Cours Electronique

Electronique Slim Yacoub
République Tunisienne
Ministère de l’enseignement Supérieur
Et de la Recherche Scientifique
Institut National des Sciences Appliquées et de Technologie
Support de Cours
Module: D’électronique
2ème Année IIA et RT
Enseignant:
Slim Yacoub
1
CH1 Elément actif à semi-conducteur

I Modèles statiques de la diode a jonction PN 8
I.1 Introduction:
I.2 Le modèle idéal:
I.3 Le modèle a seuil: 9
I.4 Le modèle linéarisé:
II Fonctionnement linéaire de la diode (régime petit signaux) 10
II.1 polarisation de la diode
II.2 Puissance maximale de la diode 11
II.3 Les claquage dans les diodes
II.3.1 le claquage par avalanche
II.3.2 Le claquage par effet tunnel 12
II.3.3 Le claquage thermique
II.4 Les capacités de la diode a jonction PN
III Les diodes zener 13
III.1 Modèle statique 14
III.2 Modèle linéarisé
CH2 Les Transistor bijonction

I Introduction 16
I.1 Polarisation d’un transistor: 17
II. montage a émetteur commun 18
II.1 Rapport α et β
II.2 Modèle Ebers-Moll 19
III. Caractéristique d’un transistor 20
III.1 Caractéristique du collecteur
III.2 caractéristiques de base 21

2
III.3 Caractéristiques du gain en courant
III.4 Valeurs limites des transistors 22
III.5 Droite de charge en continu
III.6 Transistor Interrupteur 23
III.7 Transistor source de courant 24
IV Circuit de polarisation d’un transistor
IV.1Polarisation de base 25
IV.2 polarisation par réaction d’émetteur
IV.3 polarisation par réaction de collecteur 27
IV.4 polarisation par diviseur de tension 28
V circuit a transistor PNP 29
VI. Maintenance des transistors 31
CH3 Amplificateur à Transistor

A. Montage émetteur commun 32
I Introduction
I.1Condensateur de couplage et condensateur de découplages
II Application du théorème de superposition aux amplificateurs 33
II.1 Circuit équivalent en alternatif et en continu
II.2 Résistance en alternatif de la diode émetteur 35
II.3 Beta β en alternatif 36
III Amplificateur à émetteur à la masse
III.1 Modèle en alternatif d’un étage à émetteur commun 38
III.1.I Impédance d’entrée
III.1.2 Impédance de sortie
III.1.3 Modèle en courant alternatif d’un amplificateur à émetteur à la masse 39
3
B. Montage collecteur commun

I Principe 40
I.1 Droite de charge statique
I.2 En dynamique 41
I.2.1 Circuit équivalent en courant alternatif 42
Impédance totale d’entrée de l’amplificateur
Impédance de sortie 43
Modèle en courant alternatif
C. Montage base commune

I Introduction 45
II Polarisation par diviseur de tension
II.1 Le circuit équivalent en alternatif 46
II.2 Le modèle en courant alternatif d’un amplificateur a bas commune 47
D. Paramètre hybride
I les paramètres hybride 48
II schéma équivalent en petit signaux
II.1 gain en courant et en tension 49
CH.4 Amplificateur de puissance

A Amplificateur classe A et classe B
I. Transistor classe A 51
I.1 Droite de charge en dynamique d’un amplificateur à émetteur commun
I.2 saturation et blocage dynamique 52
I.3 Dynamique du signal alternatif de sortie 53
II. fonctionnement en classe A 55
II.1 Puissance de charge 56
4
II.2 Puissance dissipé par un transistor
II.3 Courant d’alimentation ou courant consommé
III Transistor classe B 57
III.1 Amplificateur Push-Pull
III.1.1L’équivalent en courant continu CC 58
III.1.2 L’équivalent en courant alternatif CA :
III.1.3 Distorsion de croisement de recouvrement ou de passage par zéro 60
III.1.4 Polarisation par diviseur de tension 61
III.1.5 Amplificateur d’attaque ou de pilotage d’un amplificateur classe B 64
III.2 fonctionnement en classe B
III.1.1 Puissance de charge
III.1.2 Puissance dissipé par un transistor
II.1.3 Puissance fournie au circuit Ps
III.3 Polarisation par diviseur de tension
III.4 Amplificateur d’attaque ou de pilotage d’un amplificateur classe B
B Amplificateur classe C
I Fonctionnement en classe C 65
Chapitre 5 les amplificateurs opérationnels

Introduction 68
I l’amplificateur différentiel ou de différence
I-1 Analyse en courant continu 69
-a Courant de queue IT.
-b Courant de décalage d’entrée
-c Tension de décalage d’entrée
I.2 Analyse en courant alternatif
Impédance d’entrée:
Gain en mode commun
5
- Taux de rejection en mode commun (Common Mode Rejection Ratio)
I.2.1 Polarisation par miroir de courant 71
II l’Amplificateur opérationnel
II.1 Introduction 73
II.1.1 Symboles
II.1.2 Fonctionnement de l’amplificateur en comparateur 74
II.2 La rétroaction
II.2 .1 Définition
II.2.2 Différents type de contre-réaction 75
III Application linéaires de l’amplificateur opérationnel 76
III.1 Montages classiques
III.1.1 Amplificateur suiveur 77
III.1.2. Amplificateur non inverseur
III.1.3. Amplificateur inverseur 78
III.1.4 Amplificateur sommateur ou additionneur
III.1.5. soustracteur ou amplificateur de différence 79
III.1.6. Dérivateur Intégrateur 80
III.1.7. Convertisseur courant tension 81
III.1.8. Convertisseur tension courant
IV. Les filtres actifs 82
IV. 1Les filtres passe-bas
IV.2 Filtre passe-haut 84
Chapitre 6 Oscillateur
I Oscillateur sinusoïdaux 85
I.1 Gain de boucle et phase
II Oscillateur à pont de Wien 86
6
II.1 Réseau d’avance de retard
II.2 fonctionnement 88
III.Oscillateur colpitts 89
III.I Montage a émetteur commun
IV Cristaux de quartz 91
IV.1 Fondamentales et harmoniques
IV.2 Résonnance série et résonance parallèle
V Minuterie 555 92
V.1 Bascule RS
V.2 Schéma fonctionnel du 555 93
V.2.1 Fonctionnement en Multivibrateur Monostable 94
V.2.2 Fonctionnement en multivibrateur astable 95
Bibliographie 96
7
CH1 Elément actif à semi-conducteur
I Modèles statiques de la diode a jonction PN
I.1 Introduction:
Les modèles sont utilisés pour l’analyse des phénomènes, des processus, des systèmes et des
éléments. La diode est un élément non linéaire, l’équation liant le courant ID et la tension VD
est non linéaire :
VD
I D = I S (e m.VT
− 1)
VT : potentiel thermique
Is ; courant inverse
m : coefficient d’ajustement empirique
VD : tension appliquée aux bornes de la diode
Ceci rend l’analyse d’un circuit électrique comportant des diodes difficile. Pour faciliter donc
cette analyse on remplace les diodes par des modèles linéaires.
I.2 Le modèle idéal:
En direct la diode est considérée comme un circuit fermé :
VD =0 pour ID ≥ 0
En inverse la diode est considérée comme un circuit ouvert
ID =0 pour VD ≤ 0
a b c
A
A
ID
ID VD VD
0 VD K K
Fig1 Modèle idéal d’une diode a jonction PN a: forme graphique; b: schéma équivalent de la
diode en direct; c: schéma équivalent de la diode en inverse
8
I.3 Le modèle a seuil: La forme analytique du modèle est exprimée par les équations :
VD = V0 pour ID ≥ 0
ID = 0 pour VD ≤ V0
a b c
A
A
ID ID
V0 VD VD
0 V0 VD K K
Fig2 Modèle a seuil a: forme graphique; b: schéma équivalent de la diode en direct; c: schéma
équivalent de la diode en inverse
I.4 Le modèle linéarisé:
La forme analytique du modèle est exprimée par les équations :
VD = V0 + rD .I D pour ID ≥ 0
ID = 0 pour VD ≤ V0
a b c
A
A
ID ID
VD VD
V0
∆ ID
α
rD
0 V0 VD
∆ VD K K
Fig3 Modèle linéarisé a: forme graphique; b: schéma équivalent de la diode en direct; c:

schéma équivalent de la diode en inverse
∆VD
rD . = cot anα =
∆I D
9
II Fonctionnement linéaire de la diode (régime petit signaux)
Quand on fait passer un courant variable (par exemple sinusoïdal) id à travers une diode, si la
tension VD sur la diode a la même forme, la diode fonctionne en régime linéaire. Ceci est vrai
pour de très petites amplitudes de id et VD.
ID iD
A
t
VD
vD
Fig4 Diode linaire
II.1 polarisation de la diode
Le rôle de ID0 est de placer le point A au milieu d’une section linéaire de la caractéristique. La
diode doit être polarisée par le courant ID0 avant qui id ne soit appliqué.
V D = E 0 − .I D .R (1)
Equation du circuit de polarisation condition externe (1).

VD
.I D . = I S .e m.VT (2)
Equation de la caractéristique directe de la diode (condition interne) (2).
VD
ID
E0
Circuit de polarisation
10
E0/R
ID
ID0 A
E0
VD0 VD
0
Fig5 Détermination graphique du point de fonctionnement de la diode
II.2 Puissance maximale de la diode
Tj − Ta
P = V D 0 .I D 0 = .
Rth
Puissance Puissance dissipée
électrique
Rth résistance thermique de la diode de l’ordre °c/W et atteint quelques centaines de °c/W
pour les diodes de petites puissance.
Tj : Température de la jonction
Ta : Température ambiante
Tj max − Ta
Pmax de la diode : P = (V D 0 .I D 0 )max = .
Rth
II.3 Les claquage dans les diodes
II.3.1 le claquage par avalanche
Dès que la tension inverse atteint une valeur critique appelée tension de claquage VBR , le
courant inverse s’accroit vite et sa valeur est limitée seulement par la résistance branchée en
série avec la jonction.
11
dVD
La résistance dynamique de claquage : rz = = cot anα pour I d 〈 I z min
dI D
ID
VBR
α IZmin VD
IZmax
Fig6 Caractéristique complète d’une diode a jonction PN
II.3.2 Le claquage par effet tunnel
Il se produit quand l’anode et la cathode de la diode sont fortement dopées dans ce cas le
claquage par effet tunnel précède le claquage par avalanche
II.3.3 Le claquage thermique
Quand la diode est polarisée en inverse, VD0 est la tension inverse et ID0 le courant inverse.
Quand VD0 augmente la puissance électrique s’accroit et provoque une augmentation de la
température de la jonction Tj jusqu'à Tjmax d’où le claquage thermique
II.4 Les capacités de la diode a jonction PN
ε 0 .ε r .S
La capacité de transition CT =
d
S : aire de la jonction
d : largeur de la jonction
ε 0 Permittivité du vide
12
ε r Permittivité relative du semi conducteur
τp.I Dp + τn.I Dn
La capacité de diffusion C D =
m.VT
τp : Temps de vie des trous
τn : Temps de vie des électrons
I Dp , I Dn courant de diffusion des trous et des électrons
τp.I Dp
τp >> τn et I Dp >> I Dn ⇒ CD =
m.VT
id
Vd C=CD+CT
rd C
Fig7 Schéma équivalent hautes fréquence de la diode
m.VT τp.
rD = ⇒ CD =
ID rD
En inverse C D << CT ⇒ C = CT
En direct C D >> CT ⇒ C = CD .
Les diodes en inverse sont utilisées comme condensateur dans les circuits intégrés. On les
utilisent aussi comme capacité commandé en tension dans les circuits de syntonisation.
Remarque : en continu l’impédance de la diode tend vers l’infini et les capacités sont
négligeables
III Les diodes zener
Presque toutes les diodes à jonction PN peuvent fonctionner dans leurs zones de claquage
électrique a condition qu’il reste réversible. Mais on conçoit des diodes zener spéciales pour
obtenir contrôler et garantir leurs paramètres souhaités.
La tension de claquage VBR est appelée souvent tension zener Vz
13
Iz
Vz
Symbole
III.1 Modèle statique
a b c
K
K
ID IZ
VZ VD VD
0 VZ VD A A
Fig.8 Modèle idéale d’une diode Zener a: forme graphique; b: schéma équivalent dans la zone
de claquage; c: schéma équivalent avant le claquage
V D = VZ pour IZ ≥ 0
IZ = 0 pour VD ≤ VZ
III.2 Modèle linéarisé
a b c
K
K
IZ Iz
VZ VD VD
α
rz
0 Vz VD
A A
Fig.9 Modèle linéarisé d’une diode à jonction PN a: forme graphique; b: schéma équivalent
dans la zone de claquage; c: schéma équivalent avant le claquage
14
VD = VZ + rZ I Z pour I Z ≥ 0
IZ = 0 pour VD ≤ VZ
Le circuit de polarisation de la diode zener est le suivant

R
VD
IZ
E0
Fig.10 Circuit de polarisation
Coordonnées du point de fonctionnement
E 0 − VZ
I D0 =
R + rz
E0 .rZ + R.VZ
VD 0 =
R + rz
R sert à placer le point de fonctionnement dans la zone linéaire de la caractéristique de

claquage.
15
CH2 Les Transistors bijonctions
I.1 Introduction
L’impact du transistor dans le monde est énorme. En effet ce dernier a permit de réaliser
les circuits intégrés, les composants optoélectroniques et les microprocesseurs.
Un transistor ce présente comme suit :
C C
B B
E E
NPN PNP
Fig.1 Symbole d’un transistor
Émetteur Collecteur Émetteur Collecteur

Base Base
N P N P N P
Transistor NPN Transistor PNP
Fig.2 Semi-conducteur NPN et PNP
Dans le cas d’un transistor NPN :
L’émetteur est fortement dopé il injecte des électrons dans la base
La base est légèrement dopée et très étroite elle conduit la plupart des électrons injectés
par l’émetteur dans le collecteur
Le collecteur est moyennement dopé il collecte les électrons provenant de la base.
16
Le transistor comporte deux jonctions il ressemble donc a deux diode, la première est
appelée la diode émetteur la seconde diode collecteur.
I.1 Polarisation d’un transistor:
• Montage base commune
N P N
- - -
- VEB VCB
+
+ +
+
Fig.3 Polarisation des deux diodes en direct.
Petit courant Petit courant
N P N
+ + +
+ VEB VCB
-
- -
-
Fig.4 Polarisation des deux diodes en inverse (rarement adoptée).
• Tension de claquage
Pour avoir l’effet transistor normal la diode collecteur doit être polarisé en inverse avec une
tension collecteur inférieure a la tension limite BVCE de même pour la diode émetteur qui
parfois dans certains transistor est polarisée temporairement en inverse.
17
II. Montage a émetteur commun
RC
N
VCC
RB
P
Pt commun des deux sources de tension
N
VBB Reliées a l’émetteur d’où émetteur commun
commun
Fig.5 Montage à émetteur commun
Le fonctionnement d’un transistor en montage EC est le même qu’en montage BC.
L’émetteur est plein d’électron libres lorsque VBE> 0.7 V ce dernier injecte ces électrons
dans la base qui diffusent dans le collecteur d’où ils sortent pour aller vers la source externe
de tension.
II.1 Rapport α et rapport β en continu (régime statique)
Dans la plupart des transistors plus de 95% des électrons injectés par l’émetteur passent au
collecteur. Le rapport αcc qui lie Ic à IE :
IC
α CC = ≈1
IE
Moins de 5 % des électrons tombent dans la base Le rapport βcc qui lie Ic à IB :
IC
β CC =
IB
β CC est compris généralement entre 50 et 300.
Relation entre β CC et α CC
18
IE I 1 1
On a I E = I C + I B ⇒ = 1+ B ⇒ = 1+
IC IC α CC β CC
α CC
⇒ β cc =
1 − α CC
Deux circuits équivalent
N +
VCE
P -
+
N
VBE
-
Fig.6 Transistor
IC=αCC.IE
+
α CC. Ι E
IB
VCE
+ +
-
VBE r’b V’BE IE
-
-
Fig.7 Modèle d’un transistor
VBE= IB r’b +V’BE
II.2 Modèle Ebers-Moll:
- VBE=0.7V
19
- IB r’b =0
- IC =IE α CC=1
- IB =IE /β CC
Conclusion :
Pour qu’un transistor fonctionne de façon linéaire :
1 La diode émetteur doit être polarisée en direct
2 La diode collecteur doit être polarisée en inverse
3 La tension entre les bornes de la diode collecteur < à la tension de claquage
III Caractéristique d’un transistor
Les caractéristiques qui lient les courants et les tensions d’un transistor représentent
graphiquement son fonctionnement.
RB
RC
β CC=100 +
+ VCC
VBB
-
-
Fig.8 Montage pour tracer les caractéristiques du transistor
III.1 Caractéristique du collecteur
On fixe IB a une valeur, on fait varier Vcc et on trace Ic =f(VCE).

IC Claquage
IC
Claquage
IB=20µA
2mA
IB=10µA
1mA
1V 1V
VCE VCE
Fig.9 Caractéristiques pour IB=10µA et IB=20µA
20
Si VCE fonctionne au dessus de la zone de claquage le transistor ne fonctionne plus en tant que
source de courant.
III.2 caractéristiques de base
La caractéristique de base est celle d’une diode :
IB
1mA
0.7V
VBE
Fig.10 IB en fonction de VBE.
III.3 Caractéristiques du gain en courant
β CC T=150°c
T= -50°c
IC
Fig.11 β pour deux températures différentes
Le gain β CC d’un transistor change avec la température. Il faut concevoir des circuits qui ne
dépendent pas trop de β CC.
21
III.4 Valeurs limites des transistors
Région active le transistor se comporte

IC
comme une source de courant
Région de
saturation
Région de Claquage à
éviter
VCE
Fig.12 Ic en fonction de Vce à Ib cste
III.5 Droite de charge en continu (en régime statique)
RB
RC
VCE +
+ VCC
VBB
-
-
Fig.13 Polarisation d’un transistor
VCC − VCE
On a I C = équation de la droite de charge statique
RC
La droite de charge statique définit la dynamique d’un transistor elle va d’environ 0 à Vcc et
le transistor se comporte comme une source de courant à l’exception des points de saturation
et de blocage.
22
IC Saturation
Q pt de fonctionnement
IB>IB sat
Vcc/Rc
IB=IB sat
Q
Blocage
IB= 0
Vcc VCE
Fig.14 Caractéristiques d’un transistor
La droite de charge statique définit la dynamique d’un transistor elle va d’environ 0 à Vcc et
le transistor se comporte comme une source de courant à l’exception des points de saturations
et de blocages.
III.6 Transistor Interrupteur
Un transistor saturé se comporte comme un interrupteur fermé du collecteur à l’émetteur. Un

transistor bloqué se comporte comme un interrupteur ouvert.
• Courant de base
V BB − VBE
La maille d’entrée donne I B =
RB
IC
Vcc/Rc Interrupteur fermé
Interrupteur ouvert
VCE
Vcc
Fig.15 Points de saturation et de blocage
- Si le courant de base est supérieure ou égale IBsat => interrupteur fermé
- Si le courant de base est nul => interrupteur ouvert
VBB et RB fixe le courant de base
23
III.7 Transistor source de courant
RC
VCE
+
+ VCC
RE
VBB
-
-
Fig.16 Transistor polarisé
IC
Vcc/(Rc+RE)
Q
VCE
Fig.17 Droite de charge statique
VCE + I E .RE − VCC + I C .RC = 0 or I C ≈ I E
VCC − VCE
⇒ IC ≈
RC + RE
VBB − VBE
La maille d’entrée => IE = ≈ IC
RE
On remarquera que le courant collecteur ne dépend pas de βcc.
IV Circuit de polarisation d’un transistor
Avant d’appliquer un signal alternatif à un transistor il faut déterminer un point Q de

fonctionnement près du point milieu de la droite de charge statique. Pour que le dispositif
demeure linéaire la diode émetteur doit rester en polarisation directe et la diode collecteur doit
rester en polarisation inverse. Les fluctuations du courant et de la tension ne doivent ni saturer
le transistor ni le bloquer :
24
IV .1 Polarisation de base
Appelée aussi polarisation fixe cette façon de polariser un transistor n’est pas bonne car le
point Q n’est pas stable en effet βcc peut varier d’un rapport 9/1 selon le courant et la
température.
RC
VCE
VBB VCC +
+ RB
-
-
VCC
RB RC
Fig.18 Polarisation de base
IV.2 Polarisation par réaction d’émetteur
Le but de ce montage est de compenser les variations de βcc
RC
VCE
VCC +
+ RB
-
VBB RE -
Fig.19 Polarisation par réaction d’émetteur
25
VCC
RB RC
RE
La maille 1 ⇒ VCE + I E .R E − VCC + I C .RC = 0 or I C ≈ I E
VCC − VCE
⇒ IC ≈
RC + RE
IC
La maille d’entrée => ⇒ V BE + I E .R E − VCC + I B .R B = 0 or I B =
β cc
VCC − V BE
IC ≈
R
RE + B
β CC
RE Compense les variations de β CC
Si on augmente trop RE on risque de saturer le transistor elle est presque aussi sensible que la
polarisation de base donc on l’évite.
Exemple: Calculer le courant collecteur de saturation du transistor représenté ci-dessous.
26
VCC
430Kohm 910ohm
100ohm
IC
14,9mA
βcc=300
9,33mA Q
βcc=100
3,25 mA
15 V
VCE
15
I Csat = = 14,9mA
910 + 100
15 − 0.7
IC pour β cc = 100 ⇒ I C = = 3,25mA
430.10 3
+ 100
100
IC pour β cc = 300 ⇒ I C = 9,33mA
IV.3 Polarisation par réaction de collecteur
Droite de charge
⇒ VCE − VCC + (I C + I B ).RC = 0
27
VCC − VCE
I C >> I B IC ≈
RC
si T↑ ⇒ β cc ↑ ⇒ IC ↑ ⇒ VCE ↓ ⇒ RB I B ↓ ⇒ IB ↓ ⇒ IC ↓
VCC
RB
RC
Fig.22 Polarisation par réaction de collecteur
Maille d’entrée
IC
⇒ V BE − VCC + (I C + I B ).RC + I B R B = 0 or IB =
βcc
VCC − V BE
⇒ IC ≈
R
RC + B
β cc
On est toujours sensible à la variation de βcc mais ce montage est beaucoup plus efficace que
celui par réaction d’émetteur, avec cette méthode le transistor n’est jamais saturer en effet :
Vcc − 0,7
Si R B ↓ I C au pire = < I Csat
Rc
IV.4 Polarisation par diviseur de tension
R2
Vth = VCC
R2 + R1
Rth = R1 // R2
28
Vcc
R1 Rc
R2
RE
Fig.23 Polarisation par diviseur de tension
RC
VCE
VCC +
+ Rth
-
Vth RE -
Fig.23 Polarisation par diviseur de tension: équivalent thévenin
V. Circuit à transistor PNP
IC
VCB
IB
VCE
VBE IE
Fig.24 Transistor PNP Fig.25 Courant conventionnel
Les diodes émetteur et collecteur pointent dans des sens opposés donc tous les courants et
29
toutes les tensions sont inversées et pour polariser en direct la diode émetteur d’un transistor
PNP la polarité de VBE doit être négative et pour polariser la diode collecteur en inverse VCB
doit voir la polarité positive.
Lorsque l’alimentation est positive on renverse habituellement la représentation des

transistors
VCC -VCC
RB RB
RC RC
Fig.26 Polarisation d’un NPN Fig.27 Polarisation d’un PNP circuit original
+VCC
RB RB
RC RC
RC
+VCC
Fig.28 Déplacement de la masse Fig.29 Version renversé
30
Maintenance des transistors
- Essais hors circuit
- La résistance entre le collecteur et l’émetteur doit être élevée dans les deux sens. Si la
résistance est de zéro à quelques milliers d’ohms dans les deux sens le transistor est court-
circuité
-Lire les résistances inverse et directe de la diode collecteur (collecteur base) et la diode
émetteur (émetteur base) il faut que le rapport résistance inverse / résistance directe soit
supérieure a 1000/1 (dans le cas du silicium)
-On mesure Vc et VE par rapport à la masse la différence Vc-VE doit être supérieure à 1 volt
et inférieure à Vcc. Si la différence est inférieure à 1 volt le transistor est court-circuité et si
elle est égale à Vcc le transistor est ouvert.
-Pour vérifier VBE on mesure VB et VE la différence doit être de 0,6 à 0,7 volt pour les
transistors petit signaux et au moins 1V pour les transistors de puissance : si la différence est
inférieure a 0,6 volt => la diode émetteur n’est pas polarisé en direct le défaut réside dans le
transistor ou dans les composants de polarisation.
-Vérifier le blocage : on court circuite les bornes base émetteur avec un cavalier => on
supprime la polarisation directe de la diode émetteur et bloque de force le transistor : la
tension (collecteur-masse) doit égaler la tension d’alimentation du collecteur. Sinon le
transistor ou la circuiterie est défectueuse.
31
CH3 Amplificateur à Transistor
A. Amplificateur à émetteur commun
I. Introduction
Après avoir polarisé le transistor et choisi le point de fonctionnement Q au milieu de la droite
de charge statique on peut appliquer un petit signal alternatif à la base. Si l’entrée est une
onde sinusoïdale de fréquence 1 Khz la sotie sera une onde sinusoïdale agrandie de fréquence
1Khz. Un amplificateur est linéaire (haute fidélité) s’il ne change pas l’allure du signal. Si le
signal d’entrée est trop grand les fluctuations le long de la droite de charge saturent ou
bloquent le transistor.
I.1 Condensateurs de couplages et condensateurs de découplages
XC
A B
Vth
Rth
RL
Ouvert en continu
XC
A B
Court circuit en alternatif
Fig.1 Schéma électrique
32
Vth
I= avec R = Rth + RL
R² + X C ²
Pour que la transmission ait lieu la résistance capacitive Xc doit être petite comparée à la
résistance série.
Si f augmente Xc décroit jusqu'à devenir beaucoup plus petite que R => le courant passe par
un maximum I=U/R => le condensateur transmet convenablement le signal quand Xc<<R.
-Couplage soutenu
La capacité d’un condensateur de couplage dépend de la plus petite fréquence qu’on veut
transmettre nous utiliserons la règle X C ≤ 0,1.R .
Exemple :
Si on travaille entre 20Hz et 20KHz et si le condensateur de couplage d’entrée voit une

résistance totale série de 10 Kohm => Xc doit être inférieure a 1Kohm.
1 1
XC = ⇒ C= = 7.96 µF on normalise a la valeur
2.π . f .C 2.π .(20hz ).(1Kohm)
sup erieure ⇒ 10 µF
Le condensateur de couplage bloque le courant continu et laisse passer le courant alternatif

cela permet de transmettre un signal alternatif d’un étage a un autre sans déranger la
polarisation en courant continu de chaque étage.
II Application du théorème de superposition aux amplificateurs
Dans un amplificateur à transistor:
- La source continue: établit le point de repos
- La source alternative produit des fluctuations autour de ce point
II Circuit équivalent en alternatif et en continu
- En continu : annuler la source alternative ce qui revient à court circuiter une source de
tension et ouvrir une source de courant. Ouvrir toutes les capacités.
- En alternatif : annuler la source continu ce qui revient à court circuiter une source de
tension et ouvrir une source de courant. Court circuiter toutes les capacités de couplages
et de découplages.
33
VCC
Condensateur de couplage
R1 Rc
E
RS Condensateur de
V0
découplage
Vi RE
R2
VS RL
Fig.2 Amplificateur à transistor
V0
RS
Vi
rc=RC/ / RL
VS R2 R1
Fig.3 Circuit équivalent en alternatif

VCC
R1 Rc
R2 RE
Fig.4 Circuit équivalent en continu
34
II.2 Résistance en alternatif de la diode émetteur C

C
C
ic
IC
B B B
+ +
vbe
VBE r’e
E
- -
E
E
Transistor Modèle ebers-Moll en continu Modèle ebers-Moll en alternatif
Fig.5 Modèle ebers-Moll
IE
∆IE
Q
Α
VBE
∆VBE
Fig.6 Fonctionnement en linéaire
En absence de signal alternatif le transistor fonctionne au point Q. En alternatif si le signal est

petit les points A et B sont proche de Q et le fonctionnement est a peu près linéaire (AB une
droite) dans ce cas la diode est approximée a une résistance r’e.
∆VBE
r' e =
∆I E
-r’e : est la résistance d’émetteur en alternatif
35
Si le signal d’entrée est grand nous aurons une distorsion pour éviter cela nous utiliserons la
règle suivante : ie=10% IE
25mV
On montre que r' e =
IE
II.3 Beta β en alternatif
∆I C
β=
∆I B
IC
Β
VCE constant
∆IE
∆IC
Q
Α
∆IB VBE
IB
Fig.7 Ic en fonction de Ib
III Amplificateur à émetteur à la masse
VCC
R1 Rc
E
Condensateur de
V0
découplage
C RE
R2
Vi
Fig.8 Amplificateur à émetteur à la masse
36
Ce montage inverse la tension de sortie par a celle de l’entrée de 180°.
IC
VCE
VBE
Fig.9 Caractéristiques d’un transistor
Pour avoir un fonctionnement linéaire on prend ∆I C < 0,1 . I C
tension alternative de sortie VO

Le gain en tension vaut A = =
tension alternative d ' entrée Vi
Circuit équivalent en alternatif
On court-circuite la source d’alimentation à la masse et on court circuite les capacités.
V0
Vi
rc=RC
Vi R2 R1
B C
VO
R1 r’E
rc=RC
R2
Vi
E
Fig.10Circuit équivalent en alternatif
37
Vi
ie = or ic ≈ ie
r' e
Vo = −ie.RC
Vo − ie.RC − .RC
A= = = =A
Vi ie.r ' e .r ' e
Exemple
Si RC = 4,7 Kohm r ' e = 26 ohm
− .RC
A= = −188
.r ' e
III.1 Modèle en alternatif d’un étage à émetteur commun
Impédance d’entrée
Vi Vi
Zi = on note Z i (base ) = or Vi = ie.r ' e
ii ib
ie ≅ ic ≅ β .ib ⇒ Vi = β .ib.r ' e
β .ib.r ' e
et Z i ( base ) ≅ = β .r ' e
ib B C
Vi
VO
R1 R2
β.r’e
RC
iC
Fig.11Modèle en alternatif d’un étage à émetteur commun
Z i = R1 // R2 // β .r ' e C’est l’impédance totale d’entrée
Impédance de sortie
Z 0 = RC Car l’impédance de la source de courant ic est infini (source idéale)
38
Modèle en courant alternatif d’un amplificateur à émetteur à la masse
β .r’e
R1// R2.//β RC
VO
Vi
AVi
Fig.12 Modèle en courant alternatif
Ce modèle simple d’un amplificateur à émetteur à la masse permet d’analyser rapidement des
étages en cascades.
Vi Vi 1 1
ii = ib + ie = β .ib = ⇒ ii = Vi .( + )
Req r' e β .r ' e Req
Amplificateur stabilisé
La résistance r’e peut varier du simple au double pour différentes températures toute variation
de r’e fera varier le gain en tension d’un amplificateur a émetteur à la masse pour y remédier
on insère une résistance re en série avec l’émetteur (re>>r’e)
re
Re
Fig.13 Stabilisation
Si on stabilise très fort on risque d’avoir un gain A très faible (tout dépend de l’application).
39
B. Amplificateur à collecteur commun
I. Principe
Un amplificateur à collecteur commun ressemble à un amplificateur à émetteur commun
fortement stabilisé.
La tension continue de sortie est égale à Vo=Vi – VBE.
On appelle aussi ce dispositif un amplificateur à émetteur suiveur ( la tension continue

émetteur suit la tension continue base).
VCC
VCE
Vi
Vo
RE0
Fig.1 Amplificateur à collecteur commun
I.1 Droite de charge statique
La maille du collecteur donne :
IC
VCC/RE
VCC VCE
Fig.2 Point de fonctionnement
40
VCE + R E I E − VCC = 0
VCC − VCE
⇒ IC =
RE
I.2 En dynamique
ic
r’e V1
Vi Vo
RE
Fig.3 Circuit équivalent en courant alternatif
V0 = ie .RE
Vi = ie (.RE + r ' e )
V0 RE
A= = gain en tension
Vi (.RE + r ' e )
Dans la plupart des amplificateurs à émetteur suiveur RE masque r’e et le gain en tension
A ≈1
VCC
R1
Rs
V1
R2 RE V0
Vs1
V
Fig.4 Amplificateur à émetteur suiveur
41
- Circuit équivalent en courant alternatif

ic
Rs
r’e
R2 R1
VVs
1 io
RE
Fig.5 Montage en courant alternatif
- Impédance totale d’entrée de l’amplificateur
I1 Ib ic
R3=R1 //R2 r’e

V1
RE
V1
Z1 =
i1
V1
i1 = ib +
R3
V1 = (ib + ic ).(.RE + r ' e ) = (1 + β ).(.R E + r ' e ).ib
V1 V  ((1 + β ).(.RE + r ' e ) ).R3 

i1 = + 1 ⇒ i1 =  .V1
(1 + β ).(.RE + r ' e ) R3  (1 + β ).(.RE + r ' e ) + R3 
⇒ Z 1 = ( R1 // R2 ) // .(.RE + r ' e ).β ≈ ( R1 // R2 )
car 1 + β ≈ β et ( R1 // R2 ) << (.RE + r 'e ).β
42
- Impédance de sortie
V0 
Z0 =  On éteint les sources autonomes Vs=0
i0 Vs =0
Ib io ic
I
Req=R1//R2//RS r’e
RE VS
V0
i0 = − (ib + ic )
RE
V0
= − (1 + β ).ib
RE
V0 = −( Req .ib + i.r 'e ) = −((1 + β ).r 'e + Req ).ib
Req
V0 = −(.r 'e + ).(1 + β ).ib
(1 + β )
V0 V0 .(1 + β )
i0 = +
RE Req
(.r ' e + ).(1 + β )
(1 + β )
( R1 // R2 // RS )
Z 0 = R E //(r ' e + ) avec β ≈ β + 1
β
Gain à vide
V0 RE
A= =
V1 r ' e + RE
Modèle en courant alternatif
( R1 // R2 // RS )
Z 0 = R E //(r ' e + )
β
( R1 // R2 // RS ) ( R1 // R2 // RS )
≈ ( r 'e + ) car RE > (r 'e + )
β β
43
Z0
Z1
V1 V0
A V1
Fig.6 Modèle de l’amplificateur
44
C. Amplificateur a base commune

I Introduction
La figure ci-dessous représente un amplificateur à base commune

VCC
RC
VE
VS
RE
-VEE
Fig.1 amplificateur a base
On règle le point Q avec la polarisation d’émetteur : circuit équivalent en courant continu =>
VCC
RC
V1
RE V0
-VEE
Fig.2 Circuit équivalent en courant continu
VEE − VBE
IE =
RE
II Polarisation par diviseur de tension

RC
VE
VS
RE
R1 RC
VCC
R2
Fig.3 Polarisation par diviseur de tension
45
L’équivalent en courant continu de l’amplificateur à base commune de la figure précédente

est : VCC
R1 Rc
RE
R2
Fig.4 équivalent en courant continu
II.I Le circuit équivalent en alternatif est le suivant :
r’e
ie iS
i
Ve ic Rc VS
RE
Fig.5 L’équivalent en courant alternatif
i = iC + i S
On néglige la résistance RE devant r’e en effet r ' e // R2 ≈ r ' e car r ' e << R2
Ve
Ze = = r'e avec Ve = r ' e.ie
ie
Vs 
ZS =  avec Vs = RC .ic
is Ve =0
Vs Rc
A= =
Ve r ' e
46
II.2 Le modèle en courant alternatif d’un amplificateur a base commune:
RC
r’e
V1 VS
A V0
Fig.6 Modèle
Rc
Avec A =
r' e
La différence entre cette amplificateur et celui à émetteur commun est la petite impédance
d’entrée. C’est pour cela qu’on ne l’utilise pas beaucoup. Il est surtout utilisé dans des
applications haute fréquence (>10 Mhz) ou l’impédance de source sont souvent petites.
47
D. Paramètres hybrides ou h
Les paramètres hybrides ou h permettent d’analyser mathématiquement et de façon poussée
les circuits linéaires a transistors. Ils constituent l’outil suprême pour calculer le gain en
tension, l’impédance d’entrée et l’impédance de sortie exacte, d’un amplificateur à transistor/
I Les paramètres hybrides
Dans le cas de petites variations (petits signaux) autour du point de repos statique (Vce0, Ib0)
situé dans la zone de fonctionnement linéaire le modèle d’un transistor peut être défini à partir
des paramètres hybrides (pas les mêmes dimensions).
Vbe = h11ib + h12Vce



i = h i + h V
c 21 b 22 ce
En émetteur commun :
-h11 : résistance d’entrée en ohm
- h12 : nombre pur
- h21 : nombre pur (gain en courant)
- h22 : conductance de sortie (s ou ohm-1).
V 
h11 =  be 
 ib Vce =const
V 
h12 =  be 
 Vce  I b =const
i 
h21 =  c 
 ib Vce =const
 i 
h22 =  c 
 Vce  I b =const
II schéma équivalents en petit signaux
ic C
ib
Vbe
E
48
h11
B ib C
ic
Vbe
h12. Vce h21. ib 1/h22 Vce
E
Fig.1 Schéma équivalent petit signaux
Exemple : Les paramètres d’un 2N3904 à émetteur commun et courant collecteur de 1mA
sont :
h11 = 3,5 Kohm

h12 = 1,3 10 −4
h21 = 120
h22 = 8,5µs = 118 Kohm
II.1 gain en courant et en tension
B h11 C
I1 i2
I3 i4
rS
h21. i1
V1 h12. V2 1/h22 V2
VS
rL
E
Fig.2 Schéma équivalent petit signaux
49
i2 h21
Ai = =
i1 1 + h22 .rL
− rL .(h21 − h22 .rL . Ai )

AS =
1 − h12 .rL .(h21 − h22 rL . Ai )
− rL .h21
Av =
h11 + (h11.h22 − h12 h21 ).rL .
V1 h11 .i1 − h12 .rL .i2

Zi = =
i1 i1
 h21 
Z i = h11 − h12 .rL  
 1 + h .r
22 L 
V2  rS + h11
ZS =  =
i 2  vs =0 h22 .(rS + h11 ) − h21 h12
50
Chapitre 4 Amplificateur de puissance
A Amplificateur classe A et classe B
I. Transistor classe A
I.1 Droite de charge en dynamique d’un amplificateur à émetteur commun

VCC
Rc
R1
B E
RS V0
Vi
R2 RE
VS RL
Fig.1 Amplificateur à émetteur commun
Rc
R1
B E
R2 RE
Fig.2 Équivalent en courant continu CC
51
B
RS
E rc=RC/ / RL
rB
VS
Fig.3 Équivalent en courant alternatif: CA
- En statique
Ic
Vcc
RC + R E
Vcc VCE
Fig.4 Droite de charge statique
La résistance d’attaque de la base est en courant alternatif:
rB = RS // R1 // R2
La résistance de charge en courant alternatif vue par le collecteur est
rC = RC // RL
I.2 saturation et blocage dynamique
VCE
Maille de sortie => VCE + ic.rc = 0 ⇒ ic = −
rc
On a ic = ∆I C . = I C − I CQ
vCE = ∆VCE . = VCE − VCEQ
VCE VCEQ VCE

I C = I CQ − = I CQ + − Équation de la droite de charge dynamique
rC rc rc
- A la saturation
52
VCEQ
I C ( sat ) = I CQ + car VCE = 0
rc
- Au blocage
I C = 0 ⇒ vCE (blocage) = VCEQ + I CQ rc
I C (sat ) : Courant de saturation dynamique
I CQ : Courant continu collecteur
VCEQ : Tension continu collecteur émetteur
rC : Résistance en courant alternatif vue par le collecteur
Ic
Saturation
VCEQ
I CQ +
rc
Q
I CQ
Blocage
VCE
VCEQ VCEQ + I CQ rc
Fig.5 Droite de charge dynamique
I.3 Dynamique du signal alternatif de sortie
La droite de charge dynamique permet de comprendre le fonctionnement en grand signaux,

durant l’alternance positive la tension collecteur varie du point Q vers le point de saturation
durant l’alternance négative la tension collecteur varie du point Q vers le point de blocage.
Si le signal d’entrée est trop grand on aura saturation
La dynamique du signal alternatif de sortie d’un amplificateur à émetteur commun est égale a
la plus petites des deux valeurs approchées suivantes:
53
 pp ≈ 2 I CQ rc l ' excursion positive max imale


VCEQ 
Inf de  pp ≈ 2VCEQ l ' excursion negative max imale

Pp : valeur crête à crête
Exemple
VCC V
+10
3.6Kohm
10 Kohm
B E
1Kohm RS V0
Vi
1Kohm
VS 2.2Kohm RL
1.5Kohm
La droite de charge statique donne :

IC
5.76mA
2.17mA
V VCE
4.94V
6.11V
10V
1.17V
1.17V
Dynamique du signal
54
2.2 Kohm
VB = .10 = 1.8V
12.2 Kohm
V B − V BE
IE = = 1.1mA ≈ I CQ
1Kohm
VCEQ = 10V − (1.1mA).(4600ohm) = 4.94V
VCC
I C ( sat ) = = 2.17mA
RC + RE
Droite de charge dynamique :
rC = RC // RL = 3.6 Kohm // 1.5 Kohm = 1.06 Kohm
 VCEQ 4.94
 I C ( sat ) = I CQ + = 1.1 10 −3 + = 5.76 10 −3 A
en CA VCEQ  rc 1 . 06 Kohm
V (blocage) = V −3
 CE CEQ + I CQ rc = 4.94 + 1.1 10 . 1.06 Kohm = 6.11 V
I CQ rc = 1.1 10 −3. 1.06 Kohm = 1.17 V ⇒ 2 pp = 2.34 V
VCEQ = −4.94 V ⇒ 2 pp = −9.88 V À éliminer
II. fonctionnement en classe A
Soit l’amplificateur à émetteur commun du paragraphe I
RC
Le gain en tension vaut Av = − sans charge
r'e
rC
Le gain en tension en charge Acv = − rC = RC // RL
r'e
iC
Le gain en courant Ai = ≈β
ib
p0
Le gain en puissance A p =
Pi
Pi = vi .ib Puissance d’entrée à la base en alternatif
P0 = −v0 .iC Puissance de sortie du collecteur en alternatif
A p = − Acv . Ai
55
Exemple :
-rc =7500ohm, r’e=50ohm, et β=125
7500
Ai ≈ β = 125 Acv = − = −150 A p = −(−150).(125) = 18750
50
Une puissance d’entrée de 1µW donne une puissance de sortie de 18.75mW
II.1 Puissance de charge
VL ² PL : Puissance de charge en alternatif.

PL =
RL b
VL : Tension efficace de charge.
V L (max) = V L 2 RL : Resistance de charge.
V pp
V pp = 2.VL (max) = 2.VL 2 ⇒ VL =
2 2
V pp ²
PL (max) =
8 .R L
La charge d’un amplificateur peut être un haut parleur, un moteur…….
II.2 Puissance dissipé par un transistor
Lorsqu’un amplificateur n’est attaqué par aucun signal la puissance dissipée par le transistor
est égale au produit de la tension continu par le courant continu.
PDQ = VCEQ .I CQ
Cette puissance ne doit pas dépasser la puissance limite d’un transistor sinon on risque
d’endommager le transistor.
Exemple :
Le 2N2934 à une puissance limite de 310mW à 25°c
Si VCEQ= 10 V et ICQ= 5mA => PDQ=50mW
Donc le transistor dissipera facilement cette puissance à 25°c
II.3 Courant d’alimentation ou courant consommé
VCC
Le courant continu consommé par le pont diviseur vaut I 1 =
R1 + R2
Le circuit collecteur consomme un courant continu de I 2 = I CQ
56
La source continu doit fournir un courant moyen de I S = I 1 + I 2
La puissance consommée vaut PS = VCC .I S
- Rendement par étage
PL (max)
η= .100 %
PS
III Fonctionnement en classe B
Le fonctionnement en classe A d’un transistor n’est pas le plus rentable en effet le courant
collecteur circule durant 360° du cycle alternatif. En classe B le courant collecteur ne circule
que durant 180° du cycle alternatif donc le point Q est voisin du point de blocage de la droite
de charge dynamique.
III.1 Amplificateur Push-Pull
Un transistor classe B supprime une alternance pour éviter la déformation que cette
suppression entraine, il faut monter deux transistors en push-pull chacun son alternance le
montage push-pull ou symétrique donne un amplificateur classe B de faible distorsion de
grande puissance de charge et de rendement élevé.
+VCC
R1
B
NPN à émetteur
suiveur
R2 E
Vi R1
R2
B
PNP à émetteur
suiveur
R1
RL
R1 E
Fig 6 Montage push-pull
57
III.1.1 L’équivalent en courant continu CC
+VCC
R1
B
NPN à émetteur
suiveur
R2
E
R1
R2
B
PNP à émetteur
suiveur
E
R1
Fig.7 Schéma équivalent en courant continu
III.1.2 L’équivalent en courant alternatif CA :
iC
r’e
V0
+
Vi Zi (base) RL
Fig.8 Schéma équivalent en courant alternatif
58
Les résistances de polarisation sont choisies de façon à placer le point Q au blocage. Cela
polarise la diode émetteur de chaque transistor entre 0,6V et 0,7 V juste ce qu’il faut pour
bloquer la diode émetteur ICQ=0 (idéal).
La symétrie du circuit (résistances de polarisations égales tensions des diodes égales) =>
chaque transistor consomme la moitié de la tension d’alimentation
VCEQ=VCC/2 ( Vcc=VCE1- VCE2 or VCE1= VCE VCE2= -VCE (PNP)
• Droite de charge statique
Comme il n’y a pas de résistance en courant continu dans les circuits des collecteurs ni dans
ceux des émetteurs => le courant continu est infini donc la droite de charge statique est
verticale (classe B présente un problème de stabilisation du point Q au blocage).
• Droite de charge dynamique
 VCEQ
 I C ( sat ) = I CQ + rE = RL
 rE
en CA VCEQ 
V (blocage) = V + I r VCC
VCEQ =
 CE CEQ CQ E
2
Droite de charge
Ic
Dynamique
Vcc
2 RL
Droite de charge statique
Vcc/2 VCE
Q1
Q2
Q1
Fig.9 Droite de charge dynamique et statique
pp ≈ Vcc
RL
AV =
RL + r ' e
Ai ≈ β
59
Ap = Av . Ai
III. 1.3 Distorsion de croisement de recouvrement ou de passage par zero
B
Q1 NPN à
émetteur suiveur
R1
+
B
Vi Q2 PNP à
émetteur suiveur RL
Fig.9 Montage push pull
Distorsion de croisement
Q1
Q2
Etant donné que la jonction VBE n’est pas polarisée alors la tension alternative d’entrée doit
monter jusqu'à environ 0,7 V pour Q1 et – 0,7 V pour Q2.
Ic
VCEQ
re
Q
ICQ
VCE
VCEQ
Fig.10 Point de fonctionnement
60
Pour ne pas avoir ce problème il faut polariser légèrement la diode émetteur pour avoir un
point Q un peu plus haut que le blocage. C’est ce qu’on appelle le classe AB en effet chaque
transistor travaille plus de 180 °.
V pp ²
PL (max) = Vpp : tension crête à crête de charge
8 .R L
PP ²
PL (max) = PP = 2VCEQ
8.RL
VCEQ ²
=
2 RL
Puissance maximum dissipé par le transistor
pp ²
PD (max) =
4.RL
Puissance fournie au circuit Ps
PS = Vcc .I S
I S = I1 + I 2
I1 Courant continu parcourant les résistances
I 2 Courant continu parcourant le collecteur du haut
Rendement par étage
PL (max)
η= .100%
PS (max)
III. 1.4 Polarisation par diviseur de tension
VBE varie avec la température elle décroit de 2mV quand la température croit de 1° donc le
point Q devient incorrect et I c augmente. Si par exemple VBE diminue de 60 mV Ic
augmente 10 fois d’où danger. Pour remédier a cela nous devons utiliser des résistances
réglable sans toutefois régler complètement le problème.
Une des solutions serait de faire une polarisation par diode
61
+VCC
R1
E R1
B
R1 E
Fig.11 Transistor montés en diodes
Toute augmentation de la température diminue la tension de polarisation des diodes
+VCC
Miroir de R1
courant NPN B
2 VBE E
R1
Miroir de
courant PNP
R1 E
Fig.12 Miroir de courant à diodes
62
I B Très inférieur a I R ⇒ I D ≈ I R
La diode a les mêmes caractéristique que la jonction VBE

V BE ⇒ I D ≈ I E ≈ I C ⇒ I C ≈ I R ⇒ on règle le courant émetteur en réglant le courant de R.
On polarise la diode par un miroir de courant
+VCC
IR R1
Miroir de
courant NPN IB B
E
ID
Fig.13 Miroir de courant NPN
+VCC
Miroir de
courant PNP
IB
R1
E
Fig.14 Miroir de courant PNP
63
5 Amplificateur d’attaque ou de pilotage d’un amplificateur classe B

III. 1.5
R1 R3
B
Q3
Vi
R1
E
RL
B
Q4
Q2
B
R2
R4
Fig.15 Amplificateur de pilotage d’un amplificateur classe B
Les condensateurs servent à transmettre le signal AC notons que ce n’est pas la meilleure
façon d’attaquer un amplificateur classe B.
Le transistor Q2 est monté en source de courant qui fournit le courant de polarisation via les
diodes. Le courant IE2 est réglé en réglant R2 IE3=IE4=IE2 (effet miroir).
Quand on attaque T2 avec un signal alternatif ce dernier sera amplifié et inversé (gain A=-
R3/R4)
T2 se comporte comme un amplificateur d’entrée stabilisé durant l’alternance positive Q3

conduit durant l’alternance négative Q4 conduit.
64
B Amplificateur classe C
I Fonctionnement en classe C
Un amplificateur classe C peut fournir une plus grande puissance de charge qu’un
amplificateur classe B sauf que pour amplifier une onde sinusoïdale il faut accorder
l’amplificateur à la fréquence de l’onde d’entrée.
On l’utilise surtout pour amplifier des signaux radiofréquences (>20 KHz).
I fonctionnement en classe C
+Vcc
C L
Vi
E
RB Vo
RL
Fig.1 Transistor en classe C
65
Amax
fr
f
Fig.2 Réponse en fréquence
IC Droite de charge
dynamique
Vcc/r
c
Droite de charge
statique
Vcc
VCE
Fig.3Droit de charge statique et dynamique
La jonction BE n’est pas polarisée donc le point Q se confond avec Vcc, un courant collecteur
apparait quand la tension d’entrée est supérieure à 0,7 V. Le transistor fonctionne pendant
moins de 180 °.
66
IC
.........
Fig.4 Forme d’ondes θ
Cette onde est composée d’une onde fondamentale f et d’un deuxième harmonique, d’un
troisième etc…..
Si le circuit entre en résonance à f donc toutes les harmoniques sont éliminées et la tension de
charge est une onde sinusoïdale. Un bon fonctionnement du montage exige un facteur de
qualité supérieur à 10 (à bande étroite).
L’excursion maximale de tension le long de la droite de charge dynamique est d’environ Vcc
à plein signal la tension de charge dévie d’environ Vce(sat) à 2 Vcc, comme Vce sat est a peu
près nulle => la dynamique du signal PP est d’environ 2Vcc.
67
Chapitre 5 Les amplificateurs opérationnels
Introduction
L’amplificateur opérationnel typique est un amplificateur a gain élevé pour des courant
continu fonctionnant de 0hz a 1Mhz pas de capacité de couplage découplage.
I l’amplificateur différentiel ou de différence
Les transistors, les diodes et les résistances sont les seuls composants pratiques d’un circuit
intégré monolithique. On fabrique parfois des condensateurs sur une puce mais leurs capacité
est habituellement inférieur à 50pf. Les concepteurs de CI ne peuvent pas utiliser des
condensateurs de couplages ils doivent donc coupler directement les étages d’un CI
monolithique. L’amplificateur différentiel et l’un des meilleurs étages couplés directement il
sert surtout d’étage d’entrée dans un amplificateur opérationnel.
VCC
RC RC
V0
V1 V2
-VEE
Fig.1 Amplificateur différentiel
V0: Tension entre collecteur
A: RC /r’e
V1: Tension d’entrée non inverseuse
V2: Tension d’entrée inverseuse
68
V0=A.( V1- V2)
I-1 Analyse en courant continu
-a Courant de queue IT.

VCC VCC
RC RC
Q1 Q2 Q1 Q2
RB
RB RB RB
2.RE 2.RE
RE
-VEE
-VEE
Fig.2 Courant continu
Si RB < 0,02 . β CC .RE  VEE − VBE

 ⇒ IE = I T = 2 .I E
⇒ VBM = 0  2 .R E

-b Courant de décalage d’entrée
I i ( decalege ) = I B1 − I B 2
Si TQ1 = TQ 2 ⇒ Ii = 0
-c Tension de décalage d’entrée
Si les transistors sont identiques on a la tension continue de repos de sortie égale a
VC = VCC − I C .RC
On appelle toute déviation à partir de cette tension de repos une tension de décalage de
sortie.
I.2 Analyse en courant alternatif
Appliquons le théorème de superposition
69
VCC VCC
RC RC
V0
V1
Q1 Q2 Q1
V1 V2
Q2
RB
V0
RE RE
-VEE -VEE
RC
ic V0
ic
V1 r’e
RE très grand devant r’e =>

RE r’e
RC
ic
ic
V1 r’e
re
Fig.3 Schéma en courant alternatif
70
V1
on a ie = V0 = ic.RC
2r ' e
V0 R
⇒ = C ⇒ gain en tension
V1 2.r ' e
V2 V2
V1 = 0 ⇒ ie = V0 = − ic.RC = − . RC
2r ' e 2r ' e
V0 R
⇒ = − C
V2 2.r ' e
Théorème de superposition =>
RC
⇒ V0 = V0(1) + V0( 2) = .(V1 − V2 ) = A.(V1 − V2 )
2.r ' e
A: Gain en tension différentiel
Impédance d’entrée:
V1
ri = = 2.β .r ' e
i1
Gain en mode commun
RC
⇒ AMC = −
2 .R E
Si ⇒ RC = 10 KΩ et R E = 10 KΩ ⇒ AMC = −0.5 ⇒ l’amplificateur atténue un
signal de mode commun
- Taux de rejection en mode commun (Common Mode Rejection Ratio)
A
⇒ CMRR = si A = 200 et AMC = −0.5 ⇒ CMRR = 400
− AMC
I.2.1 Polarisation par miroir de courant
Pour obtenir une très grande résistance RE on polarise l’émetteur par un circuit miroir de
courant.
Q4 se comporte comme une source de courant => RS est très élevée
71
VCC
RC
Q1 Q2
V1 V2
RB
R
Q4
V1
-VEE
Fig.4 Miroir de courant
De la même manière que précédemment on peut augmenter le gain différentiel A en

utilisant un miroir de courant de charge. Si RC est trop grand on risque de saturé le
transistor de sortie.
VCC
Q6
R
V0
Q1 Q2
V1 V2
RB
Q4
V1
-VEE
Fig.5 Miroir de courant de charge
72
II l’Amplificateur opérationnel
II.1 Introduction
Un amplificateur opérationnel idéal doit avoir une impédance d’entrée infinie une
impédance de sortie nulle un gain infini et une bande passante beaucoup plus large que le
spectre du signal à amplifier. Par ailleurs il doit être insensible aux variations de
température aux variations de la tension d’alimentation et le signal de sortie doit être nul
lorsqu’aucun signal n’est appliquée a l’entrée.
II.1.1 Symboles
- Symbole graphique
Entrée non inverseuse

+V1
+
A +V0
-
+V2
Entrée inverseuse
Fig.1 Symbole
- Modèle
+V1
ri
r0 +V0
Vε
A(V1 -V2)=Vε
+V2
r0 : impédance de sortie
ri : impédance d ' entrée V0
A : Gain
+Vsat
Vε
Zone linéaire
-Vsat
73
Fig.2 Modèle
Entrée non inverseuse

ed+
+
ed- A +V0
-
id
Entrée inverseuse
id +
Fig.2 Défauts dans un amplificateur
Les générateurs de tension ed+ , ed- et les générateurs de courant id+ et id- représentent
les défauts.
II.1.2 Fonctionnement de l’amplificateur en comparateur
En boucle ouverte
Vε >0 => V0= Vsat
Vε <0 => V0= -Vsat
Pour avoir un fonctionnement linéaire on doit réaliser une contre réaction pour des
problèmes de stabilité elle sera toujours réalisé sur le (-) de l’amplificateur.
II.2 La rétroaction
II.2 .1 Définition
Le principe de la rétroaction consiste à ramener sur l’entrée une partie du signal de sortie.
Le cas de la rétroaction négative : contre réaction => le signal ramené est soustrait du
signal d’entrée.
Xe Xi
Ampli principal Xo
Gain A Signal de sortie

Signal d’entrée
-Xf
Chaine de contre-
réaction Gain B
Fig.2 Rétroaction
74
XO Xf
A= B=
Xi XO
XO
on a Af = gain du système en boucle fermée
Xe
X O = A. X i = A.( X e − B. X O )
X O .(1 + A.B) = A. X e
XO A
⇒ = = Af
X e 1 + A.B
1
Si A est très grand ⇒ Af ≈
B
Donc le gain ne dépend que de la chaine de contre réaction qui ne comprend que des
éléments passif stables en fonction de la température.
II.2.2 Différents type de contre-réaction
- Contre réaction tension-tension (tension série) : on réinjecte une tension

proportionnelle a la tension de sortie.
Ve Vi Avv Vo
Vf
Bvv
Fig.3 Contre réaction tension-tension
- Contre réaction courant-tension (tension parallèle) : on injecte a l’entrée un courant

proportionnel à la tension de sortie
Ii
Ie
Rm Vo
If
Vf
Bvi
Fig.3 Contre réaction courant-tension
75
- Contre réaction tension-courant (courant série) : on injecte a l’entrée une tension

proportionnel au courant de sortie
RL
Io
Ve Vi Rm
Vf
Bvv
Fig.4 Contre réaction -tension courant
- Contre réaction courant-courant (courant parallèle) : on injecte a l’entrée un courant

proportionnel au courant de sortie
RL
Io
Ie
Ii Rm
If
Vf
Bvi
Fig.5 Contre réaction -courant courant
III Application linéaires de l’amplificateur opérationnel
On suppose que l’amplificateur opérationnel est idéal :
A = +∞ (V + = V − )
⇒ Ze = +∞ (i + = i − )
ZS = 0
76
III.1 Montages classiques
III.1.1. Amplificateur suiveur
Ve = VS puisque Vε = 0
Ze = +∞ et Z S ≈ 0
Fig.6 Amplificateur suiveur
Le suiveur de la figure suivante évite que le quadripôle Q2 charge le quadripôle Q1.
Q1 - Q2
III.1.2 Amplificateur non inverseur
+
Vε
+Ve -
+V0
R2
R1
Fig.7 Amplificateur non inverseur
77
R1
Ve = V + = V − = .VS
R1 + R2
V S  R2 
⇒ = 1 + .VS
Ve  R1 
Ze = +∞ ZS est très faible
III.1.3 Amplificateur inverseur
R2
R1
I
-
Vε
+
+Ve +VS
Fig.8 Amplificateur inverseur
Ve = R1 .I − Vε ≈ R1 .I
V S = − R 2 . I − Vε ≈ R 2 . I
VS R
. =− 2
Ve R1
R S est faible Re = R1
III.1.4 Amplificateur sommateur ou additionneur
R1
R1
R2
-
+V1 Vε
R3 +
+V2
+VS
+V3
Fig.9 Amplificateur sommateur

78
On a
Vi − V0
∑ Ri = R1
R1
V0 = ∑ .Vi
Ri
Vo est au signe près une somme pondérée des tensions d’entrée.
III.1.5 soustracteurs ou amplificateur de différence
R
I
-
Vε
+
+V1 R
+V0
+V2
R
Fig.10 Amplificateur soustracteur
R V
V+ = .V2 = 2
2 .R 2
R R V + V0
V− = .V1 + .V0 = 1
2 .R 2 .R 2
V+ =V − ⇒ V0 = .V2 − V1
V1 − V − = R.I  V1 + V0

 ⇒V− =
V − − V0 = R.I  2
79
III.1.6 Dérivateur Intégrateur
C I
-
Vε
+
+Ve +VS
Fig.11 Amplificateur dérivateur
V − − V S = i.R V − =V + = 0
− VS dVe
⇒ i= or i = C
R dt
dVe
⇒ V S = − R.C
dt
R
I
-
Vε
+
+Ve +VS
Fig.11 Amplificateur intégrateur
− Ve
V − − Ve = i.R ⇒ i=
R
80
dVS
i=C
dt
dVS Ve 1
R.C ∫
⇒ =− ⇒ VS = − Ve.dt
dt R.C
III.1.7 Convertisseur courant tension
i
-
Vε
+
+Ve
+VS
Fig.12 Amplificateur convertisseur de courant tension
V0 = i.R
III.1.8 Convertisseur tension courant
+
Vε
+Vi -
+V0
RL
+Vf
R
Fig.13 Amplificateur convertisseur de tension courant
81
V − = V + ⇒ Vi = V f
R Vf Vi
Vf = V0 ⇒ i0 ≈ ≈
R + RL R R
IV. Les filtres actifs
IV. 1Les filtres passe-bas
I
+
+Vi C -
R1 +VS
Réseau retard
R2
Fig.13 Filtre passe bas 1er ordre
+ 1 
V = I. 
j.C.W V+ 1 1 1
⇒ = = avec fc =
1  Vi 1 + j.RC.W f 2πRC
Vi = I .( R + ) 1 + j.
j.C.W  fc
R2
V− = VS
R1 + R2
VS R
−
= 1 + 1 = ACl
V R2
VS ACl
=
Vi f
1+ j.
fc
ACl : Gain en tension en boucle fermée non inverseuse
Au dessus de la fréquence de coupure le gain en tension diminue à la vitesse de 20 db par

décade.
82
Pour un filtre du deuxième ordre il faut associer deux réseaux de retard
La figure suivante donne le cas d’une structure à deux réseaux de retard d’où un filtre passe-
bas du deuxième ordre avec une pente de 40db/dec.
C
R R I
+Vi C -
R1 +VS
Réseau retard
R2
Fig.14 Filtre passe bas 2ème ordre
R1
1+ = 1,586 ⇒ On obtient la caractéristique de réponse la plus horizontale possible
R2
cette caractéristique de réponse s’appelle la caractéristique de réponse de butterworth.
1
ACl = 1,586 ⇒ fc =
2πRC C
R I
+ R R
+Vi + +VS
-
C
R1 +Vi C -
R1
Réseau retard
R2
Réseau retard R2
Fig.15 Filtre passe-bas a trois pôles 60db/dec
83
Deuxième cellule
1
ACl = 2 ⇒ fc = Première cellule arbitraire
2πRC
IV.2 Filtre passe-haut
On transforme un filtre passe-bas ou butterworth en un filtre passe-haut en utilisant des

réseaux d’avance au lieu de réseau de retard .
+Vi R -
R1 +VS
Réseau retard
R2
Fig.5 Filtre passe haut à un pôle
Les gains sont les même que dans le cas du filtre passe-bas
Le filtre passe-bande possède une fréquence de coupure finf est supérieure fsup si la fsup est dix
fois supérieure à la finf on peu monter un filtre passe bas et un filtre passe haut en cascade.
84
Chapitre 6 Oscillateur
I. Oscillateur sinusoïdaux
L’Oscillateur sinusoïdal nécessite l’utilisation d’un amplificateur à réaction positive. On

applique un signal de réaction au lieu d’un signal d’entrée.
Si le gain de boucle et de phase sont convenable on obtient un signal de sortie même en

l’absence de signal externe d’entrée (l’oscillateur ne crée pas de l’énergie il transforme
seulement l’énergie continue de l’alimentation en énergie alternative).
I.1 Gain de boucle et phase

X Y
+
ABVi Vi A Vo
-
Fig.1 Principe
Soit une source de tension Vi attaquant les bornes d’entrée de l’amplificateur nous avons
VO = AVi
La tension Vo attaque un circuit de réaction qui est habituellement un circuit résonant la

réaction est maximale a une certaine fréquence la tension de réaction au point x est égale a
V f = ABVi
On raccorde les points x et y
- Si AB < 1 ⇒ ABVi < Vi et le signal de sortie s’annule
- Si AB > 1 ⇒ ABVi > Vi et le signal de sortie croit
- Si AB = 1 ⇒ ABVi = Vi et la tension de sortie est une sinusoïde stable
85
Dans ce cas l’oscillateur fournit son propre signal d’entrée et produit une sortie
sinusoïdale.
A Vo
Fig.2 Principe
Au moment de l’application de l’alimentation à l’oscillateur le gain de boucle AB est

supérieure à 1. Une petite tension d’amorçage est appliquée entre les bornes d’entrée et la
tension de sortie croit. Une fois le niveau désiré de la tension de sortie atteint le gain AB
descend automatiquement à 1 et l’amplitude de sortie reste constante.
Tension d’amorçage
Au borne d’une résistance on a une tension de bruit qui comporte des fréquences
supérieures à 1000 GHz quand on applique l’alimentation cette tension est amplifiée à la
fréquence de résonance du circuit.
Points essentiels du fonctionnement d’un oscillateur à réaction
1- Initialement le gain de boucle AB doit être supérieure à 1 à la fréquence à laquelle le

déphasage de boucle est nul.
2- Une fois le niveau de sortie est atteint AB doit décroitre jusqu'à 1 par la réduction de
A ou de B.
II. Oscillateur à pont de Wien
II.1 Réseau d’avance de retard

R I C
+VO
+Vi
R
C
Fig.3 Réseau d’avance de retard
86
R //(− j. X C )
VO = .Vi
R − j. X C + R //(− j. X C )
1
VO =
XC R
9+( − )²
R XC i
XC R
−
R XC
φ = arctan
3
1
f =
2π .R.C
1/3 φ
90°
fr f fr f
-90°
Fig.4 Gain en tension Déphasage
Le circuit de réaction d’un oscillateur à pont de wien est un réseau d’avance retard au dessus
et au dessous de la fréquence de résonance le taux de réaction est inférieur à 1/3 et le
déphasage n’est plus nul.
+
Réaction
positive -
2R’=R1 +VO
Réaction
RL
négative
R2 =R’ Lampe à incandescence
R
C
R
C
Fig.5 Oscillateur a pont de Wien

87
Il faut avoir un gain égal à 3 exactement, ce n’est pas possible avec des résistances de ce fait
nous utilisons une CTN car sa valeur croit avec la température.
R lampe
R’
V’ V lampe efficace
Fig.5 R en fonction de V
Résistance de la lampe à incandescence augmente avec la température
II.2 fonctionnement
La réaction positive fait croitre les oscillations lorsqu’on applique l’alimentation une fois le
niveau désiré du signal de sortie atteint, la contre réaction réduit le gain de boucle à 1.
A la mise sous alimentation la résistance de la lampe est petite et la contre réaction est faible
⇒ ACL B > 1 et les oscillations croissent à la fréquence de résonance.
La lampe a incandescence s’échauffe légèrement à mesure que les oscillations croissent et sa

R
résistance augmente au niveau désiré Rlampe = R' et ACL = 2 + 1 = 3 ⇒ ACL B = 1
R1
Autre façon de réduire AB à 1.
R1
R
C R3
-
R +VO
C
R2 =R’
Fig.6 Limitation d’amplitude par des diodes

88
A la mise sous tension les diodes sont bloquées et le taux de réaction est < 1/3 puisque
R1
> 2 cela permet au signal de sortie de croitre. Une fois le niveau de sortie désiré atteint les
R2
diodes conduisent les alternances alternées ⇒ R3 // R1 et le taux de réaction augmente jusqu'à
1/3 et AB=1 et la tension de sortie se stabilise.
III. Oscillateur colpitts
L’oscillateur à pont de wien ne convient pas aux hautes fréquences ( > 1 MHz). L’oscillateur
LC un dispositif utilisé pour des fréquences comprises entre 1 MHz et 500 MHz règle cette
difficulté.
III.1 Montage a émetteur commun

VCC
Bobine d’arrêt radio fréquence

R1
V0
C1
R
L
Q4
V1
C2
R2
R3 C3
Fig.7 Oscillateur Oscillateur Colpitt
V0
C1
C2
Fig.8 Circuit équivalent en courant alternatif
89
rc
Gain en tension en basse fréquence égale à rc : résistance en courant alternatif
r'e
vue par le collecteur.
On reconnait l’oscillateur colpitts par son diviseur capacitif de tension formé par C1et C 2 il
produit la tension de réaction nécessaire aux oscillations.
1 C1 .C 2
fr = C= C1et C 2 en série
2π . L.C C1 + C 2
1
Condition d’amorçage AB > 1 cette condition équivaut A >
B
Vf X C1 C1 C2
On a B = ≈ ≈ ⇒ A>
VO X C 2 C2 C1
Cette condition ne tient pas compte de l’impédance de base qui est en parallèle avec C2. Une
analyse plus rigoureuse devrait tenir compte de Z base.
Un amplificateur bipolaire comprend un réseau de retard de base et de collecteur. Il faut que

les fréquences de coupure de ces réseaux soient supérieure a la fréquence d’oscillation sinon
rc
le gain en tension est inférieure à et le déphasage supplémentaire de l’amplificateur
r'e
empêche toute oscillation.
Couplage a une charge
La fréquence exacte fr d’oscillation dépend du facteur Q du circuit on a :
1  Q² 
fr = . 
2π . L.C  1 + Q ² 
1
Si Q > 10 on a fr = . fréquence idéale
2π . L.C
Q < 10 f r < f idéale De plus un facteur Q petit peut empêcher l’oscillateur de s’amorcer en
abaissant le gain en haute fréquence au dessus de 1/B. si la résistance de charge RL est grande
Q restera supérieure a 10 si RL est petite Q restera inférieur a 10 et les oscillations peuvent ne
pas s’amorcer. En y remédie a cela en insérant une capacité a grande réactance Xc comme le
montre la figure a. Une autre façon de transmettre le signal à une petite résistance de charge
est d’insérer un transformateur avec un secondaire de quelques spires (figure b).
90
V0
C C1
V0 L
R2 RL
C2
Fig.9 a: Capacité a grande réactance b transformateur
IV. Cristaux de quartz
Quelques cristaux naturel sont piézo-électrique (le quartz , les sels de rochelles et la
tourmalines). Lorsqu’on applique à ces matériaux une tension alternative ils vibrent à la
fréquence de la tension appliquée. Inversement si on les forces mécaniquement à vibrer ils
génèrent une tension alternative.
IV.1 Fondamentales et harmoniques
K
La formule de la fréquence fondamentale d’un cristal est f = avec K une constante qui
t
dépend de la coupe et d’autre facteur et t représente l’épaisseur du quartz.
Fig.10 Quartz
F inversement proportionnel a t plus t est petit plus f est grand les cristaux de quartz vont en
général jusqu'à 10 MHz au delà le quartz deviennent très mince car t est très faible ce qui
risque de casser le quartz. Néanmoins on peut utiliser un cristal monté pour vibrer sur les
harmoniques.
IV.1 Résonance série et résonance parallèle
L’intérêt des cristaux par rapport aux circuits résonant LC est leurs facteur de qualité Q très
élevé il peut facilement dépasser les 10000 d’où une fréquence très stable des oscillateurs. Le
facteur Q d’un circuit résonant LC discret dépasse rarement 100.
a : Capacité de montage L b :Circuit équivalent en
courant alternatif d’un

Cm
R cristal qui vibre
Cm
CS
Fig.11
91
b : Circuit équivalent en courant alternatif d’un cristal qui vibre
1
fS fréquence de résonance série avec f S = .
2π . L.C S
1
fP fréquence de résonance parallèle avec f P = .
2π . L.C Maille
C S .C m
avec C maille =
CS + Cm
Si L=3H CS= 0,5pF R=2000 ohm Cm = 10pF
Pour ces valeurs Q > 3000
Oscillateur à cristal
VCC
Bobine d’arrêt radio fréquence

R1
V0
C1
R
L
Q4
V1
C2
R2
R3 C3
Fig.12 Oscillateur à cristal colpitts
V. Minuterie 555
V.1 Bascule RS
Si T1 saturé ⇒ VCE1 ≈ 0 ⇒ I B 2 = 0 ⇒ T2 bloqué ⇒ VCE 2 = +Vcc ⇒ T1 saturé

Si T1 bloqué ⇒ VCE1 = +Vcc ⇒ T2 saturé ⇒ VCE 2 ≈ 0 ⇒ I B1 = 0 ⇒ T1 bloqué
92
VCC
RC RC
V0
Q Q
T2 T1
RB RB
Fig.13 Partie d’une bascule RS
L’ajout de composant donne une bascule RS
V.2 Schéma fonctionnel du 555
+VCC
5 Kohm
+ 7 Décalage
Seuil 6
-
R
Commande 5
S Q T1
5 Kohm Q
R
3 Sortie
+ R
4 Remise au
niveau bas
-
Basculement 2
5 Kohm
1 Masse
Fig.14 Schéma simplifié de principe de la minuterie 555
93
V.2.1 Fonctionnement en Multivibrateur Monostable

+VCC
R 8
7
RT2
R’
5 Kohm
+ S2
6
-
S Q
5 Kohm Q
R
3 Vo Sortie
+ S1
-
Basculement 2
5 Kohm
1 Masse
Fig. 15 Multivibrateur Monostable
+ Vcc
Quand le point de basculement est légèrement < VS1 est au niveau haut => la bascule est
3
+ 2.Vcc
au niveau bas => T bloqué et C se charge a travers R si Vc > => VS2 est au niveau haut =>
3
bascule au niveau haut et T conduit et le condensateur se décharge.
+Vcc
+Vcc/3 Basculement
+2.Vcc/3 W=1,1 RC
0
Seuil
+Vcc
0 Sortie
W
Fig.16 Chronogramme
94
V.2.2Fonctionnement en multivibrateur astable
Si Q au niveau bas => T bloqué et C se charge via (RA+RB) quand Vc dépasse 2Vcc/3 =>
VS2 passe au niveau haut et met la bascule au niveau haut (Q) => T sature et VCE =0 =>
V7=0 et C se décharge via RB quand Vc descend jusqu'à +Vcc/3 VS1 passe au niveau haut
=> la bascule passe au niveau bas.
+VCC
RA 8
7
RT2
R’
5 Kohm
RB
+ S2
6
-
S Q
5 Kohm Q
R
3 Vo Sortie
+ S1
2
-
5 Kohm
1 Masse
Fig.17 multivibrateur astable

2/3
1/3
Vcc
W
Fig.18 Chronogramme
95
W 1,44 RA + RB
D= .100% f sortie = D= .100%
T ( RA + 2.RB).C RA + 2.RB
Bibliographie
[1] A.P.Malvino, Principe d’électronique, Dunos Paris, 2002.
[2] A.Pellat, Pratique de l’amplificateur opérationnel Masson Paris, 1986.
[3] H. Lumbroso, Electronique, Dunos Paris, 1993.
[4] J.M.Domini et L .Quaranta, Introduction à l’électronique, Masson Paris, 1998.
[5] P.Horowitz et W. Hillt, Traité de l’électronique analogique et numérique Vol n 1, electro,

1996.
[6] I. Jilinski, Amplificateur Oscillateur, Librairie Vuibert,1996
96
97

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Ministère de l’enseignement Supérieur

Institut National des Sciences Appliquées et de Technologie

2ème Année IIA et RT

CH1 Elément actif à semi-conducteur

I.2 Le modèle idéal:

I.3 Le modèle a seuil: 9

I.4 Le modèle linéarisé:

II Fonctionnement linéaire de la diode (régime petit signaux) 10

II.1 polarisation de la diode

II.2 Puissance maximale de la diode 11

II.3 Les claquage dans les diodes

II.3.1 le claquage par avalanche

II.3.2 Le claquage par effet tunnel 12

II.3.3 Le claquage thermique

II.4 Les capacités de la diode a jonction PN

III Les diodes zener 13

III.1 Modèle statique 14

III.2 Modèle linéarisé

CH2 Les Transistor bijonction

I.1 Polarisation d’un transistor: 17

II. montage a émetteur commun 18

II.2 Modèle Ebers-Moll 19

III. Caractéristique d’un transistor 20

III.1 Caractéristique du collecteur

III.2 caractéristiques de base 21

III.3 Caractéristiques du gain en courant

III.4 Valeurs limites des transistors 22

III.5 Droite de charge en continu

III.6 Transistor Interrupteur 23

III.7 Transistor source de courant 24

IV Circuit de polarisation d’un transistor

IV.2 polarisation par réaction d’émetteur

IV.3 polarisation par réaction de collecteur 27

IV.4 polarisation par diviseur de tension 28

V circuit a transistor PNP 29

VI. Maintenance des transistors 31

CH3 Amplificateur à Transistor

I.1Condensateur de couplage et condensateur de découplages

II Application du théorème de superposition aux amplificateurs 33

II.1 Circuit équivalent en alternatif et en continu

II.2 Résistance en alternatif de la diode émetteur 35

II.3 Beta β en alternatif 36

III Amplificateur à émetteur à la masse

III.1 Modèle en alternatif d’un étage à émetteur commun 38

III.1.I Impédance d’entrée

III.1.2 Impédance de sortie

III.1.3 Modèle en courant alternatif d’un amplificateur à émetteur à la masse 39

B. Montage collecteur commun

I.1 Droite de charge statique

I.2.1 Circuit équivalent en courant alternatif 42

Impédance totale d’entrée de l’amplificateur

Modèle en courant alternatif

C. Montage base commune

II Polarisation par diviseur de tension

II.1 Le circuit équivalent en alternatif 46

II.2 Le modèle en courant alternatif d’un amplificateur a bas commune 47

II schéma équivalent en petit signaux

II.1 gain en courant et en tension 49

CH.4 Amplificateur de puissance

I.1 Droite de charge en dynamique d’un amplificateur à émetteur commun

I.2 saturation et blocage dynamique 52

I.3 Dynamique du signal alternatif de sortie 53

II. fonctionnement en classe A 55