DF160R12W2H3F_B11

EasyPACKModulmitschnellemTrench/FeldstoppHigh-Speed3IGBTundSiCDiodeundPressFIT/NTC
EasyPACKmodulewithfastTrench/FieldstopHigh-Speed3IGBTandSiCdiodeandPressFIT/NTC

VCES = 1200V
IC nom = 160A / ICRM = 320A

TypischeAnwendungen TypicalApplications
• SolarAnwendungen • Solarapplications

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• CoolSiC(TM)SchottkyDiodeGen5 • CoolSiC(TM)Schottkydiodegen5
• HighSpeedIGBTH3 • HighspeedIGBTH3
• NiedrigeSchaltverluste • Lowswitchinglosses
• thinQHSiCSchottky-Diode1200V • thinQHSiCSchottkydiode1200V

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• 3kVAC1minIsolationsfestigkeit • 3kVAC1mininsulation
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen • Al2O3substratewithlowthermalresistance
Widerstand
• IntegrierterNTCTemperaturSensor • IntegratedNTCtemperaturesensor
• KompaktesDesign • Compactdesign
• PressFITVerbindungstechnik • PressFITcontacttechnology

ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23

Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0

www.infineon.com 2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11

Bypass-Diode/Bypass-Diode
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TH = 60°C IFRMSM  50  A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TH = 60°C IRMSM  60  A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25°C 450 A
IFSM  
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150°C 360 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25°C 1000 A²s
I²t  
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 150°C 650 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 30 A VF 0,95 V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA
Reversecurrent
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
proDiode/perdiode RthJH 1,60 K/W
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

VerpolschutzDiodeA/Inverse-polarityprotectiondiodeA
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TH = 100°C IFRMSM  30  A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TH = 100°C IRMSM  60  A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25°C 290 A
IFSM  
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150°C 245 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25°C 420 A²s
I²t  
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 150°C 300 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 20 A VF 1,00 V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1200 V IR 0,10 mA
Reversecurrent
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
proDiode/perdiode RthJH 2,35 K/W
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Datasheet 2 V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11

IGBT-Chopper/IGBT-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
ImplementierterKollektor-Strom
ICN  40  A
Implementedcollectorcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom  20  A
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  80  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,55 1,70 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 1,70 V
IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 1,75 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,00 5,80 6,50 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 0,32 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,35 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,025 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,025 µs
RGon = 12 Ω Tvj = 150°C 0,028 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,01 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,012 µs
RGon = 12 Ω Tvj = 150°C 0,012 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,25 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,32 µs
RGoff = 12 Ω Tvj = 150°C 0,35 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,016 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,023 µs
RGoff = 12 Ω Tvj = 150°C 0,025 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C 0,26 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon 0,32 mJ
RGon = 12 Ω Tvj = 150°C 0,35 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C 0,80 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 3000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 1,20 mJ
RGoff = 12 Ω Tvj = 150°C 1,40 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 130 A
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
proIGBT/perIGBT RthJH 1,10 K/W
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Datasheet 3 V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11

Diode-Chopper/Diode-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF  15  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  30  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t  40,0  A²s
I²t-value

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,45 1,75 V
Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,75 V
IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,85 V
Rückstromspitze IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 5,00 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 5,00 A
Tvj = 150°C 5,00 A
Sperrverzögerungsladung IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,15 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 0,25 µC
Tvj = 150°C 0,25 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 15 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,03 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 0,03 mJ
Tvj = 150°C 0,03 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
proDiode/perdiode RthJH 1,57 K/W
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TNTC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

Datasheet 4 V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11

Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  3,0  kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
 Al2O3 
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 11,5
  mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 6,3
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
  mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 5,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI  > 200 
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
LsCE 20 nH
Strayinductancemodule
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
F 40 - 80 N
mountig force per clamp
Gewicht
G 36 g
Weight

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.

Datasheet 5 V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11

DurchlasskennliniederBypass-Diode(typisch) DurchlasskennliniederVerpolschutzDiodeA(typisch)
forwardcharacteristicofBypass-Diode(typical) forwardcharacteristicofInverse-polarityprotectiondiodeA
IF=f(VF) (typical)
IF=f(VF)

60 40
Tvj = 25°C Tvj = 25°C
55 Tvj = 150°C Tvj = 150°C
35
50

45 30

40
25
35
IF [A]

IF [A]
30 20

25
15
20

15 10

10
5
5

0 0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
VF [V] VF [V]

AusgangskennlinieIGBT-Chopper(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical) outputcharacteristicIGBT-Chopper(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C

40 40
Tvj = 25°C VGE = 19V
Tvj = 125°C VGE = 17V
Tvj = 150°C VGE = 15V
35 35 VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V

30 30

25 25
IC [A]

IC [A]

20 20

15 15

10 10

5 5

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VCE [V] VCE [V]

Datasheet 6 V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11

ÜbertragungscharakteristikIGBT-Chopper(typisch) SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch)
transfercharacteristicIGBT-Chopper(typical) switchinglossesIGBT-Chopper(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V

40 3,0
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
Tvj = 150°C Eon, Tvj = 150°C
35 Eoff, Tvj = 150°C
2,5

30

2,0
25

E [mJ]
IC [A]

20 1,5

15
1,0

10

0,5
5

0 0,0
5 6 7 8 9 10 11 0 5 10 15 20 25 30 35 40
VGE [V] IC [V]

SchaltverlusteIGBT-Chopper(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT-Chopper
switchinglossesIGBT-Chopper(typical) transientthermalimpedanceIGBT-Chopper
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJH=f(t)
VGE=±15V,IC=20A,VCE=600V

3,5 10
Eon, Tvj = 125°C ZthJH : IGBT
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
3,0 Eoff, Tvj = 150°C

2,5
1

2,0
ZthJH [K/W]
E [mJ]

1,5

0,1
1,0

0,5 i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,051 0,117 0,426 0,506
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,0 0,01
0 20 40 60 80 100 120 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

Datasheet 7 V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT-Chopper(RBSOA) DurchlasskennliniederDiode-Chopper(typisch)
reversebiassafeoperatingareaIGBT-Chopper(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode-Chopper(typical)
IC=f(VCE) IF=f(VF)
VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C

100 30
IC, Modul Tvj = 25°C
IC, Chip Tvj = 125°C
90 27 Tvj = 150°C

80 24

70 21

60 18
IC [A]

IF [A]
50 15

40 12

30 9

20 6

10 3

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VCE [V] VF [V]

SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch) SchaltverlusteDiode-Chopper(typisch)
switchinglossesDiode-Chopper(typical) switchinglossesDiode-Chopper(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=12Ω,VCE=600V IF=15A,VCE=600V

0,04 0,04
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 150°C
E [mJ]

E [mJ]

0,02 0,02

0,00 0,00
0 5 10 15 20 25 30 0 20 40 60 80 100 120
IF [A] RG [Ω]

Datasheet 8 V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11

TransienterWärmewiderstandDiode-Chopper NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
transientthermalimpedanceDiode-Chopper NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
ZthJH=f(t) R=f(T)

10 100000
ZthJH : Diode Rtyp

10000
ZthJH [K/W]

R[Ω]
1

1000

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,1713 0,409 0,5472 0,4425
τi[s]: 0,0007345 0,007657 0,07913 0,2711

0,1 100
0,001 0,01 0,1 1 10 0 20 40 60 80 100 120 140 160
t [s] TNTC [°C]

Datasheet 9 V3.0
2017-03-31
DF160R12W2H3F_B11

Schaltplan/Circuitdiagram

Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

In fin e o n

Datasheet 10 V3.0
2017-03-31
TrademarksofInfineonTechnologiesAG
µHVIC™,µIPM™,µPFC™,AU-ConvertIR™,AURIX™,C166™,CanPAK™,CIPOS™,CIPURSE™,CoolDP™,CoolGaN™,COOLiR™,
CoolMOS™,CoolSET™,CoolSiC™,DAVE™,DI-POL™,DirectFET™,DrBlade™,EasyPIM™,EconoBRIDGE™,EconoDUAL™,
EconoPACK™,EconoPIM™,EiceDRIVER™,eupec™,FCOS™,GaNpowIR™,HEXFET™,HITFET™,HybridPACK™,iMOTION™,
IRAM™,ISOFACE™,IsoPACK™,LEDrivIR™,LITIX™,MIPAQ™,ModSTACK™,my-d™,NovalithIC™,OPTIGA™,OptiMOS™,
ORIGA™,PowIRaudio™,PowIRStage™,PrimePACK™,PrimeSTACK™,PROFET™,PRO-SIL™,RASIC™,REAL3™,SmartLEWIS™,
SOLIDFLASH™,SPOC™,StrongIRFET™,SupIRBuck™,TEMPFET™,TRENCHSTOP™,TriCore™,UHVIC™,XHP™,XMC™

TrademarksupdatedNovember2015

OtherTrademarks
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