Le Transistor Bipolaire

• Un TR bipolaire = élément SC dans lequel sont formées 2 jonctions

très voisines. Donc deux régions de même types de conductivité (N ou
P) sont séparées par une mince région de conductivité opposée appelée
base.
• Ce qui permet d’avoir 2 types de transistors suivant que la région
centrale (base) est de type N ou P.
Effet transistor:
Pour avoir l’effet transistor (on dit aussi en fonctionnement normal),
la jonction base–émetteur (BE) doit être polarisée en direct et la
jonction base–collecteur (BC) en inverse.

Pr. B. ABBOUD Introduction à l'électronique 4-1

 Transistor NPN

Emetteur Base Collecteur

1ére
jonction 2ére
Transistor PNP jonction

Emetteur Base Collecteur

L’effet transistor qi se traduit par l’apparition des grandeurs suivantes:

IE = IC=β VBE=0 VCE≠0 VCB ≠0

IB +
Remarque: IB ,6 V
Entre
IC la base, le collecteur et l’émetteur on a une maille ce qui permet
d’écrire:
VBE  VCB  BCE  0  VCE  VCB  VBE


ou bien : V  V  V  V  V
 CB CE EB CE BE

VCB IC
C
IB E
B
VCE
VEB=
VBE -VBE

E
Exercice 1
On considère le circuit de la figure 1. Quelle valeur donner à RB pour obtenir VCE = 5V
On donne ß =100, VBE = 0,6V, E = 10V et RC = 1k.

 E  RC ( I C  I B )  RB I B  VBE  0
 E  RC ( I C  I B )  VCE  0

E  RC ( I C  I B )  VBE IB + IC
RB 
IB

E  VCE
IB  I B  ...............
(1   ) RC IB

AN: VCE
E  RC ( I C  I B )  VBE
RB  VBE
IB

RB  ...............
Transformation du montage par application de théorème de Thevenin.

NB: on utilise cette transformation:

 soit pour faire disparaitre le courant IP qui traverse RP ,
 soit pour donner la droite d’attaque. RC
C
RB
B
RB RC
VCC VCC
RP RE

VCC
RP M
RE

RC
C
RT
B

ET VCC
RE

M
 Dans le montage de la figure 2, si RB = 100 k, à quelle relation doivent satisfaire
Exercice 2 RB1 et RB2 pour que IC = 4 mA. On donne : E = 10V, ß = 100, VBE = 0,6V.

Astuce : faire disparaitre le courant IP qui traverse RP

IB + IP
 R1  ET  ( RT  RB ) I B  VBE  0
E 
 T R R E
 R1 RR I IB

1 2
 E  ( 1 2  RB ) C  VBE  0 B
 R  R1 R2 R1  R2 R1  R2 
IP VCE
 T R1  R2
VBE
IC
 R1 E   R1 R2  RB ( R1  R2 )   VBE ( R1  R2 )  0

M
10 R1   R1 R2  10 .( R1  R2 )  4.10  0, 6.( R1  R2 )  0
5 5

 5,4 R1  4.10 5 R1 R2  4,6 R2  0

C
RT B RB

ET E
VBE

M
 On considère le montage de la figure 3, on désire que VCE soit de 5V.
Exercice 3 1) quelle est la valeur maximale possible pour RB2?
2) Est-il possible d'obtenir VCE = 5V avec RB1 = RB2?
3) RB1 = 10k, calculer RB2. IB+IP
On donne E = 10V, RC = 1k, ß = 100, VBE = 0,6V.

1) Valeur maximale de RB2:  E  RB 2 ( I B  I P )  0 IP

E  VBE E  VBE
 RB 2   RB 2max 
(IB  IP ) IB

2) Est-il possible d'obtenir VCE = 5V avec RB1 = RB2?

Cherchons la relation générale entre RB1 = RB2 par application de Thevenin
 ET  RT I B  VBE  0 R1 RR I
 E  1 2 C  VBE  0
R1  R2 R1  R2 
IC
 R1 E  R1 R2  VBE ( R1  R2 )  0
 RC
C
RT
Cherchons la valeur de IC : B

E  VCE ET E
 E  RC I C  VCE  0  I C   5 mA
RC

M  R1
 ET  R  R E

9, 4 R1  5.105 R1 R2  0, 6 R2  0
1 2

 R  R1 R2
 T R1  R2
 9, 4 R1  5.105 R1 R2  0, 6 R2  0
Si RB1 = RB2 :

9, 4 R1  5.105 R12  0, 6 R1  0 5.105 R1  8,8  R1  R2  176 K 

3) RB1 = 10k, calculer RB2.

9, 4 R1  5.105 R1 R2  0, 6 R2  0 9, 4104  5.105104 R2  0, 6 R2  0

9, 4104
9, 410  0,5 R2  0, 6 R2  0  R2 
4
 86 K 
1,1
L’effet de la température sur les paramètres du transistor
Exercice 4
Le point de polarisation (ou de fonctionnement) d’un montage
devra par conséquent être aussi indépendant que possible des
facteurs suivants: VBE , β , ICBO.

ϴ(°C) -65 +25 +175

ICBO(mA) 1,95 10-3 1 33000
Si
β 25 55 100
VBE (V) 0,78 0,6 0,225
ϴ(°C) -65 +25 +175
ICBO(mA) 1,95 10-3 1 32
Ge
β 25 55 90
VBE (V) 0,78 0,3 0,20
 Facteur de stabilité thermique
Lorsque qu’on cherche l’expression de IC on trouve qu’il dépend des 3 facteurs VBE , β , ICBO
(voir démonstration en pages suivantes)

ET  VBE (1   ).( RT  RE )
IC  .  I CBO
RT  (1   ) RE RT  (1   ) RE

Cherchons la dérivée totale (dIC ) de IC par rapport aux trois variable:

I C I C
I
 C 
I C I I SVBE  
S I CBO S  C  C VBE VBE
I CBO I CBO  

I C I C I C
dI C  dI CBO  dVBE  d
I CBO VBE 

dI C  S ICBO dI CBO  SVBE dVBE  S  d 

 I C I C I C I C I C I C
S I CBO   S   SVBE  
I CBO I CBO   VBE VBE
Lors de l’étude de l’effet de la température il faut remplacer IC par l’expression suivante qui
tienne compte de courant inverse ICBO : I C  I B  (1   ) I CBO
RC
RB RC RT
E
ET
E
VBE
RE
RP VBE
RE

 ET  RT I B  VBE  RE ( I B  I C )  0 RE I C  ET  VBE  ( RT  RE ) I B

ET  VBE (1   ).( RT  RE )
IC  .  I CBO (1 )
RT  (1   ) RE RT  (1   ) RE
On voit bien que IC dépend des 3 facteurs VBE , β , ICBO.
Maintenant on peut chercher les 3 facteurs ou l’un des trois à partir de l’équation (1).
I C I C I C I C
S I CBO   S   SVBE 
I C

I C
I CBO I CBO
  VBE VBE
 En dynamique on garde que les grandeurs variables:
ic C

B ib
Vce
Vbe

E
Transistor à Emetteur Commun:

Le transistor à Emetteur Commun est le plus utilisé pour l´amplification en tension.

h11e h12e h21e h22e

 Modélisation du TR en dynamique en faibles signaux et basses fréquences

La modélisation du TR=trouver un schéma électrique équivalent qui peut servir aux calculs
théoriques.
ib iC
Théorie des quadripôles:
vbe Q vce
vbe  h11ib  h12vce

ic  h21ib  h22 vce
Transformons les 2 équations en circuit électrique on trouve:
ib h11 ic

vbe h12vce h21ib

1/h22 vce

Schéma complet du TR en dynamique: faibles signaux et basses fréquences

Pr. B. ABBOUD 4-15

 Modélisation du TR en dynamique & en régime de petits signaux:
ib h11 ic

h21ib
vbe h12vce 1/h22 vce

vbe  h11ib  h12vce  vbe   h11 h12   i b 

    
ic  h21ib  h22 vce  i c   h 21 h 22   vce 
Signification des hij:
h11: résistance,
h12: coefficient d’amplification en tension,
h21: coefficient d’amplification en courant,
h22: conductance (inverse d’une résistance)

Remarque:
- Notons qu’il existe d’autre modèles plus complexes.
- Les grandeurs hij utilisées sont appelées paramètres hybride du TR à émetteur commun.

Pr. B. ABBOUD 4-16

 Réponse en fréquence d’un étage amplificateur (EC)

Remarque:
Noter bien que le gain en
tension AV est complexe
(présence des capacités de
transistor et de montage)

VS

Pour tracer la courbe de réponse en fréquence du montage, on a deux possibilités:

VS
- Soit on trace le module du gain: AV 
vg
VS
- Soit on trace 20log(module de gain) AV (dB)  20 log( ) (est la plus utilisée)
vg
On rencontre 3 montages fondamentaux les plus utilisés

1) Montage émetteur commun:

schéma dynamique du montage

2) Montage collecteur commun

schéma dynamique du montage

 3) Montage base commune

schéma dynamique du montage

On appelle fréquence de coupure la fréquence pour laquelle l'amplitude du
signal de sortie est égal celle du signal d'entrée divisée par racine de 2.

1 AV max : gain maximum

AV ( f  fC )  AV max
2 fC : fréquence de coupure

AV max 1
AV (dB à f  f C )  20 log( )  20 log AV max  20 log( )
2 2

AV (dB à f  f C )  20 log AV max  3

On appelle la bande passante d’un montage le domaine des fréquences comprises

entre les fréquences de coupures.
 fCH : fréquence de coupure haute
BP  f  f C ( HF )  f C ( BF ) 
 fCB : fréquence de coupure basse
 Pour le montage émetteur commun:

-3dB

fCB fCH
Pour faire l’étude complet du montage avec charge Rch, on doit ainsi appliquer le
théorème de superposition pour séparer les deux régimes de fonctionnement:

e(t)=0

E=0 Rg

e(t)

R1 R2
RB 
Q : quadripôle équivalent Q au transistor en régime dynamique. R1  R2
 Etude générale dynamique du montage de la figure 5 et 6
(cas ou Rg≠0)
Exercice 6: On veut réaliser le montage de la figure 6 avec:
E = 9V, IC = 1,5 mA, VE = 3V, VC = 6V, VBE = 0,6V et Ip = 2,4 mA
1) Déterminer les droits d'attaque et de charge statiques.
2) Calculer RE, Rc, R1 et R2
3) Donner le montage équivalent en dynamique (Rg ≠ 0)
Calculer : Ai, AV, Ze et Zs du montage

On donne h11e = 1100, h12e = 2,5 10-4, h21e = 50 et h22e = 2,5 10-5 -1.

Rc
R2 C2
C1
Rg E

R1 VS(t)
e(t) CE
RE
 Montage statique des figures 5 et 6
• Pour faire l’étude statique, il faut supprimer toutes les composantes intervenant dans le régime
dynamique et le montage devient celui de la figure 4:
Etude statique:
On donne: E = 9V, IC = 1,5 mA, VE = VEM= 3V, R2
B
VC = VCM =6V, VBE = 0,6V et Ip = 2,4 mA, β  h21=50
1) Déterminer les droits d'attaque et de charge R1
statiques.
2) Calculer RE, Rc, R1 et R2.
Réponse: M
1) Les droits d'attaque et de charge statiques.
ET  VBE E  VCE RC
IB  I 
RT
C
RT  (1   ) RE 1
RC  (1  ) RE B

2) Calculer RE, Rc, R1 et R2. ET VCE
E
VE  RE ( I C  I B )  RE 
VE VBE
1 RE
(1  ) I C

E  VC M
 E  RC I C  VC  0  RC 
IC

E  VE  VBE VE  VBE
 E  R2  I B  I p   VBE  VE  0  R2   R1 I p  VBE  VE  0  R1 
IB  IP IP
 Montage dynamique
Etude statique:
Pour faire l’étude dynamique, il faut s’intéresser seulement au régime variable. Ce qui permet d’utiliser
les approximations suivantes:
 Court-circuiter la tension de polarisation (E=0);
 Remplacer le TR par son schéma dynamique équivalent ;
 Remplacer les capacités par des courts-circuits si leurs impédances peuvent être négligées.

 On obtient le montage suivant: montage dynamique en faibles signaux et en basses fréquences

Les 4 paramètres qu’on vous demande de déterminer en régime dynamique
sans charge ou avec charge (RL ) sont résumés dans le tableau ci-dessous:

Av Ai Ze Zs

Transistor 𝑣𝑐𝑒 𝑖𝑐 𝑣𝑏𝑒 𝑣𝑐𝑒

𝜗𝑏𝑒 𝑖𝑏 𝑖𝑏 𝑖𝑏
Montage 𝑉𝑠 𝑖𝑠 𝑒 𝑉𝑠
ⅇ 𝑖𝑒 𝑖𝑒 𝑖𝑆
ib iC
vbe Transistor vce

ie iS

e(t) Montage vs Rch

 Amplificateur à transistor en régime petits signaux
Un amplificateur à pour but d’amplifier une tension, un courant ou une puissance, c’est-à-dire
de multiplier ces paramètres par des facteurs donnés dans une certaines bande de
fréquences.
ie iS
Montage vs Rch
e(t)

Un amplificateur n’est jamais utilisé seul, son entrée est reliée à un générateur de signal, sa
sortie est reliée à une charge (Rch).
 Vue de l’entrée, il se comporte comme un récepteur d’impédance Ze,
 Vue de la sortie comme un générateur de Thevenin de f.e.m=(Av e) et d’impédance
interne ZS .
Après avoir calculer ces paramètres, le montage peut être modélisé par le circuit ci-dessous:

Rch
 B ib h11 ic C
Rg

1/h22
h21ib
vce

h12vce
vbe

R1 R2 RC VS(t)
e(t) E

RE

ie B ib h11 ic C
Rg

e(t) vbe vce

h21ib
h12vce

R12 RC VS(t)
1/h22
Equations du circuit
ie B ib h11 ic C
Rg

e(t) vbe

h21ib
h12vce
R12 RC VS(t)
vce

1/h22
VS
AV 
vbe  h11ib  h12vce e
Transistor 
ic  h21ib  h22vce Ze 
e
ie
vbe
Maille d’entrée e  Rg ie  vbe ie  ib  Ai 
iS
R12 ie

Maille de sortie VS   RC ic  vce ZS 

VS
iS
Calcul de AV e  Rg ie  vbe VS   RC ic  vce AV 
VS

 R C iC
e Rg ie  vbe
h21 h21
a ic  h21ib  h22 ( RC ic )  ic  ib  aib
1  h22 RC 1  h22 RC
b  (h11  ah12 RC ) vbe  h11ib  h12 ( RC ic )  (h11  ah12 RC )ib  bib
b vbe b
c  (1  ) ie  ib   (1  )ib  cib
R12 R12 R12
VS  RC ic  RC aib  RC a
AV    
e Rg ie  vbe Rg cib  bib Rg c  b
Reste à remplacer a, b et c par leur expression et de simplifier
Calcul de Ai iS ic a
Ai   
ie cib c
Reste à remplacer a et c par leur expression et de simplifier

Calcul de Ze
e Rg c  b
Ze  
ie c
Reste à remplacer b et c par leur expression et de simplifier
 Détermination de l’impédance de sortie du montage
NB: il faut toujours déterminer ZS à vide (sans charge) (dans notre cas, le
montage est déjà sans charge)
B ib ic C is
Rg h11

vbe vce RC

h12vce
VS

1/h22
h21ib
R12
e(t)=0

Méthode: pour calculer ZS du montage, il faut éteindre la source d’entrée du

montage e(t) et brancher une source idéal à la sortie donnant is.

Transistor vbe  h11ib  h12vce


ic  h21ib  h22vce ZS 
VS

vce
Maille d’entrée vbe  ( Rg / / R12 )ib  rib iS i  vce
c
RC
Maille de sortie
VS  vce iS  ic 
vce
RC
 Détermination de l’impédance de sortie du montage

B ib ic C
Rg h11
is
vbe vce RC

h12vce
VS

1/h22
h21ib
e(t)=0 R12

vbe  h11ib  h12vce

 vbe  ( Rg / / R12 ).ib  r.ib VS  vce
ic  h21ib  h22vce
h21 h22
vbe h11 ic  (  )vbe  kvbe  kdvce
vbe  h11 ( )  h12 vce  vbe (1  )  h12vce r d
r r
ic  kvbe  kdvce
r  h11  rh 
vbe ( )  h12 vce  vbe   12   d vce vce v
r  r  h11  iS  ic   kdvce  ce  fvce
RC RC
1 v 1
ic  h21ib  h22 ( ) vbe  h21 ( be )  h22 ( )vbe VS v 1
d r d Finalement ZS   ce 
iS f .vce f
Exercice supplémentaire
 Déterminer les éléments du point de fonctionnement et les tensions VE et VC et VP:
En supposant VBE  0,7V et β 180.
On peut écrire après application du théorème de Thévenin entre B et M: RT 
R1 R2
et ET 
R2
VCC
( R1  R2 ) ( R1  R2 )
ET  VBE
 ET  ( RT  R3 ) I B  VBE  R4 ( I B  I C )  0  I B  I C   I B  2,16 mA
( RT  R3 )  R4 (1   )
soit I B  12µA VE  R4 (1   ) I B  2, 2 V
VC  VCC  R5 I C  5,5 V
E  VBE  R3 I B
 R2 I P  R3 I B  VBE  VE  0  I P  E VP  R2 I P ; calculons I P :
R2
soit I P  30µA
Vcc

R3 RC
R1 R3
B RT B R3

ET VCE
VCC
VBE
R2 RE
R4
M
M