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Eolienne… Batterie
… +
-
Systèmes
électroniques
de puissance
Commande
Numérique
Analogique
Domaines d’application de l’Electronique de Puissance
Dispositifs Actionneurs
Dispositifs Sources d’énergie
réglage Commande électrique
signal interrupteur
Convertisseur BESOIN
Statique « Charge »
« EP »
Fonctions du convertisseur:
Dispositifs -Source
Adapter l’énergie au besoin de -Charge
protection -Convertisseur -I, V
Contrôle de l’actionneur en
maîtrisant finement l’énergie -Température
Organes de -Vitesse
Feedback mesure -Couple
Capteurs
-Position
-…
INGENIEURS AYANT DES CAPACITES MULTIDISCIPLINAIRES
(il va de la mécanique à l’informatique en passant par l’électronique signal et celle de la puissance)
Théorie Traitement
des circuits électriques de signal
Réseau
Informatique Electrique
Machines
Electromagnétisme Electriques
Introduction
Un interrupteur idéal ne dissipe pas de puissance car
• s’il est ouvert, son courant est nul (sa tension est quelconque)
• s’il est fermé, sa tension est nulle (le courant est quelconque)
Or, la puissance est le produit de la tension et du courant. On a donc dans tous les cas
p=ui=0.
En électronique de puissance, on utilise des composants qui ne prennent que deux états :
bloqué (courant nul) ou saturé (tension nulle). On dit qu’ils fonctionnent en commutation.
En fait, les composants ne sont pas idéaux et dissipent donc de la puissance sous
forme de chaleur. La puissance qu’un composant électronique de puissance peut
dissiper en chaleur est cependant très inférieure à la puissance qu’il peut
commander : il ne faut pas confondre les deux notions.
Les puissances commandables couvrent une large plage. Il existe en effet des
composants capables supporter à l’état OFF des tensions de plusieurs centaines de
volts,
UGB et à l’état
/ IPSL/DIC2 ON
DECEMBRE des courants dediopbadara2@gtmail.com
plusieurs milliers d’ampères. 7
2021
Le cristal de silicium pur
Le silicium est le matériau semi-
conducteur le plus utilisé. Nous le
prenons comme exemple dans cette
introduction. Le silicium a quatre
électrons de valence. Dans un cristal de
Si , ces quatre électrons sont tous utilisés
comme électrons de valence. En cela, le
silicium ressemble à un isolant (pas
d’électrons libres).
• Si les impuretés sont des atomes pentavalents (phosphore…), elles ont un électron
excédentaire qui devient un électron libre. On dit que l’on a un semi-conducteur de
type N.
• Si les impuretés sont des atomes trivalents (aluminium…), elles peuvent capturer un
électron de valence voisin et produire ainsi des « trous ». On dit que l’on a un semi-
conducteur de type P.
circuit de
commande
A iA G K
uAK
Onduleur
Source D.C. Source A.C.
Redresseur V1 , f 1
U1
Cyclo-convertisseur
Gradateur
Hacheurs
Convertisseur indirect f1 f 2 f1 f 2
de fréquence
f1 < f 2
L
q i di
Inductances vL
dt
Pas de discontinuité de courant dans L v
V ( p) LpI ( p) - LI (0)
Lissage de courant 1 2
Usages en EP Filtrage de courant Z ( p) Lp W Li
2
Inertie de courant
Stockage temporaire d’énergie
Discontinuité de la tension Surtension à forte variation di/dt (importance câblage)
Exemples: Câblage 10cm: L = 1mH Di = 50A Dt = 0,5ms L = 1mH Di = 10mA Dt = 100ns
C
q Capacité dv
i
i C
dt
I ( p) CpV ( p) - CV (0)
Pas de discontinuité de tension dans C:
v
I ( p) V (0)
V ( p)
Lissage de tension
+
Filtrage de tension Cp p
Usages en EP Inertie de tension
1 1 2
Stockage temporaire d’énergie (
Z p) W Cv
Cp 2
Discontinuité de courant Surintensité à fort dV/dt
Soit une grandeur périodique de la forme : V (t) = V (t+T) avec T= période de V (t).
0 0
T
Ff = Veff / V moy
Vmoy = (1/T) * V dt
Il donne une idée de la forme
d’onde d’une grandeur. C’est le
0 quotient de la valeur efficace par la
valeur redressée moyenne.
E) Puissances :
E-1) Puissances :
La puissance active, Pact, absorbée par un récepteur parcouru par un
courant i(t) sous l’effet d’une tension u(t) à ses bornes, est la valeur moyenne
de la puissance instantanée :
E-2) Puissances :
Il ne faut pas confondre cette puissance active avec la puissance
apparente Pap, produit des valeurs efficaces de la tension et du courant :
0
0 0
E1 ? E2
T
r
c
h c
V h c
E D a h
C r
s
a
r a
g r
e g
e g
e
E2
Régime non interrompu
tC
0 aCT T ac
iL E1 - E2-E1
• Rapport cyclique : T
L L
1
• Relation entrée/sortie: E2 E1
1-a
E1 E
• Ondulation de courant: DI L Ia - I 0 aT a 1
L Lf
ID - E2-E1
L
0 aCT T
iL E1
L
K L - E2-E1
L
F, a
E1 vK E2
iK
ID
- E2-E1
L
0 aT bT T
Régime DI
b
E2 E1
• Relation entrée/sortie: b -a
I D.moy (b - a ) DI L a (b - a ) 1
1 E
• Courant de sortie: 2 2 Lf
iL
Régime DNI
0 aCT T
iL E1 - E2
L L
a
• Relation entrée/sortie: E2 E1
1-a
• Ondulation de courant: DI L Ia - I 0 E1 aT a E1
ID - E2 L Lf
L
0 aCT T
vK VD
iL
iK E1
i1 iD
L - E2
L
K F, a D
E1 L vL E2 ID
iL
0 aT bT T
Régime DI
a
• Relation entrée/sortie: E2 E1
b -a
I D.moy (b - a ) DI L a (b - a ) 1
1 E
• Courant de sortie:
2 2 Lf
Tr
(a) Inductance
cha
Côté sortie rge
Vs
E D
C
cha
Inductance
(b) à l’entrée
rge
cha
Inductance
(g) au milieu
rge
Non Commandés
commandés
Redresseurs
Commutateurs
v1 v1
D1 D1
v2 v2
D2 D2
vq vq
Dq Dq
v1 v1
v2 v2
uc1 uc2
vq vq
Redresseurs
Dénominations
D1
D2
v1 v2 v3
D3
Source en étoile
Redresseurs
Dénominations
v1
v2
v3
Source en étoile
Redresseurs
Dénominations
Série (Sq)
Source en polygone
Montages parallèles simples
D1
v1
D2 Ex: Montage à cathodes communes
v2
Dq
vq
Dq
vq
Règle:
Dx conduit si vx est la plus grande des q tensions
Montages parallèles simples
D1
Tension obtenue
v1
D2
v2
Dq
vq
v3 v1 v2 v3
Montages parallèles simples
D1
Tension obtenue
v1
D2
v2 uc
uc
Dq
vq
D1
Montages parallèles simples
D1
Tension obtenue
v1
D2
v2 uc
uc
Dq
vq
D1 D2
Montages parallèles simples
D1
Tension obtenue
v1
D2
v2 uc
uc
Dq
vq
D1 D2 D3
Montages parallèles simples
D1
Tension obtenue
v1
D2
v2 uc
1 période uc
uc
Dq
vq
n
1 période secteur
v3 v1 v2 v3
D1 D2 D3
Montages parallèles simples
D1
Montage à anodes communes
v1
D2
v2 uc
uc
Dq
vq
v3 v1 v2 v3
D3 D1 D2
Ex. en P3
Montages parallèles simples
D1
Montage à anodes communes
v1
D2
v2
uc uc
Dq
vq
D4 D5 D6 D1 D2 D3 D4
Ex. en P6
Tension redressée
uc
2π/q
uc
2π/q
Valeur moyenne:
+
q
q
q
U c0
2
Vm cos .d U c 0 sin Vm
q
-
q
Tension redressée
uc
2π/q
Valeur efficace:
+
q 2
q
(V cos ) .d
q
U
2
2
U ceff V 1+ sin
2
ceff m
2 q
-
q
Tension redressée
q 2 3 6 12
q
.sin 0,637 0,827 0,955 0,989
q
F 1,11 1,016 1,001 "1"
U ceff
F 2 F 2 -1
Uc 0
Etude des courants
uc iD1
v3 v1 v2 v3
D1 D2 D3
Etude des courants
Courants dans les diodes
2π/q
Valeur moyenne:
Ic
IDmoy
3
Etude des courants
Courants dans les diodes
2π/q
Valeur moyenne:
Ic
IDmoy
q
Valeur efficace:
Ic2 Ic
2
IDeff iD2 IDeff
q q
Tension sur les composants
D1
v1
D2
v2
v3
D3
uc
vy
Règle de fonctionnement
• Si Dy conduit, uc = vy
Tension sur les composants
D1
v1
D2
v2
D3
v3 uc
VD3 = V3- Vy
n
Règle de fonctionnement
• Si Dy conduit, uc = vy
• vDx= vx-vy
Tension sur les composants
D1
v1
D2
v2
D3 vD1
v3 uc
D1 D2 D3
q pair:
VA
n2 Ic
i A ia -
n1 3
Va n
a b c uc
Au primaire du transformateur
D1 D2 D3
ia
iA n 2 2Ic
n1 3
n 2 Ic
-
n1 3
n 2 Ic
iA ia -
n1 3
Au primaire du transformateur
Courants moyen et efficace
D1 D2 D3
ia
iA n 2 2Ic
n1 3
n 2 Ic
-
n1 3
n 2 Ic
IAmoy 0 IAeff q -1
n1 q
P Aspect puissance
ks Facteurs de puissance
S ~
Puissance apparente
q
sin Vm Ic
P q 2q
ks ks sin
S q.
Vm Ic
.
q
2 q
P Aspect puissance
ks Facteurs de puissance
S ~
Puissance apparente
q
sin Vm I c
P q 2 q
kp kp . sin
S q -1 q -1 q
.Vm I c
2
Aspect puissance
Facteurs de puissance
q 2 3 6 12
2q 2 q
ks sin kp . sin
q q -1 q
Aspect puissance
Facteurs de puissance
q 2 3 6 12
2q 2 q
ks sin kp . sin
q q -1 q
Structures parallèles doubles
D1 D2 D3
uc1
v1
v2
vq uc2
D1 D2 D3
D’3 D’1 D’2
Structures parallèles doubles
D1 D2 D3
uc1
v1
v2
vq uc2
D1 D2 D3
D’3 D’1 D’2
U12 U13 U23 U21 U31 U32
Structures parallèles doubles
Tension moyenne
D1 D2 D3
uc1
v1
v2
vq uc2
2q
uc uc1 - uc 2 Uc Uc1 -Uc 2 U c sin Vm
q
Structures parallèles doubles
Courants
iD1
D1 D2 D3
uc1
v1
v2
vq uc2
Moyen Efficace
Ic IC
Diode IDmoy IDeff
q q
2
Secondaire 0 IS .IC
q
2 n2
Primaire 0 IP . .IC
q n1
iD1 iD’1
Moyen Efficace
Ic IC
Diode IDmoy IDeff
q q
2
Secondaire 0 IS .IC
q
2 n2
Primaire 0 IP . .IC
q n1
iD1 iD’1
q 2 3 6 12
K
•Bloqué en inverse I devient trop faible
VAK devient positive i < IH
•Bloqué en direct
Impulsion de tension vGK
•Saturé (passant)
Redressement commandé
Commutateur parallèle simple (Pq)
T1 uc
v1
T2
v2
Tq
vq
v3 v1 v2 v3
T1 T2 T3
Redressement commandé
Commutateur parallèle simple (Pq)
T1 uc
v1
T2
v2
Tq
vq
v3 v1 v2 v3
T1 T2 T3
=0
Redressement commandé
Commutateur parallèle simple (Pq)
T1 uc
v1
T2
v2
Tq
vq
v3 v1 v2 v3
T1 T2 T3
= 75°
Redressement commandé
Commutateur parallèle simple (Pq)
T1 uc
v1
T2
v2
Tq
vq
v3 v1 v2 v3
T1 T2 T3
= 120°
Redressement commandé
Commutateur parallèle simple (Pq)
T1 uc
v1
T2
v2
Tq
vq
v3 v1 v2 v3
T1 T2 T3
= 160°
Tension redressée
uc
2π/q
2π/q
Valeur moyenne:
+
q
q
q
U c0 V cos .d U c0 sin Vm cos
2
m
q
-
q
Onduleur assisté
Tension sur les composants
T1
v1
T2
v2
T3
v3 uc
VT3 = V3- Vy
n
Règle de fonctionnement
• Si Ty conduit, uc = vy
• vTx= vx-vy
Tension sur les composants
T1
v1
T2
v2
T3 vT1
v3 uc
n
= 45°
T1 T2 T3
n
= 160°
T1 T2 T3
q pair:
uc ic
v3 v1 v2 v3
Conduction discontinue
Charge RL (Passive)
uc ic
v3 v1 v2 v3
Conduction discontinue
Charge RL (Passive)
uc ic
v3 v1 v2 v3
Conduction discontinue
Limites
uc
R
L
Uc E
v3 v1 v2 v3
Etude des courants
uc iD1
v3 v1 v2 v3
T1 T2 T3
= 45°
Etude des courants
Courants dans les diodes
= 45°
2π/q
Valeur moyenne:
Ic
IDmoy
q
Valeur efficace:
Ic2 Ic
2
IDeff iD2 IDeff
q q
Aspect puissance
Facteurs de puissance
q
P sin .Vm Ic cos
q ~
=
Vm Ic
S q.VsIs q. .
2 q
Aspect puissance
Facteurs de puissance
~
q
sin V I
P q m cos 2q
k ks sin cos
s S V I q
q. m . c
2 q
Aspect puissance
Facteurs de puissance
~
Au primaire du transfo
Le Transformateur coupe la composante continue du
courant secondaire.
2 q
kp . sin cos
q -1 q
Montage en pont double
Pont tout thyristor
T1 T2 Tq
uc1
v1
v2
vq uc2
T1 T2 Tq
uc1
v1
v2
vq uc2
T1 T2 T3
T’3 T’1 T’2
U12 U13 U23 U21 U31 U32
Montage en pont double
Pont tout thyristor
= 45°
Moyen Efficace
Ic IC
Diode IDmoy IDeff
q q
2
Secondaire 0 IS .IC
q
2 n2
Primaire 0 IP . .IC
q n1
2 q
ks k p sin cos
q
Montage en pont double
Pont Mixte
= 45°
T1 T2 Tq
uc1
v1
v2
vq uc2
T1 T2 Tq
uc1
v1
v2
vq uc2
T1 T2 T3
D’3 D’1 D’2
Montage en pont double
Pont Mixte
= 100°
T1 T2 Tq
uc1
v1
v2
vq uc2
T1 T2 T3
D’3 D’1 D’2
Montage en pont double
Pont Mixte
Tension moyenne délivrée
q
U c1 sin Vm cos
q
q
U c 2 - sin Vm
q
q
U c sin Vm (1+ cos )
q
Montage en pont double
= 45° Pont Mixte - Courants
is T1 T2 T3
D’3 D’1 D’2
2
IS Ic
q
= 100°
T1 T2
T3
is
IS Ic 1-
D’3 D’1 D’2
Diode de roue libre
T1 T2 Tq
uc1
v1
v2
DRL
vq uc2
• Schéma du montage
PRINCIPE
STRUCTURE
TRIAC THYRISTOR
GRADATEUR
STRUCTURE
INTERRUPTEUR ÉLECTRONIQUE
Dans le cas de ce montage, on constate que le courant doit
pouvoir passer dans les deux sens dans l'interrupteur.
La solution consiste à mettre en parallèle 2 thyristors tête-
bêche. Chacun des 2 thyristors conduira à tour de rôle en
fonction des polarités du réseau.
La technologie a mis au point un dispositif qui intègre les 2
thyristors dans le même boîtier avec une seule électrode de
commande, ce dispositif est appelé TRIAC.
2 TYPES DE FONCTIONNEMENT
a = t1/ T
Rapport Temps de
cyclique conductio Période du
gradateur
T
n du triac
à train
d’onde
Pmoy =
t1
Gradateur à train d’ondes.
a = t1/ T
Rapport Temps de
cyclique conductio Période du
gradateur
T
n du triac
à train
d’onde
Pmoy = Pmax .a
t1
Continuons avec les TP en :
q Réalisant des montages
q vérifiant la conformité entre les formes d'ondes théoriques et pratiques
q Comparant les valeurs théoriques et les valeurs mesurées