ISET de Kélibia

Correction TD°03

Exercice 01:

A- Etude statique :
1.1. Schéma équivalent en régime statique

1.2. ic=βib, ie= ic+ib=(β+1) ib

En appliquant la loi des mailles dans la maille externe on a :
Rb ib+2Reie=Ecc-Vbe
d'où Rbib+2Re(β+1) ib =Ecc-Vbe
d'où Rbib=Ecc-Vbe-2Re(β+1) ib

⇒ =305.2KΩ

En appliquant de nouveau la loi des mailles dans la maille 2 on a :

d'où Rcic+2Re ie =Ecc-Vce

d'où

⇒
1.3. Equation de la droite de charge: ic=f(Vce)
En appliquant la loi des mailles on a:

Narjess SGHAIER EP HAOUARI & - 29 - TD Electronique

Wissem CHOUCHENE
 Rcic+2Re ie +Vce =Ecc

ie= ic+ib=(β+1) ib=

d'où

La valeur à l'origine:

Pente de la droite: = -0.510-3Ω-1

1.4. Equation de la droite d'attaque: ib=f(Vbe)

Rb ib+2Reie=Ecc-Vbe
d'où Rbib+2Re(β+1) ib =Ecc-Vbe
d'où (Rb+2Re(β+1)) ib =Ecc-Vbe

⇒
La valeur à l'origine:

Pente de la droite:

= -2.59μΩ-1

B- Etude dynamique :
2.1. Schéma équivalent en régime dynamique

Narjess SGHAIER EP HAOUARI & - 30 - TD ELECTRONIQUE

Wissem CHOUCHENE
2.2. Le gain en tension Av :

Or ie= ic+ib=(β+1) ib
d'où
En utilisant le théorème diviseur de courant:

Or ic=βib

d'où

donc:

d'où

2.3. Le gain en Courant Ai :

i1=ib+i'b

d'où

d'où

Or

A.N: Ai=47.81
2.4. Le gain en puissance Ap :

d'où =129.23103

Narjess SGHAIER EP HAOUARI & - 31 - TD ELECTRONIQUE

Wissem CHOUCHENE
2.5. L'impédance d'entrée Ze :

A.N:
2.5. L'impédance de sortie Zs :
On déconnecte la résistance de sortie Ru et on court circuite toutes les
source. Zs est alors l'impédance équivalente

Exercice 02:

A- Etude statique : Schéma équivalent du transistor en régime statique

1.1.

1.2. ic=βib, ie= ic+ib=(β+1) ib

En appliquant la loi des mailles dans la maille externe on a :

Rb ib+ Reie=Ecc-Vbe

d'où Rbib+ Re(β+1) ib =Ecc-Vbe

d'où Rbib=Ecc-Vbe- Re(β+1) ib

⇒ =519.67KΩ

En appliquant de nouveau la loi des mailles dans la maille 2 on a :

Narjess SGHAIER EP HAOUARI & - 32 - TD ELECTRONIQUE

Wissem CHOUCHENE
 d'où Rcic+ Re ie =Ecc-Vce

d'où

⇒
1.3. Equation de la droite de charge: ic=f(Vce)
En appliquant la loi des mailles on a:

Rcic+ Re ie +Vce =Ecc

ie= ic+ib=(β+1) ib=

d'où

La valeur à l'origine:

Pente de la droite: = 0.55mΩ-1

1.4. Equation de la droite d'attaque: ib=f(Vbe)

Rb ib+ Reie=Ecc-Vbe

d'où Rbib+ Re(β+1) ib =Ecc-Vbe

d'où (Rb+ Re(β+1)) ib =Ecc-Vbe

La valeur à l'origine:

Pente de la droite:

=-1.706μΩ-1

B- Etude dynamique :
2.1. Schéma équivalent en régime dynamique

Narjess SGHAIER EP HAOUARI & - 33 - TD ELECTRONIQUE

Wissem CHOUCHENE
2.2. Le gain en tension Av :

Or ie= ic+ib=(β+1) ib

d'où

En utilisant le théorème diviseur de courant:

Or ic=βib

d'où

donc:

d'où

2.3. Le gain en Courant Ai :

i1=ib+i'b

d'où

d'où

Or

Narjess SGHAIER EP HAOUARI & - 34 - TD ELECTRONIQUE

Wissem CHOUCHENE
 A.N: Ai=94.62
2.4. Le gain en puissance Ap :

d'où =475.93

2.5. L'impédance d'entrée Ze :

A.N:
2.5. L'impédance de sortie Zs :
On déconnecte la résistance de sortie Ru et on court circuite toutes les
source. Zs est alors l'impédance équivalente

Narjess SGHAIER EP HAOUARI & - 35 - TD ELECTRONIQUE

Wissem CHOUCHENE