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Les Transistors de puissance

1) Régime de fonctionnement du T.B

Figure IV-1 : Caractéristiques 4 quadrants pour un T.B monté en E-C.

Prenons l’exemple du montage de la figure ci-dessous :

Figure IV-2 : Polarisation d’un T.B par résistance de base « RB » et monté en E-C.

Le point de fonctionnement se trouve à l’intersection du réseau caractéristique (figure


IV-25) et des équations de polarisation du montage tel que :
E−VBE
 Equation de la droite d’attaque : IB =
RB

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E−VCE
 Equation de la droite de charge : IC =
RC
La polarisation fixe les valeurs de I B, IC, VBE et VCE au point de fonctionnement à l’aide du
réglage de l’alimentation « E » et des résistances.

On distingue 3 régimes de fonctionnement, directement fixés par le réglage du point de


polarisation « P » :

 Fonctionnement en Amplification (ou encore linéaire) → (« P » est en  : IC = β IB) :


Le point « P » est choisi dans la partie horizontale des caractéristiques I C = f (VCE).
Le transistor est un amplificateur de courant (I C = β IB) commandé par le courant IB.
Ce régime est dit linéaire (VBE = 0,6V pour NPN et VBE = - 0,6V pour PNP).

 Fonctionnement en Commutation de Saturation → (« P » est en  : IC < β IB).


Le point « P » est choisi dans la partie verticale des caractéristiques I C = f (VCE).
Tout accroissement de IB est sans effet sur IC.
Le transistor saturé est un interrupteur fermé entre le Collecteur et l’Emetteur
(VCE = VCE sat ≈ 0).
Condition de saturation : IC (= IC sat) < β IB

On a aussi (pour un NPN) : VBE > 0,6V (VBE = 0,7V suffit pour saturer le transistor).

 Fonctionnement en Commutation de Blocage → (« P » est en  : IC = 0).


Le point « P » est choisi sur l’axe de VCE.
Le transistor bloqué est un interrupteur ouvert entre le Collecteur et l’Emetteur
(VCE = VCE bloc ≈ E) et (IC ≈ IB ≈ 0).
Condition de blocage : IB ≈ 0

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Figure IV-3 : Les 3 régimes de fonctionnement d’un T.B.

ΔS : indique la droite de charge.

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2) Classes d’amplificateur à T.B


2-1) Classe A
Le point de fonctionnement « P » est choisi à « VCE0 = E / 2 », de telle sorte à permettre
une excursion maximale pour l’amplification

.
Figure IV-4 : Amplificateur classe A.
Inconvénient : mauvais rendement de puissance.
Le temps de conduction, en appelant T la période du signal sinusoïdal d’entrée, est de T.

2-2) Classe B
Le point de fonctionnement « P » est choisi à « VCE0 = E » (blocage).

Figure IV-5 : Amplificateur classe B.


L’excursion maximale est maintenue à « E », mais le transistor ne conduit que pendant
« T/2 ».

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Il faut un second transistor (de type PNP) pour assurer l’amplification pendant
l’alternance négative du signal sinusoïdal d’entrée. Ce second transistor étant lui aussi
polarisé en classe B. c’est le montage appelé «push-pull ».

Figure IV-6-a : Montage «push-pull » à deux alimentations.

Figure IV-6-b : Montage «push-pull » à une alimentation.

La seconde alimentation (figure IV-6-b) est remplacée par un condensateur «  C » de


forte capacité. Le condensateur « C » se charge pendant une alternance et sert de
générateur durant la seconde.

L’avantage par rapport à la classe A : meilleur rendement de puissance.


L’inconvénient du montage «push-pull » à une alimentation : montage limité en
fréquence car le condensateur met du temps à se charger.

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2-3) Classe C
Le rendement est encore meilleur par rapport à la classe B. Temps de conduction du
transistor < T/2.
L’amplification classe C est principalement utilisée en HF (Hautes Fréquences).

Figure IV-7 : Amplificateur classe C.

2-4) Classe D
Utilisé en régime impulsionnel. Il présente un excellent rendement.

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