CHAPITRE 3 : LES SEMICONDUCTEURS

Les semiconducteurs sont des matériaux solides utilisés pour la

fabrication des composants électroniques. Le matériau semiconducteur le
plus utilisé est le silicium (Si), mais nous avons d’autres matériaux
semiconducteurs. Dans le tableau suivant nous avons des composés
semiconducteurs en fonction des éléments qui les constituent et leurs
positions dans le tableau de classification périodique
Colonne semiconducteurs
IV Si ; Ge
III-V binaire GaAs ; GaP ; GaSb ; InAs ; InP ; InSb

tertiaire Alx Ga1-x As ; GaAsy P1-y

quaternaire Alx Ga1-x Asy P1-y

II-VI Binaire CdS ; HgTe ; CdTe ; ZnTe ; ZnS

tertiaire Cdx Hg1-x Te 1

Ils sont caractérisés par leur résistivité qui peut varier de 10−4 Ω.m à 102
Ω.m en fonction de la température (ρ diminue lorsque T augmente): ils se
situent donc entre les conducteurs et les isolants.

Les semiconducteurs ont été découverts au XIXème siècle mais leurs

applications pratiques ont commencé en 1947 avec la découverte du
transistor qui a remplacé les tubes à vide, encombrants, peu fiables et
grands consommateurs d’énergie.

Composants à semiconducteurs: diodes à jonction, transistors bipolaires,

transistors à effet de champ (JFET et MOSFET), composants de puissance
(thyristors, triacs, IGBT...), circuits intégrés.

2
I. GENERALITES
1.Caractéristiques de la structure de bandes d'énergie
a. Semiconducteurs univallée et multivallée
Les différents types de structure de bande sont représentés sur la figure 1,
suivant les directions de plus haute symétrie c'est-à-dire suivant les directions
de vecteur d’onde [001] et [111].
Les bandes supérieures sont les bandes de conduction, les bandes inférieures
sont les bandes de valence.
A la température zéro degré absolu, la bande de valence est pleine d'électrons,
la bande de conduction est vide.
A la température ambiante, à laquelle fonctionnent la plupart des composants
électroniques, certains électrons sont thermiquement excités depuis la bande
de valence et occupent la bande de conduction.
3
4
Pour le Si, le minimum de la bande de conduction est situé dans la direction (001)
appelée direction Δ et compte tenu de la structure cubique du silicium, il existe 6
directions équivalentes qui sont (100), (00), (010), (00),(001) et (00) . La bande de
conduction présente donc six minima équivalents, on dit que le silicium est un
semiconducteur multivallée à 6 vallées Δ.

Le germanium quant à lui a un minimum de la bande de conduction qui est situé

dans la direction (111) appelée direction Λ, à l'extrémité de la zone de Brillouin au
point appelé point L. Il existe 8 directions Λ équivalentes
qui peuvent se ramenées à 4 direction L équivalents dans la zone de brillouin:
(111), (), (1), et (11), donc c’est un semiconducteur multivallée à 4 vallées L

Pour le GaAs : Le minimum de la bande de conduction est situé en k = 0 au point Γ.

Il est par conséquent unique. On dit que le GaAs est un semiconducteur univallée.
5
b. Semiconducteur à Gap direct – à Gap indirect
Parmi les états des bandes, ceux qui jouent le rôle essentiel sont
respectivement ceux du sommet de la bande de valence et du minimum de la
bande de conduction.

Le gap est par définition la largeur de la bande interdite, c'est-à-dire la

différence d'énergie entre le minimum absolu de la bande de conduction et le
maximum absolu de la bande de valence.
Considérons le gap des différents semiconducteurs sur la figure (1). Les
structures de bandes représentées font apparaître deux types fondamentaux
de semiconducteur.

6
Les semiconducteurs dans lesquels le minimum de la bande de conduction et
le maximum de la bande de valence sont situés en des points différents de
l'espace des k, et les semiconducteurs pour lesquels ces extrema sont situés
au même point de l'espace des k. Les seconds sont dits à gap direct, le
prototype en est le GaAs, les premiers sont dits à gap indirect. (exemple cas
du Si où Bc et Bv situées a k=0,85 et k=0 )

7
8
Si on se limite aux principaux semiconducteurs que sont les éléments du
groupe IV et les composés binaires III-V et II-VI, les matériaux à gap indirect
sont Si, Ge, AlP, AlAs, AlSb et GaP, tous les autres ont un gap direct.
La nature du gap joue un rôle fondamental dans l'interaction du
semiconducteur avec un rayonnement électromagnétique et par suite dans le
fonctionnement des composants optoélectroniques.

2. Densité d'états dans les bandes permises

2.a. Bande de conduction
Considérons un SC, la bande de conduction présente un minimum unique et
isotrope dans un matériau cubique.

9
 Dans l'approximation parabolique, l'énergie des électrons, lié au vecteur
d'onde k, est donné par:

La densité d’états étant constant dans l’espace des k, le nombre d’états

contenus dans la sphère de rayon k est donné par : 𝑁 =𝑔 ( 𝑘) 𝑉 𝑘= 2 𝑉 3 4 𝜋 𝑘3
(2 𝜋 ) 3
En explicitant k en fonction de l’énergie on a :

( )
3/ 2❑
2𝑉 4 2 𝑚𝑐
2 (
𝑁= 3
𝜋 𝐸 − 𝐸𝑐 )
(2 𝜋 ) 3 h

La densité d’états d’énergie par unite de volume est donnée par la derivée dN/dE;
soit:
( )
𝟑 /𝟐 𝟏/ 𝟐
𝟏 𝟐𝐦 𝐜
𝐍𝐜 ( 𝐄 )= 𝟐 𝟐
. ( 𝐄 − 𝐄𝐜 )
𝟐 (𝛑) 𝐡
10
Dans mc appellé masse effective de densité d’état de la bande de conduction
joue le même rôle dans les SC multivallée que univallée.
Si Ge GaP
mc/mo 1,06 0,55 0,78

b. Bande de valence
La densité d'états par unité de volume dans la bande de valence est la
somme des densités d'états des trous.
La densité d'état s’écrit:
( )
𝟑 /𝟐 𝟏/ 𝟐
𝟏 𝟐 𝐦𝐯
𝐍 𝐯 ( 𝐄 )= 𝟐
.( 𝐄𝐯 − 𝐄 )
𝟐 (𝛑) 𝐡𝟐

Avec mv est la masse effective de densité

d’états de la bande de valence
11
 Si Ge GaP
On a:
mv/mo 0,59 0,36 0,83

En résumé, quel que soit le type de semiconducteur, on peut écrire la densité

d'états d’énergie au voisinage de l'extrémum d'une bande sous la forme
générale
N

L'énergie étant comptée positivement vers le haut pour les électrons et vers
le bas pour les trous. E0 est l'énergie du bord de bande et m∗ la masse
effective de densité d'états correspondante.
12
3. Densité des porteurs de charges
La probabilité d'occupation d'un niveau d'énergie E par un électron, à la
température T est fn (E) est appelée fonction de Fermi:
1
𝑓 𝑛 ( 𝐸)= (𝐸 − 𝐸 )/ 𝑘𝑇
1+ 𝑒 𝐹

Elle est représentée sur la figure ci dessous.

On vérifie immédiatement que fn (EF )=1/2 quel que soit T .

Fonction de Fermi
- Ainsi au zéro absolu tous les états d'énergie situés en-dessous du niveau de
Fermi sont occupés et tous les états d'énergie situés au-dessus sont vides.
Le niveau de Fermi délimite donc, dans le système, les états occupés et les états
vides.
- Enfin, dès que E−EF devient de l'ordre de quelques kT, on peut négliger 1 devant
l'exponentielle au dénominateur et la fonction de Fermi se ramène à une
distribution de Bolztmann : 𝑓 ( 𝐸) ≈ 𝑒
−(𝐸 − 𝐸 )/ 𝐾𝑇
𝐹
𝑛

- La fonction de distribution f(E) représente la probabilité pour qu'un électron

occupe un état d'énergie E. Il en résulte que la probabilité pour que cet état ne
soit pas occupé par un électron est 1− fn (E).
Cette fonction représente par conséquent la fonction de distribution des trous
dans le semiconducteur. On écrit: 1
𝑓 𝑝 ( 𝐸 )=1 − 𝑓 𝑛 ( 𝐸 )= −(𝐸 − 𝐸 )/ 𝐾𝑇
1+𝑒 𝐹
A l’équilibre thermodynamique, le nombre d'électrons ou de trous d'énergie E
dans le semiconducteur est donné par le produit de la densité d'états par la
fonction de distribution. Ainsi les densités totales d'électrons dans la bande de
conduction et de trous dans la bande de valence sont données par:
n n
ou
p p

Nc(E) et Nv(E) sont Les densités d'états ;

fn(E) et fp(E) sont les fonctions de distribution de Dirac
 En intoduisant Ec et Ev dans l’expression de fn(E) et fp (E), on a:
n

Ce qui permet d'écrire les densités de porteurs libres sous la forme:

∞
− ( 𝐸 𝑐 − 𝐸 𝐹𝑛 )/ 𝑘𝑇
n= 𝑁 𝑐 𝑒 𝑁 𝑐 =∫ 𝑁 𝑐 ( 𝐸 ) .𝑒
− ( 𝐸− 𝐸 𝑐 ) /𝑘𝑇
. 𝑑𝐸
Avec: 𝐸𝑐
( 𝐸𝑣 − 𝐸𝐹 𝑝 ) / 𝑘𝑇
𝑝= 𝑁 𝑣 𝑒 𝐸𝑣

𝑁 𝑣 = ∫ 𝑁 𝑣 ( 𝐸 ) .𝑒
( 𝐸 −𝐸 𝑣 ) /𝑘𝑇
. 𝑑𝐸
−∞
Les quantités Nc et Nv , sont caractéristiques des densités d'états dans les
bandes de conduction et de valence respectivement: densité d’état effective
au bord de la bande de conduction et de valence respectivement)
En explicitant les constantes, ces expressions se mettent sous une forme simple :

( ) ( )
3 /2 3 /2
2 𝜋 𝑚 𝑐 𝑘𝑇 2 𝜋 𝑚 𝑣 𝑘𝑇
𝑁 𝑐 =2 2 𝑁 𝑣 =2 2
h h

Le semiconducteur à l'équilibre thermodynamique ces densités en fonction de

la température sont données par :

( ) ( )
3/2

( ) ( )
𝑚𝑐
3 /2
𝑇
3 /2 19 𝑚𝑣 𝑇 3/2
−3
𝑁 𝑐 =2 , 5.10
19
.
−3
𝑐𝑚 𝑁 𝑣 =2 , 5.10 . 𝑐𝑚
𝑚0 300 𝑚0 300

A température
ambiante on a:
 II. PROPRIÉTÉS
1. SEMICONDUCTEURS PURS (INTRINSEQUE)
Les semiconducteurs purs sont des solides cristallisés: les atomes sont
régulièrement disposés dans l’espace, ils forment un cristal. Dans le cas du
silicium, chaque atome possède quatre électrons périphériques qu’il met en
commun avec les quatre atomes voisins → liaisons entre atomes assurant la
rigidité du cristal.

18
Sous l’effet de la température ambiante, certains
électrons peuvent acquérir une énergie suffisante pour
quitter une liaison entre deux atomes → il y a alors
création d’une paire électron/trou.
L’atome de silicium correspondant devient alors un ion
positif.

a. Nature de la conduction dans un semiconducteur pur

Le courant électrique dans un semiconducteur pur est
constitué:
- d’électrons libres qui se déplacent entre les atomes de
silicium;
- d’électrons liés qui peuvent se déplacer de trou en trou:
équivalent au déplacement d’un trou. Le courant du au trou
est donc lié à une charge +e sautant d’atome en atome. 19
Dans un semiconducteur pur, chaque électron libéré crée un trou ⇒
concentration de trous = concentration d’électrons libres (≈ 109 e−/cm3 pour
le silicium à 25◦ C).
Plus la température augmente, plus il y a création de paires électron/trou ⇒
augmentation de la conductivité d’un semiconducteur avec la température.

20
b. Densité de porteurs d’un semiconducteur intrinsèque
Un semiconducteur intrinsèque est un semiconducteur dépourvu de toute
impureté susceptible de modifier la densité de porteurs. Les électrons de la
bande de conduction ne peuvent résulter que de l'excitation thermique
d'électrons liés de la bande de valence.
Il en résulte que les électrons et les trous existent nécessairement par paires et
n = p = ni
ni est appelé densité de porteurs intrinsèques, c'est une caractéristique du
semiconducteur à une température donnée.

loi d’action de masse:

Un semiconducteur intrinsèque est de sorte que le produit
n.p = ni 2 donc =

21
Cette densité de porteurs intrinsèques est une fonction exponentielle du gap
du matériau et de la température.
Si Ge GaAs
A la température ambiante on obtient:
ni ( 1010 2.1013 3.106
c. Niveau de Fermi
La position du niveau de Fermi est obtenue en écrivant que n=p .
On aura: ou

Si l’origine est choisie au niveau de

la bande de valance alors on aura:

22
Le rapport des masses effectives de densité d'états est de l'ordre de 1 dans
les semiconducteurs à gap indirect et de l'ordre de 10 dans les
semiconducteurs à gap direct.
Il en résulte que le niveau de Fermi d'un semiconducteur intrinsèque est
toujours très voisin du milieu du gap à la température ambiante.

𝑬𝒄 + 𝑬𝒗
𝑬 𝑭𝒊 ≈
𝟐

23
2. SEMICONDUCTEURS DOPÉS
On modifie considérablement les propriétés électriques d'un semiconducteur
en le dopant de manière contrôlée avec des atomes spécifiques.
Dans un cristal de semiconducteur pur, l’orsqu’on ajoute des impuretés
(atomes étrangers), on fait un dopage.

Dans le cas du Si par exemple lorsque l’atome ajouté posséde 5 électrons

périphériques, par exemple le phosphore, arsenic, antimoine; parmi ces 5
électrons périphériques, 4 forment des liaisons avec des atomes de silicium, le
cinquième devient un électron libre. Les atomes d’impuretés sont appelés
donneurs (d’électrons). Ils deviennent des ions positifs fixes par rapport au
cristal.

24
Le nombre d’électrons libres augmente dans le
cristal ⇒ concentration d’électrons libres >
concentration de trous. Les électrons sont
majoritaires et les trous sont minoritaires, le
semiconducteur est de type N.
De même, si on ajoute à un cristal de semiconducteur
pur des atomes d’impuretés possédant 3 électrons
périphériques, il manque un électron pour assurer une
liaison ⇒ création d’un trou qui peut accepter un
electron,
les impuretés sont des accepteurs (d’électrons), ex : bore, gallium, aluminium,
indium. Ils deviennent des ions négatifs fixes par rapport au cristal. Le
nombre de trous augmente: concentration de trous > concentration
d’électrons libres. Les trous sont majoritaires et les électrons minoritaires. Le
semiconducteur est de type P. 25
Suivant la quatité d’atome introduite, il existe trois types categories de dopage :
- dopage faible: 1014 atomes/cm3; → N− ou P−
- dopage normal: 1016 atomes/cm3; → N ou P
- dopage fort: 1020 atomes/cm3. →N+ ou P+

a) Méthodes de dopage
On peut retenir 3 méthodes de dopages :
• LA DIFFUSION
On utilise un four, dans lequel on injecte des gaz avec une solution dopante
pour le silicium. Avec la chaleur, le dopant a une énergie suffisante pour
entrer dans la plaquette de silicium. Cette méthode est assez ancienne, et
nécessite d'avoir une température uniforme dans le four.

26
• LA CROISSANCE EPITAXIALE
Cette méthode utilise toujours un four, mais cette fois-ci les atomes du dopant
sont déposés sur le silicium qui se présente sous la forme d'une plaquette. On a
ainsi un dépôt en surface, et non pas une insertion comme pour la méthode de
dopage par diffusion. La température du four doit avoisiner les 1 200 °C.
• LE BOMBARDEMENT IONIQUE
Une source (appelé faisceau ionique énergétique) produit des ions, qui sont
ensuite accélérés, et par le biais d'un contrôle très précis, ceux-ci vont alors se
positionner sur la plaquette. L'avantage de ce principe est que l'opération se
déroule à température ambiante.
Le défaut de cette technique est qu'elle peut provoquer des dommages au
silicium induisant un réarrangement indésirable de sa structure cristalline,
exigeant ainsi une recristallisation subséquente.

Remarque
La filière photovoltaïque utilise majoritairement le dopage par diffusion. 27
b. Densité de porteurs et niveau de Fermi
Considérons un semiconducteur contenant une densité Nd de donneurs et une
densité Na d'accepteurs.
Soit Nd+ le nombre de donneurs ionisés, c'est-à-dire ayant libéré leur électron
supplémentaire.
Soit Na− le nombre d'accepteurs ionisés, c'est-à-dire ayant accepté un électron
supplémentaire. Le matériau étant neutre, l'ensemble des charges positives est
égal à l'ensemble des charges négatives.
L'équation de neutralité électrique du matériau s'écrit:
n + Na- = p + Nd+
Tenant compte du fait que tous les donneurs et accepteurs sont ionisés, on a:
n + Na = p + Nd

28
 Pour un Semiconducteur de type n, dopé avec une densité de donneurs
supérieure à la densité d'accepteurs, l’équation de neutralité associée à la
loi d’action de masse, permet d'écrire :
1
[ 2 1 /2
𝑛= 𝑁 𝑑 − 𝑁 𝑎 + ( ( 𝑁 𝑑 − 𝑁 𝑎 ) + 4 𝑛 𝑖 )
2
2
]
p

Dans la pratique Na, Nd et Nd−Na sont toujours très supérieurs à ni , de

sorte que les densités d'électrons et de trous s'écrivent respectivement
pour un SC de type N:

n Nd – Na
p ni2/(Nd-Na) 29
Pour un Semiconducteur de type p, on aura dans la pratique Na, Nd et (Na−Nd)
sont toujours très supérieurs à ni , de sorte que les densités d'électrons et de
trous s'écrivent respectivement :
p Na – Nd
n ni2/(Na-Nd)

Energie de fermi : − ( 𝐸 𝑐 − 𝐸 𝐹𝑛 ) / 𝑘𝑇
𝑁 𝑑 − 𝑁 𝑎=𝑁 𝑐 𝑒
Partant des équations de n et p on a:
( 𝐸 𝑣 − 𝐸 𝐹 𝑝 )/ 𝑘𝑇
𝑁 𝑎 − 𝑁 𝑑 =𝑁 𝑣 𝑒
D'où les expressions du niveau de Fermi dans chaque type de semiconducteur :
𝑁𝑐 𝑁𝑐
𝐸 𝐹𝑛= 𝐸𝑐 −𝑘𝑇𝐿𝑛( ) 𝐸 𝐹𝑛= 𝐸𝑐 −𝑘𝑇𝐿𝑛( )
𝑁𝑑−𝑁𝑎 ou 𝑁𝑑−𝑁𝑎
𝑁𝑣 𝑁𝑣
𝐸 𝐹𝑝 =𝐸𝑣 + 𝑘𝑇𝐿𝑛( ) 𝐸 𝐹𝑝 =𝐸𝑣 + 𝑘𝑇𝐿𝑛( )
𝑁𝑎 − 𝑁 𝑑 𝑁𝑎 − 𝑁 𝑑 30
Dans chaque type de semiconducteur, le niveau de Fermi se rapproche
d'autant plus de la bande de porteurs majoritaires que le dopage est important

on aura: n=niexp((+e)/kT) et p=niexp((-e)/kT)

Donc = kTLn(= - kTLn(

D’où = kTLn( et = - kTLn(
31
III. PRODUCTION DU SILICIUM POUR LE PV
Le silicium est obtenu à partir du sable (silice SiO2) par des traitements
chimiques et physiques complexes.
La silice est l’élément le plus répandu dans la croûte terrestre après
l’oxygène. Il représente 25 % de la masse de la croûte terrestre.
La silice se présente sous la forme d'un minéral dur. Dans la nature, on la
trouve en grande quantité dans :
-Les roches sédimentaires détritiques (sables, grès),
-Les roches métamorphiques, elles sont formées par la recristallisation (et
généralement la déformation) de roches sédimentaires ou de roches
magmatiques sous l'action de la température et de la pression qui croissent
avec la profondeur dans la croûte terrestre ou au contact d'autres roches.
-Les roches magmatiques
32
33
a) Extraction du silicium à partir de la silice
Le silicium n'existe pas à l'état pur dans la nature. Le silicium (Si) est donc
extrait de la silice (SiO2) grâce à la réaction chimique simplifiée suivante :
SiO2 + 2 C → Si + 2CO
Cette réaction se réalise dans un four à arc car elle nécessite de faire fondre la
silice. La température du four peut atteindre 3 000 °C. La puissance du four
peut aller jusqu’à 30 MW, afin d’enclencher les réactions chimiques.

34
Après cette opération, le silicium est obtenu sous forme liquide. Sa
pureté est de 98 %. Il faut le purifier encore de plusieurs ordres de
grandeur afin d'obtenir un matériau adéquate pour les applications
photovoltaïques.

Apres il faut faire la Purification du silicium. Il s'agit, en partant du

silicium métallurgique, de faire une purification chimique. De nombreux
procédés ont été développés par les différents producteurs mondiaux
de silicium. Au final, le procédé de purification aboutit à l'obtention de
lingots de silicium purifiés à 99.99 %
Nous pouvons avoir le silicium monocristallin ou polycristallin suivant
les procédés de recristallisation

35
b) Le silicium monocristallin

Une des méthodes pour fabriquer du silicium

monocristallin est la méthode dite de Czochralski.
Le silicium est placé dans un creuset de quartz et
maintenu liquide à l'aide d'éléments chauffants.
Lorsque la surface est à la température limite de
solidification, on y plonge un germe monocristallin.
Le silicium se solidifie sur ce germe selon la même
orientation cristallographique. On tire lentement le
germe vers le haut, avec un mouvement de rotation,
tout en contrôlant minutieusement la température et
la vitesse

36
Le silicium monocristallin ainsi obtenu, sous forme de lingots cylindriques, est
constitué d'un seul type de cristal et présente une couleur uniforme grise.
Le silicium monocristallin, plus élaboré que le silicium polycristallin, présente
un rendement (conversion de l'énergie lumineuse en énergie électrique)
supérieure. Sa production demande cependant une plus grande dépense
énergétique.

c) L'équeutage
Elle consiste à éliminer les extrémités
du lingot soit mal cristallisées soit
riches en impuretés. Les extrémités
sont ensuite refondues pour le départ
d'un nouveau cycle de production.
37
Lors du tirage, le diamètre du lingot varie légèrement ce qui constitue
des ondulations à sa surface. Pour obtenir des plaquettes de même
diamètre un polissage cylindrique est nécessaire.

d) Obtention des wafers photovoltaïques

Les lingots cylindriques (silicium
monocristallin) ou parallélépipédiques
(silicium polycristallin) de silicium obtenus à
l'issue de l'étape de solidification sont
ensuite sciés en fines plaques de 200
micromètres d'épaisseur qui sont appelées «
wafers » (en anglais, "wafer" signifie
"galette").
38
La coupe des lingots peut s’effectuée avec plusieurs méthodes.
Compte-tenu de la faible épaisseur des tranches à découpées (300 μm), le
principal problème du sciage est la perte de découpe. Afin de minimiser ces
pertes, la solution technique retenue est la scie à fil.
Avec une scie à fil, il faut donc 570 μm de silicium pour produire une tranche
de 350 μm. L'étape du sciage représente un élément déterminant dans le
coût de la production des cellules photovoltaïques.

39
IV. La jonction PN
1. Propriétés de la jonction PN
Soit un cristal de semiconducteur de type N d’un côté d’une frontière et de
type P de l’autre côté. La surface de séparation entre les deux régions est
appelée jonction PN.
Jonction PN à l’état initial:

40
Autour de la jonction PN, les électrons libres qui ont une concentration très
élevée dans la région N diffusent vers la région P où ils ont une concentration
très faible. Il en est de meme, pour les trous qui migrent vers N.
De ce phénomène de diffusion, il résulte la création, autour de la jonction PN,
d’une zone dans laquelle il n’y a plus de porteurs de charges mobiles.

Il ne reste plus que les ions fixes, positifs du coté N, négatifs du coté P.
Cette zone est appelée zone de transition ou zone de déplétion ou
zone de charge d’espace.

Les ions créent un champ électrique

ED, appelé champ de diffusion,
dirigé de la région N vers la région.
41
2. Potentiel dans la jonction PN

Le champ ED entraîne
l’existence d’une différence
de potentiel VD appelée
tension de diffusion, entre
les frontières de la zone de
transition. Cette barrière de
potentiel existe en
l’absence de générateur
externe (built-in voltage).
Pour le silicium, VD ≈ 0,7 V.

42
3. Courants dans une jonction PN
3.1 Courant de diffusion
Les électrons libres de la
région N qui abordent la zone
de transition sont soumis à
une force due au champ de
diffusion qui règne dans cette
zone.
Deux cas se présentent :
- la majorité d’entre eux, dont
l’énergie E est inférieure à
eVD, ne peuvent pas vaincre
cette force → ils sont
repoussés vers la zone N;
43
certains d’entre eux peuvent acquérir une énergie E ≥ eVD sous l’effet de la
température ambiante (agitation thermique) → ils peuvent traverser la zone de
transition et passer dans la région P.
Les trous de la région P ont un comportement semblable: la majorité d’entre
eux reste dans la région P tandis que certains peuvent passer
dans la région N.
La jonction PN est donc traversé par un double déplacement d’ensemble de
porteurs majoritaires: Il en résulte un courant ID appelé courant de diffusion,
dirigé de P vers N: c’est un courant de majoritaires.

44
3.2 Courant de saturation
Les porteurs minoritaires d’une région qui abordent la zone de transition
sont accélérés par le champ ED vers l’autre région:

45
 La jonction est alors traversée par un double déplacement de porteurs
minoritaires:
Il en résulte un courant IS appelé courant de
saturation dirigé de N vers P: c’est un courant de
minoritaires.
Le courant de saturation IS ne dépend que du
nombre de minoritaires → il augmente avec la
température; il est très faible (≈ 1 μA).

Relation entre le courant de saturation IS et le courant de diffusion ID : le courant à

l’extérieur du cristal est nul (circuit ouvert) → IS = ID:

46
4 Jonction PN polarisée
4.1 Polarisation en sens direct

47
Le générateur de tension V augmente le potentiel de la région P → la barrière
de potentiel devient V’D = VD−V < VD → un plus grand nombre de majoritaires
est capable de traverser la zone de transition: il leur suffit d’une énergie plus
faible E ≥ e(VD−V ) au lieu de eVD.
Le courant de diffusion ID augmente et devient très supérieur au courant de
saturation IS. On montre que la relation entre ID et IS est:

avec :
- e = 1, 6.10−19 C;
- k = 1, 38.10−23 J/K (constante de Boltzmann) ;
- T : température absolue (en K).
Le courant direct IF = ID − IS devient:

Il augmente avec la tension V → la jonction PN conduit en sens direct. 48

4.2 Polarisation en sens inverse

49
Le générateur entraîne une diminution du potentiel de la région P → la barrière de
potentiel devient V’D = VD + V > VD → les majoritaires ne peuvent plus franchir la
zone de transition car il leur faut une énergie trop importante E ≥ e(V + V D) → ID ≈ 0
et IR = IS − ID ≈ IS → la jonction PN ne conduit pas en sens inverse car IS est très faible
(≈ 1 μA).

50
Le courant ISat est appelé courant inverse car si la diode est polarisée en
inverse (V < 0), ID = – ISat. Ce courant résulte du débit des charges (trous
thermogénérés et électrons) qui traversent la jonction sous l’action du champ
électrique. Pour une jonction de surface S, le courant de saturation est donné
par :  E 
I  A  S  exp -
sat 
 KT 

(A est une constante fonction du dopage).

Pour une diode de signal au silicium, à 300 K, ISat est de l’ordre de 10 nA.
Toujours à 300 K, VT = k.T /e = 26 mV.

51
4-4 Tension inverse - effet de claquage et d'avalanche
Si l’on applique une tension inverse, la jonction « se creuse » : les
électrons de la section N sont attirés vers l’extrémité du barreau, un
phénomène symétrique se produit côté P avec les trous : la ZCE s’étend,
aucun courant ne peut circuler, la diode est dite « bloquée » ; elle se
comporte alors comme un condensateur, (propriété mise à profit dans les
varicaps (diodes à capacité variable en fonction de la tension inverse
qu’on leur applique).

52
Toutefois, si la tension inverse est poussée au-delà d’un certain seuil, il
peut se produire deux phénomènes :
- les paires électrons-trous créées dans le substrat suite à l’agitation
thermique, accélérées par le champ électrique externe, vont pouvoir
acquérir une énergie cinétique suffisante pour arracher, par choc contre le
réseau cristallin, d’autres électrons, etc. (effet d’avalanche) .
- l’énergie du champ électrique devient suffisante pour permettre aux
électrons de valence de passer en bande de conduction (effet Zener). Ces
derniers franchissent la jonction par effet tunnel.

53
Ces deux phénomènes, dont la prédominance résulte de la concentration en
dopant, donnent lieu à l’apparition d’un courant inverse important et non
limité, qui aboutit souvent à la destruction du cristal par effet Joule (claquage
de la jonction): la diode présente en effet une résistance très faible dans
cette plage de fonctionnement.
Si ce courant est limité au moyen de résistances externes, la diode en
avalanche se comporte alors, du fait de sa faible résistance interne, comme
un générateur de f. c. e. m quasi-parfait : cette propriété est à l’origine de
l’utilisation des diodes dites Zener dans la régulation de tension continue.

54
4-5 ÉTUDE QUANTITATIVE DE LA JONCTION PN

Une jonction peut être abrupte (passage instantané d'une zone N à une zone
P avec densité d'impureté constante) ou progressive (passage de la zone N à
la zone P avec une densité progressive linéaire ou non linéaire).
Nous considérerons uniquement la jonction abrupte.

a) Jonction abrupte non polarisée

Les figures suivantes représentent respectivement une jonction PN à
densité de dopage symétrique, NA = ND et une jonction PN+ à densité de
dopage dissymétrique NA < ND.

55
Allure de la densité des charges dans la jonction
56
Allure du champ de diffusion

Allure du potentiel diffusion

Dans la zone neutre, d'après le théorème de neutralité, le nombre d'ions positifs est égal
au nombre d'ions négatifs .

Donc, la zone neutre s'étend plus du côté le moins dopé, suivant la relation NA xp = ND xn
avec xp + xn = xt
La différence de potentiel de jonction VD = U , est définie par l'intégrale
𝑋𝑛

𝑈 = ∫ 𝐸 ( 𝑥 ) 𝑑𝑥=𝐸 𝑚𝑜𝑦 . 𝑋 𝑡
− 𝑋𝑝

où xP et xn représentent les profondeurs de recombinaison dans les zones P et N.

58
Déplacement des porteurs
La mobilité des porteurs est liée à la conduction sous l’effet d’un champ électrique
et à la diffusion des porteurs.
Courant de conduction:
La densité de courant de conduction des porteurs s’écrit :
Pour les électrons:

Pour les trous:

Courant de diffusion:
La diffusion des porteurs est liée au gradient de concentration.
On a une diffusion depuis la région de forte concentration vers la région de
moindre concentration.
• 1° loi de Fick:
Le flux des électrons qui est le nombre d’e- qui diffusent par unité de temps et de
volume est donné par: - Dn
59
Le flux des trous qui est le nombre de trou qui diffusent par unité de temps et de
volume est donné par: -Dp

La densité de courant de conduction des porteur s’écrit :

Pour les électrons: Jd n = - e(- Dn . ) = e.Dn .
Pour les trous: Jd p = e(- Dp . ) = - e.Dp .

La densité de courant total est donnée par la diffusion et la conduction:

Jn = + + e.Dn .
Jp = + - e.Dp .

D (coefficient de diffusion) et μ (mobilité des porteurs) expriment la

faculté des porteurs à se déplacer.
60
En considérant un semiconducteur n isolé on a Jn= 0 et sachant que E= -dU/dx
est le champ electrique interne (built in field) on a :

Dans le cadre de l’approximation de Boltzmann, valable pour un SC non

dégénéré, la densité de charge n est proportionnelle à :
donc on a

Par identification, nous abouttissons à la relation de Einstein: =

Il existe une relation entre le coefficient de mobilité et le coefficien de diffusion

des porteurs appelé relation d’Einstein: =

La conductivité et mobilité des porteurs sont liées par :

= e).n et =.e.p (électrons et trou).
Tension de diffusion VD=U:
Le courant total qui est la somme des deux contributions (si elles existent) de
conduction et diffusion peut s’exprimer :
Jp = - kT .) et Jn = + kT .)

Maintenant utilisons les relations de conduction dans un matériau semi-

conducteur dopé :
Comme, sans polarisation de la jonction, et à l'équilibre, courants de diffusion et
de saturation s'opposent, les courants globaux Jn et JP sont nuls.
Ainsi, pour les électrons, nous avons: .E(x)
Une relation similaire est obtenue avec les trous.
En utilsant l'expression dU = - E(x) dx, l'intégration des équations

( ) ( )
précédentes fournit: kT N A ND NA ND
U= ln 2
=V T ln 2
e ni ni 62
ND, concentration des donneurs
NA, concentration des accepteurs
ni est la concentration intrinsèque et VT le potentiel thermique :
K = 1,38 x 10-23 J/K (constante de Boltzmann)
q = 1,6 x 10-19 (charge de l’électron)
T = température absolue
Pour des calculs pratiques, on prend le plus souvent VT = 26 mV à T = 300 K.
Les valeurs typiques de V0 pour les jonctions PN au silicium se situent entre
0,5 et 0,7 V, et pour les jonctions PN au germanium, entre 0,2 et 0,3 V.
Equation de poisson permet d’écrire:
On determine l’expression du champ électrique E(x) dans la zone neutre à
partir de l’intégration de l’équation de poisson sachant que:
E(x) = -
63
 On aura:

Ces deux relations

permettent d’obtenir xn et
xp en function de Emax

Comme la répartition du champ électrique (pour une jonction abrupte) est de forme
triangulaire, la différence de potentiel de jonction représente la surface du triangle

64
Epaisseur de la ZCE:

Des deux dernières relations de E = f(x), on en déduit les profondeurs de

recombinaison xn et xp.

Les valeurs de xt sont de l’ordre de 0,1 mm à 50 mm.

L’intensité moyenne du champ électrique dans la jonction est, par définition :
E D moy = U / xt
Cette intensité peut être très élevée (jusqu’à 105 V/cm). 65
Capacité de la jonction:
Une zone désertée (vide de porteurs libres) entre deux (2) zones conductrices
peut être considérée comme un condensateur plan de section S (surface de la
jonction) et d’épaisseur xt.
La capacité de la jonction est alors donnée par :

𝜀𝑆
𝐶=

√ (
2𝜀 1
+
1
𝑒 𝑁𝑎 𝑁 𝑑
𝑈
)
b) Jonction polarisée en direct
La polarisation directe U > 0, a pour effet d'abaisser la barrière de
potentiel. Il ya alors un déséquilibre des courants direct et inverse.
Le courant direct présente plusieurs composantes dont un courant de
diffusion ID et un courant de recombinaison IR.
Ce dernier est prépondérant pour une polarisation 0 < U < 0,4 V.
L'expression de la densité JR est alors:

avec : durée de vie des charges mobiles

ni: concentration intrinsèque
xt: largeur de la barrière de potentiel
U: tension directe aux bornes de la jonction.
Pour une polarisation U > 0,4 V, le courant de diffusion ID l'emporte sur le
courant de recombinaison IR.
67
La densité de courant JD s'écrit:

68
Le courant IS est appelé courant inverse, parce que quand la diode est polarisée en
inverse (UD < 0), ID - IS. On l'appelle aussi courant de saturation, parce que sa
valeur ne dépend pas de la tension. Enfin, on l'appelle aussi courant thermique, parce
que son origine est thermique et il dépend fortement de la température T .

Comme la construction interne d'une diode est habituellement inconnue par

l'utilisateur, la formule précédente n'est pas très pratique. Pour des calculs pratiques,
elle est remplacée par l'expression empirique :
I S  I SO  expa  T - T0 
IS est le courant de saturation à la température T,
IS0 est le courant de saturation à la température T0
et le coefficient empirique a 0,1 pour les diodes au silicium et a 0,07 pour les
diodes au germanium.

69
c) Jonction (abrupte) polarisée en inverse
La polarisation U < 0 a pour effet d'augmenter la barrière de potentiel.
Le courant inverse présente plusieurs composantes :
- Courant de diffusion.
Dans l'expression précédente de ID, pour U < 0, le terme exponentiel devient
négligeable :

En fonction de la température, ce courant varie comme ni 2

- Courant de génération thermique.

Il est dû aux paires électron-trou créées dans la zone neutre

Duree de vie de porteurs

En fonction de la température, ce courant varie comme ni. 70

- Courant de fuite en surface.
La partie extérieure de séparation des zones P et N d'une jonction est isolée
électriquement par un dépôt d'oxyde ou de matériau diélectrique
(passivation).
La présence de charges électriques dans cet isolant modifie
superficiellement la largeur de la barrière de potentiel, augmentant ainsi le
courant de génération thermique dans cette zone neutre. La valeur du
courant de fuite est déterminée, le plus souvent, expérimentalement. Cette
valeur peut être, dans certains cas, plus importante que la somme des deux
autres courants ID et IGT à température ambiante.

71
BIBLIOGRAPHIE
1. PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS ET DES COMPOSANTS ÉLECTRONIQUES, HENRY
MATHIEU ET HERVÉ FANET, DUNOD
2. INTRODUCTION A LA PHYSIQUE DE L’ETAT SOLIDE, CHARLES KITTEL, DUNOD
3. PHYSIQUE DES SOLIDES, NEIL W. ASCROFT ET N. DAVID MERMIN, EDP SCIENCES
4. PHYSIQUE DE LA MATIERE CONDENSEE, HUNG T. DIEP, DUNOD
5. COURS MAER PHYSIQUE DES ÉTATS SOLIDE, AMSATA NDIAYE, UGB
6. PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS, P. Lorenzini, Polytech’Nice Sophia Dept. Électronique
7. https://www.etusup.org/2020/04/physique-du-solide-cours-et-exercices-corriges-pdf.htm
l