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Mohammedia
Filière : Génie Electrique et Contrôle des Systèmes Industriels
Electronique de Puissance
Avec PowerSim
Réalisé par
BOUAYAD Oumaima
DAOUDI Oussama
EL JAOUAJ Youssef
ZOUGA Kamal
Encadré par
Pr.El- KHAILI
Année Scolaire: 2020/2021
TP n°1 : Diode
1. Manipulation N°1 : débit sur une charge résistive
Pour Vch :
1 2𝜋
< Vch > = Vchmoy =
2𝜋
∫0 Vch (𝜃). 𝑑𝜃
1 2𝜋
=
2𝜋
∫0 Vchmax . 𝑠𝑖𝑛𝜃. 𝑑𝜃
1
= . Vchmax . [−cosθ]𝜋0
2𝜋
1
= . Vchmax . [1 + 1]
2𝜋
Vchmax
< Vch > =
𝜋
Avec :
Vchmax = Vsec . √2
22,5 . √2
Vchmax = = 10,128 𝑉 ≈ 10,13 𝑉
𝜋
2𝜋
1
Vcheff = √ . ∫ 𝑉𝑐ℎ2 (𝜃). 𝑑𝜃
2𝜋 0
=> 𝜃 𝜖 [0 , 𝜋]
𝜋
1
Vcheff = √ . ∫ 𝑉𝑐ℎ𝑚𝑎𝑥 2 . 𝑠𝑖𝑛²(𝜃). 𝑑𝜃
2𝜋 0
𝑉𝑐ℎ𝑚𝑎𝑥 2 𝜋 1
= √ . ∫ (1 − cos(2𝜃)) . 𝑑𝜃
2𝜋 0 2
𝑉𝑐ℎ𝑚𝑎𝑥 1
= √[𝜃]𝜋0 + [sin(2𝜃)]𝜋0 .
2 √𝜋 2
𝑉𝑐ℎ𝑚𝑎𝑥
= .√ 𝜋
2 √𝜋
Donc :
- Le taux :
𝜏 = √𝐹 2 − 1
𝑉𝑐ℎ𝑒𝑓𝑓 15,9
Avec : 𝐹 = =
<𝑉𝑐ℎ> 10,3
Donc :
15,9
𝜏 = √( )2 − 1 = 1,21
10,3
𝜏 = 12,1%
Interprétation :
L’interprétation :
D’après les courbes, E est toujours en haut de Vsec, alors la diode est toujours
bloquée, car Vsecmax = 22.5× √2𝑉 < 𝐸 = 40𝑉
2-Manipulation N°2 : débit sur une charge capacitive RC
1. Pour C fixé à 100μF, faites varier R= 100Ω, 50Ω, 10Ω, 1Ω. Visualisez
vos courbes, et remplir tableau1.
Pour R= 1 Ω
Pour R= 10 Ω
Pour R= 100 Ω
Remarque:
Une capacité trop importante entraîne des pics de courant très étroits (la
charge demande un courant faible).
2. Pour R fixé à 100Ω, faites varier la capacité C= 100μF, 50μF, 10μF,
1μF. Visualisez vos courbes, et remplir tableau2.
3. C 1 10 50 100 2000
(µF)
Tableau2
Pour C= 10µF
Pour C= 50µF
Pour C= 2000µF
Une capacité trop importante entraîne des pics de courant très étroits
Conclusion : Q1 et Q2
-Pour une charge donnée, plus la capacité du condensateur est grande, plus le
filtrage est efficace.
𝐼𝑅 est plus faible car la resitance est grande et demande un peut de courant
𝐼𝑐ℎ = 𝐼𝑒 ≅ 𝐼𝑐
5. Expliquer les différences obtenues entre les courbes sur charge « capacitive »
et sur charge résistive.
Tableau3
Pour R= 1 Ω
La visualisation de la tension VD
Vch = Ve ∀𝒕
La visualisation du courant Ich
Le courant ne s’annule pas, alors la diode est toujours passante pour cette
valeur de R et de L.
Presque meme résultat pour R = = 10 Ω
Pour R= 50 Ω
0.002−0.0018
𝜃1 = 0.0009 , 0.0018+ -0.001 = 0.0009
2
Pour R= 100 Ω
Pour R= 500 Ω
D’après les valeurs de 𝑉𝑐ℎ𝑚𝑖𝑛 , On remarque que 𝑉𝑐ℎ prend une petite partie de
la partie négative alternative.
Pour L = 1 mH
La visualisation de Ve et Vch et VD
Pour L = 10mH
Pour L = 50mH
La visualisation de Ve et Vch et VD
La diode est passant si Ve est positive et aussi pendant une période de
l’alternance négative pour L = 50 mH et R = 100 Ω (RC = 5s)
Pour L = 100mH
La visualisation de Ve et Vch et VD
La diode est forcée pendant une période importante que celle de L = 50 mH
Pour L =200 Mh
La visualisation de Ve et Vch et VD
3 Expliquer les différences obtenues entre les courbes sur charge « inductive »
et sur charge
Lorsque on fixe un paramètre et on augmente l’autre, on remarque que la diode
est passante pendant une durée importante.
Et aussi le courant est en retard par rapport à la tension (déphasage entre i et U),
alors que le déphasage entre la tension et le courant dans le cas de charge
résistive est nul.
On a :
On a aussi :
𝐿 𝑑𝑖 𝑉𝑒 √2
. + 𝑖(𝑡) = sin(𝜔𝑡)
𝑅 𝑑𝑡 𝑅
𝑑𝑖 𝑉𝑒 √2
𝜏. + 𝑖(𝑡) = sin(𝜔𝑡)
𝑑𝑡 𝑅
Etablissement du courant :
𝑑𝑖 𝑉𝑒 √2
𝜏. + 𝑖(𝑡) = sin(𝜔𝑡) / i(t) = ich(t)
𝑑𝑡 𝑅
𝑅. 𝑉𝑒√2 𝐿𝜔√2 𝑅
− 𝑡
𝑖𝑐ℎ(𝑡) = 2 𝑆𝑖𝑛(𝜔𝑡) + 2 (𝑒 𝐿 − cos(𝜔𝑡)
𝑅 + (𝐿𝜔)2 𝑅 + (𝐿𝜔)2
𝐿𝜔. 𝑉𝑒√2 𝑅𝑇
− .
𝑅 𝑇
− (𝑡− )
𝑖𝑐ℎ(𝑡) = (𝑒 𝐿 2 + 1) 𝑒 𝐿 2
𝑅2 + (𝐿𝜔)2
5- D’après les résultats obtenus, Quel est selon vous le rôle de la diode de roue
libre (DRL).
1. Manipulation no1
45° 17.276356
90° 10.108605
120° 5.0584967
160° 0.60552527
Théoriquement :
𝑽𝒆 √𝟐 𝟏 + 𝐜𝐨𝐬 𝜽𝟏
< 𝑽𝒄𝒉 > =
𝝅 𝟐
A. N :
𝝅
𝟒𝟓√𝟐 𝟏 + 𝐜𝐨𝐬 𝟒
< 𝑽𝒄𝒉 >= ( )
𝝅 𝟐
Simview :
La synchronisation :
1) Tension d’entrée
Tension de sortie
V1 et V2
V3 et V4
2) Théoriquement
𝟐√𝟐 𝟐√𝟐
< 𝐕𝐬 > = 𝐕𝐬𝐞𝐟𝐟 = ∗ 𝟒𝟓 = 𝟒𝟎. 𝟓𝟏𝐕
𝛑 𝛑
Par Simview
Par Simview
Courant de la diode D4 et D1
Courant de la diode D2 et D3
Partie 1 :
Manipulation no2 : Débit sur une bobine
Partie A :
1) courant aux bornes de la charge
Théoriquement
𝟐𝑽. √𝟐 𝟐. 𝟒𝟓. √𝟐
< 𝐕𝐜𝐡 >= = = 𝟒𝟎. 𝟓𝟏𝑽
𝛑 𝛑
Par Simview
Théoriquement
𝐕𝐦𝐚𝐱 𝟒𝟓. √𝟐
𝐕𝐞𝐟𝐟 = = = 𝟒𝟓𝐕
√𝟐 √𝟐
6) Le courant Ie à l’entrée de redresseur
8) PS = 137.71949
La puissance active consommé par la charge et presque la même que celle
généré par la source parce que les composants par lesquelles on travaille dans
cette simulation sont parfait, c’est pourquoi il n’y a pas des pertes de puissance
dans le montage.
Partie B :
1)
Composants Réels :
La tension moyenne aux bornes de la charge dans le
<Vch> = 38.49065 cas d’utilisation des composants Réel est inférieur à
celle des composants parfaits à cause de la tension
de seuil des 4 diodes et la chute de tension dans les
Composants Parfaits : résistances internes des diodes
<Vch> = 40.514116
R(Ω) 1 10 50 100
Vchmoy(V) 40.516877 40.84605 45.096567 49.299149
Vcheff(V) 44.999019 45.048168 47.256873 50.537292
Ichmoy(mA) 40516.836 4084.6046 901.93132 492.99148
Icheff 44.998974 4.5048164 0.94513744 0.50537292
∆V 63.43826818 58.1131794 41.128246 29.708735
F 1.110624074 1.102876973 1.047904001 1.025114896
Ꞇ 0.48.32037187 0.4651210784 0.3132136576 0.225522837
Vchmax(V) 63.638147 63.639464 63.639581 63.639596
Vchmin(V) 0.19987882 5.5262846 22.511335 33.930861
Tableau 2 :
R fixe
T= 0.02s
5) Oui. Dans ce que le taux d’amortissement est plus petit et la forme de signal
et presque continu par rapport à celle de redressement simple alternance. »
1)
3)
5)
𝟐 𝜫 𝑽𝒆𝒇𝒇√𝟐
< 𝑽𝒄𝒉 >= ∫ 𝐬𝐢 𝐧(𝜽) 𝒅𝒕 = 𝒄𝒐𝒔((α) − 1 )
𝑻 𝛂 𝝅
1)
2)
5)
𝟐 𝜫 𝑽𝒆𝒇𝒇√𝟐
< 𝑽𝒄𝒉 >= ∫ 𝐬𝐢 𝐧(𝜽) 𝒅𝒕 = 𝒄𝒐𝒔((𝛂) − 1 )
𝑻 𝛂 𝝅