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A-1- hauteur pointe : 20m ; largeur pointe 1.5 m ; épaisseur levier 4m : largeur levier 80m
A-3- Problème avec la diffraction car dimension de l’objet de l’ordre de grandeur des longueur d’onde
visible.
A-4-
A-5- A.N.
A-6- << dimension du système pas de problème de diffraction comme en microscopie optique
B-
B-1-
B-2- A l’équilibre
On obtient
B-3- A.N
Projection selon :
Par identification : ; ;
B-5-
Etude de ;
B-9-
C-
C-1-
C-2-
Par identification
C-3-
C-4-
C-5-
Deuxième partie : forces d’interactions et formule de Derjaguin
D-
D-1- Une force conservative a son travail qui est indépendant du chemin suivi :
D-2- répulsive pour car F(r)>0 puisque Ep décroissante ; attractive pour car F(r)<0
Avec
E-
M
E-1- dimension du dipôle << r distance d’observation
r
E-2-
0
E-3-
Avec et
E-4-
E-5-
E-6-
F-
F-1- variation selon : dr ; variation selon : rd ; variation selon :
rsin( )d
F-2- pour r fixe, va de 0 à (triangle OHM) donc
F-3-
G-
G-3-
G-4- ;
G-5-
H-
H-1-
H-2- ;
H-3- si E>V0 : et sont réels, il y aura réflexion d’une partie de l’onde et transmission de l’autre
partie
Si E<V0 : il y a réflexion de l’onde incidente ( réel) + probabilité de présence non nulle dans la
marche ( complexe)
H-4-
I-
V
I-1-
I-2- si on mesure j(x) alors on a accès à la valeur de donc à la valeur de L donc l’altitude x de la
pointe. Généralement, on déplace la pointe à J constant donc L constant et on regarde le déplacement de
la pointe, ce déplacement correspondra à la structure de la surface de l’échantillon.
I-3- Il faut éliminer les composantes alternatives du signal s(t) afin de récupérer la valeur moyenne qui est
proportionnelle à . On fait cela avec un filtre passe bas avec
J-
Le carbone C qui a 4 électron de valence. C est plus électronégatif car au dessus (2ème période)
J-3-
H
O Cl
O Si O H O Si O H Cl Si Cl
O Cl
H
No=+IV No=+IV No=+IV
K-
Sites O : 32, 33, 34, 35, 36, 37, 42, 43, 44, 45 et 2, 4, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 26
Un atome de Silicium aura une coordinence de 4 qui correspond à celle d’un atome dans un site T
K-5-
K-7- Le silicium est matériau très dur car les atomes de Si sont liés par des liaisons covalentes
K-10- habitabilité des sites T : contact sur la diagonale du cube de coté a/2
Ceci est cohérent avec les atomes de Si qui sont dans les sites T (coordinence 4) :
K-11- liaison ionique : le cristal est polarisable, liaison forte car différence d’électronégativité importante
donc température de fusion élevée.
L-
L-1-
Loi de Hess
L-4-
L-5- K>>1 l’avancement est maximal, la réaction est considéré comme totale
L-6-
+ =
EI 0
EF
D’où
Avec
Ceci ne peut être atteinte dans une enceinte car les matériaux fondent
+ =
EI 0
EF
Avec