1.

BUT DU MONTAGE
 Réaliser une sirène électronique pouvant alarmer son utilisateur dans certains cas des
figures comme une intrusion, une désobéissance à une règle explicite, une annonce
d’urgence de sécurité (incendie, voleurs, …), une mauvaise authentification …
 Effectuer une gestion de l’énergie.
 Apprendre l’utilisation des transistors MOSFES en commutation.
 Réaliser un montage électronique répondant à la demande sécuritaire de la société
locale où le concept de « quarante voleurs » est une triste réalité.
2. SCHEMA BLOC
Le schéma bloc de notre réalisation est donné par la figure Fig1.

Fig1 : Schéma bloc

3. SCHEMA DE PRINCIPE

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 Fig2 : Schéma de principe de la sirène
4. TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS
FABRICAN IDENTIF TECHNOLOGI UTILISATIO APPLI
T . E N .
PRINCIALE
NE555
IRF9540
HP
CONDENSATEU
R
RESISTANCE
DIODE
SWITCH

1. NE555
 Fabricant : TEXAS INSTRUMENTS

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  Technologie : TTL
 Utilisation : Timer de précision, temporisateur, …
 Application :
 Empreinte digitale biométrique,
 Iris Biométrique,
 Lecteur RFID
 Identification (xx555) : NE555, NA555, SA555, SE555, etc
 Courbes caractéristiques

*
Fig3 : Courant consommé en fonction de la tension d’alimentation du circuit

 Perspective

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2. IRF9540
 Fabrication : HARRIS Semiconuctor
 Identification :

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 Caractéristique Electrique et thermique

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 Perspective

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 5. FONCTIONNEMENT & COURBES
Le schéma ci-dessus est à base de deux circuits NE555 et un transistor MOSFET de
commande.
Le premier (IC1) est connecté comme un oscillateur avec des temps de charge et de décharge
fixés à environ 0,5 sec. Le condensateur C3 fixe la vitesse de variation. La diode D1 donne un
rapport cyclique de 50 % qui est essentiel si nous désirons une sonorité conforme à la sirène
britannique d'origine.
La sortie du circuit IC1 est reliée à l'entrée de tension de commande du second circuit (IC2)
par la résistance R1.
Lorsque la sortie d’IC1 est au niveau bas, IC2 oscille à une fréquence élevée et inversement
quand la sortie d’IC1 est au niveau haut. Le décalage en fréquence, ou profondeur de
modulation, est déterminé par la valeur de R5. Le condensateur C1 fixe la fréquence centrale
de la sirène.
Il est préférable de mettre un condensateur de sortie pour éviter d'envoyer une composante
continue sur le haut-parleur (50 Ω). Nous avons donc ici C4, qui vaut 100 microfarad, entre la
patte 3 de IC2 (+ de C4) et le HP.
La flexibilité de ce circuit intégré de minuterie NE555 est qu'il a une large plage de tension de
fonctionnement de +5 volts CC à +18 volts CC et qu'il peut absorber ou générer 200 mA de

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courant de charge. Le diagramme des broches de la minuterie 555 et le DIP sont indiqués ci-
dessous.
Un transistor MOSFET est un composant qui permet de commuter du courant, c'est-à-dire
laissé passer plus ou moins d’électrons entre deux électrodes en fonction d’une troisième. Il
peut être vu comme un interrupteur (tel un relais) ou une résistance variable. Sur notre
montage il fonctionne comme un interrupteur c’est à dire on appuis sur le bouton la sirène
sonne jusqu'à ce qu’on relâche le bouton la sirène arrête de sonné.
 COURBE

RA = 5 k RL = 1 k
RB = 3 k See Figure 12
C = 0.15 µF
Voltage − 1 V/div

t
H

tL Output Voltage

Capacitor Voltage

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 6. DATASHEET & DIMENSIONNEMENT
a. Caractéristiques maximales principales
- NE555
Paramètre Valeur
Tension d’alimentation 4,5V a 16V
Fréquence max 2MHz
Stabilité en température 0,005% par oC
Intensité maximal de sortie 200mA
Température de service 0 à 70oC
Puissance dissipée max 600mW
Compatible TTL, Rapport cyclique variable

- Transistor MOSFET (IRF9540)

Paramètre Symbole Valeur
Tension Drain Source VDS -100 V
Tension Drain Grille (RGS = 20 Kohms) VDGR -100 V
Courant Drain Continue ID -19 A
TC = 100oC ID -12 A
Courant Drain Pulsé IDM -76 A
Tension Grille Source VGS ±20 V
Puissance de dissipation max PD 150W
Facteur lineaire de declassement - 1 W/oC
Energie d’avalanche EAS 960mJ
Température de jonction TJ -55 a 175oC
TL 300oC
Temperature max de soudage
Tpkg 260oC

b. Boitier
- NE555

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 - Transistor MOSFET (IRF9540)

c. Brochage
- IRF9540

- NE555

d. Schéma interne

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 Schéma interne simplifié
e. Description des broches
Pin/ Broche Identification
1 GND
2 TRIG
3 OUT
4 RESET
5 CONT
6 THRES
7 DISCH
8 VCC
Description
Masse
Gâchette, amorce la temporisation – Détecte lorsque la tension
est inferieure a 1/3 de VCC
Signale de sortie
Remise à zéro, interruption de la temporisation
Accès a la référence, interruption de la temporisation
Déclenche la fin de la temporisation, lorsque la tension atteint
2/3 de VCC, en montant.
Borne servant à décharger le condensateur de temporisation
Tension d’alimentation, généralement entre 5 et 15V
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f. Schéma d’application
 IRF9540

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  NE555
- Monostable

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- Astable

- DIMENSIONNEMENT DE L’ASTABLE

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 7. TABLEAU DES COMPOSANTS

Désignation Description Fonction/ Rôle Valeur Remarque

R1 10K

R2 0,25W ; ±5% ;
Limitation du 8.2K
Résistances 250V ; a couche de
R3 courant et pull-up 8.2K
carbone
R4 68K

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R5 68K

R6 4.7K

C1 100nF

C2 100nF
Condensateur Pull-up Umax : 25V
C3 10microF

C4 100microF
Id : 9A
Transistor
Q1 Commutateur IRF9540 Pd : 150W
MOSFET
Vds : 100V

IC1 NE555 - Umax : 18V

Multivibrateur
Astable
IC2 NE555 - Umax : 18V

D1 Diode Redresseur 1N4007 URMS : 1000V

BOUTON POUSSOIR

SELECTIONNEUR SCHEMAS 6

8. TYPON

- Forme

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Page | 18
 9. ETUDE FINANCIERE

Description Quantité Prix unitaire Prix totale

Résistances 7 300 Fc 2100 Fc
Condensateur 4 1000 Fc 4000 Fc
Transistor MOSFET 1 2000 Fc 2000 Fc
NE555 2 1000 Fc 2000 Fc
Diode 1 500 Fc 500 Fc
Bouton poussoir 1 500 Fc 500 Fc
Eteins 2metre 1000 Fc 2000Fc
Carte 1/2 4000 Fc 2000 Fc
TOTAL 15 100 Fc
En dollar 5,5 $

10. CONCLUSION
Une sirène est un appareil sonore fort et typique. Il sert à alerter les personnes et à attirer
l’instant où divers véhicules équipés de sirènes sont utilisés, par exemple des VIP, et dans des
véhicules tels que des ambulances, des voitures de police et des camions de pompiers. Ce
circuit est utilisé pour générer un son à l'aide d'un simple Minuterie NE555 et un haut-parleur.
Le circuit intégré de minuterie NE555 est la puce populaire en raison de sa
multifonctionnalité et qui trouve une utilisation dans un large éventail d'applications allant des
domaines industriels, de l'électronique de puissance critique et bien plus encore.

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