB
RC RC

RC
+VCC

Fig.28 Déplacement de la masse Fig.29 Version renversé

30
Electronique Slim Yacoub

Maintenance des transistors

- Essais hors circuit

- La résistance entre le collecteur et l’émetteur doit être élevée dans les deux sens. Si la
résistance est de zéro à quelques milliers d’ohms dans les deux sens le transistor est court-
circuité

-Lire les résistances inverse et directe de la diode collecteur (collecteur base) et la diode
émetteur (émetteur base) il faut que le rapport résistance inverse / résistance directe soit
supérieure a 1000/1 (dans le cas du silicium)

-On mesure Vc et VE par rapport à la masse la différence Vc-VE doit être supérieure à 1 volt
et inférieure à Vcc. Si la différence est inférieure à 1 volt le transistor est court-circuité et si
elle est égale à Vcc le transistor est ouvert.

-Pour vérifier VBE on mesure VB et VE la différence doit être de 0,6 à 0,7 volt pour les
transistors petit signaux et au moins 1V pour les transistors de puissance : si la différence est
inférieure a 0,6 volt => la diode émetteur n’est pas polarisé en direct le défaut réside dans le
transistor ou dans les composants de polarisation.

-Vérifier le blocage : on court circuite les bornes base émetteur avec un cavalier => on
supprime la polarisation directe de la diode émetteur et bloque de force le transistor : la
tension (collecteur-masse) doit égaler la tension d’alimentation du collecteur. Sinon le
transistor ou la circuiterie est défectueuse.

31
Electronique Slim Yacoub

CH3 Amplificateur à Transistor

A. Amplificateur à émetteur commun

I. Introduction
Après avoir polarisé le transistor et choisi le point de fonctionnement Q au milieu de la droite
de charge statique on peut appliquer un petit signal alternatif à la base. Si l’entrée est une
onde sinusoïdale de fréquence 1 Khz la sotie sera une onde sinusoïdale agrandie de fréquence
1Khz. Un amplificateur est linéaire (haute fidélité) s’il ne change pas l’allure du signal. Si le
signal d’entrée est trop grand les fluctuations le long de la droite de charge saturent ou
bloquent le transistor.

I.1 Condensateurs de couplages et condensateurs de découplages

XC
A B

Vth
Rth

RL

Ouvert en continu

XC
A B

Court circuit en alternatif

Fig.1 Schéma électrique

32
Electronique Slim Yacoub

Vth
I= avec R = Rth + RL
R² + X C ²

Pour que la transmission ait lieu la résistance capacitive Xc doit être petite comparée à la
résistance série.

Si f augmente Xc décroit jusqu'à devenir beaucoup plus petite que R => le courant passe par
un maximum I=U/R => le condensateur transmet convenablement le signal quand Xc<<R.

-Couplage soutenu

La capacité d’un condensateur de couplage dépend de la plus petite fréquence qu’on veut
transmettre nous utiliserons la règle X C ≤ 0,1.R .

Exemple :

Si on travaille entre 20Hz et 20KHz et si le condensateur de couplage d’entrée voit une


résistance totale série de 10 Kohm => Xc doit être inférieure a 1Kohm.

1 1
XC = ⇒ C= = 7.96 µF on normalise a la valeur
2.π . f .C 2.π .(20hz ).(1Kohm)
sup erieure ⇒ 10 µF

Le condensateur de couplage bloque le courant continu et laisse passer le courant alternatif


cela permet de transmettre un signal alternatif d’un étage a un autre sans déranger la
polarisation en courant continu de chaque étage.

II Application du théorème de superposition aux amplificateurs

Dans un amplificateur à transistor:

- La source continue: établit le point de repos

- La source alternative produit des fluctuations autour de ce point

II Circuit équivalent en alternatif et en continu

- En continu : annuler la source alternative ce qui revient à court circuiter une source de
tension et ouvrir une source de courant. Ouvrir toutes les capacités.

- En alternatif : annuler la source continu ce qui revient à court circuiter une source de
tension et ouvrir une source de courant. Court circuiter toutes les capacités de couplages
et de découplages.

33
Electronique Slim Yacoub

VCC

Condensateur de couplage
R1 Rc

Condensateur de couplage
E
RS Condensateur de
V0
découplage

Vi RE
R2
VS RL

Fig.2 Amplificateur à transistor

V0
RS

Vi
rc=RC/ / RL
VS R2 R1

Fig.3 Circuit équivalent en alternatif


VCC

R1 Rc

R2 RE

Fig.4 Circuit équivalent en continu

34
Electronique Slim Yacoub

II.2 Résistance en alternatif de la diode émetteur C


C
C
ic
IC

B B B

+ +
vbe
VBE r’e
E

- -
E
E
Transistor Modèle ebers-Moll en continu Modèle ebers-Moll en alternatif

Fig.5 Modèle ebers-Moll

IE

∆IE
Q
Α

VBE

∆VBE

Fig.6 Fonctionnement en linéaire

En absence de signal alternatif le transistor fonctionne au point Q. En alternatif si le signal est


petit les points A et B sont proche de Q et le fonctionnement est a peu près linéaire (AB une
droite) dans ce cas la diode est approximée a une résistance r’e.

∆VBE
r' e =
∆I E

-r’e : est la résistance d’émetteur en alternatif

35
Electronique Slim Yacoub

Si le signal d’entrée est grand nous aurons une distorsion pour éviter cela nous utiliserons la
règle suivante : ie=10% IE

25mV
On montre que r' e =
IE

II.3 Beta β en alternatif

∆I C
β=
∆I B
IC
Β

VCE constant
∆IE
∆IC
Q
Α

∆IB VBE
IB

Fig.7 Ic en fonction de Ib

III Amplificateur à émetteur à la masse

VCC

Condensateur de couplage
R1 Rc

Condensateur de couplage
E
Condensateur de
V0
découplage

C RE
R2
Vi

Fig.8 Amplificateur à émetteur à la masse

36
Electronique Slim Yacoub

Ce montage inverse la tension de sortie par a celle de l’entrée de 180°.

IC

VCE
VBE

Fig.9 Caractéristiques d’un transistor

Pour avoir un fonctionnement linéaire on prend ∆I C < 0,1 . I C

tension alternative de sortie VO


Le gain en tension vaut A = =
tension alternative d ' entrée Vi

Circuit équivalent en alternatif

On court-circuite la source d’alimentation à la masse et on court circuite les capacités.

V0

Vi
rc=RC
Vi R2 R1

B C
VO
R1 r’E
rc=RC
R2
Vi
E

Fig.10Circuit équivalent en alternatif

37
Electronique Slim Yacoub

Vi
ie = or ic ≈ ie
r' e
Vo = −ie.RC
Vo − ie.RC − .RC
A= = = =A
Vi ie.r ' e .r ' e

Exemple

Si RC = 4,7 Kohm r ' e = 26 ohm

− .RC
A= = −188
.r ' e

III.1 Modèle en alternatif d’un étage à émetteur commun

Impédance d’entrée

Vi Vi
Zi = on note Z i (base ) = or Vi = ie.r ' e
ii ib

ie ≅ ic ≅ β .ib ⇒ Vi = β .ib.r ' e

β .ib.r ' e
et Z i ( base ) ≅ = β .r ' e
ib B C

Vi
VO
R1 R2
β.r’e
RC
iC

Fig.11Modèle en alternatif d’un étage à émetteur commun

Z i = R1 // R2 // β .r ' e C’est l’impédance totale d’entrée

Impédance de sortie

Z 0 = RC Car l’impédance de la source de courant ic est infini (source idéale)

38
Electronique Slim Yacoub

Modèle en courant alternatif d’un amplificateur à émetteur à la masse

β .r’e
R1// R2.//β RC
VO
Vi
AVi

Fig.12 Modèle en courant alternatif

Ce modèle simple d’un amplificateur à émetteur à la masse permet d’analyser rapidement des
étages en cascades.

Vi Vi 1 1
ii = ib + ie = β .ib = ⇒ ii = Vi .( + )
Req r' e β .r ' e Req

Amplificateur stabilisé

La résistance r’e peut varier du simple au double pour différentes températures toute variation
de r’e fera varier le gain en tension d’un amplificateur a émetteur à la masse pour y remédier
on insère une résistance re en série avec l’émetteur (re>>r’e)

re

Re

Fig.13 Stabilisation

Si on stabilise très fort on risque d’avoir un gain A très faible (tout dépend de l’application).

39
Electronique Slim Yacoub

B. Amplificateur à collecteur commun

I. Principe
Un amplificateur à collecteur commun ressemble à un amplificateur à émetteur commun
fortement stabilisé.

La tension continue de sortie est égale à Vo=Vi – VBE.

On appelle aussi ce dispositif un amplificateur à émetteur suiveur ( la tension continue


émetteur suit la tension continue base).

VCC

VCE

Vi
Vo
RE0

Fig.1 Amplificateur à collecteur commun

I.1 Droite de charge statique

La maille du collecteur donne :

IC

VCC/RE

VCC VCE

Fig.2 Point de fonctionnement

40
Electronique Slim Yacoub

VCE + R E I E − VCC = 0

VCC − VCE
⇒ IC =
RE

I.2 En dynamique

ic

r’e V1

Vi Vo
RE

Fig.3 Circuit équivalent en courant alternatif

V0 = ie .RE

Vi = ie (.RE + r ' e )

V0 RE
A= = gain en tension
Vi (.RE + r ' e )

Dans la plupart des amplificateurs à émetteur suiveur RE masque r’e et le gain en tension
A ≈1
VCC

R1

Rs

V1

R2 RE V0
Vs1
V

Fig.4 Amplificateur à émetteur suiveur

41
Electronique Slim Yacoub

- Circuit équivalent en courant alternatif


ic
Rs

r’e
R2 R1
VVs
1 io
RE

Fig.5 Montage en courant alternatif

- Impédance totale d’entrée de l’amplificateur

I1 Ib ic

R3=R1 //R2 r’e


V1

RE

V1
Z1 =
i1

V1
i1 = ib +
R3

V1 = (ib + ic ).(.RE + r ' e ) = (1 + β ).(.R E + r ' e ).ib

V1 V  ((1 + β ).(.RE + r ' e ) ).R3 


i1 = + 1 ⇒ i1 =  .V1
(1 + β ).(.RE + r ' e ) R3  (1 + β ).(.RE + r ' e ) + R3 

⇒ Z 1 = ( R1 // R2 ) // .(.RE + r ' e ).β ≈ ( R1 // R2 )

car 1 + β ≈ β et ( R1 // R2 ) << (.RE + r 'e ).β

42
Electronique Slim Yacoub

- Impédance de sortie

V0 
Z0 =  On éteint les sources autonomes Vs=0
i0 Vs =0

Ib io ic

I
Req=R1//R2//RS r’e

RE VS
V0
i0 = − (ib + ic )
RE
V0
= − (1 + β ).ib
RE
V0 = −( Req .ib + i.r 'e ) = −((1 + β ).r 'e + Req ).ib

Req
V0 = −(.r 'e + ).(1 + β ).ib
(1 + β )

V0 V0 .(1 + β )
i0 = +
RE Req
(.r ' e + ).(1 + β )
(1 + β )

( R1 // R2 // RS )
Z 0 = R E //(r ' e + ) avec β ≈ β + 1
β

Gain à vide

V0 RE
A= =
V1 r ' e + RE

Modèle en courant alternatif

( R1 // R2 // RS )
Z 0 = R E //(r ' e + )
β

( R1 // R2 // RS ) ( R1 // R2 // RS )
≈ ( r 'e + ) car RE > (r 'e + )
β β

43
Electronique Slim Yacoub

Z0

Z1
V1 V0

A V1

Fig.6 Modèle de l’amplificateur

44
Electronique Slim Yacoub

C. Amplificateur a base commune


I Introduction

La figure ci-dessous représente un amplificateur à base commune


VCC

RC

VE
VS
RE
-VEE
Fig.1 amplificateur a base

On règle le point Q avec la polarisation d’émetteur : circuit équivalent en courant continu =>
VCC

RC

V1

RE V0

-VEE
Fig.2 Circuit équivalent en courant continu

VEE − VBE
IE =
RE

II Polarisation par diviseur de tension


RC

VE
VS
RE
R1 RC

VCC
R2

Fig.3 Polarisation par diviseur de tension

45
Electronique Slim Yacoub

L’équivalent en courant continu de l’amplificateur à base commune de la figure précédente


est : VCC

R1 Rc

RE
R2

Fig.4 équivalent en courant continu

II.I Le circuit équivalent en alternatif est le suivant :

r’e
ie iS
i

Ve ic Rc VS

RE

Fig.5 L’équivalent en courant alternatif

i = iC + i S

On néglige la résistance RE devant r’e en effet r ' e // R2 ≈ r ' e car r ' e << R2

Ve
Ze = = r'e avec Ve = r ' e.ie
ie

Vs 
ZS =  avec Vs = RC .ic
is Ve =0

Vs Rc
A= =
Ve r ' e

46
Electronique Slim Yacoub

II.2 Le modèle en courant alternatif d’un amplificateur a base commune:

RC

r’e
V1 VS

A V0

Fig.6 Modèle

Rc
Avec A =
r' e

La différence entre cette amplificateur et celui à émetteur commun est la petite impédance
d’entrée. C’est pour cela qu’on ne l’utilise pas beaucoup. Il est surtout utilisé dans des
applications haute fréquence (>10 Mhz) ou l’impédance de source sont souvent petites.

47
Electronique Slim Yacoub

D. Paramètres hybrides ou h
Les paramètres hybrides ou h permettent d’analyser mathématiquement et de façon poussée
les circuits linéaires a transistors. Ils constituent l’outil suprême pour calculer le gain en
tension, l’impédance d’entrée et l’impédance de sortie exacte, d’un amplificateur à transistor/

I Les paramètres hybrides

Dans le cas de petites variations (petits signaux) autour du point de repos statique (Vce0, Ib0)
situé dans la zone de fonctionnement linéaire le modèle d’un transistor peut être défini à partir
des paramètres hybrides (pas les mêmes dimensions).

Vbe = h11ib + h12Vce




i = h i + h V
c 21 b 22 ce

En émetteur commun :

-h11 : résistance d’entrée en ohm

- h12 : nombre pur

- h21 : nombre pur (gain en courant)

- h22 : conductance de sortie (s ou ohm-1).

V 
h11 =  be 
 ib Vce =const
V 
h12 =  be 
 Vce  I b =const
i 
h21 =  c 
 ib Vce =const
 i 
h22 =  c 
 Vce  I b =const

II schéma équivalents en petit signaux

ic C

ib

Vbe
E
48
Electronique Slim Yacoub

h11
B ib C
ic

Vbe
h12. Vce h21. ib 1/h22 Vce

E
Fig.1 Schéma équivalent petit signaux

Exemple : Les paramètres d’un 2N3904 à émetteur commun et courant collecteur de 1mA
sont :

h11 = 3,5 Kohm


h12 = 1,3 10 −4
h21 = 120
h22 = 8,5µs = 118 Kohm

II.1 gain en courant et en tension

B h11 C
I1 i2
I3 i4
rS
h21. i1
V1 h12. V2 1/h22 V2

VS
rL

E
Fig.2 Schéma équivalent petit signaux

49
Electronique Slim Yacoub

i2 h21
Ai = =
i1 1 + h22 .rL

− rL .(h21 − h22 .rL . Ai )


AS =
1 − h12 .rL .(h21 − h22 rL . Ai )

− rL .h21
Av =
h11 + (h11.h22 − h12 h21 ).rL .

V1 h11 .i1 − h12 .rL .i2


Zi = =
i1 i1

 h21 
Z i = h11 − h12 .rL  
 1 + h .r
22 L 

V2  rS + h11
ZS =  =
i 2  vs =0 h22 .(rS + h11 ) − h21 h12

50
Electronique Slim Yacoub

Chapitre 4 Amplificateur de puissance

A Amplificateur classe A et classe B

I. Transistor classe A

I.1 Droite de charge en dynamique d’un amplificateur à émetteur commun


VCC

Rc
R1

B E
RS V0

Vi
R2 RE
VS RL

Fig.1 Amplificateur à émetteur commun

Rc
R1

B E

R2 RE

Fig.2 Équivalent en courant continu CC

51
Electronique Slim Yacoub

B
RS

E rc=RC/ / RL
rB

VS

Fig.3 Équivalent en courant alternatif: CA

- En statique
Ic

Vcc
RC + R E

Vcc VCE
Fig.4 Droite de charge statique

La résistance d’attaque de la base est en courant alternatif:

rB = RS // R1 // R2

La résistance de charge en courant alternatif vue par le collecteur est

rC = RC // RL

I.2 saturation et blocage dynamique

VCE
Maille de sortie => VCE + ic.rc = 0 ⇒ ic = −
rc

On a ic = ∆I C . = I C − I CQ

vCE = ∆VCE . = VCE − VCEQ

VCE VCEQ VCE


I C = I CQ − = I CQ + − Équation de la droite de charge dynamique
rC rc rc

- A la saturation

52
Electronique Slim Yacoub

VCEQ
I C ( sat ) = I CQ + car VCE = 0
rc

- Au blocage

I C = 0 ⇒ vCE (blocage) = VCEQ + I CQ rc

I C (sat ) : Courant de saturation dynamique

I CQ : Courant continu collecteur

VCEQ : Tension continu collecteur émetteur

rC : Résistance en courant alternatif vue par le collecteur

Ic

Saturation

VCEQ
I CQ +
rc

Q
I CQ

Blocage

VCE

VCEQ VCEQ + I CQ rc

Fig.5 Droite de charge dynamique

I.3 Dynamique du signal alternatif de sortie

La droite de charge dynamique permet de comprendre le fonctionnement en grand signaux,


durant l’alternance positive la tension collecteur varie du point Q vers le point de saturation
durant l’alternance négative la tension collecteur varie du point Q vers le point de blocage.

Si le signal d’entrée est trop grand on aura saturation

La dynamique du signal alternatif de sortie d’un amplificateur à émetteur commun est égale a
la plus petites des deux valeurs approchées suivantes:

53
Electronique Slim Yacoub

 pp ≈ 2 I CQ rc l ' excursion positive max imale



VCEQ 
Inf de  pp ≈ 2VCEQ l ' excursion negative max imale

Pp : valeur crête à crête

Exemple
VCC V
+10

3.6Kohm
10 Kohm

B E
1Kohm RS V0

Vi
1Kohm
VS 2.2Kohm RL
1.5Kohm

La droite de charge statique donne :


IC

5.76mA

2.17mA
V VCE
4.94V
6.11V
10V

1.17V
1.17V
Dynamique du signal

54
Electronique Slim Yacoub

2.2 Kohm
VB = .10 = 1.8V
12.2 Kohm

V B − V BE
IE = = 1.1mA ≈ I CQ
1Kohm

VCEQ = 10V − (1.1mA).(4600ohm) = 4.94V

VCC
I C ( sat ) = = 2.17mA
RC + RE

Droite de charge dynamique :

rC = RC // RL = 3.6 Kohm // 1.5 Kohm = 1.06 Kohm

 VCEQ 4.94
 I C ( sat ) = I CQ + = 1.1 10 −3 + = 5.76 10 −3 A
en CA VCEQ  rc 1 . 06 Kohm
V (blocage) = V −3
 CE CEQ + I CQ rc = 4.94 + 1.1 10 . 1.06 Kohm = 6.11 V

I CQ rc = 1.1 10 −3. 1.06 Kohm = 1.17 V ⇒ 2 pp = 2.34 V

VCEQ = −4.94 V ⇒ 2 pp = −9.88 V À éliminer

II. fonctionnement en classe A

Soit l’amplificateur à émetteur commun du paragraphe I

RC
Le gain en tension vaut Av = − sans charge
r'e

rC
Le gain en tension en charge Acv = − rC = RC // RL
r'e

iC
Le gain en courant Ai = ≈β
ib

p0
Le gain en puissance A p =
Pi

Pi = vi .ib Puissance d’entrée à la base en alternatif

P0 = −v0 .iC Puissance de sortie du collecteur en alternatif

A p = − Acv . Ai

55
Electronique Slim Yacoub

Exemple :

-rc =7500ohm, r’e=50ohm, et β=125

7500
Ai ≈ β = 125 Acv = − = −150 A p = −(−150).(125) = 18750
50

 Une puissance d’entrée de 1µW donne une puissance de sortie de 18.75mW

II.1 Puissance de charge

VL ² PL : Puissance de charge en alternatif.


PL =
RL b
VL : Tension efficace de charge.
V L (max) = V L 2 RL : Resistance de charge.

V pp
V pp = 2.VL (max) = 2.VL 2 ⇒ VL =
2 2

V pp ²
PL (max) =
8 .R L

La charge d’un amplificateur peut être un haut parleur, un moteur…….

II.2 Puissance dissipé par un transistor

Lorsqu’un amplificateur n’est attaqué par aucun signal la puissance dissipée par le transistor
est égale au produit de la tension continu par le courant continu.

PDQ = VCEQ .I CQ

Cette puissance ne doit pas dépasser la puissance limite d’un transistor sinon on risque
d’endommager le transistor.

Exemple :

Le 2N2934 à une puissance limite de 310mW à 25°c

Si VCEQ= 10 V et ICQ= 5mA => PDQ=50mW

Donc le transistor dissipera facilement cette puissance à 25°c

II.3 Courant d’alimentation ou courant consommé

VCC
Le courant continu consommé par le pont diviseur vaut I 1 =
R1 + R2

Le circuit collecteur consomme un courant continu de I 2 = I CQ

56
Electronique Slim Yacoub

La source continu doit fournir un courant moyen de I S = I 1 + I 2

La puissance consommée vaut PS = VCC .I S

- Rendement par étage

PL (max)
η= .100 %
PS

III Fonctionnement en classe B

Le fonctionnement en classe A d’un transistor n’est pas le plus rentable en effet le courant
collecteur circule durant 360° du cycle alternatif. En classe B le courant collecteur ne circule
que durant 180° du cycle alternatif donc le point Q est voisin du point de blocage de la droite
de charge dynamique.

III.1 Amplificateur Push-Pull

Un transistor classe B supprime une alternance pour éviter la déformation que cette
suppression entraine, il faut monter deux transistors en push-pull chacun son alternance le
montage push-pull ou symétrique donne un amplificateur classe B de faible distorsion de
grande puissance de charge et de rendement élevé.

+VCC
R1
B
NPN à émetteur
suiveur
R2 E

Vi R1
R2

B
PNP à émetteur
suiveur
R1
RL
R1 E

Fig 6 Montage push-pull

57
Electronique Slim Yacoub

III.1.1 L’équivalent en courant continu CC

+VCC
R1
B
NPN à émetteur
suiveur
R2
E

R1
R2

B
PNP à émetteur
suiveur

E
R1

Fig.7 Schéma équivalent en courant continu

III.1.2 L’équivalent en courant alternatif CA :

iC

r’e

V0
+
Vi Zi (base) RL

Fig.8 Schéma équivalent en courant alternatif

58
Electronique Slim Yacoub

Les résistances de polarisation sont choisies de façon à placer le point Q au blocage. Cela
polarise la diode émetteur de chaque transistor entre 0,6V et 0,7 V juste ce qu’il faut pour
bloquer la diode émetteur ICQ=0 (idéal).

La symétrie du circuit (résistances de polarisations égales tensions des diodes égales) =>
chaque transistor consomme la moitié de la tension d’alimentation

VCEQ=VCC/2 ( Vcc=VCE1- VCE2 or VCE1= VCE VCE2= -VCE (PNP)

• Droite de charge statique

Comme il n’y a pas de résistance en courant continu dans les circuits des collecteurs ni dans
ceux des émetteurs => le courant continu est infini donc la droite de charge statique est
verticale (classe B présente un problème de stabilisation du point Q au blocage).

• Droite de charge dynamique

 VCEQ
 I C ( sat ) = I CQ + rE = RL
 rE
en CA VCEQ 
V (blocage) = V + I r VCC
VCEQ =
 CE CEQ CQ E
2

Droite de charge
Ic
Dynamique
Vcc
2 RL

Droite de charge statique

Vcc/2 VCE
Q1

Q2

Q1

Fig.9 Droite de charge dynamique et statique

pp ≈ Vcc

RL
AV =
RL + r ' e

Ai ≈ β

59
Electronique Slim Yacoub

Ap = Av . Ai

III. 1.3 Distorsion de croisement de recouvrement ou de passage par zero

B
Q1 NPN à
émetteur suiveur

R1

+
B
Vi Q2 PNP à
émetteur suiveur RL

Fig.9 Montage push pull

Distorsion de croisement

Q1

Q2
Etant donné que la jonction VBE n’est pas polarisée alors la tension alternative d’entrée doit
monter jusqu'à environ 0,7 V pour Q1 et – 0,7 V pour Q2.

Ic

VCEQ
re

Q
ICQ
VCE
VCEQ

Fig.10 Point de fonctionnement

60
Electronique Slim Yacoub

Pour ne pas avoir ce problème il faut polariser légèrement la diode émetteur pour avoir un
point Q un peu plus haut que le blocage. C’est ce qu’on appelle le classe AB en effet chaque
transistor travaille plus de 180 °.

V pp ²
PL (max) = Vpp : tension crête à crête de charge
8 .R L

PP ²
PL (max) = PP = 2VCEQ
8.RL
VCEQ ²
=
2 RL

Puissance maximum dissipé par le transistor

pp ²
PD (max) =
4.RL

Puissance fournie au circuit Ps

PS = Vcc .I S

I S = I1 + I 2

I1 Courant continu parcourant les résistances

I 2 Courant continu parcourant le collecteur du haut

Rendement par étage

PL (max)
η= .100%
PS (max)

III. 1.4 Polarisation par diviseur de tension

VBE varie avec la température elle décroit de 2mV quand la température croit de 1° donc le
point Q devient incorrect et I c augmente. Si par exemple VBE diminue de 60 mV Ic
augmente 10 fois d’où danger. Pour remédier a cela nous devons utiliser des résistances
réglable sans toutefois régler complètement le problème.

Une des solutions serait de faire une polarisation par diode

61
Electronique Slim Yacoub

+VCC

R1

E R1
B

R1 E

Fig.11 Transistor montés en diodes

Toute augmentation de la température diminue la tension de polarisation des diodes

+VCC

Miroir de R1
courant NPN B

2 VBE E
R1

Miroir de
courant PNP

R1 E

Fig.12 Miroir de courant à diodes

62
Electronique Slim Yacoub

I B Très inférieur a I R ⇒ I D ≈ I R

La diode a les mêmes caractéristique que la jonction VBE


V BE ⇒ I D ≈ I E ≈ I C ⇒ I C ≈ I R ⇒ on règle le courant émetteur en réglant le courant de R.

On polarise la diode par un miroir de courant

+VCC
IR R1

Miroir de
courant NPN IB B

E
ID

Fig.13 Miroir de courant NPN

+VCC

Miroir de
courant PNP

IB
R1
E

Fig.14 Miroir de courant PNP

63
Electronique Slim Yacoub

5 Amplificateur d’attaque ou de pilotage d’un amplificateur classe B


III. 1.5

R1 R3
B
Q3

Vi

R1

E
RL

B
Q4

Q2
B

R2
R4

Fig.15 Amplificateur de pilotage d’un amplificateur classe B

Les condensateurs servent à transmettre le signal AC notons que ce n’est pas la meilleure
façon d’attaquer un amplificateur classe B.

Le transistor Q2 est monté en source de courant qui fournit le courant de polarisation via les
diodes. Le courant IE2 est réglé en réglant R2 IE3=IE4=IE2 (effet miroir).

Quand on attaque T2 avec un signal alternatif ce dernier sera amplifié et inversé (gain A=-
R3/R4)

T2 se comporte comme un amplificateur d’entrée stabilisé durant l’alternance positive Q3


conduit durant l’alternance négative Q4 conduit.

64
Electronique Slim Yacoub

B Amplificateur classe C

I Fonctionnement en classe C

Un amplificateur classe C peut fournir une plus grande puissance de charge qu’un
amplificateur classe B sauf que pour amplifier une onde sinusoïdale il faut accorder
l’amplificateur à la fréquence de l’onde d’entrée.

On l’utilise surtout pour amplifier des signaux radiofréquences (>20 KHz).

I fonctionnement en classe C

+Vcc

C L

Vi
E

RB Vo
RL

Fig.1 Transistor en classe C

65
Electronique Slim Yacoub

Amax

fr
f
Fig.2 Réponse en fréquence

IC Droite de charge
dynamique
Vcc/r
c
Droite de charge
statique

Vcc
VCE
Fig.3Droit de charge statique et dynamique

La jonction BE n’est pas polarisée donc le point Q se confond avec Vcc, un courant collecteur
apparait quand la tension d’entrée est supérieure à 0,7 V. Le transistor fonctionne pendant
moins de 180 °.

66
Electronique Slim Yacoub

IC

.........

Fig.4 Forme d’ondes θ

Cette onde est composée d’une onde fondamentale f et d’un deuxième harmonique, d’un
troisième etc…..

Si le circuit entre en résonance à f donc toutes les harmoniques sont éliminées et la tension de
charge est une onde sinusoïdale. Un bon fonctionnement du montage exige un facteur de
qualité supérieur à 10 (à bande étroite).

L’excursion maximale de tension le long de la droite de charge dynamique est d’environ Vcc
à plein signal la tension de charge dévie d’environ Vce(sat) à 2 Vcc, comme Vce sat est a peu
près nulle => la dynamique du signal PP est d’environ 2Vcc.

67
Electronique Slim Yacoub

Chapitre 5 Les amplificateurs opérationnels

Introduction
L’amplificateur opérationnel typique est un amplificateur a gain élevé pour des courant
continu fonctionnant de 0hz a 1Mhz pas de capacité de couplage découplage.

I l’amplificateur différentiel ou de différence

Les transistors, les diodes et les résistances sont les seuls composants pratiques d’un circuit
intégré monolithique. On fabrique parfois des condensateurs sur une puce mais leurs capacité
est habituellement inférieur à 50pf. Les concepteurs de CI ne peuvent pas utiliser des
condensateurs de couplages ils doivent donc coupler directement les étages d’un CI
monolithique. L’amplificateur différentiel et l’un des meilleurs étages couplés directement il
sert surtout d’étage d’entrée dans un amplificateur opérationnel.

VCC

RC RC

V0

V1 V2

-VEE

Fig.1 Amplificateur différentiel

V0: Tension entre collecteur

A: RC /r’e

V1: Tension d’entrée non inverseuse

V2: Tension d’entrée inverseuse

68
Electronique Slim Yacoub

V0=A.( V1- V2)

I-1 Analyse en courant continu

-a Courant de queue IT.


VCC VCC

RC RC

Q1 Q2 Q1 Q2

RB
RB RB RB
2.RE 2.RE
RE

-VEE
-VEE
Fig.2 Courant continu

Si RB < 0,02 . β CC .RE  VEE − VBE


 ⇒ IE = I T = 2 .I E
⇒ VBM = 0  2 .R E

-b Courant de décalage d’entrée

I i ( decalege ) = I B1 − I B 2

Si TQ1 = TQ 2 ⇒ Ii = 0

-c Tension de décalage d’entrée

Si les transistors sont identiques on a la tension continue de repos de sortie égale a

VC = VCC − I C .RC

On appelle toute déviation à partir de cette tension de repos une tension de décalage de
sortie.

I.2 Analyse en courant alternatif

Appliquons le théorème de superposition

69
Electronique Slim Yacoub

VCC VCC

RC RC
V0

V1
Q1 Q2 Q1
V1 V2
Q2
RB
V0
RE RE

-VEE -VEE

RC

ic V0

ic
V1 r’e

RE très grand devant r’e =>


RE r’e

RC

ic

ic
V1 r’e

re

Fig.3 Schéma en courant alternatif

70
Electronique Slim Yacoub

V1
on a ie = V0 = ic.RC
2r ' e

V0 R
⇒ = C ⇒ gain en tension
V1 2.r ' e

V2 V2
V1 = 0 ⇒ ie = V0 = − ic.RC = − . RC
2r ' e 2r ' e

V0 R
⇒ = − C
V2 2.r ' e

Théorème de superposition =>

RC
⇒ V0 = V0(1) + V0( 2) = .(V1 − V2 ) = A.(V1 − V2 )
2.r ' e

A: Gain en tension différentiel

Impédance d’entrée:

V1
ri = = 2.β .r ' e
i1

Gain en mode commun

RC
⇒ AMC = −
2 .R E

Si ⇒ RC = 10 KΩ et R E = 10 KΩ ⇒ AMC = −0.5 ⇒ l’amplificateur atténue un

signal de mode commun

- Taux de rejection en mode commun (Common Mode Rejection Ratio)

A
⇒ CMRR = si A = 200 et AMC = −0.5 ⇒ CMRR = 400
− AMC

I.2.1 Polarisation par miroir de courant

Pour obtenir une très grande résistance RE on polarise l’émetteur par un circuit miroir de
courant.

Q4 se comporte comme une source de courant => RS est très élevée

71
Electronique Slim Yacoub

VCC

RC

Q1 Q2
V1 V2

RB
R

Q4
V1

-VEE

Fig.4 Miroir de courant

De la même manière que précédemment on peut augmenter le gain différentiel A en


utilisant un miroir de courant de charge. Si RC est trop grand on risque de saturé le
transistor de sortie.
VCC

Q6
R

V0

Q1 Q2
V1 V2

RB

Q4
V1

-VEE

Fig.5 Miroir de courant de charge

72
Electronique Slim Yacoub

II l’Amplificateur opérationnel

II.1 Introduction

Un amplificateur opérationnel idéal doit avoir une impédance d’entrée infinie une
impédance de sortie nulle un gain infini et une bande passante beaucoup plus large que le
spectre du signal à amplifier. Par ailleurs il doit être insensible aux variations de
température aux variations de la tension d’alimentation et le signal de sortie doit être nul
lorsqu’aucun signal n’est appliquée a l’entrée.

II.1.1 Symboles

- Symbole graphique

Entrée non inverseuse


+V1
+
A +V0
-
+V2
Entrée inverseuse

Fig.1 Symbole

- Modèle

+V1

ri
r0 +V0

A(V1 -V2)=Vε

+V2

r0 : impédance de sortie
ri : impédance d ' entrée V0
A : Gain

+Vsat


Zone linéaire
-Vsat

73
Fig.2 Modèle
Electronique Slim Yacoub

Entrée non inverseuse


ed+
+
ed- A +V0
-
id
Entrée inverseuse

id +

Fig.2 Défauts dans un amplificateur

Les générateurs de tension ed+ , ed- et les générateurs de courant id+ et id- représentent
les défauts.

II.1.2 Fonctionnement de l’amplificateur en comparateur

En boucle ouverte

Vε >0 => V0= Vsat

Vε <0 => V0= -Vsat

Pour avoir un fonctionnement linéaire on doit réaliser une contre réaction pour des
problèmes de stabilité elle sera toujours réalisé sur le (-) de l’amplificateur.

II.2 La rétroaction

II.2 .1 Définition

Le principe de la rétroaction consiste à ramener sur l’entrée une partie du signal de sortie.

Le cas de la rétroaction négative : contre réaction => le signal ramené est soustrait du
signal d’entrée.

Xe Xi
Ampli principal Xo

Gain A Signal de sortie


Signal d’entrée
-Xf

Chaine de contre-
réaction Gain B

Fig.2 Rétroaction

74
Electronique Slim Yacoub

XO Xf
A= B=
Xi XO
XO
on a Af = gain du système en boucle fermée
Xe

X O = A. X i = A.( X e − B. X O )

X O .(1 + A.B) = A. X e

XO A
⇒ = = Af
X e 1 + A.B
1
Si A est très grand ⇒ Af ≈
B

Donc le gain ne dépend que de la chaine de contre réaction qui ne comprend que des
éléments passif stables en fonction de la température.

II.2.2 Différents type de contre-réaction

- Contre réaction tension-tension (tension série) : on réinjecte une tension


proportionnelle a la tension de sortie.

Ve Vi Avv Vo

Vf

Bvv

Fig.3 Contre réaction tension-tension

- Contre réaction courant-tension (tension parallèle) : on injecte a l’entrée un courant


proportionnel à la tension de sortie
Ii
Ie
Rm Vo
If

Vf

Bvi

Fig.3 Contre réaction courant-tension

75
Electronique Slim Yacoub

- Contre réaction tension-courant (courant série) : on injecte a l’entrée une tension


proportionnel au courant de sortie

RL
Io

Ve Vi Rm

Vf

Bvv

Fig.4 Contre réaction -tension courant

- Contre réaction courant-courant (courant parallèle) : on injecte a l’entrée un courant


proportionnel au courant de sortie

RL
Io
Ie

Ii Rm
If

Vf

Bvi

Fig.5 Contre réaction -courant courant

III Application linéaires de l’amplificateur opérationnel

On suppose que l’amplificateur opérationnel est idéal :

A = +∞ (V + = V − )

⇒ Ze = +∞ (i + = i − )

ZS = 0

76
Electronique Slim Yacoub

III.1 Montages classiques

III.1.1. Amplificateur suiveur

Ve = VS puisque Vε = 0

Ze = +∞ et Z S ≈ 0

Fig.6 Amplificateur suiveur

Le suiveur de la figure suivante évite que le quadripôle Q2 charge le quadripôle Q1.

Q1 - Q2

III.1.2 Amplificateur non inverseur

+

+Ve -

+V0

R2
R1

Fig.7 Amplificateur non inverseur

77
Electronique Slim Yacoub

R1
Ve = V + = V − = .VS
R1 + R2

V S  R2 
⇒ = 1 + .VS
Ve  R1 

Ze = +∞ ZS est très faible

III.1.3 Amplificateur inverseur

R2

R1
I
-

+
+Ve +VS

Fig.8 Amplificateur inverseur

Ve = R1 .I − Vε ≈ R1 .I

V S = − R 2 . I − Vε ≈ R 2 . I

VS R
. =− 2
Ve R1
R S est faible Re = R1

III.1.4 Amplificateur sommateur ou additionneur

R1
R1
R2
-
+V1 Vε
R3 +
+V2
+VS
+V3

Fig.9 Amplificateur sommateur


78
Electronique Slim Yacoub

On a

Vi − V0
∑ Ri = R1

R1
V0 = ∑ .Vi
Ri

Vo est au signe près une somme pondérée des tensions d’entrée.

III.1.5 soustracteurs ou amplificateur de différence

R
I
-

+
+V1 R
+V0

+V2
R

Fig.10 Amplificateur soustracteur

R V
V+ = .V2 = 2
2 .R 2

R R V + V0
V− = .V1 + .V0 = 1
2 .R 2 .R 2

V+ =V − ⇒ V0 = .V2 − V1

V1 − V − = R.I  V1 + V0

 ⇒V− =
V − − V0 = R.I  2

79
Electronique Slim Yacoub

III.1.6 Dérivateur Intégrateur

C I
-

+
+Ve +VS

Fig.11 Amplificateur dérivateur

V − − V S = i.R V − =V + = 0

− VS dVe
⇒ i= or i = C
R dt

dVe
⇒ V S = − R.C
dt

R
I
-

+
+Ve +VS

Fig.11 Amplificateur intégrateur

− Ve
V − − Ve = i.R ⇒ i=
R

80
Electronique Slim Yacoub

dVS
i=C
dt

dVS Ve 1
R.C ∫
⇒ =− ⇒ VS = − Ve.dt
dt R.C

III.1.7 Convertisseur courant tension

i
-

+
+Ve
+VS

Fig.12 Amplificateur convertisseur de courant tension

V0 = i.R

III.1.8 Convertisseur tension courant

+

+Vi -

+V0
RL

+Vf
R

Fig.13 Amplificateur convertisseur de tension courant

81
Electronique Slim Yacoub

V − = V + ⇒ Vi = V f

R Vf Vi
Vf = V0 ⇒ i0 ≈ ≈
R + RL R R

IV. Les filtres actifs

IV. 1Les filtres passe-bas

I
+

+Vi C -

R1 +VS

Réseau retard

R2

Fig.13 Filtre passe bas 1er ordre

+ 1 
V = I. 
j.C.W V+ 1 1 1
⇒ = = avec fc =
1  Vi 1 + j.RC.W f 2πRC
Vi = I .( R + ) 1 + j.
j.C.W  fc

R2
V− = VS
R1 + R2

VS R

= 1 + 1 = ACl
V R2

VS ACl
=
Vi f
1+ j.
fc

ACl : Gain en tension en boucle fermée non inverseuse

Au dessus de la fréquence de coupure le gain en tension diminue à la vitesse de 20 db par


décade.

82
Electronique Slim Yacoub

Pour un filtre du deuxième ordre il faut associer deux réseaux de retard

La figure suivante donne le cas d’une structure à deux réseaux de retard d’où un filtre passe-
bas du deuxième ordre avec une pente de 40db/dec.
C

R R I

+Vi C -

R1 +VS

Réseau retard

R2

Fig.14 Filtre passe bas 2ème ordre

R1
1+ = 1,586 ⇒ On obtient la caractéristique de réponse la plus horizontale possible
R2
cette caractéristique de réponse s’appelle la caractéristique de réponse de butterworth.

1
ACl = 1,586 ⇒ fc =
2πRC C

R I

+ R R

+Vi + +VS
-
C
R1 +Vi C -

R1

Réseau retard
R2
Réseau retard R2

Fig.15 Filtre passe-bas a trois pôles 60db/dec

83
Electronique Slim Yacoub

Deuxième cellule

1
ACl = 2 ⇒ fc = Première cellule arbitraire
2πRC

IV.2 Filtre passe-haut

On transforme un filtre passe-bas ou butterworth en un filtre passe-haut en utilisant des


réseaux d’avance au lieu de réseau de retard .

+Vi R -

R1 +VS

Réseau retard

R2

Fig.5 Filtre passe haut à un pôle

Les gains sont les même que dans le cas du filtre passe-bas

Le filtre passe-bande possède une fréquence de coupure finf est supérieure fsup si la fsup est dix
fois supérieure à la finf on peu monter un filtre passe bas et un filtre passe haut en cascade.

84
Electronique Slim Yacoub

Chapitre 6 Oscillateur

I. Oscillateur sinusoïdaux

L’Oscillateur sinusoïdal nécessite l’utilisation d’un amplificateur à réaction positive. On


applique un signal de réaction au lieu d’un signal d’entrée.

Si le gain de boucle et de phase sont convenable on obtient un signal de sortie même en


l’absence de signal externe d’entrée (l’oscillateur ne crée pas de l’énergie il transforme
seulement l’énergie continue de l’alimentation en énergie alternative).

I.1 Gain de boucle et phase


X Y

+
ABVi Vi A Vo
-

Fig.1 Principe

Soit une source de tension Vi attaquant les bornes d’entrée de l’amplificateur nous avons
VO = AVi

La tension Vo attaque un circuit de réaction qui est habituellement un circuit résonant la


réaction est maximale a une certaine fréquence la tension de réaction au point x est égale a
V f = ABVi

On raccorde les points x et y

- Si AB < 1 ⇒ ABVi < Vi et le signal de sortie s’annule

- Si AB > 1 ⇒ ABVi > Vi et le signal de sortie croit

- Si AB = 1 ⇒ ABVi = Vi et la tension de sortie est une sinusoïde stable

85
Electronique Slim Yacoub

Dans ce cas l’oscillateur fournit son propre signal d’entrée et produit une sortie
sinusoïdale.

A Vo

Fig.2 Principe

Au moment de l’application de l’alimentation à l’oscillateur le gain de boucle AB est


supérieure à 1. Une petite tension d’amorçage est appliquée entre les bornes d’entrée et la
tension de sortie croit. Une fois le niveau désiré de la tension de sortie atteint le gain AB
descend automatiquement à 1 et l’amplitude de sortie reste constante.

Tension d’amorçage

Au borne d’une résistance on a une tension de bruit qui comporte des fréquences
supérieures à 1000 GHz quand on applique l’alimentation cette tension est amplifiée à la
fréquence de résonance du circuit.

Points essentiels du fonctionnement d’un oscillateur à réaction

1- Initialement le gain de boucle AB doit être supérieure à 1 à la fréquence à laquelle le


déphasage de boucle est nul.

2- Une fois le niveau de sortie est atteint AB doit décroitre jusqu'à 1 par la réduction de
A ou de B.

II. Oscillateur à pont de Wien

II.1 Réseau d’avance de retard


R I C

+VO
+Vi
R
C

Fig.3 Réseau d’avance de retard

86
Electronique Slim Yacoub

R //(− j. X C )
VO = .Vi
R − j. X C + R //(− j. X C )

1
VO =
XC R
9+( − )²
R XC i

XC R

R XC
φ = arctan
3

1
f =
2π .R.C

1/3 φ

90°

fr f fr f
-90°

Fig.4 Gain en tension Déphasage

Le circuit de réaction d’un oscillateur à pont de wien est un réseau d’avance retard au dessus
et au dessous de la fréquence de résonance le taux de réaction est inférieur à 1/3 et le
déphasage n’est plus nul.

+
Réaction

positive -
2R’=R1 +VO
Réaction
RL
négative
R2 =R’ Lampe à incandescence

R
C
R
C

Fig.5 Oscillateur a pont de Wien


87
Electronique Slim Yacoub

Il faut avoir un gain égal à 3 exactement, ce n’est pas possible avec des résistances de ce fait
nous utilisons une CTN car sa valeur croit avec la température.

R lampe

R’

V’ V lampe efficace

Fig.5 R en fonction de V

Résistance de la lampe à incandescence augmente avec la température

II.2 fonctionnement

La réaction positive fait croitre les oscillations lorsqu’on applique l’alimentation une fois le
niveau désiré du signal de sortie atteint, la contre réaction réduit le gain de boucle à 1.

A la mise sous alimentation la résistance de la lampe est petite et la contre réaction est faible
⇒ ACL B > 1 et les oscillations croissent à la fréquence de résonance.

La lampe a incandescence s’échauffe légèrement à mesure que les oscillations croissent et sa


R
résistance augmente au niveau désiré Rlampe = R' et ACL = 2 + 1 = 3 ⇒ ACL B = 1
R1

Autre façon de réduire AB à 1.

R1
R

C R3

-
R +VO
C
R2 =R’

Fig.6 Limitation d’amplitude par des diodes


88
Electronique Slim Yacoub

A la mise sous tension les diodes sont bloquées et le taux de réaction est < 1/3 puisque
R1
> 2 cela permet au signal de sortie de croitre. Une fois le niveau de sortie désiré atteint les
R2
diodes conduisent les alternances alternées ⇒ R3 // R1 et le taux de réaction augmente jusqu'à
1/3 et AB=1 et la tension de sortie se stabilise.

III. Oscillateur colpitts

L’oscillateur à pont de wien ne convient pas aux hautes fréquences ( > 1 MHz). L’oscillateur
LC un dispositif utilisé pour des fréquences comprises entre 1 MHz et 500 MHz règle cette
difficulté.

III.1 Montage a émetteur commun


VCC

Bobine d’arrêt radio fréquence


R1

V0
C1
R
L
Q4
V1
C2
R2
R3 C3

Fig.7 Oscillateur Oscillateur Colpitt

V0
C1

C2

Fig.8 Circuit équivalent en courant alternatif

89
Electronique Slim Yacoub

rc
Gain en tension en basse fréquence égale à rc : résistance en courant alternatif
r'e
vue par le collecteur.

On reconnait l’oscillateur colpitts par son diviseur capacitif de tension formé par C1et C 2 il
produit la tension de réaction nécessaire aux oscillations.

1 C1 .C 2
fr = C= C1et C 2 en série
2π . L.C C1 + C 2

1
Condition d’amorçage AB > 1 cette condition équivaut A >
B

Vf X C1 C1 C2
On a B = ≈ ≈ ⇒ A>
VO X C 2 C2 C1

Cette condition ne tient pas compte de l’impédance de base qui est en parallèle avec C2. Une
analyse plus rigoureuse devrait tenir compte de Z base.

Un amplificateur bipolaire comprend un réseau de retard de base et de collecteur. Il faut que


les fréquences de coupure de ces réseaux soient supérieure a la fréquence d’oscillation sinon
rc
le gain en tension est inférieure à et le déphasage supplémentaire de l’amplificateur
r'e
empêche toute oscillation.

Couplage a une charge

La fréquence exacte fr d’oscillation dépend du facteur Q du circuit on a :

1  Q² 
fr = . 
2π . L.C  1 + Q ² 

1
Si Q > 10 on a fr = . fréquence idéale
2π . L.C

Q < 10 f r < f idéale De plus un facteur Q petit peut empêcher l’oscillateur de s’amorcer en

abaissant le gain en haute fréquence au dessus de 1/B. si la résistance de charge RL est grande
Q restera supérieure a 10 si RL est petite Q restera inférieur a 10 et les oscillations peuvent ne
pas s’amorcer. En y remédie a cela en insérant une capacité a grande réactance Xc comme le
montre la figure a. Une autre façon de transmettre le signal à une petite résistance de charge
est d’insérer un transformateur avec un secondaire de quelques spires (figure b).

90
Electronique Slim Yacoub

V0

C C1

V0 L

R2 RL
C2

Fig.9 a: Capacité a grande réactance b transformateur

IV. Cristaux de quartz

Quelques cristaux naturel sont piézo-électrique (le quartz , les sels de rochelles et la
tourmalines). Lorsqu’on applique à ces matériaux une tension alternative ils vibrent à la
fréquence de la tension appliquée. Inversement si on les forces mécaniquement à vibrer ils
génèrent une tension alternative.

IV.1 Fondamentales et harmoniques

K
La formule de la fréquence fondamentale d’un cristal est f = avec K une constante qui
t
dépend de la coupe et d’autre facteur et t représente l’épaisseur du quartz.

Fig.10 Quartz
F inversement proportionnel a t plus t est petit plus f est grand les cristaux de quartz vont en
général jusqu'à 10 MHz au delà le quartz deviennent très mince car t est très faible ce qui
risque de casser le quartz. Néanmoins on peut utiliser un cristal monté pour vibrer sur les
harmoniques.

IV.1 Résonance série et résonance parallèle

L’intérêt des cristaux par rapport aux circuits résonant LC est leurs facteur de qualité Q très
élevé il peut facilement dépasser les 10000 d’où une fréquence très stable des oscillateurs. Le
facteur Q d’un circuit résonant LC discret dépasse rarement 100.

a : Capacité de montage L b :Circuit équivalent en

courant alternatif d’un


Cm
R cristal qui vibre
Cm
CS
Fig.11

91
Electronique Slim Yacoub

b : Circuit équivalent en courant alternatif d’un cristal qui vibre

1
fS fréquence de résonance série avec f S = .
2π . L.C S

1
fP fréquence de résonance parallèle avec f P = .
2π . L.C Maille

C S .C m
avec C maille =
CS + Cm

Si L=3H CS= 0,5pF R=2000 ohm Cm = 10pF

Pour ces valeurs Q > 3000

Oscillateur à cristal

VCC

Bobine d’arrêt radio fréquence


R1

V0
C1
R
L
Q4
V1
C2
R2
R3 C3

Fig.12 Oscillateur à cristal colpitts

V. Minuterie 555

V.1 Bascule RS

Si T1 saturé ⇒ VCE1 ≈ 0 ⇒ I B 2 = 0 ⇒ T2 bloqué ⇒ VCE 2 = +Vcc ⇒ T1 saturé


Si T1 bloqué ⇒ VCE1 = +Vcc ⇒ T2 saturé ⇒ VCE 2 ≈ 0 ⇒ I B1 = 0 ⇒ T1 bloqué

92
Electronique Slim Yacoub

VCC

RC RC

V0
Q Q

T2 T1

RB RB

Fig.13 Partie d’une bascule RS

L’ajout de composant donne une bascule RS

V.2 Schéma fonctionnel du 555

+VCC
5 Kohm

+ 7 Décalage
Seuil 6
-
R
Commande 5
S Q T1

5 Kohm Q
R
3 Sortie
+ R
4 Remise au
niveau bas
-
Basculement 2

5 Kohm

1 Masse

Fig.14 Schéma simplifié de principe de la minuterie 555

93
Electronique Slim Yacoub

V.2.1 Fonctionnement en Multivibrateur Monostable


+VCC
R 8

7
RT2

R’
5 Kohm

+ S2
6
-

S Q
5 Kohm Q
R
3 Vo Sortie
+ S1

-
Basculement 2
5 Kohm

1 Masse
Fig. 15 Multivibrateur Monostable

+ Vcc
Quand le point de basculement est légèrement < VS1 est au niveau haut => la bascule est
3
+ 2.Vcc
au niveau bas => T bloqué et C se charge a travers R si Vc > => VS2 est au niveau haut =>
3
bascule au niveau haut et T conduit et le condensateur se décharge.

+Vcc
+Vcc/3 Basculement

+2.Vcc/3 W=1,1 RC
0
Seuil
+Vcc
0 Sortie
W
Fig.16 Chronogramme
94
Electronique Slim Yacoub

V.2.2Fonctionnement en multivibrateur astable

Si Q au niveau bas => T bloqué et C se charge via (RA+RB) quand Vc dépasse 2Vcc/3 =>
VS2 passe au niveau haut et met la bascule au niveau haut (Q) => T sature et VCE =0 =>
V7=0 et C se décharge via RB quand Vc descend jusqu'à +Vcc/3 VS1 passe au niveau haut
=> la bascule passe au niveau bas.
+VCC
RA 8

7
RT2

R’
5 Kohm
RB

+ S2
6
-

S Q
5 Kohm Q
R
3 Vo Sortie
+ S1
2
-

5 Kohm
1 Masse

Fig.17 multivibrateur astable


2/3

1/3

Vcc
W

Fig.18 Chronogramme

95
Electronique Slim Yacoub

W 1,44 RA + RB
D= .100% f sortie = D= .100%
T ( RA + 2.RB).C RA + 2.RB

Bibliographie
[1] A.P.Malvino, Principe d’électronique, Dunos Paris, 2002.

[2] A.Pellat, Pratique de l’amplificateur opérationnel Masson Paris, 1986.

[3] H. Lumbroso, Electronique, Dunos Paris, 1993.

[4] J.M.Domini et L .Quaranta, Introduction à l’électronique, Masson Paris, 1998.

[5] P.Horowitz et W. Hillt, Traité de l’électronique analogique et numérique Vol n 1, electro,


1996.

[6] I. Jilinski, Amplificateur Oscillateur, Librairie Vuibert,1996

96
Electronique Slim Yacoub

97