CHAPITRE V : ETUDE EN FAIBLE SIGNAUX DE TRANSISTOR

UNIPOLAIRE ET BIPOLAIRE VOIR NOTE DE COURS (CAHIER)

V.1. AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE BASE-FREQUENCE

V.1.1. Généralités

Un amplificateur de puissance BF n’est toujours pas un amplificateur

audio fréquence. Il est appelé amplificateur audio fréquence, lorsque la gamme
de fréquence du signal à amplifier est comprise entre 20 à 20.000 Hz. De
l’anglais POWER AMPLIFIER, ce dernier dispose d’un niveau de puissance
important et d’un rendement en puissance très consistant.

V.1.2. Puissance et rendement

La finalité des amplificateurs est la commande d’un actionneur (haut-

parleur, moteur, inductance, résistance,…) sans déformation du signal appliqué
à l’entrée. Dans l’étude d’un amplificateur de puissance, il faudra souvent faire
des compromis entre la recherche de la qualité de la reproduction et des
considérations économiques (coût, rendement). Dans cette présentation des
principes de l’amplification de puissance, nous nous limiterons à l’étude de
charges ohmiques pures.

Rendement d’un amplificateur

L’alimentation du montage fournit une puissance totale P F qui se

répartit entre la puissance utile PU dissipée dans la charge et P D dissipée, en
pure perte, dans l’amplificateur. La puissance PC , fournie par le circuit de
commande, est en générale négligeable devant celle provenance de
l’alimentation.
 Alimentation

Commande Amplificateur Charge

On peut définir :
T T
1 1
 La puissance moyenne utile : PUmoy = ∫ PU ( t ) dt = ∫ V . i dt
T 0 T 0
PU
 Le gain en puissance : G p= P
c

PU PU
 Le gain rendement : η= P + P ⟹η= P
( c F) F

V.2. CLASSIFICATION DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE

Comme tous les amplificateurs de puissance ne présent pas les

mêmes performances dans divers applications, ces amplificateurs peuvent être
classés comme suit :

a) Selon la grandeur à amplifier :

On parle de l’amplificateur en tension, courant et puissance.

b) Selon la fréquence d’utilisation :

Nous avons :

 L’amplificateur très basse fréquence (TBF) : de 0 Hz ≪ f ≪1 Hz

 L’amplificateur basse fréquence (BF) : de 20 Hz ≪ f ≪20 KHz
 L’amplificateur radio fréquence (RF ou HF) : de 100 KHz
c) Selon la bande passante :

Citons :

 L’amplificateur à large bande appelé aussi amplificateur apériodique ou

encore vidéofréquence, sa bande passante est très étendue (plusieurs
dizaines ou voir centaines de KHz) ;
 L’amplificateur accordé ou sélectif dont la bande passante est réduite de
quelques hertz à quelques kilohertz.

d) Selon la gamme de puissance

 L’amplificateur des petits signaux (préamplificateur) délivrant une

tension de sortie de 1 Volt à partir d’une faible tension d’entrée de
l’ordre de quelques micro Volt ou milli Volt ;
 L’amplificateur de puissance commandé par une tension de 1 Volt
restituant un signal d’amplification importante et fournit un courant
nécessaire pour exciter la charge.

e) Selon la chasse de fonctionnement :

 Classe A, rendement 50%

 Classe B, rendement 78,5%
 Classe AB, rendement 69%
 Classe C, rendement 80%
 Classe D, rendement 85%
 Classe E, rendement 90%
 Classe F, rendement 93%
V.3. COMMANDE

Le circuit d’entrée d’un étage amplificateur à transistors peut toujours

être ramené au schéma ci-après :

r g est la résistance interne du générateur e g et Ri la résistance d’entrée du

transistor (montage) suivant les valeurs de r g et Ri, trois sortes de commandes

sont à distinguer :
 Commande par tension ( Ri ≫r g )
 Commande par courant ( r g ≫ Ri )
 Commande adaptée ( Ri =r g )

V.3.1. Commande par tension

On parle de la commande par tension lorsque r g est négligeable

devant Ri ainsi nous avons :

V be Eg Eg
i b= = ⟹ ib ≅
r g+ R i r g + Ri rg

Et la tension d’entrée V be =e g est appliquée aux bornes d’entrée donc

I C =Y 21 e V be =Y 21 e Eg c'est-à-dire que le courant de sortie I C n’aura la même forme

que e g , si Y 21 e est constante. La pente Y 21 e (vraie fortement avec I C. Ainsi,

l’amplification ne sera linéaire (sans tension) que si E g augmente il y a
production d’une distorsion du signal à amplifier.
Note : ce mode de commande n’est utilisé que dans le cas de tension de très
faible amplitude.

V.3.2. Commande par courant

On parle de cette commande par courant Ri est négligeable devant la

résistance interne du générateur.

V
be g E
D’où ib ≅ r = r . Le rendement d’entrée dépend uniquement de la source E g et
g g

Eg
de la résistance r g or I C =h21 e . ib, ainsi I C=h21 e . r
g

Nous pouvons déduire que si E g est sinusoïdale, I C le sera aussi.

L’amplification est linéaire pour autant que h21 e et r grestent constants quelque
soit la valeur de I C, ce qui est réalisé par un transistor de faible puissance.

V.3.3. Commande adaptée

Du point de vue transmission de puissance de la source vers le

transistor, les commandes par tension et par courant sont défavorable car
l’adaptation des impédances n’était pas assurée, il n’y a pas transfert commun
de puissance le meilleur rendement est obtenu dans la commande adaptée où
l’on réalise l’adaptation des impédances.

V be E
r g=Ri , I b = , Ib = g
2rg 2 Ri

La moitié de la puissance est fournie au transistor et l’autre moitié

est dissipée dans r g et le rendement est de 50%. Ce type de commande est à la
fois une commande par tension supérieure à celle obtenue dans la commande
par courant mais inférieure à celle obtenue dans la commande par tension.
V.4. STABILISATION THERMIQUE

V.4.1. Puissance thermique maximale

Tout transistor en fonctionnement supporte à ses bornes Collecteur

Emetteur, une tension V CE sous un courant I CO et à ses bornes base émetteur
une tension V BEO sous un courant I BO. Il dissipe donc une puissance thermique :

Pth =V CEO I CO +V BEO I BO

Sous une forme d’énergie thermique dans les jonctions presque la

totalité de cette puissance se dissipe dans la jonction collecteur-base. Si cette
puissance est trop grande pour être évacuée en totalité ; la température risque
de s’élever au dessus de la limite, au-delà de laquelle le semi-conducteur
devient conducteur.

Il y a génération court-circuit, puis destruction de la jonction en fusion : c’est

l’emballement thermique.

Soit la figure suivante :

V BE 0: Tension aux bornes de la jonction B-E

( V CBO ≫ V BEO )
V CBO : Tension aux bornes de la jonction C-B

V CEO : Tension entre C-E

La puissance totale qu’un transistor met en jeu est :

Pth =V CEO I CO +V BEO I BO

En appliquant la loi de maille à la figure ci-haute, nous voyons clairement que

V CEO =V CBO +V BEO∨V BEO ≪V CBO d où V CEO ≅V CBO,
'

Ainsi, Pth=V CBO I CO +V BEO I BO, en négligeant devant V CBO la tension V BEO , on
Pth =V CBO I CO ou Pth =V CEO I CO.
 Le constructeur précise toujours une valeur maximale de la puissance
dissipée dans chacune de jonction (C-B et B-E), qu’on ne pourra pas dépasser
de peut qu’il y soit l’emballement thermique. Connaissant la valeur de cette
puissance maximale de l’équation :

Pthmax
I CO =
V CEO

Pour des raisons de stabilité thermique, il convient de :

 Disposer le transistor de façon que la chaleur apportée à chaque instant

puisse être dissipée dans le milieu ambiant ;
 Insérer le transistor dans les montages où les variations courants
collecteurs sont automatiquement limitées.

V.4.2. Dissipation de puissance thermique dans l’air ou dans le milieu

ambiant

Dans ce point, nous allons voir le processus de dissipation de la

puissance de la jonction B-C vers le milieu ambiant (l’air). Soit θtJ la température
de la jonction B-C, θta la température dans l’air ou du milieu ambiant. La
puissance thermique est proportionnelle à la différence de ces deux
températures et inversement proportionnelle à résistance thermique, ainsi :

1 ( t J −t a )
❑ ❑
❑
t J −t a
❑
1 ❑ ❑ t −t
Pth = ⟹ Pth= , posons R = λ⟹ Pth=λ ( t J −ta )= Pth = g u
R th R th th Rth

Rth : désigne la résistance thermique de la jonction B-C et du milieu ambiant

(milieu de propagation) cette résistance s’exprime en °C/W

λ : la conductance du milieu de propagation en W/°C

❑
Note : en évaluant totalement la puissance thermique t J , reste stable (équilibre
❑
statique), mais toujours supérieure à t a pour éviter l’emballement
thermique, les fabricants des transistors prévoyant toujours pour
❑
chaque série, la valeur de t J à ne pas dépasser.
V.4.3. Refroidissement par radiateur (dissipateur)

En voulant faire travailler un transistor sous une puissance supérieure

à celle de son boitier, pour évacuer dans un milieu ambiant ; on est ténu
d’augmenter la dissipation.

En mettant le fond du boitier du transistor en contact intime avec des

pièces métalliques de grande surface appelées radiateurs, dissipateurs ou
refroidisseurs.

Jonction

Fond du boitier

Radiateur

Ambiant
La chaleur se propageant du corps chaud vers le corps froid, nous pouvons
donc écrire :

t ❑j > t ❑ ❑ ❑
b >t r > t a

En observant la précédente figure, nous pouvons calculer la résistance

thermique de la jonction B-C et du milieu ambiant par la relation suivante :

R ja =R jb + Rbr + Rra
 t ❑j −t ❑a t ❑−t ❑ t ❑−t ❑ t ❑−t ❑
Rth = , R jb = j b , Rbr = b r , Rra = r a
Pth Pth Pth P th

Ainsi, nous disons que R ja est la résultante de ces trois résistances.

R jb: Résistance thermique de contact fond du boitier, déterminée par le

constructeur et sa valeur varie entre 0,6°C/W et 2°C/W. Pour le transistor
❑ ❑
de puissance, la différence de température t j −t a est proportionnelle à la
puissance thermique.
D’où :
❑ ❑
t −t
R jb = j b
Pth

Rbr : Résistance thermique de contact fond du boitier radiateur. Pour déduire la

valeur de cette résistance, on recommande d’enduire l’embase du mince
film de graisse silicone avant le montage du transistor sur le dissipateur.
Sa valeur vaut environ 0,4°C/W.
❑ ❑
t −t
Rbr = b r
Pth

Rra : Résistance thermique du radiateur – ambiance. Elle est liée aux

phénomènes de conduction dans le radiateur, de convection et de
rayonnement.
❑ ❑
t r −t a
Rra=
Pth

Note : Dans son évaluation vers le milieu ambiant, la puissance thermique

traverses des milieux matériaux différents, aux résistances thermiques
différentes, on dit qu’on à affaire à des résistances thermiques
associées en série.
Ainsi :
Rba : Résistance thermique très grande du boitier, car le boitier seul présente
une surface de refroidissement faible. Donc Rba est grande en l’absence
du radiateur, pour améliorer l’efficacité du refroidissement, une
ventilation forcée peut être nécessaire.
V.4.3.1. Surface de refroidisseur

La surface du refroidisseur est l’inverse du produit Rra Xσ

 1
S=
Rra XC
avec : S en cm², σ en mW/cm²°C

σ : Coefficient d’expansion thermique qui se divise en trois parties :

 Refroidissement par conduction qui dépend de la surface du

refroidisseur
 Refroidissement par rayonnement (max = 0,6mW/cm²°C)
 Refroidissement par conduction (moyenne = 1,5mW/cm²°C)

V.5. LES OSCILLATEURS

a) Définition :

Les oscillateurs sont des circuits électroniques à transistor, dans

lequel on retrouve un dispositif assurant un gain, un circuit assurant une
réaction positive, une source d’énergie et un élément non linéaire.

b) Caractéristiques :

Pour qu’un montage puisse osciller deux conditions doivent être

remplies :

 la condition d’amplitude et
 la condition de phase.
 Fig. V.1 : Réaction à oscillateur

La condition de phase exige que le gain avec réaction tendent vers

l’infini c'est-à-dire : | A|.|a|=1

La condition de phase est réalisée quand la tension de réaction est en

phase avec la tension d’entrée.

V.5.1. Type des oscillateurs

V.5.1.1. Les oscillateurs harmoniques

Ils comprennent :

 Les oscillateurs à réaction (les plus utilisés) ;

 Les oscillateurs à résistance négative.
a) Oscillateurs à réaction

La production d’oscillation s’obtient en reportant une fraction du

signal de sortie d’un amplificateur sur l’entrée avec phase correcte. Le signal de
report doit être en phase avec le signal initial ; on obtient une réaction positive
telle que :

A
Ar =
1− AB

A : Amplification sans réaction

B : Taux de réaction
Ar : Amplification avec réaction

AB: Facteur de réaction

Ainsi pour obtenir des signaux sinusoïdaux il faut :

- Ajuster AB> à 1, une fois amorcée l’oscillation se maintient pour AB=1.

 Pour les filtres harmoniques on peut utiliser :

 Les circuits à constantes localisées (RC ou LC) ;

 Les circuits à constantes reportées (quartz).
En outre, notre réseau de réinjection devra prendre en compte le montage
utilisé, déphasée ou pas du signal et appliquer le taux de réaction qui convient
à l’entrée.

Un montage oscillateur doit par allaire avoir une stabilité en

fréquence et en amplitude plus au moins poussé.

V.5.1.2. Les oscillateurs Colpitts

Fig. V.2 : oscillateur Colpitt

Nous trouvons dans ces oscillations, au collecteur on place une self,

cette inductance présente une réaction élevée et empêche l’énergie HF de se
propager dans l’alimentation ce qui serait dommageable. Le collecteur charge
un circuit accordé composé de L1 en // avec C1 et C2, une partie de la tension
alternative de développe aux bornes de C2 est envoyée à la base du transistor
le système est bouclé.
 Si nous rendons un des éléments du circuit oscillant variable, self ou
capacité ; notre oscillateur pourra osciller sur plusieurs fréquences.

On reconnait un oscillateur Colpitt grâce à son diviseur capacitif.

V.5.1.3. L’oscillateur Colpitt base commune

Fig. V.3 : Oscillateur Colpitt en base commune

On retrouve souvent l’oscillateur Colpitt en montage base-commune

son principe avantage est d’annuler l’effet de la capacité collecteur base
commune du transistor.

La tension de réinjection est envoyée sur l’émetteur ce qui provoque

bien la variation de polarisation de la jonction base-émetteur et
conséquemment une variation du courant. Le montage base-commune permet
à l’oscillateur de fonctionner sur les fréquences plus élevées que son
homologue émetteur-commun.

Dans ce montage la tension de réaction est reprise aux bornes du

condensateur C2.
V.5.1.4. L’oscillateur Hartley

Dans cet oscillateur, nous trouvons deux inductances en série en lieu

et place du pont diviseur capacitif. Les deux selfs représentées sur le schéma ne
sont en fait qu’une seule sur laquelle on réalise une prise.

Le collecteur charge un circuit accordé c'est-à-dire résonnant sur une

fréquence (f) dictée par la valeur de L1+L2 etc. La tension qui se développe aux
bornes de L2 est envoyée à la base du transistor ce qui maintient l’oscillation.

Les éléments L1 et L2 ne sont qu’une self sur laquelle on vient faire

une prise intermédiaire. On reconnait l’oscillateur Hartley grâce aux deux
bornes inductances (ou à la prise intermédiaire) du circuit résonnant.

Fig. V.4 : Oscillateur Hartley

V.5.1.5. L’oscillateur Clapp

Le Clapp est un dérivé, est une amélioration du Colpitt.

Dans le Colpitt, les capacités du montage et la capacité intrinsèque

du transistor influence fortement sur la fréquence d’oscillation. Dans le Clapp, il
a été ajouté une capacité en série dans le circuit d’accord et c’est cette capacité
qui est déterminant avec le self pour déduire la fréquence d’oscillation.

Par rapport au Colpitt, on note la présence d’une capacité C 3 en série

avec la bobine L1 pour déterminer approximativement la fréquence
d’oscillation.

On a appliqué la classique formule de Thomson en utilisant la valeur

de C 3.

Fig. V.5 : Oscillateur Clapp

Le Clapp est plus stable que le Colpitt.

On reconnait un oscillateur Clapp car il s’agit d’un Colpitt avec un

condensateur en série avec une bobine dans le circuit d’accord.

V.5.1.6. Les oscillateurs commandes en tension ou V.C.O (Voltage Controled

Oscillators)

Nous avons vus que l’on peut varier la fréquence d’un oscillateur en
ayant un des éléments du circuit résonnant variable, que ce soit le self par le
biais d’un noyau plongeur soit par la capacité qui peut être un condensateur
variable.

On peut fabriquer ou réaliser un oscillateur variable qui sera

commandé par une tension c'est-à-dire que la fréquence de sortie dépend de la
tension continu appliquée.

Ceci sera réalisé en remplaçant le condensateur variable (CV) par un

dispositif à capacité variable telle la diode varicap ; ces diodes ont la propriété
de changer de capacité en fonction de la tension continue que l’on leur
applique.

L’intérêt d’un tel montage est de remplacer le CV mécanique rare et

cher par un dispositif électronique peu couteux, de plus de V.C.O est
indispensable dès lors que l’on réalise un système fonctionnant un boucle.

V.5.1.7. Les oscillateurs à quartz

C’est en 1880 que Pierre et Jacques Curie remarquaient que si l’on

soumet un cristal de quart à une pression mécanique, suivant un axe dit
électrique, des charges électriques d’égale valeur et des polarités opposées
apparaissent sur les faces du cristal perpendiculaires à cet axe.

L’année suivante (1881) Lippmann constatait la réversibilité du

phénomène : si une différence de potentiel est appliquée entre deux faces d’un
cristal de quartz, le dit cristal subit une déformation qui se traduit par un
allongement ou un raccourcissement (selon le sens de la d.d.p appliquée) dans
la direction de l’axe électrique. C’est le phénomène nommé Piézoélectricité,
qui est à la base des résonateurs à quartz.

La stabilité en fréquence est une condition essentielle à laquelle

doivent satisfaire tous les oscillateurs, or les circuits à transistors sont très
sensibles à la température et à toute variation de la tension collecteur-
émetteur qui fera varier les capacités internes du transistor et la résistance
équivalente collecteur-émetteur.

Comme ces éléments R.L.C sont généralement en parallèle sur le

circuit oscillant, la fréquence d’oscillation sera donc modifiée, un remède
consiste à piloter l’oscillateur par un cristal taillé de manière à avoir un
coefficient de température très faibles, on se rappellera que le schéma
équivalent au cristal est un circuit résonnant a facteur de qualité très élevé.

Fig. V.6 : Circuit équivalent d’un quartz

Un dipôle RM LM CM série, mis en parallèle avec le condensateur Cp

qui est un condensateur de parasite due au boitier et au « n » fils de câblage.
On peut avoir 2 types de montages.

a) Le quartz constitue le dipôle sélectif autour duquel est bâti l’oscillateur et sa

fréquence d’oscillation sera alors :

1 Cp X CM
f O= avec L=L M ,C= C + C
2 π √ LC p M

L’on dit qu’il oscille en résonnance (parallèle).

 b) Le quartz est monté en boucle de rétro action sélective

Bobine d’arrêt HF

Circuit de Rétro Action Sélectif

Fig. V.7 : Résonnance parallèle

Circuit sélectif
 Fig. V.8 : Résonnance série

La bobine d’arrêt HF est un self présentant une impédance très

élevée pour la fréquence d’oscillation nulle en continue.

Ce montage permet de polariser le transistor tout en ayant une sortie

au quartz à la masse. Le condensateur est alors une capacité, le quartz se
comporte alors comme un circuit RM LM CM en série dont on sait qu’il
présente une impédance minimal RN à la fréquence ;

Tableau : AVANTAGES ET INCOVENIENTS DES DIFFERENTS COUPES DE

QUARTS

GAMME DE
COUPE AVANTAGES INCONVENIENTS
FREQUENCES

Excellence stabilité
AT 5OOkHz-160MHz Peu économique en-dessous de 1MHz
en fonction de la t°

Peu économique en-dessous de 400 kHz à

Bonne tenue en t°.
cause des dimensions mécaniques. Taille
CT 300-700 kHz faible coefficient de
difficile au-dessous de 700 kHz à cause
température
des dimensions mécaniques.

Possibilité de tailler
des cristaux pour
des fréquences Peu pratique à réaliser au-dessus de 550
DT 80-550 KHz
basses. Faible kHz on lui préféra la taille LTD.
rapport des
capacités C M et C P

Faible coefficient de Rapport épaisseur/longueur du cristal

température. limité lorsqu’on désire éviter les
E 50-250 KHz
Cristaux réalisables changements erratique du mode
à fréquence faible. d’oscillation.

J 1 à 15 KHz Faible coefficient de Peu pratique au-dessus de 14 KHz.

 température

Faibles rapport de
La taille préférable en dessous de 550
LTD 100 KHz-1 Mhz capacité. Bonnes
KHz.
caractéristiques t°

Faible coefficient de Dimensions physiques importantes.

M 50-300 KHz température dans la Changement erratiques du mode de
gamme 50-100 KHz vibration à f  100 KHz

Bande latérales. Haute impédance.

Large gamme de
N 4-115 KHz Nécessité d’une étude minutieuse des
fréquences
schémas d’oscillateurs.