Le semiconducteur à l'équilibre thermodynamique 61

1.4.4. Semiconducteur extrinsèque à la température ambiante

a. Donneurs et accepteurs

On modifie considérablement les propriétés électriques d'un semiconducteur en

le dopant de manière contrôlée avec des atomes spécifiques.
Considérons par exemple un semiconducteur de la colonne IV comme le
silicium, dans lequel on introduit un atome de la colonne V tel que l'arsenic. Dans
le réseau cristallin, l'atome d'arsenic remplace un atome de silicium et établit des
liaisons avec ses quatre voisins. L'atome d'arsenic est alors environné de 9 électrons
dont 8 saturent les orbitales liantes du cristal. Le 9ème électron occupe alors une
orbitale beaucoup plus délocalisée dans le champ de l'ion positif As+. L'énergie de
liaison ED=Ec-Ed de cet électron est de l'ordre de quelques meV dans les
semiconducteurs à gap direct et quelques dizaines de meV dans les
semiconducteurs à gap indirect. A la température ambiante cet électron est donc
libéré dans le réseau par agitation thermique et occupe un état de la bande de
conduction. Parallèlement l'arsenic a une charge positive excédentaire et devient un
ion As+. On dit que l'arsenic dans le silicium est un donneur en raison du fait qu'il
donne un électron de conduction au réseau.

Remplaçons un atome de silicium par un atome de la colonne III, tel que le

gallium. Dans la coordination tétraédrique, il apparaît maintenant un déficit
d'électron. L'électron manquant est alors facilement remplacé par un électron
provenant d'une liaison voisine. Le passage d'un électron depuis une liaison
intrinsèque du cristal vers l'atome de gallium entraîne d'une part la création d'un
trou dans la bande de valence et d'autre part l'apparition d'une charge négative
excédentaire au voisinage de l'atome de gallium. L'atome de gallium, qui est appelé
accepteur, devient alors un ion négatif Ga-. Par analogie avec l'électron sur le
donneur, on peut considérer que le trou qui apparaît dans la bande de valence était
piégé sur l'accepteur. L'énergie qu'il faut pour transférer un électron de la bande de
valence sur l'accepteur est alors appelée énergie de liaison EA=Ea-Ev du trou sur
l'accepteur. Cette énergie de liaison est de l'ordre de quelques dizaines de meV.

b. Densité de porteurs et niveau de Fermi

Considérons un semiconducteur contenant une densité  d de donneurs et une

densité  a d'accepteurs. Soit  d+ le nombre de donneurs ionisés, c'est-à-dire ayant
libéré leur électron supplémentaire. Soit  a− le nombre d'accepteurs ionisés, c'est-à-
dire ayant accepté un électron supplémentaire. Le matériau étant neutre, l'ensemble
des charges positives est égal à l'ensemble des charges négatives. L'équation de
neutralité électrique du matériau s'écrit

n +  a− = p +  d+ (1-150)
62 otions fondamentales sur la physique des semiconducteurs

où n et p représentent les densités de porteurs libres et  a− et  d+ les densités

d'accepteurs et de donneurs ionisés.

Etudions tout d'abord le système à la température ambiante. En raison du fait

que l'énergie thermique kT est du même ordre de grandeur que les énergies de
liaison de l'électron sur le donneur et du trou sur l'accepteur, tous les donneurs et
accepteurs sont ionisés. L'équation de neutralité électrique se réduit donc à

n + a = p + d (1-151)

où  a et  d sont les densités d'accepteurs et de donneurs.

Notons que la condition  a =  d = 0 n'est jamais réalisée en raison du fait que

lors de la cristallogénèse, le semiconducteur est toujours contaminé par des
impuretés. En d'autres termes le semiconducteur intrinsèque n'existe pas, il existe
en fait trois types de semiconducteur.

- Semiconducteur compensé - Semi-Isolant

Il existe toujours dans un semiconducteur des impuretés incontrôlées que l'on

appelle impuretés résiduelles. Pour compenser ces impuretés, on dope le
semiconducteur de manière à se rapprocher le plus possible de la condition
 a =  d . Supposons que la condition soit réalisée, l'équation (1-151) s'écrit alors
n = p et par conséquent n = p = ni . la densité de porteurs libres dans le
semiconducteur est la même que s'il était intrinsèque. La densité intrinsèque ni qui
est fonction du gap du semiconducteur, est généralement très faible à la température
ambiante. Le semiconducteur est alors, en ce qui concerne la conductivité, plus
proche de l'isolant que du conducteur, on l'appelle alors semi-isolant. Le niveau de
Fermi, dont la position est réglée par la population de porteurs libres, est donc situé,
comme pour un semiconducteur intrinsèque, au voisinage du milieu du gap.

- Semiconducteur de type n

Considérons un semiconducteur dopé avec une densité de donneurs supérieure

à la densité d'accepteurs,  d >  a . Il en résulte, d'après l'équation (1-151), n > p ,
on dit alors que le semiconducteur est de type n. Les électrons sont appelés porteurs
majoritaires, les trous, porteurs minoritaires.
L'équation (1-151) associée à la relation np = ni2 permet d'écrire l'équation

n 2 − (  d −  a )n − ni2 = 0

La racine positive de cette équation donne le nombre d'électrons, la valeur absolue

de sa racine négative donne le nombre de trous.
Le semiconducteur à l'équilibre thermodynamique 63

n=
1
2
[ (
 d −  a + (  d −  a ) 2 + 4ni2
1/ 2
) ]
1
[ (
p = −  d −  a − (  d −  a ) 2 + 4ni2
2
1/ 2
) ]
Dans la pratique  d ,  a et  d −  a sont toujours très supérieurs à ni , de sorte
que les densités d'électrons et de trous s'écrivent respectivement

n ≈ d − a (1-152-a)

p ≈ ni2 (  d −  a ) (1-152-b)

- Semiconducteur de type p

Si le dopage est tel que  a >  d , les porteurs majoritaires sont les trous, le
semiconducteur est de type p. Les densités de porteurs sont données par

p ≈ a − d (1-153-a)

n ≈ ni2 (  a −  d ) (1-153-b)

- iveau de Fermi

Dans la mesure où le semiconducteur n'est pas dégénéré, les densités de

porteurs sont données par les expressions (1-132). Ainsi dans un semiconducteur de
type n, où n =  d −  a et dans un semiconducteur de type p où p =  a −  d les
expressions (1-132) s'écrivent respectivement

 d −  a =  c e − ( Ec − E Fn ) / kT (1-154-a)
(E − E )/ kT
 a −  d = v e v Fp (1-154-b)

D'où les expressions du niveau de Fermi dans chaque type de semiconducteur

EFn =Ec − kT Ln(  c (  d −  a ) ) (1-155-a)

EFp = Ev +kT Ln(  v (  a −  d ) ) (1-155-b)

Dans chaque type de semiconducteur, le niveau de Fermi se rapproche d'autant

plus de la bande de porteurs majoritaires que le dopage est important. En
particulier, E Fn = Ec pour  d −  a =  c et E Fp = E v pour  a −  d =  v . En
d'autres termes le semiconducteur devient dégénéré de type n quand la densité de
donneurs excédentaires  d −  a devient égale à la densité équivalente d'états de la
bande de conduction. Il en est de même pour le semiconducteur de type p. En fait
64 otions fondamentales sur la physique des semiconducteurs

les expressions (1-155) ont été établies dans le cadre de l'approximation de

Boltzmann et ne sont plus valables lorsque le niveau de Fermi atteint une bande
permise. Néanmoins ces expressions permettent d'obtenir une estimation du dopage
qu'il est nécessaire de réaliser pour dégénérer de type n (ou de type p), un
semiconducteur, d - a > c (ou a - d > v). Le type du semiconducteur et la
densité de porteurs majoritaires sont obtenus expérimentalement par la mesure du
coefficient de Hall.
Il est souvent utile de définir la position du niveau de Fermi par sa distance au
niveau de Fermi intrinsèque E Fi du matériau (Fig 1-20).
Dans un semiconducteur intrinsèque
n= p=ni =  c e −( Ec −E Fi ) / kT =  v e ( Ev −E Fi ) / kT

Dans un semiconducteur dopé

n =  c e −( Ec −E F ) / kT p=  v e ( Ev −E F ) / kT

En posant eφ Fi = EF − EFi , les expressions précédentes permettent d'écrire

n =ni e + eφ Fi / kT (1-156-a)
− eφ Fi / kT
p=ni e (1-156-b)

eφFi > 0 entraîne n > ni et p < ni , le semiconducteur est de type n

eφ Fi < 0 entraîne p > ni et n < ni , le semiconducteur est de type p

Dans certains cas (Le transistor MOS par exemple), on choisit la convention
inverse et eφFi =− EF +EFi ce qui conduit à φ Fi positif pour du silicium p.
Les expressions (1-156) donnent

eφ Fi =kT Ln( n / ni )=− kT Ln( p / ni )

Ec Ec
Ec EF
eφ Fi E Fi
EF E Fi eφ Fi
EF
Ev Ev
+ + + + + + + + + + + + Ev
+ + + + + +

Intrinsèque type n type p

Figure 1-20 : Position du niveau de Fermi dans les différents types de

semiconducteur
Le semiconducteur à l'équilibre thermodynamique 65

Dans un semiconducteur de type n, n =  d −  a , dans un semiconducteur de type p,

p =  a −  d , soit

SC type n eφ Fi = kT Ln((  d −  a ) ni ) (1-157-a)

SC type p eφFi =−kT Ln((  a −  d ) ni ) (1-157-b)

1.4.5. Evolution avec la température

Lorsque la température du semiconducteur est abaissée, les densités de

donneurs ou d'accepteurs ionisés diminuent progressivement de même que les
densités de porteurs libres.
La densité de donneurs neutres  d0 est donnée par le produit de la densité de
donneurs  d par la probabilité d'occupation de l'état d'énergie associé au donneur.

1
 do =  d (1-158)
1+ (1 / 2)e ( E d −E F ) / kT

où Ed représente l'énergie de l'état associé au donneur. Le facteur 1/2 qui apparaît

au dénominateur de l'expression (1-158) résulte de la spécificité de l'état donneur.
Le donneur est analogue à l'atome d'hydrogène, son état fondamental est un état 1s
deux fois dégénéré, mais la répulsion coulombienne électron-électron interdit que
cet état soit occupé par deux électrons.

La densité de donneurs ionisés est donnée par

1
 d+ =  d −  do =  d (1-159)
1+2e ( E F − Ed ) / kT

De la même manière la densité d'accepteurs ionisés, c'est-à-dire occupés par un

électron s'écrit

1
a =a
−
(1-160)
1+(1 / 4)e ( E a − E F ) / kT

En raison de la dégénérescence du sommet de la bande de valence, le degré de

dégénérescence de l'état fondamental de l'accepteur est 4 dans les semiconducteurs
cubiques, mais cet état ne peut être occupé que par un seul électron.

Considérons le cas d'un semiconducteur de type n, non dégénéré et dépourvu

d'accepteurs. L'équation de neutralité électrique (1-150) s'écrit

n − p =  d+
66 otions fondamentales sur la physique des semiconducteurs

En explicitant  d+ à partir de l 'expression (1-159) et n et p à partir des

expressions (1-132), cette condition s'écrit

1
 c e − ( Ec − E F )/ kT −  v e ( Ev − E F )/ kT =  d ( E F − Ed )/ kT
(1-161)
1+ 2 e

Il faut résoudre cette équation pour calculer d'abord E F ( T ) et ensuite n ( T ) et

p(T ) .

a. iveau de Fermi

Afin de simplifier les calculs et de disposer d'expressions analytiques simples,

nous pouvons définir différents régimes de température. A basse température la
densité d'électrons est conditionnée par la population du niveau donneur, la densité
de trous est négligeable. Lorsque la température augmente les donneurs s'ionisent
progressivement, la densité d'électrons devient de l'ordre de  d , la densité de trous
devient de l'ordre de ni2 /  d . Il en résulte que la densité de trous reste négligeable
tant que ni n'est pas de l'ordre de  d . Or ni est donné par l'expression (1-146) de
sorte que la condition ni << d se traduit par

Eg
kT <<
2 Ln (  c  v )1/ 2 /  d

Pour  c ≈  v ≈ 1019 cm −3 et  d ≈ 1017 cm −3 , ni devient de l'ordre de  d pour

kT ≈ E g / 10 . Nous fixerons à cette valeur la limite de température au-dessous de
laquelle on peut négliger la densité de trous. L'équation (1-161) s'écrit alors

1
 c e− ( Ec − E F )/ kT −  d ( E F − Ed )/ kT
=0 (1-162)
1+ 2 e
soit
 c e ( E F − Ed ) / kT e ( E d − Ec ) / kT + 2  c e 2( E F − E d ) / kT e ( E d − Ec ) / kT −  d =0 (1-163)

1 ( E c − E d ) / kT
En multipliant par e , on obtient une équation du second degré de la
2c
forme

(e ) + 12(e
( EF −Ed ) / kT 2 ( EF − Ed ) / kT
)−12  d
e ( Ec − Ed ) / kT =0 (1-164)
c

La racine positive de cette expression (ex>0) s'écrit

Le semiconducteur à l'équilibre thermodynamique 67

12
( E F − E d ) / kT 1⎡ ⎛  ⎞ ⎤
e = ⎢− 1 + ⎜⎜1 + 8 d e( Ec − Ed ) / kT ⎟⎟ ⎥ (1-165)
4⎢ ⎝ c ⎠ ⎥⎦
⎣

d'où l'expression du niveau de Fermi en fonction de la température

⎧⎪ 1 ⎡ ⎞ ⎤ ⎫⎪
12
⎛ 
EF = Ed + kT Ln⎨ ⎢− 1 + ⎜⎜1 + 8 d e( Ec − E d ) kT ⎟⎟ ⎥ ⎬ (1-166)
⎪⎩ 4 ⎢⎣ ⎝ c ⎠ ⎥⎦ ⎪⎭

Pour étudier la variation de E F dans cette gamme de température définie par

kT < E g / 10 on peut considérer deux régions différentes :

- cas kT pp EC − Ed

On peut négliger 1 sous la racine et -1 devant la racine. On obtient alors une

expression de E F valable aux très basses températures

Ec +Ed kT
EF ≈ + Ln(  d 2  c ) (1-167)
2 2

Cette expression est comparable à l'expression (1-147) en remplaçant Ev par Ed

et v par d/2 , le niveau donneur joue le rôle que jouait la bande de valence dans le
matériau intrinsèque.
Quant la température tend vers zéro, kT → 0 et Ln (  d 2  c ) → ∞ car  c
varie comme T 3/ 2 . Mais la puissance l'emporte sur le logarithme de sorte que le
deuxième terme de l'expression (1-167) tend vers zéro. Il en résulte qu'au zéro
absolu le niveau de Fermi est donné par

Ec + Ed
E F ( T = 0) = (1-168)
2

Le niveau de Fermi est situé au milieu entre la bande de conduction et le niveau

donneur. On retrouve l'analogie citée plus haut avec le semiconducteur intrinsèque
dans lequel au zéro degré absolu le niveau de Fermi est situé au milieu du gap.
Quand la température augmente à partir de T = 0 , le niveau de Fermi s'élève
tant que  c , qui varie comme T 3/ 2 (Eq. 1-136-a), est inférieur à  d . Il passe par un
maximum pour  c =  d puis descend.

- cas kT ff EC − Ed

Dans cette gamme de température, on peut utiliser un développement limité de la

racine dans l'expression (1-166) et on obtient
68 otions fondamentales sur la physique des semiconducteurs

E F = Ec − kT Ln (  c  d ) (1-169)

Dans cette gamme de température, qui contient la température ambiante pour la

plupart des semiconducteurs, la densité équivalente d'états  c est supérieure à la
densité de donneurs  d de sorte que Ln( c  d ) est positif. Il en résulte que le
niveau de Fermi descend suivant une loi en température pratiquement linéaire.
Lorsque la température devient supérieure à E g / 10 , l'approximation précédente
n'est plus justifiée et on ne peut plus négliger la densité de trous. La densité de
porteurs intrinsèques ni devient d'abord comparable puis supérieure à la densité de
donneurs. Lorsque la condition ni >>  d est satisfaite, on tend vers un régime dans
lequel les porteurs intrinsèques jouent le rôle essentiel, les donneurs deviennent
négligeables. Ce régime est appelé régime intrinsèque. Le niveau de Fermi est alors
donné par l'expression (1-147). Il monte avec la température si  v >  c , il descend
dans le cas contraire. A partir des expressions (1-167, 169 et 147), on peut tracer
l'allure de la courbe de variations de E F avec la température (Fig. 1-21).

Figure 1-21 : Allure de variation du niveau de Fermi avec la température dans

un semiconducteur de type n avec v>c

b. Densité de porteurs

A partir de l'évolution du niveau de Fermi, on obtient les évolutions des

densités de porteurs par les expressions (1-132). Le semiconducteur étant de type n
nous allons considérer l'évolution de la population électronique.
Dans la gamme des températures élevées, c'est-à-dire dans le régime
intrinsèque, les donneurs ne jouent plus aucun rôle significatif, le niveau de Fermi
est donné par l'expression (1-147) et la densité de porteurs n = p = ni par
l'expression (1-146). En échelle logarithmique, la densité de porteurs varie
linéairement en fonction de 1/ T avec une pente égale à E g / 2 .
Dans la gamme de plus basses températures, le niveau de Fermi est d'abord
donné par l'expression (1-169) qui peut s'écrire
Le semiconducteur à l'équilibre thermodynamique 69

Ec − EF 
= Ln d (1-170)
kT c

En portant cette expression dans l'expression (1-132-a) on obtient

n = d (1-171)

Dans cette gamme de température, la densité d'électrons est constante et égale à la

densité de donneurs. L'énergie thermique est suffisante pour ioniser tous les
donneurs mais insuffisante pour créer un nombre conséquent de porteurs
intrinsèques. Ce régime est appelé régime d'épuisement des donneurs.
Enfin, dans la gamme des très basses températures, le niveau de Fermi est
donné par l'expression (1-167) qui permet d'écrire

E F − Ec E − Ed
=− c + Ln (  d 2  c )1/ 2 (1-172)
kT 2 kT

En portant cette expression dans l'expression (1-132-a), on obtient

1/ 2
⎛1 ⎞
n=⎜  d  c ⎟ e −( E c − E d ) / 2 kT (1-173)
⎝2 ⎠

On retrouve un régime comparable au régime intrinsèque dans lequel  d / 2

joue le même rôle que  v et Ec − Ed le même rôle que E g = E c − E v . En échelle
logarithmique la densité d'électrons varie linéairement en fonction de 1/T avec une
pente égale à − (Ec − Ed ) 2 . Lorsque T tend vers zéro tous les donneurs deviennent
neutres, n→0, c'est le régime de gel des électrons.

Figure 1-22 : Allure de variation de la densité de porteurs libres avec la

température