CHAPITRE VI : AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS BIPOLAIRES

EN PETITS SIGNAUX ET EN BASSE FREQUENCE

A- AMPLIFICATION : ÉTUDE GÉNÉRALE ..............................................

I- GÉNÉRALITÉS ET CONVENTIONS .......................................................................

II- GRANDEURS CARACTERISTIQUES D’UN AMPLIFICATEUR ........................

III- CLASSIFICATION DES AMPLIFICATEURS ......................................................

B- LES TROIS MONTAGES FONDAMENTAUX .......................................

B.1) MONTAGE AMPLIFICATEUR EMETTEUR COMMUN .................................

B.2) MONTAGE AMPLIFICATEUR BASE COMMUNE (B.C)..................................

B.3) MONTAGE AMPLIFICATEUR COLLECTEUR COMMUN .............................

C- ETUDE COMPLETE DU MONTAGE AMPLIFICATEUR EC

C.1- Règles permettant d’établir le schéma équivalent d’un montage

amplificateur en régime dynamique BF .............................................

C.2- Schéma équivalent du montage en régime dynamique

C.3- Expression de l’amplification (gain) en tension

C.4- Expression de l’amplification (gain) en courant

C.5- Expression de l’amplification (gain) en puissance

C.6- Expression de l’impédance d’entrée

C.7- Expression de l’impédance de sortie
D- COMPARAISON DES GRANDEURS DES TROIS MONTAGES

D.1- Tableau comparatif des grandeurs

D.2- Remarques :
D.3- Schémas équivalents du transistor en Base commune et Collecteur
commun à partir des paramètres hybrides émetteur commun :
-

1
 A- AMPLIFICATION : ÉTUDE GÉNÉRALE
I- GÉNÉRALITÉS ET CONVENTIONS
Schéma de principe

Signal à
Amplificateur
amplifier Charge Ru

Signal amplifié
Courant ou tension (continu ou alternatif) recueilli aux bornes
d’une charge
 Convention de signe des électroniciens (courants entrants) :
i1 i2

V1 Amplificateur V2

2 bornes 2 bornes
d’entrée de sortie

Le dispositif actif (Amplificateur) est dans une boîte ne laissant apparaître que 2 bornes
d’entrée et 2 bornes de sortie : l’amplificateur est un quadripôle (4 bornes).

II- GRANDEURS CARACTERISTIQUES D’UN AMPLIFICATEUR

1) Définition : un amplificateur est un dispositif actif assimilable à un quadripôle
 Le signal d’entrée est appliqué entre les bordures d’entrée
 Le signal amplifié est recueilli entre les deux bornes de sortie.

2) Amplification
Les caractéristiques d’un amplificateur sont :
- Son amplification
i2
 amplification en courant : Ai 
i1
v
 amplification en tension : A v  2
v1
P2
 amplification en puissance : A p   Av Ai
P1
v1
- Son impédance d’entrée : Ze 
i1
v2 
Zs  
i2  source éte int e, sortie à vide
- Son impédance de sortie :

Pour le signal d’attaque annulé et la charge retirée. Zs est l’impédance interne du

générateur équivalent de Thévenin vu par la charge.
2
 - La bande passante : c’est la bande de fréquence dans laquelle l’amplificateur
fonctionne.

3) Schéma équivalent synoptique d’un amplificateur

Lorsque toutes les grandeurs caractéristiques d’un amplificateur sont déterminées, sa
représentation simplifiée, sous forme de quadripôle, se présente comme suit :

Rg i1 Zs i2

v1 Ze Ru
eg   Av0.v1 v2

v2 
Avec, Av 0   lorsque Ru est enlevée , c’est-à-dire l’amplification en tension à vide.
v1 
III- CLASSIFICATION DES AMPLIFICATEURS
Il y a quatre façons de les classer :
- selon leur destination : amplification de courant, de tension, de puissance.
- selon leur bande passante : amplification large bande (plusieurs centaines de kilohertz)
ou apériodique ou vidéofréquence, ampli sélectif ou accordé (bande passante très étroite de
quelques Hz à quelques KHz).
- selon leur domaine d’utilisation
 amplificateur à courant continu (0 Hz à 1 Hz)
 amplificateur basse fréquence (BF) (20 Hz à 20 kHz)
 amplificateur haute fréquence (HF) > 100 kHz

Désignation BANDE DE FREQUENCES

Française Anglo-saxon Fréquence inférieure Fréquence supérieure

T.B.F. V.L.F. 3 KHz 30 KHz

Très Basse Fréquence Very Low Frequency
B.F. L.F. 30 KHz 300 KHz
Basse Fréquence Low Frequency
M..F. M..F. 300 KHz 3MHz
Moyenne Fréquence Midium Frequency
H.F. H.F. 3MHz 30MHz
Haute Fréquence Hight Frequency
T.H.F. V.H.F. 30 MHz 300 MHz
Très Haute Fréquence Very Hight Frequency
U.H.F. U.H.F. 300 MHz 3 000 MHz
Ultra Haute Fréquence Ultra Hight Frequency
Hyperfréquences 3 000 MHz

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 - selon le mode de liaison entre étages
 amplificateur à liaison R-C
 amplificateur à circuits accordés

B- LES TROIS MONTAGES FONDAMENTAUX

Dans cette étude, on suppose le point de repos fixé par le système de polarisation par pont de
base et résistance d’émetteur. On s’intéresse donc aux faibles variations des tensions et
courants autour de ce point de repos.
Le fonctionnement d’un amplificateur diffère suivant l’électrode d’entrée du signal et
l’électrode de sortie de la réponse : on distingue ainsi trois montages dits fondamentaux.

B.1) MONTAGE AMPLIFICATEUR EMETTEUR COMMUN

MONTAGE COMPLET :

RC C2
R1
Rg C1

VCC

Ru
v2
CE
v1 R2
eg  RE

- eg est un générateur basse fréquence (BF) de résistance interne Rg.

- Ru est la charge externe.
- Les condensateurs C1 et C2 ont pour rôle d’empêcher le courant continu de traverser le
générateur BF et la charge externe, respectivement. Par ailleurs, aux fréquences envisagées,
ils se comportent comme des courts-circuits pour le courant alternatif : on les appelle
condensateurs de liaison.
- Pour avoir l’émetteur à la ‘’masse’’ en régime alternatif (dynamique), on découple la
résistance RE en lui superposant en parallèle un condensateur CE.

 Pour ce montage, le signal d’entrée est appliqué à la Base, et la réponse est recueillie au Collecteur.

B.2) MONTAGE AMPLIFICATEUR BASE COMMUNE (B.C)

- Les condensateurs C1 et C2 jouent les mêmes rôles que dans le cas du montage EC.
- Le condensateur de découplage CB ramène la base à la masse en régime dynamique.
-  Pour ce montage, le signal d’entrée est appliqué à l’émetteur, et la réponse est recueillie au
Collecteur.
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MONTAGE COMPLET :

+VCC
RC C2
R1

C1 Rg

CB v2 Ru
R2
RE v1 eg 

B.3) MONTAGE AMPLIFICATEUR COLLECTEUR COMMUN

MONTAGE COMPLET :
+VCC
RC CC
R1
Rg C1

C2

v1 R2
Ru
eg  RE v2

- Les condensateurs C1 et C2 jouent les mêmes rôles que dans le cas du montage EC.
- Le Collecteur peut être relié directement à la ligne d’alimentation (+Vcc), ou à partir
du découplage de RC par le condensateur CC.

 Pour ce montage, le signal d’entrée est appliqué à la base, et la réponse est recueillie à
l’émetteur.

C- ETUDE COMPLETE DU MONTAGE AMPLIFICATEUR EC

C.1- Règles permettant d’établir le schéma équivalent d’un

montage amplificateur en régime dynamique BF

- Le transistor (symbole) devra être remplacé par son schéma équivalent obtenu à
partir des paramètres hybrides émetteur commun hij :
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 ic
ib C
B
h11
h22
vbe h21ib vce

E E

- La ligne d’alimentation (+VCC = constante) est au même potentiel alternatif que

la masse, puisque sa variation dVCC = 0. Ainsi, tous les éléments connectés à
cette ligne seront reliés à la masse dans le schéma équivalent.

- Les condensateurs de liaison et de découplage seront considérés comme des

courts-circuits aux fréquences d’étude ; ils n’apparaissent donc pas dans le
schéma équivalent.

C.2- Schéma équivalent du montage en régime dynamique

On obtient le schéma équivalent du montage amplificateur émetteur commun BF

suivant :
Rg ib ic i2
B C

i1
vbe = v1 h11 h22 RC Ru
eg R1 R2 h21ib vce
 v2

E E
RP RL

On pose : Rp = R1//R2, et RL = Rc//Ru.

C.3- Expression de l’amplification (gain) en tension

v2
Par définition, Av 
v1
h 21R L
On a : v1 = vbe = h11ib ; v2 = - (RL // 1/h22). h21ib =  ib
(1  h 22 R L )

v2 h 21R L RL h
D’où, A v    s , avec s  21  pente du transistor .
v1 h 11 (1  h 22 R L ) (1  h 22 R L ) h11

Le signe (–) indique que les tensions d’entrée v1 et de sortie v2 sont en opposition de phase.

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 C.4- Expression de l’amplification (gain) en courant

i2
Par définition, Ai 
i1
v2 v1 v1  1 1 
On a : v2 = -Ru.i2 , ou i2   ; i1    v1   
R p h11 R 
Ru  p h11 
D’où, 1
i2 v Ru R p h11 h21 RL R p
Ai   2   Av . 
i1 v1 1 1 Ru (h 11  R p ) Ru (1  h22 RL )(h11  R p )
(  )
R p h11

C.5- Expression de l’amplification (gain) en puissance

P2 R p h11
Par définition, Ap   Av Ai  Av .
2

P1 Ru (h 11  R p )

C.6- Expression de l’impédance d’entrée

v1
Par définition, Z e 
i1
v1 v  1 1 
Avec l’expression précédente du courant i1 : i1   1  v1   ,
R p h11 R h 
 p 11 

 
on tire  
v1  1  R p .h11
Ze    R h
i1 1 1
   p 11

 Rp h11 

C.7- Expression de l’impédance de sortie

v2 
Par définition, Z s  
i2  eg 0, Ru 

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 Le schéma équivalent devient :
Rg ic i2
ib
B C

vbe = v1 h11 h21ib

h22 RC v2
R1 R2 vce

E E
RP

eg = 0 ==> v1 = h11ib = 0 ==> ib = 0 ==> h21ib = 0 : le générateur de courant est éteint.

ic i2
Le circuit de sortie devient : C

h22 RC v2

 1 
 .Rc 
v2  h22  Rc
D’où : Zs  
i2  1  1  h22 Rc
 Rc  
 h22 

D- COMPARAISON DES GRANDEURS DES TROIS MONTAGES

D.1- Tableau comparatif des grandeurs

GRANDEURS
MONTAGES Av Ai Ap Ze Zs

<0 Elevée Très élevée Moyenne Moyenne

E.C Élevée ≈ 100 = |Av.Ai| ≈ 1K ≈ 1K
≈ 100 ≈ 104
>0 Moyenne Faible Elevée
B.C Élevée ≤1 ≈ |Av| ≈ x10  ≈ x10 K
≈ 100 ≈ 100
>0 Moyenne Elevée Faible
C.C ≈1 Élevée ≈ |Ai| ≈ x10 K ≈ x10 
≈ 100 ≈ 100

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 D.2- Remarques :

- Le montage EC offre les plus grands gains et des résistances d’entrée et de sortie de
valeurs moyennes. C’est l’amplificateur en puissance par excellence.
- Le montage BC permet d’adapter un étage de résistance de sortie faible à un étage de
résistance d’entrée élevée (Ze << Zs) : il sert d’adaptateur élévateur d’impédance.
Par ailleurs, ce montage n’amplifie pas en courant (Ai ≤ 1) ; il peut donc servir dans le cadre
d’un générateur de courant.

- Le montage CC est intéressant pour adapter un étage dont la résistance de sortie est
grande à un étage dont la résistance d’entrée est faible (Ze >> Zs) : il sert d’adaptateur
abaisseur d’impédance.
Par ailleurs, ce montage n’amplifie pas en tension (Av ≈ 1) ; il peut donc servir dans le cadre
d’un générateur de tension.

 Utilité d’une impédance d’entrée grande

Soit le schéma équivalent suivant :

Rg i1 Zs i2

Ze Ru
eg  v1  v2
Av0.v1

Ze eg
v 
La tension effectivement appliquée à l’amplificateur s’écrit : 1 Z  R g
.e 
Rg
e g
1
Ze
- Si Ze >> Rg (ce qui est souhaitable), alors v1 ≈ eg : il n’y aura pas d’atténuation du
signal eg.
Ze
- Par contre, si Ze << Rg, on aura v1  .e g ,d’où une forte atténuation du signal eg.
Rg

 Utilité d’une impédance de sortie faible

Soit le schéma équivalent précédent

Ru A .v
La tension de sortie s’écrit : v2  . Av 0 .v1  v 0 1
Z s  Ru Z
1 s
Ru
- Si Zs << Ru (ce qui est souhaitable), alors v2 ≈ Av0.v1 : il n’y aura pas d’atténuation du
signal de sortie v2.
Ru
- Par contre, si Zs >> Ru, on aura v2  . Av 0 .v1  Av 0 .v1 , d’où une forte atténuation
Zs
du signal de sortie v2.

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  Pour un amplificateur dont la grandeur d’entrée est une tension v1 et la grandeur de sortie
une tension v2, alors il est souhaitable d’avoir Ze très élevée et Zs très faible, comme un
générateur de tension.
 Pour un amplificateur dont la grandeur d’entrée est un courant i1 et la grandeur de sortie un
courant i2, alors il est souhaitable d’avoir Ze très faible et Zs très élevée, comme un
générateur de courant.

D.3- Schémas équivalents du transistor en Base commune et

Collecteur commun à partir des paramètres hybrides
émetteur commun :

Les paramètres hybrides émetteur commun sont ceux fournis habituellement par le
fabricant. Il convient donc de les utiliser pour représenter le schéma équivalent du transistor
quel que soit le type de montage.

- Schéma équivalent du transistor en Emetteur commun :

ic
ib C
B
h11
h22
vbe h21ib vce

E E

- Schéma équivalent du transistor en Base commune :

h22

ie ic
C
E
h21ib
veb h11 vcb
ib
B B

- Schéma équivalent du transistor en Collecteur commun :

ib ie
B E
h11
h22
vbe h21ib vce

C C

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