Tp 01

Etude d’un transistor bipolare NPN

Fait par :
CHEBRI Basmala
CHIHEB Selsabile

Encadré par :
Mdm Larakeb.
 Objectif du tp :
Etude des caractéristiques statique d’un transistor bipolaire polarisé en
émetteur commun .
Matériel utilisé :
 Transistor npn 2N2222A.
 4multimètres .
 2résistances 100Ω , une résistance de 1K Ω.
 2 alimentations .
Préparation :
- Constitution du transistor avec les zones de dopage
o Emetteur
o Base
o Collecteur
- Il est constitué de 2 jonction PN, montées en sens inverse ,selon
leur sens de montage de ces diodes .On a 2 types de transistor
-

- La relation entre les courants :

Ie =Ib+Ic
Manipulation :
- Dans notre 1ière séance du TP , nous avons rencontré à quelques
problèmes :
  On n’a pas pu arriver à la zone de saturation pour la caractéristique
de Ic =f(Ib)et à la zone linéaire pour la caractéristique Ic=f(Vce)
 La résistance Rc s’est échauffé pour un Ic =300mA (avant l’arrive à la
saturation )
- Après l’analyse des résultats , ona décidé de réduire la résistance Rb
(10K Ω 1K Ω)pour augmenter le courant Ib et donc arriver à Icsat
mais le problème de réchauffement de Rc avant l’arrive à la saturation
n’a pas résolus
- On a décidé de nouveau d’ajouter une résistance Emetteur Re qui
dissipe la puissance avec Rc
I. Résultats de la première manipulation :
- On a rencontré un problème avec le voltmètre pour la mesure de Vce
 La caractéristique de sortie (en utilisant des donnés de nos
camarades )
*on peut remarqué qu’on a juste obtenue une seule zone qui dite la zone de
saturation ou Ic dépend fortement de Vce ,quand Vce augmente Ic croit
rapidement
*pour cette zone les 2 jonctions BE etBC sont passantes.

Ic=f(Vce)
350

300
300

250

200

150

100

50

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

On a obtenue cette caractéristique en faisant fixer Vbb=10V ,c'est-à-dire

Vbb−Vbe
Ib= Rb
=0.93 mA et varier Vcc de 0à 15V.
  La caractéristique d’entrée :
- Cette caractéristique se rassemble à une caractérique d’une diode
ordinaire polarisé en directe .

0.8
Ib=f(Vbe)
0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5

On a obtenue cette caractéristique en fixant Vcc à10V et varier Vbb de 0 à

15V.

 Caractéristique de transfert en courant :

Les résultats des essais nous a permet d’obtenir la courbe de Ic en fonction de
Ib, mais seulement la 1ière zone qui est la zone linéaire ,la relation entre Ic et Ib
est linéaire avec une pente de β (hf dans datasheet )qui caractérise le
transistor c’est le gain en courant , dans notre cas β≈150.
 Ic=f(vce)
350

300

250

200

150

100

50

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5

II. Résultats de la deuxième manipulation :

- L’amélioration du montage nous a permet d’obtenir ces résultats :
 La caractéristique d’entrée :
1) Vbe =f(ib)

Vbe =f(ib)
0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.1 0.12 0.14 0.16 0.18 0.2

Vbe ne varie pas avec la variation de Ib Il est presque contant

 Caractéristique de transfert en courant :
On peut diviser notre graphe en 2 zones
  Zone linéaire : Ic augmente avec l’augmentation de Ib avec un rapport
(pente )constante qui est β gain en courant,sachant que ce gain est
influencé par la température et les conditions du circuit ce qui explique
la grande variation de ce gain entre notre 1ier essaie .
 Zone de saturation : le courant Ic plafonne autour valeur Icsat =
Ib,Ic reste constant pour toute Ib>Ibsat l’avant claquage.
 La 3ème zone oi il y’a pas du courant Ib dans le transistor Ic=0 et le
tansistor est dit bloqué.

ic=f(ib)
80

70

60

50

40

30

20

10

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

 Résultats :
1)β≈270
2) IBsat =0.3mA

 La caractéristique de sortie :
Pour renforcer notre étude, on a fait le même essaie 2 fois
1- Pour Vbb= 5V
2- Pour Vbb=7V
 Ic=f(Vce)
70

60

50

40

30

20

10

0
0 2 4 6 8 10 12 14
vbb7 Vbb=5

Comme montre le graphe :il existe 3 régimes

*bloqué : le régime bloqué Vbe<Vseuil =Vd: La diode BE bloquée et aucun
courantse circuit Ic=Ib=Ie=0 A
*Régime linéaire Vbe>Vs=Vd
*Régime saturé Vce<Vcesat
 Vce=f(ic)
35

30

25

20

15

10

0
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06

2) ic=f(ib)

Vce=f(ic)
2eme cas

Valeur des Y
0.35

0.3

0.25

0.2

0.15

0.1

0.05

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5