Cours Physique

des
Semiconducteurs
LPH3

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Chapitre III : Transport électronique dans un semiconducteur hors équilibre
I – La conduction électronique
I–1. Mobilité et conductivité électriques
I–2. Les courants électriques dans un semiconducteur
II – Le champ interne d’un semiconducteur – Relation d’Einstein
III – La génération et la recombinaison des porteurs
III–1. La génération
III–2. La recombinaison
IV – L’équation de continuité
IV–1. Equation générale
IV–2. Exemple : Excitation d’un semiconducteur par un éclairement -
Longueur de diffusion. 2
I – La conduction électronique
I -1-Mobilité et conductivité électriques

Les électrons ou trous a temperature T s’agitent autour de leurs positions d’équilibre avec
une vitesse moyenne nulle.
Transport des porteurs de charges dans un semiconducteur
soumis à une excitation électrique.
Au bout d’un certain temps (emps de relaxation τn (ou
τp) pour les électrons (ou les trous), caractéristique d’un
régime permanent

μn et μp s’expriment en m2/V.s . 3
 I -2- Les courants électriques dans un semiconducteur
I -2-1. Le courant de conduction
Sous E le déplacement global des porteurs provoque un courant électrique de
conduction qui s’exprime par :

Semiconducteur
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intrinsèque
 I -2-2. Le courant de diffusion

Gradient de concentration (grad⃗(n) ou grad⃗(p))

Phénomène de diffusion qui tend à uniformiser la distribution des porteurs:

déplacement des porteurs des régions concentrées vers les régions moins concentrées

Signe (−) : sens de la diffusion des porteurs (régions de forte concentration vers les régions de faible concentration).
Coefficients de proportionnalité Dn et Dp = constantes de diffusion respectivement des électrons et des trous.5
 courants de diffusion respectivement
des électrons
et des trous

Courant de déplacement
En fonctionnement normal des composants SC(ω = 2π50 Hz), ce courant est généralement négligé. 6
Courant total dû aux électrons et aux trous

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 II- Le champ électrique interne d’un semiconducteur - La relation d’Einstein
Dans un semiconducteur inhomogène, on a n = n(r⃗) et p = p(r⃗) telle que :

avec

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A l’équilibre, les courants de conduction et de diffusion se neutralisent (J⃗n = J⃗p= 0⃗)

Relation d’Einstein

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 III – Génération et recombinaison des porteurs
III -1. Génération
Génération = processus de création des porteurs dans un semiconducteur soumis à une
excitation extérieure (électrique, lumineuse, …).
G= taux de génération = nombre de porteurs (électrons ou trous) créés dans le SC par unité
de volume et de temps (Gn (électrons), Gp (trous)).

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II -2- Recombinaison
Recombinaison = disparition des porteurs par le phénomène de piégeage (défauts
intrinsèques (lacunes d’atomes, dislocations, joints de grains, failles, …et
extrinsèques: impuretés, phases secondaires, …).
R : taux de recombinaison = nombre de porteurs recombinés dans le SC par unité
de volume et de temps.

densités à l’équilibre

En régime de faible
injection

τn et τp = durées de vie respectivement des électrons et des trous 11

 IV – Equation de continuité
IV -1- Equation générale
La variation dans le temps de n et p dans un SC est le résultat de trois contributions :

(i) la génération (Gn ou Gp),

(ii)la recombinaison (Rn ou Rp),
(iii)l’écoulement des porteurs en courant :
Equation de continuité

En régime de faible injection

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IV -2- Exemple : Excitation d’un semiconducteur par un éclairement. Longueur de
diffusion
Le but est de déterminer la répartition de la densité électrique n(r⃗) dans un
semiconducteur de type p
Génération est superficielle, on a en tout
point intérieur du SC
Gn = 0 et
pour x ≃ ℓ la densité électronique n = ne

(ii) régime de faible injection

(iii) régime permanent de l’excitation : évolution temporelle uniforme
de n → ∂n∂t=0, Equation de continuité

(iv) cas unidimensionnel suivant x,

(v) le semiconducteur est non soumis à un champ électrique E

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L’equation de la tangente à l’origine est l’équation d’une droite ayant l’abscisse x = Ln à 15
l’ordonnée n = ne
 Détermination graphique de Ln :
Pour x << ℓ, on a : n – ne≃ (no− ne)(1−x /Ln)
⟹ n ≃no− (no− ne) x/Ln ,

On définit également la longueur de diffusion des trous Lp = √Dpτp avec Dp et p

sont respectivement la constante de diffusion et la durée de vie des trous

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