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Composants Actifs pour l’Électronique de

puissance
Master M1

Cyril B UTTAY

Laboratoire Ampère, Lyon, France

7 mars 2017

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Première partie I

Structure des composants de


puissance

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Sommaire

Introduction

Généralités

Structure des composants


Rappels
Cas de la diode bipolaire
Quelques composants commandables

Éléments de technologie

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Sommaire

Introduction

Généralités

Structure des composants


Rappels
Cas de la diode bipolaire
Quelques composants commandables

Éléments de technologie

4 / 154
Qui suis-je ?

I Chercheur CNRS au laboratoire Ampère, à l’INSA


I Sujet de recherche : électronique de puissance,
particulièrement le packaging pour la haute température.
I Contacts :
I Vous êtes bienvenus !
I (04 72 43) 79 63
I cyril.buttay@insa-lyon.fr
I Bureau : 3ieme étage, bât L de Vinci

5 / 154
Qui suis-je ?

I Chercheur CNRS au laboratoire Ampère, à l’INSA


I Sujet de recherche : électronique de puissance,
particulièrement le packaging pour la haute température.
I Contacts :
I Vous êtes bienvenus !
I (04 72 43) 79 63
I cyril.buttay@insa-lyon.fr
I Bureau : 3ieme étage, bât L de Vinci

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De quoi va t-on parler ?

Des composants actifs (diodes, transistors, . . .) de puissance


I leur structure
I leur fabrication, leur technologie
I leurs différences

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Objectifs de cette présentation

Savoir choisir un composant actif de puissance

I Grandeurs associées aux composants actifs de puissance


I En connaître les différentes familles

Vous donner des éléments de technologie

I Savoir comment est fabriqué un composant


I Voir l’influence de la fabrication sur les performances

Discuter un peu des développements futurs

I Quels sont les axes de recherche ?


I Quelles sont les évolutions à venir ?

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Tendances de l’électronique de puissance

Nouvelles applications

Énergies renouvelables
I Adaptation de sources au réseau
I 6= tensions
I DC vers AC ou variation de fréquence
I Optimisation de la source
Source :wikipedia I Point de fonctionnement optimal

Automobile

Aéronautique

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Tendances de l’électronique de puissance

Nouvelles applications

Énergies renouvelables

Automobile

I Véhicules hybrides/électriques
I Haut rendement
I Bas coût Source : wikipedia

Aéronautique

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Tendances de l’électronique de puissance

Nouvelles applications

Énergies renouvelables

Automobile

Aéronautique
I Augmentation de la puissance
embarquée (1 MW)
I Haute fiabilité
Source : Airbus I environnement sévère

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Tendances de l’électronique de puissance

Élargissement des domaines d’application

mW-W W-kW kW-MW MW-GW

Téléphone portable Source : wikipedia Alim. de portable Source : wikipedia Variateur de vitesse Source : wikipedia Station du réseau HVDC néo-zélandais (350 kV) Source : wikipedia

I Mêmes principes à toutes les échelles


I Multiplication des convertisseurs
I Apport de nouvelles fonctionnalités au système
I vitesse variable
I véhicule hybride
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Tendances de l’électronique de puissance
Amélioration des performances

Compacité
I Augmentation des densités de puissance
I Augmentation de tension/courant/fréquence

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Tendances de l’électronique de puissance
Amélioration des performances

Compacité
I Augmentation des densités de puissance
I Augmentation de tension/courant/fréquence

Rendement
I Réduction des pertes, donc du refroidissement
I Augmentation d’autonomie. . .

10 / 154
Tendances de l’électronique de puissance
Amélioration des performances

Compacité
I Augmentation des densités de puissance
I Augmentation de tension/courant/fréquence

Rendement
I Réduction des pertes, donc du refroidissement
I Augmentation d’autonomie. . .

Fiabilité
I Résistance au cyclage thermique
I Très longue durée de vie (30 ans)

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Sommaire

Introduction

Généralités

Structure des composants


Rappels
Cas de la diode bipolaire
Quelques composants commandables

Éléments de technologie

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Électronique de signal et électronique de puissance

Électronique signal : Électronique de puissance :


I Notion principale : I Notion principale :
le signal le rendement
I Objectif : traiter l’information I Objectif : convertir la
sans la dégrader puissance sans en perdre
I amplification I abaisser la tension
I numérisation I changer la fréquence
I etc. I etc.

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Électronique de signal et électronique de puissance

Électronique signal : Électronique de puissance :


I Notion principale : I Notion principale :
le signal le rendement
I Objectif : traiter l’information I Objectif : convertir la
sans la dégrader puissance sans en perdre
I amplification I abaisser la tension
I numérisation I changer la fréquence
I etc. I etc.

12 / 154
Électronique de signal et électronique de puissance

Électronique signal : Électronique de puissance :


I Notion principale : I Notion principale :
le signal le rendement
I Objectif : traiter l’information I Objectif : convertir la
sans la dégrader puissance sans en perdre
I amplification I abaisser la tension
I numérisation I changer la fréquence
I etc. I etc.

12 / 154
Électronique de signal et électronique de puissance

Électronique signal : Électronique de puissance :


I Notion principale : I Notion principale :
le signal le rendement
I Objectif : traiter l’information I Objectif : convertir la
sans la dégrader puissance sans en perdre
I amplification I abaisser la tension
I numérisation I changer la fréquence
I etc. I etc.

Traitement de Conversion de
I 1, v 1 l'information I 2, v 2 P1 puissance η P2

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Électronique de puissance = commutation

V
2 états stables :
I Passant (interrupteur fermé)
I V =0
I I 6= 0
I Bloqué (interrupteur ouvert)
I V 6= 0
I I=0

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Électronique de puissance = commutation

V
2 états stables :
I Passant (interrupteur fermé)
I V =0 Dans les deux états, pas de
I I 6= 0 puissance dissipée :
I Bloqué (interrupteur ouvert) P = VI = 0
I V 6= 0
I I=0

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Les 4 quadrants

I I

V
Représentation dans le plan (I, V )
I état bloqué
V I état passant

14 / 154
Les 4 quadrants

I I

V
Représentation dans le plan (I, V )
I état bloqué
V I état passant

14 / 154
Les 4 quadrants

I I

V
Représentation dans le plan (I, V )
I état bloqué
V I état passant

14 / 154
Les 4 quadrants

I I

V
Représentation dans le plan (I, V )
I état bloqué
V I état passant
Tous les composants ne
fonctionnent pas dans les 4
quadrants !

14 / 154
Les 4 quadrants – exemple de la diode

I I attention aux ordres de


grandeur :
I tension de seuil
≈1V
I tension de claquage
100-10000 V
V courant de fuite
I

nA-µA
I courant direct :
1-1000 A

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Les 4 quadrants – exemple de la diode

I Caractéristique I attention aux ordres de


directe grandeur :
I tension de seuil
≈1V
I tension de claquage
100-10000 V
V courant de fuite
I

nA-µA
I courant direct :
Caractéristique
1-1000 A
inverse

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Les 4 quadrants – exemple de la diode

I Caractéristique I attention aux ordres de

n
cond s en
grandeur :
uctio
Pertes à directe
l'état bloqué I tension de seuil
Perte

≈1V
I tension de claquage
100-10000 V
V courant de fuite
I

nA-µA
I courant direct :
Caractéristique
1-1000 A
inverse

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Les 4 quadrants – exemple de la diode

I Caractéristique I attention aux ordres de

n
cond s en
grandeur :
uctio
Pertes à directe
l'état bloqué I tension de seuil
Perte

≈1V
Tension de
claquage
I tension de claquage
100-10000 V
Tension
Courant
V courant de fuite
I
de seuil
de fuite nA-µA
I courant direct :
Caractéristique
1-1000 A
inverse

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La commutation

Les commutations
causent :
I pertes
I perturbations EM
Elles dépendent des
composants mais aussi
du circuit

image source : “Dispositifs de l’électronique de puissance”, J.


Arnould et P. Merle, 1992, Hermès, Paris, tome 1, p 36)

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Géométrie des composants de puissance

I 1 ou 2 électrodes au-dessus, une


en-dessous
I 50-400 µm d’épaisseur,
1-10000 mm2 de de surface
I surface ∝ courant direct
I épaisseur dépend de la tension
et de la fabrication
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Dimensions des composants

Les schémas de structure ne sont jamais à


l’échelle !

18 / 154
Dimensions des composants

Les schémas de structure ne sont jamais à


l’échelle !
attention aussi aux structures cellulaires (on
ne représente qu’une cellule)
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Familles de composants

Attention : tous les composants existants ne sont pas représentés !

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Sommaire

Introduction

Généralités

Structure des composants


Rappels
Cas de la diode bipolaire
Quelques composants commandables

Éléments de technologie

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Rappels de physique du semiconducteur – le dopage
intrinsèque

I l’agitation thermique crée des paires électrons-trous


−Eg
ni ∝ e 2kT , k constante de Boltzmann, T température absolue, Eg
largeur de bande interdite. pour Si, ni ≈ 1010 cm−3 à 300K
I ajout d’atomes pentavalents (donneurs) : excès d’électrons, dopage N
I ajout d’atomes trivalents (accepteurs) : excès de trous, dopage P

I Ordres de grandeur : Si : 1023 atomes/cm3 . Densité de dopants : 1016 à


1019 /cm3
images wikipedia modifiées : semiconducteur intrinsèque, type N et type P.

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Rappels de physique du semiconducteur – le dopage
intrinsèque dopé N
− − −

− − −
− P − Si − Si

− − − − − −

− − −
− Si − Si − Si

− − − − − −

− − −
− Si − P − Si

− − − − − −

− − −
− Si − Si − Si

− − −

I l’agitation thermique crée des paires électrons-trous


−Eg
ni ∝ e 2kT , k constante de Boltzmann, T température absolue, Eg
largeur de bande interdite. pour Si, ni ≈ 1010 cm−3 à 300K
I ajout d’atomes pentavalents (donneurs) : excès d’électrons, dopage N
I ajout d’atomes trivalents (accepteurs) : excès de trous, dopage P

I Ordres de grandeur : Si : 1023 atomes/cm3 . Densité de dopants : 1016 à


1019 /cm3
images wikipedia modifiées : semiconducteur intrinsèque, type N et type P.

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Rappels de physique du semiconducteur – le dopage
intrinsèque dopé N dopé P
− − −

− − −
− P − Si − Si

− − − − − −

− − −
− Si − Si − Si

− − − − − −

− − −
− Si − P − Si

− − − − − −

− − −
− Si − Si − Si

− − −

I l’agitation thermique crée des paires électrons-trous


−Eg
ni ∝ e 2kT , k constante de Boltzmann, T température absolue, Eg
largeur de bande interdite. pour Si, ni ≈ 1010 cm−3 à 300K
I ajout d’atomes pentavalents (donneurs) : excès d’électrons, dopage N
I ajout d’atomes trivalents (accepteurs) : excès de trous, dopage P

I Ordres de grandeur : Si : 1023 atomes/cm3 . Densité de dopants : 1016 à


1019 /cm3
images wikipedia modifiées : semiconducteur intrinsèque, type N et type P.

21 / 154
Rappels de physique du semiconducteur – le dopage
intrinsèque dopé N dopé P
− − −

− − −
− P − Si − Si

− − − − − −

− − −
− Si − Si − Si

− − − − − −

− − −
− Si − P − Si

− − − − − −

− − −
− Si − Si − Si

− − −

I l’agitation thermique crée des paires électrons-trous


−Eg
ni ∝ e 2kT , k constante de Boltzmann, T température absolue, Eg
largeur de bande interdite. pour Si, ni ≈ 1010 cm−3 à 300K
I ajout d’atomes pentavalents (donneurs) : excès d’électrons, dopage N
I ajout d’atomes trivalents (accepteurs) : excès de trous, dopage P

I Ordres de grandeur : Si : 1023 atomes/cm3 . Densité de dopants : 1016 à


1019 /cm3
images wikipedia modifiées : semiconducteur intrinsèque, type N et type P.

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Rappels de physique du semiconducteur – electrons et trous 1



− − −

− −

+ + - +
- -
− − − − − −
− P − Si − Si − P − Si − Si

− − − − − − − − − − − −

+ + -+
− − − − − −
− Si − Si − Si − Si − Si − Si

- - -
− − − − − − − − − − − −
− −

− − − − − −
Si P Si Si P Si

+- + +
− − − − − −

− − − − − − − − − − − −

− − − − − −
Si Si Si Si Si Si

- - -
− − − − − −

− − − − − − − − − − − −
− −

+ -+ +
− − − − − −
− P − Si − Si − P − Si − Si

− − − − − − − − − − − −

− − − − − −
− Si − Si − Si − Si − Si − Si

− − − −

− − − − − −

− − I Charges positives fixes
− − − − − −
Si P Si Si P Si
− − − − − −
I Charges négatives mobiles
− − − − − − − − − − − −

− Si

− Si

− Si

− Si

− Si

− Si
− I au repos, neutralité électrique
− − − − − −
I électrons évacuées : charge
d’espace positive
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Rappels de physique du semiconducteur – electrons et trous 1


P



Si


Si


P



Si


Si

+ + +
− − − − − − − − − − − −

+ + +
− − − − − −
− Si − Si − Si − Si − Si − Si

− − − − − − − − − − − −
− −

− − − − − −
− Si − P − Si − Si − P − Si

+ + +
− − − − − − − − − − − −

− − − − − −
− Si − Si − Si − Si − Si − Si

− − − − − − − − − − − −
− −

− − − − − −
P Si Si P Si Si

+ + +
− − − − − −

− − − − − − − − − − − −

− − − − − −
− Si − Si − Si − Si − Si − Si

− − − −

− − − − − −

− − I Charges positives fixes
− − − − − −
Si P Si Si P Si
− − − − − −
I Charges négatives mobiles
− − − − − − − − − − − −

− Si

− Si

− Si

− Si

− Si

− Si
− I au repos, neutralité électrique
− − − − − −
I électrons évacuées : charge
d’espace positive
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Rappels de physique du semiconducteur – electrons et trous 2

Si

Si

B

Si

Si

B
- -+-
+
− − − − − −

+
- - +-
− − − − − − − − − − − −

− − − − − −
− Si − Si − Si − Si − Si − Si

− − − − − − − − − − − −

Si

B Si

Si

B Si

+ +
+
− − − − − −


− −

Si


− −

Si


− −

Si


− −

Si


− −

Si


− −

Si

- - -
+
− − − − − − − − − − − −

+ + +
-+- -
− − − −
− Si − Si − B − Si − Si − B

− − − − − − − − − − − −

− − − − − −
− Si − Si − Si − Si − Si − Si

− − − − − − − − − − − − I Charges négatives fixes


− − − −
Si B Si Si B Si
− − − − − −
I Charges positives mobiles
− − − − − − − − − − − −

− Si

− Si

− Si

− Si

− Si

− Si
− I au repos, neutralité électrique
− − − − − −
I trous évacuées : charge d’espace
négative
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Rappels de physique du semiconducteur – electrons et trous 2


Si


Si


B −

Si


Si


B
- - -
- - -
− − − − − − − − − − − −

− − − − − −
− Si − Si − Si − Si − Si − Si

− − − − − − − − − − − −

− − − −
− Si − B − Si − Si − B − Si


− −

Si

− −


− −

Si

− −


− −

Si

− −


− −

Si

− −


− −

Si

− −


− −

Si

− −

- - -
- - -
− − − −
− Si − Si − B − Si − Si − B

− − − − − − − − − − − −

− − − − − −
− Si − Si − Si − Si − Si − Si

− − − − − − − − − − − − I Charges négatives fixes


− − − −
Si B Si Si B Si
− − − − − −
I Charges positives mobiles
− − − − − − − − − − − −

− Si

− Si

− Si

− Si

− Si

− Si
− I au repos, neutralité électrique
− − − − − −
I trous évacuées : charge d’espace
négative
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Rappels de physique du semiconducteur zone de charge d’espace
Exemple dopage N déserté
+ + + + + + + + + + + +

E
x

V
x

Z x
I Densité de dopants : ND (resp. NA ) q q
E(x) = ND dx = ND x
I  permittivité électrique 0  
I q charge électronique
I on considère une structure
Z x
q
unidimensionnelle selon x V (x) = E(x)dx = ND x 2
0 2

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Rappels de physique du semiconducteur – La circulation des charges
Courant de dérive

Jn = qµn nE
Jp = qµp pE
Jdrift = Jn + Jp
pour Si, µn ≈ 3µp
n densité d’électrons libres, p densité de trous, µ mobilité, E champ
électrique, J densité de courant, D constante de diffusion
source : “Physique des composants actifs à semiconducteurs”, P. Leturq, 1978, Dunod, Paris

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Rappels de physique du semiconducteur – La circulation des charges
Courant de dérive Courant de diffusion

causé par un gradient de densité


Jn = qµn nE
de charges
Jp = qµp pE dn
Jn = qDn dx
Jdrift = Jn + Jp dp
Jp = −qDp dx
pour Si, µn ≈ 3µp
Jdiff = Jn + Jp
n densité d’électrons libres, p densité de trous, µ mobilité, E champ
électrique, J densité de courant, D constante de diffusion
source : “Physique des composants actifs à semiconducteurs”, P. Leturq, 1978, Dunod, Paris

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Rappels de physique du semiconducteur – courant de diffusion

Analogie : tas de sable Dans le cas des charges :


I pas d’effet de la pesanteur
I mouvement causé par
l’agitation thermique

I sous l’effet de vibrations, le tas


s’aplatit
I probabilité identique qu’un
grain aille à gauche ou à droite
I mouvement net vers la droite

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Rappels de physique du semiconducteur – courant de diffusion

Analogie : tas de sable Dans le cas des charges :


I pas d’effet de la pesanteur
I mouvement causé par
l’agitation thermique

I sous l’effet de vibrations, le tas


s’aplatit
I probabilité identique qu’un
grain aille à gauche ou à droite
I mouvement net vers la droite

26 / 154
Rappels de physique du semiconducteur – courant de diffusion

Analogie : tas de sable Dans le cas des charges :


I pas d’effet de la pesanteur
I mouvement causé par
l’agitation thermique

I sous l’effet de vibrations, le tas


s’aplatit
I probabilité identique qu’un
grain aille à gauche ou à droite
I mouvement net vers la droite

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Rappels de physique du semiconducteur – courant de diffusion

Analogie : tas de sable Dans le cas des charges :


I pas d’effet de la pesanteur
I mouvement causé par
l’agitation thermique

I sous l’effet de vibrations, le tas


s’aplatit
I probabilité identique qu’un
grain aille à gauche ou à droite
I mouvement net vers la droite

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Rappels de physique du semiconducteur – résistivité et conduction
La conduction est assurée par les charges mobiles
2 mécanismes :

I Variation de résistivité par


injection de charges
(=modulation)
I Temporaire, réversible
I Présence simultanée des
I Définition de résistivité par deux types de porteurs libres
dopage (électrons et trous)
I Paramètre permanent I Effet très important dans les
I Seul mécanisme dans les composants bipolaires (= à
composants unipolaires (= à porteurs minoritaires, ex :
porteurs majoritaires, ex : IGBT, diode)
MOSFET)
Source : “Power Semiconductor Devices”, B. J. Baliga, PWS publishing company, 1995
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Rappels de physique du semiconducteur – résistivité et conduction
La conduction est assurée par les charges mobiles
2 mécanismes :

I Variation de résistivité par


injection de charges
(=modulation)
I Temporaire, réversible
I Présence simultanée des
I Définition de résistivité par deux types de porteurs libres
dopage (électrons et trous)
I Paramètre permanent I Effet très important dans les
I Seul mécanisme dans les composants bipolaires (= à
composants unipolaires (= à porteurs minoritaires, ex :
porteurs majoritaires, ex : IGBT, diode)
MOSFET)
Source : “Power Semiconductor Devices”, B. J. Baliga, PWS publishing company, 1995
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Jonction PN au repos
zone de charge d'espace

région neutre région neutre


Gradient de dopage Ü diffusion
I équilibre Ü neutralité
p-doped n-doped
Z x2
qN(x).dx = 0
x1 x2 x x1
Champ électrique

Q
NA x1 = ND x2
qND
Densité de charges

x
I champ nul hors ZCE
E = − dV
dx = 0 en x1 et x2
-qNA

E
Champ électrique
I champ max en x=0
Emax = q NA x1 = q ND x2
x

I Un potentiel se développe :
Emax

V
∆V = 12 Emax (x2 − x1 )
built-in
Potentiel électrique
voltage source : modifié à partir de wikipedia
x

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Polarisation inverse
zone de charge d'espace

région neutre région neutre

I lorsque V augmente, la
p-doped n-doped
zone désertée s’élargit
I si les dopages sont
x1 x2 x
asymétriques, la zone la
Champ électrique
moins dopée supporte la
Q
Densité de charges
qND
plus grande tension
x I limite : champ de claquage
-qNA I un matériau moins dopé
E
Champ électrique supporte une plus forte
x tension à Emax équivalent
source : modifié à partir de wikipedia
Emax

V
built-in
Potentiel électrique
voltage

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Polarisation inverse
zone de charge d'espace

région neutre région neutre

I lorsque V augmente, la
- p-doped n-doped
+ zone désertée s’élargit
I si les dopages sont
x1 x2 x
asymétriques, la zone la
Champ électrique
moins dopée supporte la
Q
Densité de charges
qND
plus grande tension
x I limite : champ de claquage
-qNA I un matériau moins dopé
E
Champ électrique supporte une plus forte
x tension à Emax équivalent
source : modifié à partir de wikipedia

V
Emax Tension
Potentiel électrique
inverse

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Polarisation inverse
zone de charge d'espace
région
région neutre neutre

I lorsque V augmente, la
- p-doped n-doped
+ zone désertée s’élargit
I si les dopages sont
x1 x2 x
asymétriques, la zone la
Champ électrique
moins dopée supporte la
Q
Densité de charges
qND
plus grande tension
x I limite : champ de claquage
-qNA I un matériau moins dopé
E
Champ électrique supporte une plus forte
x tension à Emax équivalent
source : modifié à partir de wikipedia

V
Emax Tension
Potentiel électrique
inverse

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Polarisation inverse
zone de charge d'espace
région
région neutre neutre

I lorsque V augmente, la
- p-doped n-doped
+ zone désertée s’élargit
I si les dopages sont
x1 x2 x
asymétriques, la zone la
Champ électrique
moins dopée supporte la
Q
Densité de charges
qND
plus grande tension
x I limite : champ de claquage
-qNA I un matériau moins dopé
E
Champ électrique supporte une plus forte
x tension à Emax équivalent
source : modifié à partir de wikipedia

V
Emax Tension
Potentiel électrique
inverse

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Exercices
On considère une jonction PN avec des dopages P (NA ) très
largement supérieurs au dopage N (ND )
I dessinez le profil du champ électrique de cette jonction.
On nommera −Emax la valeur de E à l’interface P/N
I donnez l’expression de E(x) en considérant x = 0 à
l’interface P/N
I donnez l’expression de la largeur de la zone de charge
d’espace w
I donnez l’expression de la tension supportée par la jonction
En considérant r = 11, 7 pour le silicium,
0 = 8.85.10−14 F .cm−1 , q = −1.6.10−19 C, un niveau de
dopage de 1014 .cm−3 et un champ de claquage
EBD = 2.105 V .cm−1
I Donnez la largeur de la zone de charge d’espace et la
tension maximale que cette jonction peut supporter.
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Sommaire

Introduction

Généralités

Structure des composants


Rappels
Cas de la diode bipolaire
Quelques composants commandables

Éléments de technologie

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La diode bipolaire, base des composants actifs

I présente dans (presque) toutes les structures


I Jonction PN avec zone faiblement dopée N
(N − , ν ou i pour intrinsèque)
I Responsable de la tenue en tension du composant

32 / 154
La diode bipolaire, base des composants actifs

I présente dans (presque) toutes les structures


I Jonction PN avec zone faiblement dopée N
(N − , ν ou i pour intrinsèque)
I Responsable de la tenue en tension du composant

32 / 154
Polarisation directe

Dopage Courant de trous Courant d'électrons


(cm-3)

Anode Cathode

N+
P +
ν, N
-

I à faible courant, forte résistivité de la couche ν (faible dopage)


I à fort courant, les zones P+ et N+ injectent des porteurs dans la
zone ν (modulation)
I beaucoup plus de porteurs libres Ü fort dopage apparentÜ
faible résistivité
I ces charges devront être évacuées lors de l’ouverture de la diode
Ü recouvrement
I Il y a un compromis entre diodes rapides (faible recouvrement)
et faibles pertes en conduction (forte modulation)
Ü recombinaison des porteurs, non traitée ici.
33 / 154
Polarisation directe

Dopage Courant de trous Courant d'électrons


(cm-3)

Anode Courant d'électrons Cathode


et de trous

N+
P +
ν, N -

I à faible courant, forte résistivité de la couche ν (faible dopage)


I à fort courant, les zones P+ et N+ injectent des porteurs dans la
zone ν (modulation)
I beaucoup plus de porteurs libres Ü fort dopage apparentÜ
faible résistivité
I ces charges devront être évacuées lors de l’ouverture de la diode
Ü recouvrement
I Il y a un compromis entre diodes rapides (faible recouvrement)
et faibles pertes en conduction (forte modulation)
Ü recombinaison des porteurs, non traitée ici.
33 / 154
Polarisation directe

Dopage Courant de trous Courant d'électrons


(cm-3)

Anode Courant d'électrons Cathode


et de trous

N+
P +
ν, N -

I à faible courant, forte résistivité de la couche ν (faible dopage)


I à fort courant, les zones P+ et N+ injectent des porteurs dans la
zone ν (modulation)
I beaucoup plus de porteurs libres Ü fort dopage apparentÜ
faible résistivité
I ces charges devront être évacuées lors de l’ouverture de la diode
Ü recouvrement
I Il y a un compromis entre diodes rapides (faible recouvrement)
et faibles pertes en conduction (forte modulation)
Ü recombinaison des porteurs, non traitée ici.
33 / 154
Polarisation directe

Dopage Courant de trous Courant d'électrons


(cm-3)

Anode Courant d'électrons Cathode


et de trous

N+
P +
ν, N -

I à faible courant, forte résistivité de la couche ν (faible dopage)


I à fort courant, les zones P+ et N+ injectent des porteurs dans la
zone ν (modulation)
I beaucoup plus de porteurs libres Ü fort dopage apparentÜ
faible résistivité
I ces charges devront être évacuées lors de l’ouverture de la diode
Ü recouvrement
I Il y a un compromis entre diodes rapides (faible recouvrement)
et faibles pertes en conduction (forte modulation)
Ü recombinaison des porteurs, non traitée ici.
33 / 154
Polarisation directe

Dopage Courant de trous Courant d'électrons


(cm-3)

Anode Courant d'électrons Cathode


et de trous

N+
P +
ν, N -

I à faible courant, forte résistivité de la couche ν (faible dopage)


I à fort courant, les zones P+ et N+ injectent des porteurs dans la
zone ν (modulation)
I beaucoup plus de porteurs libres Ü fort dopage apparentÜ
faible résistivité
I ces charges devront être évacuées lors de l’ouverture de la diode
Ü recouvrement
I Il y a un compromis entre diodes rapides (faible recouvrement)
et faibles pertes en conduction (forte modulation)
Ü recombinaison des porteurs, non traitée ici.
33 / 154
Paramètres de conception

Objectif : créer une diode avec la plus forte tenue en tension


inverse, et la plus faible chute de tension en direct
Dopage
(cm-3)
Une diode polarisée en inverse
Anode Cathode
I La surface colorée ∝ V
N+
P+ ν, N-
I les pentes de E ∝ dopage
I lorsque V augmente, la ZCE
s’étend
E
I si Emax >Ecritique : claquage
I si on réduit le dopage de la
zone ν, E diminue

34 / 154
Paramètres de conception

Objectif : créer une diode avec la plus forte tenue en tension


inverse, et la plus faible chute de tension en direct
Dopage
(cm-3)
Une diode polarisée en inverse
Anode Cathode
I La surface colorée ∝ V
N+
P+ ν, N-
I les pentes de E ∝ dopage
I lorsque V augmente, la ZCE
s’étend
E
I si Emax >Ecritique : claquage
Champ critique
I si on réduit le dopage de la
zone ν, E diminue

34 / 154
Paramètres de conception

Objectif : créer une diode avec la plus forte tenue en tension


inverse, et la plus faible chute de tension en direct
Dopage
(cm-3)
Une diode polarisée en inverse
Anode Cathode
I La surface colorée ∝ V
N+
P+ ν, N-
I les pentes de E ∝ dopage
I lorsque V augmente, la ZCE
s’étend
E
I si Emax >Ecritique : claquage
Champ critique
I si on réduit le dopage de la
zone ν, E diminue

34 / 154
Paramètres de conception

Objectif : créer une diode avec la plus forte tenue en tension


inverse, et la plus faible chute de tension en direct
Dopage
(cm-3)
Une diode polarisée en inverse
Anode Cathode
I La surface colorée ∝ V
N+
P+ ν, N-
I les pentes de E ∝ dopage
I lorsque V augmente, la ZCE
s’étend
E
I si Emax >Ecritique : claquage
Champ critique
I si on réduit le dopage de la
zone ν, E diminue

Paramètres de conception :
I Niveau de dopage ND de la zone ν (définit le profil de E)
I Largeur W de la zone ν (modifie la “résistance” en direct)
I Tension à supporter en inverse
34 / 154
Exercices
On considère une jonction PνN avec un dopage P et N+ très
largement supérieur au dopage ν (ND )
I dessinez le profil du champ électrique de cette jonction, en
considérant que la zone de charge d’espace remplit
largement la couche ν. On nommera −Emax la valeur de E
à l’interface P/ν et −E2 la valeur de E à l’interface ν/N+
I donnez l’expression de E(x) en fonction de Emax en
considérant x = 0 à l’interface P/ν
I donnez l’expression de la tension supportée par la jonction
En considérant r = 11, 7 pour le silicium,
0 = 8.85.10−14 F .cm−1 , q = 1.6.10−19 C, un niveau de
dopage de 1014 .cm−3 et un champ de claquage
EBD = 2.105 V .cm−1
I Donnez la tension maximale que cette jonction peut
supporter pour une largeur de zone ν de 100 µm
35 / 154
Optimisation de la structure

I ligne diagonale :
limite du champ
critique, structure PN
I Courbes
horizontales :
structure PνN
image source : “Dispositifs de l’électronique de puissance”, J. Arnould et
P. Merle, 1992, Hermès, Paris, tome 1, p 235)

36 / 154
Optimisation de la structure – 2

image source : “Dispositifs de l’électronique de puissance”, J. Arnould et P. Merle, 1992, Hermès, Paris, tome 1, p 236-237)

37 / 154
Protections périphériques

I Champ électrique supporté par le silicium : 20 V/µm, dans l’air : 2


à 6 V/µm
I Création de défauts cristallins lors de la découpe des puces
I Dispositifs spécifiques en périphérie pour supporter la tension
I objectif : assurer l’étalement des lignes de champ électrique
dans tout le composant
38 / 154
Protections périphériques

I Champ électrique supporté par le silicium : 20 V/µm, dans l’air : 2


à 6 V/µm
I Création de défauts cristallins lors de la découpe des puces
I Dispositifs spécifiques en périphérie pour supporter la tension
I objectif : assurer l’étalement des lignes de champ électrique
dans tout le composant
38 / 154
Protections périphériques

I Champ électrique supporté par le silicium : 20 V/µm, dans l’air : 2


à 6 V/µm
I Création de défauts cristallins lors de la découpe des puces
I Dispositifs spécifiques en périphérie pour supporter la tension
I objectif : assurer l’étalement des lignes de champ électrique
dans tout le composant
38 / 154
Protections périphériques

I Champ électrique supporté par le silicium : 20 V/µm, dans l’air : 2


à 6 V/µm
I Création de défauts cristallins lors de la découpe des puces
I Dispositifs spécifiques en périphérie pour supporter la tension
I objectif : assurer l’étalement des lignes de champ électrique
dans tout le composant
38 / 154
Comportement dynamique

Dopage Courant de trous Courant d'électrons


(cm-3)

Anode Courant d'électrons Cathode


et de trous

N +

P+ ν, N-

I Les charges injectées durant


la conduction doivent être
évacuées
Ü Phénomène de recouvrement
I Réduction du recouvrement Ü
dégradation conduction
image source : “Dispositifs de l’électronique de puissance”, J. Arnould et P. Merle, 1992,
Hermès, Paris, tome 1

39 / 154
Diodes – Résumé

En résumé :
I Une diode supporte une forte tension si :
I Elle possède une zone faiblement dopée et relativement
large
I Elle aura de faibles pertes en conduction si :
I on a une forte modulation dans la zone faiblement dopée,
et que celle-ci est étroite (durée de vie des porteurs)
I Elle aura de faibles pertes en commutation si :
I il y a peu de modulation de la zone faiblement dopée
(recouvrement faible)

40 / 154
Sommaire

Introduction

Généralités

Structure des composants


Rappels
Cas de la diode bipolaire
Quelques composants commandables

Éléments de technologie

41 / 154
Domaines d’utilisation
Tension

Thyristor

GTO

7 kV et plus

6 kV

5 kV
Courant

4 kV 100 Hz

3 kV
IGBT 1 kHz

2 kV 10 kHz

1 kV 100 kHz
MOSFET
0 1 MHz and more
0 200 A 1 kA 2 kA 2.2 kA
and more
Fréquence
Note : tous les composants ne sont pas représentés, et les limites évoluent
constamment !

42 / 154
caractéristique d’un composant pilotable

I
Passant
I 2, 3 ou 4 quadrants suivant le
type d’interrupteur
I pilotables à l’ouverture (GTO),
Bloqué
à la fermeture (Thyristor) ou
V aux deux (transistor)
I la caractéristique varie suivant
le niveau sur l’électrode de
I commande

43 / 154
caractéristique d’un composant pilotable

I
I 2, 3 ou 4 quadrants suivant le
type d’interrupteur
I pilotables à l’ouverture (GTO),
à la fermeture (Thyristor) ou
V aux deux (transistor)
I la caractéristique varie suivant
le niveau sur l’électrode de
I commande

43 / 154
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
Grille

Source
Source Oxyde Grille
Drain
N+ N+
P+ P+

N+ N+
N-
P
N+
I Interrupteur à grille isolée
Canal Drain
I Création d’un canal par
inversion
I Version électronique de
puissance
I Version planaire très courante
en microélectronique
I Même principe, mais large
zone N− pour tenir la tension
I “pliage” de la structure pour la
rendre verticale
44 / 154
MOSFET – caractéristique directe

I Vth : tension de seuil, VGS tension grille source (= de commande)


I fonctionnement nominal : zone linéaire, à VGS élevé
I Comportement résistif : VDS = RDSon × ID dans la zone linéaire 45 / 154
Exercices

Sur la caractéristique précédente, que l’on considérera graduée


en ampères sur l’axe y :
I Indiquez où se trouve la caractéristique à l’état bloqué
I Indiquez la caractéristique à l’état passant à préférer
I Vaut-il mieux travailler en régime linéaire ou saturé ?
I Donnez les pertes en conduction minimales à 10 A. à
quelles condition sont-elles obtenues ?
I Calculez le RDSon du MOSFET.

46 / 154
MOSFET – contributions à la résistance à l’état passant

Source Grille I Composant unipolaire : pas de


modulation
RS Ü résistivité définie par le
dopage
Rch I RS : résistance de source (y
Rn compris externe)
I Rch : résistance du canal
(modulée par la grille)
I Rn : résistance de la zone N−
RD
Drain I RD résistance de drain (y
compris externe)

47 / 154
MOSFET – structure cellulaire

La composante Rch est proportionnelle à la largeur de canal du


MOSFET
Ü structure cellulaire pour augmenter la densité de canal

I Différentes géométries existantes (cellules carrées,


hexagonales, en bandes. . .)
I Réduction de la taille cellulaire pour augmenter encore la
densité (1-2 µm par cellule actuellement)

48 / 154
MOSFET – compromis tenue en tension/résistance
MOS idéal
MOS idéal avec une résistance de câblage de 500 µΩ
10.0 MOS commercialisés en 2004 (résistance spécifique estimée)
Résistance spécifique (Ω.cm2)

1.0

100.0 m

10.0 m

1.0 m

100.0 u
10 V 100 V 1 kV
Tension de claquage (V)

I Basse tension : connectique, canal prépondérants


I Haute tension : zone N− prépondérante
49 / 154
MOSFET – compromis tenue en tension/résistance
MOS idéal
MOS idéal avec une résistance de câblage de 500 µΩ
10.0 MOS commercialisés en 2004 (résistance spécifique estimée)
MOS standard commercialisés en 2014
MOS "super−jonction" commercialisés en 2014
Résistance spécifique (Ω.cm2)

1.0

100.0 m

10.0 m

1.0 m

100.0 u
10 V 100 V 1 kV
Tension de claquage (V)

I Basse tension : connectique, canal prépondérants


I Haute tension : zone N− prépondérante
49 / 154
MOSFET – comportement inverse

0
Drain current [arbitrary unit]

−5

−10

−15

−20 diode

−25
−5 −4 −3 −2 −1 0
Drain to source voltage [V]

La structure MOSFET devrait être bidirectionnelle en courant (2


quadrants)
La présence d’une diode la rend asymétrique

50 / 154
MOSFET – comportement inverse

0
Drain current [arbitrary unit]

−5

−10

−15

−20 diode

−25
−5 −4 −3 −2 −1 0
Drain to source voltage [V]

La structure MOSFET devrait être bidirectionnelle en courant (2


quadrants)
La présence d’une diode la rend asymétrique

50 / 154
MOSFET – comportement inverse

0
Drain current [arbitrary unit]

−5

−10

−15

−20 courant total

−25
−5 −4 −3 −2 −1 0
Drain to source voltage [V]

La structure MOSFET devrait être bidirectionnelle en courant (2


quadrants)
La présence d’une diode la rend asymétrique

50 / 154
MOSFET – capacités

Le comportement dynamique (= en commutation) est fixé par


les capacités “parasites” et le câblage du composant (on y
reviendra)
On représente 3 capacités (CGS , CGD , et la capacité de la
diode CDS ). Ces capacités sont non-linéaires.

51 / 154
IGBT
Grille
Emetteur

N+ N+
P+ P+

N-

P+

Collecteur
I Grossièrement équivalent à un MOSFET pilotant un
transistor bipolaire
I simplicité de commande du MOSFET (grille isolée)
I performance à fort courant du transistor bipolaire
I 1-3 V de chute de tension à l’état passant
I Composant bipolaire, donc à résistance à l’état passant
plus faible
52 / 154
IGBT
Grille
Emetteur

N+ N+
P+ P+

N-

P+

Collecteur
I Grossièrement équivalent à un MOSFET pilotant un
transistor bipolaire
I simplicité de commande du MOSFET (grille isolée)
I performance à fort courant du transistor bipolaire
I 1-3 V de chute de tension à l’état passant
I Composant bipolaire, donc à résistance à l’état passant
plus faible
52 / 154
IGBT
Grille
Emetteur

N+ N+
P+ P+

N-

P+

Collecteur
I Grossièrement équivalent à un MOSFET pilotant un
transistor bipolaire
I simplicité de commande du MOSFET (grille isolée)
I performance à fort courant du transistor bipolaire
I 1-3 V de chute de tension à l’état passant
I Composant bipolaire, donc à résistance à l’état passant
plus faible
52 / 154
IGBT – caractéristique directe

I Vth : tension de seuil, VGS tension grille source (= de commande)


I fonctionnement nominal : zone linéaire, à VGS élevé
I la caractéristique à l’état passant présente un seuil (VCEsat ) 53 / 154
Exercices

Sur la caractéristique précédente, que l’on considérera graduée


en ampères sur l’axe y :
I Indiquez où se trouve la caractéristique à l’état bloqué
I Indiquez la caractéristique à l’état passant à préférer
I Donnez les pertes en conduction minimales à 20 A. à
quelles condition sont-elles obtenues ?

54 / 154
IGBT – comportement dynamique
VGE

IC
V1 t

VCE VCE

VGE
IC
t

I Pilotage en tension (grille isolée)


I trainée de courant à l’ouverture (tail current) : évacuation
des charges stockées
I compromis vitesse/conduction, semblable à la diode PiN

55 / 154
IGBT – comportement dynamique
VGE

IC
V1 t

VCE VCE

VGE courant
IC de queue

I Pilotage en tension (grille isolée)


I trainée de courant à l’ouverture (tail current) : évacuation
des charges stockées
I compromis vitesse/conduction, semblable à la diode PiN

55 / 154
Sommaire

Introduction

Généralités

Structure des composants


Rappels
Cas de la diode bipolaire
Quelques composants commandables

Éléments de technologie

56 / 154
Vue d’ensemble

I Fabrication du matériau semiconducteur monocristallin


I découpe en tranches (wafers)
I réalisation des composants sur les wafers (dopage,
gravure, dépôt d’oxyde, métallisations . . .)
I plusieurs dizaines ou centaines d’étapes
I traitement collectif (plusieurs centaines ou milliers de
composants à la fois)
I test électrique sous pointes
I Découpe des wafers en puces
I Montage dans un boîtier
I Test final
Un exemple pour un MOSFET de microelectronique :
http://www.cleanroom.byu.edu/virtual_cleanroom.parts/MOSFETProcess.html

57 / 154
Fabrication des tranches de silicium

Procédés identiques en microélectronique et électronique de


puissance
I Tirage de lingots, ici méthode Czochralski, max φ=30 cm, l = 2 m
I découpe en wafers par scie diamantée, puis polissage
épaisseur dictée par la résistance mécanique
Sources : schéma : “Physique des composants actifs à semiconducteurs”, P. Leturq, 1978, Dunod, Paris. Photos : lingot et wikipedia.
58 / 154
Fabrication des tranches de silicium

Procédés identiques en microélectronique et électronique de


puissance
I Tirage de lingots, ici méthode Czochralski, max φ=30 cm, l = 2 m
I découpe en wafers par scie diamantée, puis polissage
épaisseur dictée par la résistance mécanique
Sources : schéma : “Physique des composants actifs à semiconducteurs”, P. Leturq, 1978, Dunod, Paris. Photos : lingot et wikipedia.
58 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine

59 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

Oxide

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine

59 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

Résine

Oxide

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine

59 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

Masque

Résine

Oxide

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine

59 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

Insolation

Masque

Résine

Oxide

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine

59 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

Résine

Oxide

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine

59 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

Bain chimique
Résine

Oxide

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine

59 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

Résine

Oxide

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine

59 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

Bain chimique
Résine

Oxide

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine

59 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

Résine

Oxide

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine

59 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

Bain chimique
Résine

Oxide

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine

59 / 154
Photolithographie (exemple oxyde)

Oxide

wafer

I oxydation du wafer I insolation


I dépot de résine I développement
photosensible I gravure de l’oxyde
I alignement d’un masque I retrait de la résine
Cette technique est indépendante du nombre de composants !
59 / 154
Dopage
I au niveau global (wafer complet)
I Durant la croissance cristalline du lingot
I Epitaxie : croissance d’une couche de silicium en surface
d’un wafer
Ü permet d’obtenir un niveau de dopage plus faible que
celui du wafer
I Au niveau local
I Nécessite un masquage (photolithographie)
I diffusion, implantation ionique

Source : Guillaume Paumier /


Wikimedia Commons,
CC-BY-3.0, bâti d’epitaxie et
four de diffusion

60 / 154
Finition des composants

I Pour réduire la résistance électrique des


composants, on peut les amincir et ne
garder que la partie électriquement active
(<100 µm)

I La découpe permet de séparer les


composants du wafer
I À partir de là, les traitements sont
individuels
I coût/durée proportionnels au nombre de
composants

Les étapes qui suivent sont le packaging (mise en boîtier), on y


reviendra plus tard
Source wafer souple Tepla, découpe Aspen Technologies

61 / 154
Exercices
I Quelle est la chute de tension dans
cette diode sous un courant direct
de 50 A à 25°C ? à 150°C ?
I Même question sous un courant
direct de 10 A à 25°C ? à 150°C ?
I Quelles sont les pertes en
conduction correspondantes ?
I le courant de fuite à 25°C et une
tension de 1200 V est inférieur à
100µA. Quelle est la puissance
maximale dissipée à l’état bloqué ?
I à 150°C, ce courant passe à
2500µA. Même question.
I Estimez les paramètres
technologiques de la zone ν de
source : datasheet de la diode IDP30E120 de ST microelectronics
cette diode 1200 V.
62 / 154
Exercices
I Quelle est la chute de tension dans
cette diode sous un courant direct
de 50 A à 25°C ? à 150°C ?
I Même question sous un courant
direct de 10 A à 25°C ? à 150°C ?
I Quelles sont les pertes en
conduction correspondantes ?
I le courant de fuite à 25°C et une
tension de 1200 V est inférieur à
100µA. Quelle est la puissance
maximale dissipée à l’état bloqué ?
I à 150°C, ce courant passe à
2500µA. Même question.
I Estimez les paramètres
technologiques de la zone ν de
source : datasheet de la diode IDP30E120 de ST microelectronics
cette diode 1200 V.
62 / 154
Exercices

I Estimer le RDSon de ce
transistor à VGS =10V
I Quelles sont les pertes
à l’état passant à ID =
100 A ?

Source : datasheet du Mos STL150N3LLH5

63 / 154
Exercices

I Estimer le RDSon de ce
transistor à VGS =10V
I Quelles sont les pertes
à l’état passant à ID =
100 A ?

Source : datasheet du Mos STL150N3LLH5

63 / 154
Deuxième partie II

Thermique et Packaging

64 / 154
De quoi va t-on parler ?

Le packaging
(Environnement immédiat des composants)

65 / 154
De quoi va t-on parler ?

Le packaging
(Environnement immédiat des composants)

Il assure :
I Connexions électriques
I Isolation électrique
I Évacuation de la chaleur
I Protection contre l’extérieur

65 / 154
De quoi va t-on parler ?

Le packaging
(Environnement immédiat des composants)

Il assure :
Mais on va se limiter :
I Connexions électriques
I À l’électronique de puissance
I Isolation électrique
I Aux composants actifs (puces)
I Évacuation de la chaleur
I À une initiation au sujet. . .
I Protection contre l’extérieur

65 / 154
Objectifs de cette présentation

Voir les domaines physiques concernés par le packaging

I électricité
I thermique
I mécanique. . .

Vous donner des éléments de technologie

I Comprendre l’existant, pour pouvoir faire des choix

Discuter un peu des développements futurs

I Évolutions de l’industrie
I Axes de recherche

66 / 154
Sommaire

Petit lexique du packaging de puissance

Considérations physiques
Aspects thermiques
Aspects thermo-mécaniques
Substrats
Interconnexions
Gestion thermique

Gestion thermique des composants

Évolutions, Recherche et Développement

Exercices

67 / 154
Deux classes : discrets et modules

I Plusieurs puces par boîtier


I Un composant élémentaire
(transistor, diode) par boîtier I Forme un circuit ou un seul
composant élémentaire
I (souvent) Pas d’isolation
I Assure l’isolation électrique
I puissances faibles ou très
fortes I Puissances moyennes à fortes

68 / 154
Puces de puissance

I Structure verticale, avec un (ou


deux) contacts dessus et un
dessous
I épaisseur de 50 à 500 µm
I côté de 1 à 13 mm

wafer IGBT International Rectifier, puces de 5x5 mm, wafer diamètre 6


pouces

69 / 154
Structure d’un boîtier discret

I technologie bas coût ;


I grande cadence de production ;
I matériaux : cuivre, brasure,
aluminium, epoxy
I courant max. < 100 A Source : http://www.seekpart.com

I tension max. < 1200 V

70 / 154
Quelques boîtiers de composants discrets

Source : techniques de l’ingénieur, volume E3 960

I quelques boîtiers de diodes normalisés : DO-001, DO-002, DO-003, DO-004, DO-005,


DO-006, DO-007, DO-008, DO-009, DO-010, DO-011, DO-012, DO-013, DO-014, DO-015, DO-016, DO-017, DO-018, DO-019, DO-020, DO-021,
DO-022, DO-023, DO-024, DO-025, DO-026, DO-027, DO-028, DO-029, DO-030, DO-031, DO-032, DO-033, DO-034, DO-035, DO-036, DO-037, DO-038,

DO-039, DO-040, DO-041, DO-042, DO-043, DO-044, DO-045, DO-202. . .

I et des transistors : TO-1, TO-2, TO-3, TO-4, TO-5, TO-6, TO-7, TO-8, TO-9, TO-10, TO-11, TO-12, TO-13, TO-14,
TO-15, TO-16, TO-17, TO-18, TO-19, TO-20, TO-21, TO-22, TO-23, TO-24, TO-25, TO-26, TO-27, TO-28, TO-29, TO-30, TO-31, TO-32, TO-33, TO-34, TO-35,

TO-36, TO-37, TO-38, TO-39, TO-40, TO-41, TO-42, TO-43, TO-44, TO-45, TO-46, TO-47, TO-48, TO-49, TO-50, TO-51, TO-52, TO-53, TO-54, TO-55, TO-56,

TO-57, TO-58, TO-60, TO-61, TO-62, TO-63, TO-64, TO-65, TO-66, TO-67, TO-68, TO-69, TO-70, TO-71, TO-72, TO-73, TO-74, TO-75, TO-76, TO-77, TO-78,

TO-79, TO-80, TO-81, TO-82, TO-83, TO-84, TO-85, TO-86, TO-87, T88, TO-89, TO-90, TO-91, TO-92, TO-93, TO-94, TO-95, TO-96, TO-97, TO-98, TO-99,

TO-100, TO-101, TO-102, TO-103, TO-104, TO-105, TO-106, TO-107, TO-108, TO-109, TO-110, TO-111, TO-112, TO-113, TO-114, TO-115, TO-116, TO-117,

TO-118, TO-119, TO-120, TO-121, TO-122, TO-123, TO-124, TO-125, TO-126, TO-127, TO-128, TO-129, TO-130, TO-131, TO-132, TO-220I, TO-201, TO-203,

TO-207, TO-208A, TO-210, TO-211, TO-212, TO-214, TO-217, TO-220J, TO-221, TO-222, TO-223, TO-224, TO-225, TO-227, TO-228, TO-229, TO-230, TO-231,

TO-232, TO-233, TO-234, TO-235, TO-239, TO-241, TO-242, TO-248, TO-249. . .


71 / 154
Les discrets pour la forte puissance
I Tensions jusqu’à 6.5 kV
I Courants de plusieurs kA
I Puces jusqu’à 10 cm diam.
I conçus pour la mise en série.

Source : http://www.sensorprod.com

72 / 154
Les discrets pour la forte puissance
I Tensions jusqu’à 6.5 kV
I Courants de plusieurs kA
I Puces jusqu’à 10 cm diam.
I conçus pour la mise en série.

Source : http://www.sensorprod.com

72 / 154
Modules
I Plusieurs puces
I un composant équivalent
(transistor, diode)
I un circuit complet (onduleur,
redresseur. . .)
I Besoin d’isolation électrique
I Peu standardisé
I Courant max < 3600 A
I Tension max < 6500 V
I Dimensions de qques cm de
côté à 20x15x5 cm
I Plusieurs constructeurs
européens (ABB, Infineon,
Microsemi, Dynex,
Semikron. . .)
73 / 154
Modules

I Plusieurs types de boîtiers


I Plastique
I Hermétique
I Ajout de fonctions
I capteurs (courant,
température)
I circuits de commande
I ...

Sources images : Dynex (en haut) et Semelab (en bas)

74 / 154
Sommaire

Petit lexique du packaging de puissance

Considérations physiques
Aspects thermiques
Aspects thermo-mécaniques
Substrats
Interconnexions
Gestion thermique

Gestion thermique des composants

Évolutions, Recherche et Développement

Exercices

75 / 154
Limites thermiques : composants à semiconducteurs

3000°C
Quelques limites : Silicon
3C−SiC
6H−SiC
1414°C fusion du silicium 2500°C
4H−SiC
2H−GaN

Junction temperature
Diamond
660°C fusion de l’aluminium 2000°C

≈ 300°C fusion de la brasure 1500°C

de puce 1000°C

183°C fusion de 63Sn37Pb 500°C

>200°C limite de tenue en 0°C


10 V 100 V 1 kV 10 kV 100 kV 1 MV
tension (1 kV) Breakdown voltage

I De nombreux composants (MOSFETs, diodes) sont moins


performants lorsque la température augmente.
I Les fortes variations de température posent des problèmes
de fiabilité.

76 / 154
Limites thermiques : composants à semiconducteurs

3000°C
Quelques limites : Silicon
3C−SiC
6H−SiC
1414°C fusion du silicium 2500°C
4H−SiC
2H−GaN

Junction temperature
Diamond
660°C fusion de l’aluminium 2000°C

≈ 300°C fusion de la brasure 1500°C

de puce 1000°C

183°C fusion de 63Sn37Pb 500°C

>200°C limite de tenue en 0°C


10 V 100 V 1 kV 10 kV 100 kV 1 MV
tension (1 kV) Breakdown voltage

I De nombreux composants (MOSFETs, diodes) sont moins


performants lorsque la température augmente.
I Les fortes variations de température posent des problèmes
de fiabilité.

76 / 154
Limites thermiques : composants à semiconducteurs

3000°C
Quelques limites : Silicon
3C−SiC
6H−SiC
1414°C fusion du silicium 2500°C
4H−SiC
2H−GaN

Junction temperature
Diamond
660°C fusion de l’aluminium 2000°C

≈ 300°C fusion de la brasure 1500°C

de puce 1000°C

183°C fusion de 63Sn37Pb 500°C

>200°C limite de tenue en 0°C


10 V 100 V 1 kV 10 kV 100 kV 1 MV
tension (1 kV) Breakdown voltage

I De nombreux composants (MOSFETs, diodes) sont moins


performants lorsque la température augmente.
I Les fortes variations de température posent des problèmes
de fiabilité.

76 / 154
Mécanismes de transport de la chaleur
I Rayonnement
I Loi de Stefan-Boltzmann : P = εSσT 4
avec σ = 5, 67.10−8 W .m−2 .K −4 et ε < 1
I à 400 K, P=0,15 W.cm−2
I Négligeable pour les dimensions et
températures classiques des puces
I Conduction
I transfert de chaleur dans la matière
−1
I P = − λSe ∆T , λ = 20 . . . 400W .m .K −1
I Pour une piste en cuivre avec e=100 µm,
S=1 cm2 et ∆T =1°C, P=400 W
I Convection
I Déplacement de matière
I Pas d’expression simple (convection
forcée, naturelle, type d’écoulements. . .)

77 / 154
Mécanismes de transport de la chaleur
I Rayonnement
I Loi de Stefan-Boltzmann : P = εSσT 4
avec σ = 5, 67.10−8 W .m−2 .K −4 et ε < 1
I à 400 K, P=0,15 W.cm−2
I Négligeable pour les dimensions et
températures classiques des puces
I Conduction
I transfert de chaleur dans la matière
−1
I P = − λSe ∆T , λ = 20 . . . 400W .m .K −1
I Pour une piste en cuivre avec e=100 µm,
S=1 cm2 et ∆T =1°C, P=400 W
I Convection
I Déplacement de matière
I Pas d’expression simple (convection
forcée, naturelle, type d’écoulements. . .)

77 / 154
Mécanismes de transport de la chaleur
I Rayonnement
I Loi de Stefan-Boltzmann : P = εSσT 4
avec σ = 5, 67.10−8 W .m−2 .K −4 et ε < 1
I à 400 K, P=0,15 W.cm−2
I Négligeable pour les dimensions et
températures classiques des puces
I Conduction
I transfert de chaleur dans la matière
−1
I P = − λSe ∆T , λ = 20 . . . 400W .m .K −1
I Pour une piste en cuivre avec e=100 µm,
S=1 cm2 et ∆T =1°C, P=400 W
I Convection
I Déplacement de matière
I Pas d’expression simple (convection
forcée, naturelle, type d’écoulements. . .)

77 / 154
Mécanismes de transport de la chaleur
I Rayonnement
I Loi de Stefan-Boltzmann : P = εSσT 4
avec σ = 5, 67.10−8 W .m−2 .K −4 et ε < 1
I à 400 K, P=0,15 W.cm−2
I Négligeable pour les dimensions et
températures classiques des puces
I Conduction
I transfert de chaleur dans la matière
−1
I P = − λSe ∆T , λ = 20 . . . 400W .m .K −1
I Pour une piste en cuivre avec e=100 µm,
S=1 cm2 et ∆T =1°C, P=400 W
I Convection
I Déplacement de matière
I Pas d’expression simple (convection
forcée, naturelle, type d’écoulements. . .)
La gestion thermique en électronique repose sur deux
mécanismes : conduction et convection
77 / 154
Relation entre conductivités thermique et électrique

7e+07 Ag
Cu
cond. thermique λ = λe + λp
Conductivité électrique (S.m )
−1

6e+07

5e+07 Au I λe : porteurs de charges


4e+07
Al (électrons)
3e+07
λe = LT σ
2e+07 Ni
(L constante de Lorentz =
Sn 2, 44.10−8 W .Ω.K −2 ).
1e+07 Pb
Ti

0
I λp : phonons (vibrations
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 réseau atomique)
Conductivité Thermique (W.cm−1.K−1)

78 / 154
Relation entre conductivités thermique et électrique

7e+07 Ag
loi de Wiedemann−Franz Cu
cond. thermique λ = λe + λp
Conductivité électrique (S.m )
−1

6e+07

5e+07 Au I λe : porteurs de charges


4e+07
Al (électrons)
3e+07
λe = LT σ
2e+07 Ni
(L constante de Lorentz =
Sn 2, 44.10−8 W .Ω.K −2 ).
1e+07 Pb
Ti

0
I λp : phonons (vibrations
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 réseau atomique)
Conductivité Thermique (W.cm−1.K−1)

78 / 154
Relation entre conductivités thermique et électrique

7e+07 Ag
loi de Wiedemann−Franz Cu
cond. thermique λ = λe + λp
Conductivité électrique (S.m )
−1

6e+07

5e+07 Au I λe : porteurs de charges


4e+07
Al (électrons)
3e+07
λe = LT σ
2e+07 Ni
(L constante de Lorentz =
Sn 2, 44.10−8 W .Ω.K −2 ).
1e+07 Pb
Ti

0
Al2O3 Si3N4 AlN BeO I λp : phonons (vibrations
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 réseau atomique)
Conductivité Thermique (W.cm−1.K−1)

78 / 154
Relation entre conductivités thermique et électrique

7e+07 Ag
loi de Wiedemann−Franz Cu
cond. thermique λ = λe + λp
Conductivité électrique (S.m )
−1

6e+07

5e+07 Au I λe : porteurs de charges


4e+07
Al (électrons)
3e+07
λe = LT σ
2e+07 Ni
(L constante de Lorentz =
Sn 2, 44.10−8 W .Ω.K −2 ).
1e+07 Pb
Ti

0
Al2O3 Si3N4 AlN BeO I λp : phonons (vibrations
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 réseau atomique)
Conductivité Thermique (W.cm−1.K−1)

ÜLes matériaux bons conducteurs thermiques/isolants


électriques sont rares (diamant, AlN, Si3 N4 , Al2 O3 )

78 / 154
Isolants/conducteurs électrique/thermique

I la conductivité électrique peut varier de


plus de 20 décades
I le courant passe dans les conducteurs et
pas à côté !
I La représentation circuit est bien adaptée
I Pour la conductivité thermique, c’est 4 à 5
décades
I Approximation circuit utilisable avec
précautions

Source : Heat Spreading : not a trivial issue, C. Lansance,


ECPE Workshop on advanced cooling, 20–21 November, Delft.

79 / 154
Représentation circuit thermique

On peut définir une RTh entre 1 et 2 si :


I Les surfaces 1 et 2 sont isothermes
I Le flux thermique traversant les deux
surfaces est constant

Source : Heat Spreading : not a trivial issue, C. Lansance,


ECPE Workshop on advanced cooling, 20–21 November, Delft.

80 / 154
Représentation circuit thermique

On peut définir une RTh entre 1 et 2 si :


I Les surfaces 1 et 2 sont isothermes
I Le flux thermique traversant les deux
surfaces est constant

Source : Heat Spreading : not a trivial issue, C. Lansance,


ECPE Workshop on advanced cooling, 20–21 November, Delft.

On peut alors définir une représentation


circuit
I Les températures sont des efforts
(tensions)
I Les puissances dissipées des flux
(courants)
I TJ = TA + RTh × P
80 / 154
Exercices

Un composant dissipe 15 W. Il est refroidi à travers une


résistance thermique de 10 °C/W vers l’air ambiant, à une
température de 25 °C
I faire un schéma thermique équivalent
I calculer la température atteinte par le composant.
On considère un barreau d’aluminium (237 W/K.m) de 10 cm
de long et de section carrée de 1 cm2
I calculez sa résistance thermique dans le sens de la
longueur.

81 / 154
Un peu de mécanique. . .

Source : thèse L. Pietranico, http://tel.


archives-ouvertes.fr/tel-00543040/fr/

I Déformation élastique (réversible)


I Déformation plastique (irréversible)
I Apparition d’une déformation résiduelle
I accumulation de la déformation menant à la rupture
82 / 154
Un peu de mécanique. . .

Source : thèse L. Pietranico, http://tel.


archives-ouvertes.fr/tel-00543040/fr/

I Déformation élastique (réversible)


I Déformation plastique (irréversible)
I Apparition d’une déformation résiduelle
I accumulation de la déformation menant à la rupture
82 / 154
Un peu de mécanique. . .

Source : thèse L. Pietranico, http://tel.


archives-ouvertes.fr/tel-00543040/fr/

I Déformation élastique (réversible)


I Déformation plastique (irréversible)
I Apparition d’une déformation résiduelle
I accumulation de la déformation menant à la rupture
82 / 154
Un peu de mécanique. . .

Source : thèse L. Pietranico, http://tel.


archives-ouvertes.fr/tel-00543040/fr/

I Déformation élastique (réversible)


I Déformation plastique (irréversible)
I Apparition d’une déformation résiduelle
I accumulation de la déformation menant à la rupture
82 / 154
Effet des coefficients de dilatation

I α en ppm/K
I 3.10−6 < α < 20.10−6 K −1
I la température génère des
contraintes mécaniques

83 / 154
Effet des coefficients de dilatation

I α en ppm/K
I 3.10−6 < α < 20.10−6 K −1
I la température génère des
contraintes mécaniques

83 / 154
Effet des coefficients de dilatation

I α en ppm/K
I 3.10−6 < α < 20.10−6 K −1
I la température génère des
contraintes mécaniques

83 / 154
Effet des coefficients de dilatation

I α en ppm/K
I 3.10−6 < α < 20.10−6 K −1
I la température génère des
contraintes mécaniques

83 / 154
Effet des coefficients de dilatation

I α en ppm/K
I 3.10−6 < α < 20.10−6 K −1
I la température génère des
contraintes mécaniques

83 / 154
Effet des contraintes thermo-mécaniques

Brasure puce-substrat
I Puce en silicium (3 ppm/K)
I Conducteur en cuivre (17 ppm/K)
I Brasure tendre concentrant la
fatigue

Source : Université de Nottingham

84 / 154
Effet des contraintes thermo-mécaniques

Brasure puce-substrat
I Puce en silicium (3 ppm/K)
I Conducteur en cuivre (17 ppm/K)
I Brasure tendre concentrant la
fatigue

Source : Université de Nottingham

Substrat céramique métallisé


I Conducteur en cuivre (17 ppm/K)
I Substrat céramique (6 ppm/K)
I Fissuration « conchoïdale » de la
céramique
Source : Université de Nottingham

84 / 154
Coupe d’un module de puissance

85 / 154
Coupe d’un module de puissance

85 / 154
Coupe d’un module de puissance

85 / 154
Coupe d’un module de puissance

85 / 154
Coupe d’un module de puissance

85 / 154
Coupe d’un module de puissance

85 / 154
Substrats isolés

Plusieurs technologies :
I Les substrats céramiques
(DBC, DBA, ...)
I céramique (0,3 à 1 mm)
I cuivre (0,1 à 0,3 mm)
I Bonnes performances
thermiques et électriques
I Cher
I Les Substrats Métalliques
Isolés (SMI)
I aluminium (1 à 3 mm)
I isolant (0,1 mm)
I cuivre (0,035 à 0,2 mm)
I Performances moyennes
I Coef. de dilatation plus fort
I Moins cher

86 / 154
Fils de bonding

I Fils épais (100 à 400 µm), en


aluminium
Source : Université Nottingham
I Mise en parallèle pour réduire
la résistance
I Soudure ultrasonique (faible
échauffement)
I Évolutions vers les fils de
cuivre, les rubans. . .

Source : Université Nottingham

87 / 154
Les brasures

I Brasures réalisées au four


I Utilisation de pâte à braser, de
preforms
I Nombreux alliage disponibles
I Tendance au “sans plomb” (RoHS)
I Habituellement deux étapes de
brasure :
I puces et connecteurs sur substrat
I substrat sur semelle

88 / 154
Les brasures – problème des vides

Source : Reflow Soldering Technology for large die area Power Electronics, Matthias Hutter, Microcar, Leipzig, 21 juin 2005

risque de vides sur les brasures de grande surface :


I augmentation de la résistance thermique
I apparition de points chauds
I peut être réduit par utilisation d’atmosphères spécifiques
durant le process (vide, gaz actifs. . .)
89 / 154
Semelle

Rôles :
I Support mécanique
I Boulonnage sur radiateur
I Brasure des substrats
I Gestion thermique
I faible résistance
substrat-radiateur
I étalement de la chaleur
Critères :
I Poids
I Conductivité thermique
Source : http://www.alsic.com I Coût
I Coefficient de dilatation

90 / 154
Semelle – Choix des matériaux

Source : Packaging Materials, J. Popović-Gerber, ECPE tutorial on power electronics packaging, Lyon, 31/05/2011

I Les matériaux composites permettent de fixer le coefficient


de dilatation
I L’AlSiC est couramment utilisé dans les transports
91 / 154
Matériaux d’interface thermique

La “pâte thermique”
I Interface semelle/radiateur
I Comble les vides
I Mauvais conducteur thermique ! (1 W/m.K contre 400 pour
le cuivre !)
D’autres technologies existent pour les Thermal Interface
Materials (TIM)
92 / 154
Matériaux d’interface thermique

Infineon
Page 9

Source : Thermal Interface Materials, J. Popović-Gerber, ECPE tutorial on power electronics packaging, Lyon, 31/05/2011
93 / 154
Et le reste ?

Nombreux autres éléments


I Les matériaux d’encapsulation (gels, résines)
I Les boîtiers (plastiques, hermétiques,. . .)
I Les terminaux (brasés, pressés, intégrés. . .)
I L’environnement plus éloigné (second level packaging)
94 / 154
Sommaire

Petit lexique du packaging de puissance

Considérations physiques
Aspects thermiques
Aspects thermo-mécaniques
Substrats
Interconnexions
Gestion thermique

Gestion thermique des composants

Évolutions, Recherche et Développement

Exercices

95 / 154
Résistance thermique

On peut définir une RTh entre 1 et 2 si :


I Les surfaces 1 et 2 sont isothermes
I Le flux thermique traversant les deux
surfaces est constant

Source : Heat Spreading : not a trivial issue, C. Lansance,


ECPE Workshop on advanced cooling, 20–21 November, Delft.

96 / 154
Résistance thermique

On peut définir une RTh entre 1 et 2 si :


I Les surfaces 1 et 2 sont isothermes
I Le flux thermique traversant les deux
surfaces est constant

Source : Heat Spreading : not a trivial issue, C. Lansance,


ECPE Workshop on advanced cooling, 20–21 November, Delft.

On peut alors définir une représentation


circuit
I Les températures sont des efforts
(tensions)
I Les puissances dissipées des flux
(courants)
I TJ = TA + RTh × P
96 / 154
Calcul de la résistance thermique

I À partir des données “matériau” :


l
I si hypothèse 1-D acceptable : RTh = λS
λ conductivité thermique, l longueur et S section
I Si géométrie complexe, plusieurs matériaux : calcul numérique

I À partir des données constructeur :


I Prendre les différentes valeurs de RTh et les additionner
I RThJC : résistance thermique “junction-to-case” (composant)
I RThCA : résistance thermique “case-to-ambient” (radiateur)
I RThJA : résistance thermique “junction-to-ambient” (totale)
I Attention au domaine d’application de la modélisation circuit (cf
diapo précédente) !

97 / 154
Calcul de la résistance thermique

I À partir des données “matériau” :


l
I si hypothèse 1-D acceptable : RTh = λS
λ conductivité thermique, l longueur et S section
I Si géométrie complexe, plusieurs matériaux : calcul numérique

I À partir des données constructeur :


I Prendre les différentes valeurs de RTh et les additionner
I RThJC : résistance thermique “junction-to-case” (composant)
I RThCA : résistance thermique “case-to-ambient” (radiateur)
I RThJA : résistance thermique “junction-to-ambient” (totale)
I Attention au domaine d’application de la modélisation circuit (cf
diapo précédente) !

97 / 154
Résistance thermique des empilements

Si on peut considérer que les


interfaces sont isothermes :
TJ Puce I RTh
P
total
= Ri
Boîtier I Attention, R4 inclut la RTh du
TC
Isolant radiateur et la convection d’air
Radiateur I RThJC = R1 + R2
I RThJA = RThJC + R3 + R4
TA
Application numérique
R1 R2 R3 R4
I diode IDP30E120 :
RThJC =0,9°C/W, 10W dissipés
P TJ TC TA
I radiateur 5°C/W, TA =50°C
I isolant 1°C/W
I TJ = TA + RThJA P = 119°C

98 / 154
Résistance thermique des empilements

Si on peut considérer que les


interfaces sont isothermes :
TJ Puce I RTh
P
total
= Ri
Boîtier I Attention, R4 inclut la RTh du
TC
Isolant radiateur et la convection d’air
Radiateur I RThJC = R1 + R2
I RThJA = RThJC + R3 + R4
TA
Application numérique
R1 R2 R3 R4
I diode IDP30E120 :
RThJC =0,9°C/W, 10W dissipés
P TJ TC TA
I radiateur 5°C/W, TA =50°C
I isolant 1°C/W
I TJ = TA + RThJA P = 119°C

98 / 154
Équation de la chaleur
Équation de la chaleur 1-D :

∂T (x, t) ∂ 2 T (x, t) P(t)


ρCp =λ λ, ρ, Cp TA
∂t ∂x 2
x=0 x=L
Conditions aux limites :
I S section du barreau (m2 )
∂T
S·λ = −P(t) I Cp chaleur spécifique (J/K/kg)
∂x x=0
I ρ densité (kg/m3 )
T (t, x = L) = Ta

99 / 154
Équation de la chaleur
Équation de la chaleur 1-D :

∂T (x, t) ∂ 2 T (x, t) P(t)


ρCp =λ h λ, ρ, Cp TA
∂t ∂x 2
x=0 x=L
Conditions aux limites :
I S section du barreau (m2 )
∂T
S·λ = −P(t) I Cp chaleur spécifique (J/K/kg)
∂x x=0
I ρ densité (kg/m3 )
T (t, x = L) = Ta

Discrétisation de l’équation :
∂Ti (t) Ti+1 (t) + Ti−1 (t) − 2Ti (t)
ρCp =λ
∂t h2

∂Ti (t) Ti+1 (t) − Ti (t) Ti (t) − Ti−1 (t)


hSρCp = λS − λS
∂t h h
99 / 154
Équation de la chaleur – suite

P(t)
h λ, ρ, Cp TA

x=0 x=L

∂Ti (t) Ti+1 (t) − Ti (t) Ti (t) − Ti−1 (t)


hSρCp = λS − λS
∂t h h
h
On pose hSρCp = CTh et λS = RTh d’où :

∂Ti (t) Ti+1 (t) − Ti (t) Ti (t) − Ti−1 (t)


CTh = −
∂t RTh RTh

100 / 154
Équation de la chaleur – suite

P(t)
h λ, ρ, Cp TA

x=0 x=L

∂Ti (t) Ti+1 (t) − Ti (t) Ti (t) − Ti−1 (t)


hSρCp = λS − λS
∂t h h
h
On pose hSρCp = CTh et λS = RTh d’où :

∂Ti (t) Ti+1 (t) − Ti (t) Ti (t) − Ti−1 (t)


CTh = −
∂t RTh RTh

100 / 154
Impédance thermique

1.2 Extension au régime


Puce Semelle
Résistance thermique (K/W)

Substrat
1 dynamique :
0.8 I mêmes conditions
0.6
(conservation du flux,
surfaces isothermes)
0.4
I aux courtes échelles de
0.2
temps, fonctionnement
0
10 us 100 us 1 ms 10 ms 100 ms 1 s
propagatif
Temps

101 / 154
Circuit de refroidissement

Transfert de chaleur d’une ou plusieurs sources


chaudes vers l’extérieur du système Source chaude
I extérieur = air ambiant (sauf rares cas)
I circuit plus ou moins compliqué :
I composant attaché à un radiateur
I composant/circuit d’eau/radiateur
I composant/caloduc/radiateur
I composant immergé/radiateur
I ...
I Intérêt des circuits plus complexes :
I éloignement source chaude/source froide
I diminution des densités de puissance Source froide

102 / 154
Radiateur

Objectif : augmenter la surface d’échange


avec le milieu ambiant
I bon conducteur thermique : cuivre ou
aluminium (plus courant)
I souvent anodisé noir pour améliorer
l’émissivité (transfert radiatif)
I tôle emboutie (très faibles puissances), ou
profilé extrudé
I peut-être associé à un ventilateur pour
améliorer le coefficient d’échange

Source : “Définition d’un dissipateur thermique en milieu industriel”, J.-F. Roche, Techniques de l’ingénieur, D3 117

103 / 154
Efficacité des méthodes de refroidissement

1
I Résistance thermique de transfert convectif : RTh = h×S , avec h
coefficient d’échange et S surface d’échange
I Systèmes liquides beaucoup plus efficaces
I Convection forcée : utilisation de pompes, de ventilateurs. . .
I pour réduire RTh , on peut augmenter S (ailettes, doigts, etc)
Source : “Dissipation thermique dans les systèmes électriques”, Jean-Pierre Petit, techniques de l’ingénieur, E3 952

104 / 154
Refroidissement liquide

I Circuit comprenant :
I Plaque(s) à eau
I Tuyauterie, pompe
I Échangeur eau-air
I RTh de la plaque très faible
I Avantages :
I fort effet d’étalement thermique
I faibles dimensions au niveau du
module
I inconvénients :
I Système actif (fiabilité, rendement)
I Pas plus compact globalement
Source : Aavid Thermaloy, AavFlow Liquid Cold Plates

105 / 154
Caloducs
Source chaude Source froide
Zone adiabatique

Évaporation Vapeur Liquide Condensation

I Transport convectif + changement de phase


I Système passif et étanche
I Déplacement du liquide : capillarité
I relativement indépendant de la longueur
I Attention aux non-linéarités (assèchement, température max. . .)

Source : photographies Diemunsch, séminaire ECPE “Cooling and PCB”, Delft, 2008 106 / 154
Refroidissement par immersion

I Courant pour les transformateurs (réseaux d’énergie


électrique)
I Plus rare en électronique de puissance :
I Problèmes d’utilisation de fluides fluorés à fort effet de
serre/destruction de la couche d’ozone
I Soucis de maintenance des cartes
I Avantage : système passif, environnement clos
Source : “Dissipation thermique dans les systèmes électriques”, Jean-Pierre Petit, techniques de l’ingénieur, E3 952

107 / 154
Sommaire

Petit lexique du packaging de puissance

Considérations physiques
Aspects thermiques
Aspects thermo-mécaniques
Substrats
Interconnexions
Gestion thermique

Gestion thermique des composants

Évolutions, Recherche et Développement

Exercices

108 / 154
Évolution des composants discrets

5
5
0
3
N
2

source : wikimedia commons pour tous les boîtiers sauf le Directfet, International Rectifier, et le WL-CSP, voir ci-dessous
Package type Volume (mm3 ) molding compound% silicon % leadframe % interconnect %
DPAK 90 75 4 20 1
SO8 (wire) 28 83 6 10 1
SO8 (clip) 28 70 6 20 2
MOSFET BGA 20 0 40 50 10
WL-CSP 20 0 82 0 18
source : “Trends of power semiconductor wafer level packaging”, Yong LIU, Microelectronics Reliability 50 (2010) 514–521

I Disparition graduelle du packaging


de premier niveau (FLP)
I Les étapes de fabrication se font
directement sur le wafer, avant
découpe.

109 / 154
Le Wafer-Level Packaging

I Procédé collectif
I Orienté faible
tension/puissance
I Nombreux procédés de
réalisation
Source : Wafer Level Technologies : Solderable Metallizations, Power Bumping and Balling, Wolfgang Reinert, ECPE Workshop Adv. Power Electr. Pack., Paris, 30/09/09

110 / 154
Après le flip-chip, l’enterré

Interconnect Evolution

First level chip interconnection technologies inside a package:

chip & wire flip chip chip embedding

established since
40 years smallest in 2D smallest in 3D

Advanced Power Electronics Packaging Workshop, Paris, France, September 30, 2009


Lars Böttcher, System Integration & Interconnection Technologies
lars.boettcher@izm.fraunhofer.de

Source : Power Electronic Packages with Embedded Chips, Lars Böttcher, ECPE Workshop Adv. Power Electr. Pack., Paris, 30/09/09
111 / 154
L’intégration mécatronique – exemple automobile

Requirements for power electronics used in the automotive power train:


• Coolant temperature up to 115°C
• Ambient temperature in the engine compartment up to 140°C
• High currents (several 100A)
• High voltages in the range of 200V...450V
• Very small and cleaved mounting volume
• High vibrational load
• Tough reliability requirements
• Very low cost targets

ECPE, 9/2009, Page 6

Source : Mechatronic System Integration of the Hybrid Powertrain, Thomas Harder ECPE Workshop Adv. Power Electr. Pack., Paris, 30/09/09
112 / 154
L’intégration mécatronique – exemple automobile 2

Demonstrator Design
Clutch box

Stator
Capacitor

Rotor mounting
Integrated
electronics

Output shaft

Coolant connection Supply cable

ECPE, 9/2009, Page 8

Source : Mechatronic System Integration of the Hybrid Powertrain, Thomas Harder, ECPE Workshop Adv. Power Electr. Pack., Paris, 30/09/09
113 / 154
Le refroidissement intégré – 1

Source : Schulz-Harder, J. Ceramic Substrates and Micro Channel Cooler Curamik Electronics GmbH, 2006

I fusionner le substrat, la semelle et la plaque


à eau
I Moins d’interfaces thermiques à traverser
I Avec des puces Si, on peut évacuer jusqu’à
3 kW sur une surface de 5×5 cm2
114 / 154
Le refroidissement intégré – 2

Mettre le fluide de refroidissement en


contact direct avec le substrat
I Suppression de couches :
I plaque à eau
I pâte thermique
I semelle
I brasure
I Pas de contraintes mécaniques
(interface liquide-solide)
I La plaque à eau peut être en
plastique

115 / 154
Vers les hautes températures
Les semiconducteurs “grand gap”
3000°C
fonctionnent à plus haute temp. Silicon
3C−SiC
2500°C 6H−SiC
I Les limites actuelles sont 4H−SiC
2H−GaN

Junction temperature
Diamond
packaging 2000°C

I Souvent fort cyclage 1500°C

thermique 1000°C

I Applications
500°C
I Aéronautique
I Automobile 0°C
10 V 100 V 1 kV 10 kV 100 kV 1 MV
I Forage Breakdown voltage

I ...

116 / 154
Vers les hautes températures
Les semiconducteurs “grand gap”
3000°C
fonctionnent à plus haute temp. Silicon
3C−SiC
2500°C 6H−SiC
I Les limites actuelles sont 4H−SiC
2H−GaN

Junction temperature
Diamond
packaging 2000°C

I Souvent fort cyclage 1500°C

thermique 1000°C

I Applications
500°C
I Aéronautique
I Automobile 0°C
10 V 100 V 1 kV 10 kV 100 kV 1 MV
I Forage Breakdown voltage

I ...

Problèmes liés au packaging :


I Fusion des brasures
I Limite des matériaux polymères (gels, passivants, boîtier plastique)
I Amplification des problèmes mécaniques dûs au cyclage
116 / 154
Vers les hautes températures – 2
250
200 310°C
150

Vout [V]
100
50
0
5049.0 48.8 48.6 48.4 0.2 0.0 0.2
time [µs] time [µs]
5

4 310°C
Module réalisé au lab. Ampère :
3
I puces driver intégrées
Iout [A]
2
I 2 JFETs en carbure de silicium 1
I composants passifs haute 0
température 149.0 48.8 48.6 48.4 0.2 0.0 0.2
time [µs] time [µs]
I report par frittage d’argent
117 / 154
Sommaire

Petit lexique du packaging de puissance

Considérations physiques
Aspects thermiques
Aspects thermo-mécaniques
Substrats
Interconnexions
Gestion thermique

Gestion thermique des composants

Évolutions, Recherche et Développement

Exercices

118 / 154
Exercice 1
I Diode, RThJA = 62 K /W ,
RThJC = 0.9 K /W , TJMax = 150o C,
Pdis. = 15 W
I Pad thermique souple,
2, 35 K /W > RTh > 1, 76 K /W
suivant pression d’appui
I Radiateur RTh = 4, 4 K /W Source : the Bergquist Company

I Calculer la température de jonction de la diode sans


refroidisseur, pour une température ambiante de 25°C
I Quelle est la plage de température de jonction avec pad et
radiateur (TA = 25O C) ?
I Même question lorsque la température ambiante atteint
50°C
I Conclusions ?
119 / 154
Exercice 2

I Calculez la RTh de 200 mm de


radiateur sous un flux d’air de 2,4 et
6 m/s.
I on fixe un module de
RThJC = 0, 03 K /W . Calculez la
puissance maximale dissipable à
TJmax = 125o C et TA = 50o C.
I Quelle température atteint alors le
module si les ventilateurs
s’arrêtent ? (cas 4 m/s uniquement) Source : “Définition d’un dissipateur thermique en milieu industriel”, J.-F. Roche, Techniques de
l’ingénieur, D3 117

120 / 154
Exercice 3

1 cm

cm I ρSi = 2330 kg/m3


1

I CPSi = 700 J/kg/K


I λSi = 149 W /m/K
400 µm

On considérera que la puissance est dissipée uniformément en


surface de la puce et que les deux faces sont isothermes.
I Calculer la RTh de cette puce. Calculez la différence de
température pour une densité de puissance de 200 W/cm2 .
I Calculer sa CTh . Quelle est l’élévation de température
(conditions adiabatiques) associée à une dissipation de
puissance de 100 kW durant 0,1 µs ? 1 µs ? 1 ms ?

121 / 154
Troisième partie III

Aspects pratiques

122 / 154
Objectifs

I Comprendre une datasheet constructeur


I L’exploiter vis à vis d’une application donnée
I Étudier différents types de composants de puissance

123 / 154
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IDP30E120

Fast Switching Diode Product Summary


Features
VRRM 1200 V
• 1200 V diode technology
IF 30 A
• Fast recovery
VF 1.65 V
• Soft switching
T jmax 150 °C
• Low reverse recovery charge
PG-TO220-2
• Low forward voltage
• Easy paralleling
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
• Qualified according to JEDEC for target applications

Type Package Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3


IDP30E120 PG-TO220-2 - D30E120 C A -

Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified


Parameter Symbol Value Unit
Repetitive peak reverse voltage VRRM 1200 V
Continous forward current IF A
TC=25°C 50
TC=90°C 30
Surge non repetitive forward current I FSM 102
TC=25°C, tp=10 ms, sine halfwave

Maximum repetitive forward current I FRM 76.5


TC=25°C, tp limited by Tjmax, D=0.5

Power dissipation Ptot W


TC=25°C 138
TC=90°C 66
Operating and storage temperature Tj , Tstg -55...+150 °C
Soldering temperature TS 260 °C
wavesoldering, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

Rev.2.3 Page 1 2009-08-19

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IDP30E120

Fast Switching Diode


Référence du composant
Product Summary
Features
VRRM 1200 V
• 1200 V diode technology
IF 30 A
• Fast recovery
VF 1.65 V
• Soft switching
T jmax 150 °C
• Low reverse recovery charge
PG-TO220-2
• Low forward voltage
• Easy paralleling
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
• Qualified according to JEDEC for target applications

Type Package Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3


IDP30E120 PG-TO220-2 - D30E120 C A -

Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified


Parameter Symbol Value Unit
Repetitive peak reverse voltage VRRM 1200 V
Continous forward current IF A
TC=25°C 50
TC=90°C 30
Surge non repetitive forward current I FSM 102
TC=25°C, tp=10 ms, sine halfwave

Maximum repetitive forward current I FRM 76.5


TC=25°C, tp limited by Tjmax, D=0.5

Power dissipation Ptot W


TC=25°C 138
TC=90°C 66
Operating and storage temperature Tj , Tstg -55...+150 °C
Soldering temperature TS 260 °C
wavesoldering, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

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Description
rapide du composant
IDP30E120

Fast Switching Diode


Référence du composant
Product Summary
Features
VRRM 1200 V
• 1200 V diode technology
IF 30 A
• Fast recovery
VF 1.65 V
• Soft switching
T jmax 150 °C
• Low reverse recovery charge
PG-TO220-2
• Low forward voltage
• Easy paralleling
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
• Qualified according to JEDEC for target applications

Type Package Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3


IDP30E120 PG-TO220-2 - D30E120 C A -

Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified


Parameter Symbol Value Unit
Repetitive peak reverse voltage VRRM 1200 V
Continous forward current IF A
TC=25°C 50
TC=90°C 30
Surge non repetitive forward current I FSM 102
TC=25°C, tp=10 ms, sine halfwave

Maximum repetitive forward current I FRM 76.5


TC=25°C, tp limited by Tjmax, D=0.5

Power dissipation Ptot W


TC=25°C 138
TC=90°C 66
Operating and storage temperature Tj , Tstg -55...+150 °C
Soldering temperature TS 260 °C
wavesoldering, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

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Description
rapide du composant
IDP30E120

Fast Switching Diode


Référence du composant
Product Summary
Features
VRRM 1200 V
• 1200 V diode technology
• Fast recovery
IF 30 A Performances principales
VF 1.65 V
• Soft switching
T jmax 150 °C
• Low reverse recovery charge
PG-TO220-2
• Low forward voltage
• Easy paralleling
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
• Qualified according to JEDEC for target applications

Type Package Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3


IDP30E120 PG-TO220-2 - D30E120 C A -

Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified


Parameter Symbol Value Unit
Repetitive peak reverse voltage VRRM 1200 V
Continous forward current IF A
TC=25°C 50
TC=90°C 30
Surge non repetitive forward current I FSM 102
TC=25°C, tp=10 ms, sine halfwave

Maximum repetitive forward current I FRM 76.5


TC=25°C, tp limited by Tjmax, D=0.5

Power dissipation Ptot W


TC=25°C 138
TC=90°C 66
Operating and storage temperature Tj , Tstg -55...+150 °C
Soldering temperature TS 260 °C
wavesoldering, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

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Description
rapide du composant
IDP30E120

Fast Switching Diode


Référence du composant
Product Summary
Features
VRRM 1200 V
• 1200 V diode technology
• Fast recovery
IF 30 A Performances principales
VF 1.65 V
• Soft switching
T jmax 150 °C
• Low reverse recovery charge
PG-TO220-2
• Low forward voltage
• Easy paralleling
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
Brochage/vue d'un des
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
• Qualified according to JEDEC for target applications
boîtiers
Type Package Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3
IDP30E120 PG-TO220-2 - D30E120 C A -

Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified


Parameter Symbol Value Unit
Repetitive peak reverse voltage VRRM 1200 V
Continous forward current IF A
TC=25°C 50
TC=90°C 30
Surge non repetitive forward current I FSM 102
TC=25°C, tp=10 ms, sine halfwave

Maximum repetitive forward current I FRM 76.5


TC=25°C, tp limited by Tjmax, D=0.5

Power dissipation Ptot W


TC=25°C 138
TC=90°C 66
Operating and storage temperature Tj , Tstg -55...+150 °C
Soldering temperature TS 260 °C
wavesoldering, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

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Description
rapide du composant
IDP30E120

Fast Switching Diode


Référence du composant
Product Summary
Features
VRRM 1200 V
• 1200 V diode technology
• Fast recovery
IF 30 A Performances principales
VF 1.65 V
• Soft switching
T jmax 150 °C
• Low reverse recovery charge
PG-TO220-2
• Low forward voltage
• Easy paralleling
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
Brochage/vue d'un des
• Halogen-free according to IEC61249-2-21
• Qualified according to JEDEC for target applications
boîtiers
Type Package Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3
IDP30E120 PG-TO220-2 - D30E120 C A -

Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified


Parameter Symbol Value Unit
Repetitive peak reverse voltage VRRM 1200 V
Continous forward current IF A
TC=25°C
TC=90°C
50
30 Grandeurs extrêmes
Surge non repetitive forward current
TC=25°C, tp=10 ms, sine halfwave
I FSM 102
(destruction du composant
Maximum repetitive forward current
TC=25°C, tp limited by Tjmax, D=0.5
I FRM 76.5
au-delà)
Power dissipation Ptot W
TC=25°C 138
TC=90°C 66
Operating and storage temperature Tj , Tstg -55...+150 °C
Soldering temperature TS 260 °C
wavesoldering, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s

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Lire une Datasheet – performances

IDP30E120

Thermal Characteristics
Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case RthJC - - 0.9 K/W
Thermal resistance, junction - ambient, leaded RthJA - - 62
SMD version, device on PCB: RthJA
@ min. footprint - - 62
@ 6 cm 2 cooling area 1) - 35 -

Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified


Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.
Static Characteristics
Reverse leakage current IR µA
V R=1200V, T j=25°C - - 100
V R=1200V, T j=150°C - - 2500
Forward voltage drop VF V
IF=30A, T j=25°C - 1.65 2.15
IF=30A, T j=150°C - 1.7 -

1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm² (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.

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125 / 154
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IDP30E120

Thermal Characteristics
Parameter Symbol Values Unit Performance thermiques
min. typ. max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case RthJC - - 0.9 K/W
Thermal resistance, junction - ambient, leaded RthJA - - 62
SMD version, device on PCB: RthJA
@ min. footprint - - 62
@ 6 cm 2 cooling area 1) - 35 -

Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified


Parameter Symbol Values Unit
min. typ. max.
Static Characteristics
Reverse leakage current IR µA
V R=1200V, T j=25°C - - 100
V R=1200V, T j=150°C - - 2500
Forward voltage drop VF V
IF=30A, T j=25°C - 1.65 2.15
IF=30A, T j=150°C - 1.7 -

1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm² (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.

Rev.2.3 Page 2 2009-08-19

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IDP30E120

Thermal Characteristics
Parameter Symbol Values Unit Performance thermiques
min. typ. max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case RthJC - - 0.9 K/W
Thermal resistance, junction - ambient, leaded RthJA - - 62
SMD version, device on PCB: RthJA
@ min. footprint - - 62
@ 6 cm 2 cooling area 1) - 35 -

Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified


Parameter Symbol
min.
Values
typ. max.
Unit
Performances électriques
Static Characteristics
Reverse leakage current IR µA
V R=1200V, T j=25°C - - 100
V R=1200V, T j=150°C - - 2500
Forward voltage drop VF V
IF=30A, T j=25°C - 1.65 2.15
IF=30A, T j=150°C - 1.7 -

1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm² (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.

Rev.2.3 Page 2 2009-08-19

125 / 154
Lire une Datasheet – performances

IDP30E120

Thermal Characteristics
Parameter Symbol Values Unit Performance thermiques
min. typ. max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case RthJC - - 0.9 K/W
Thermal resistance, junction - ambient, leaded RthJA - - 62
SMD version, device on PCB: RthJA
@ min. footprint - - 62
@ 6 cm 2 cooling area 1) - 35 -

Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified


Parameter Symbol
min.
Values
typ. max.
Unit
Performances électriques
Static Characteristics
Reverse leakage current IR µA
V R=1200V, T j=25°C - - 100
V R=1200V, T j=150°C - - 2500
Forward voltage drop VF V
IF=30A, T j=25°C - 1.65 2.15
IF=30A, T j=150°C - 1.7 -

Valeur Valeur Valeur


minimale nominale maximale

1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm² (one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.

Rev.2.3 Page 2 2009-08-19

125 / 154
Lire une Datasheet – les autres pages
IDP30E120 IDP30E120

1 Power dissipation 2 Diode forward current 5 Typ. reverse recovery time 6 Typ. reverse recovery charge
Ptot = f (TC) IF = f(TC) trr = f (diF/dt) Qrr =f(diF/dt)
parameter: Tj ≤ 150°C parameter: Tj≤ 150°C parameter: V R = 800V, T j = 125°C parameter: VR = 800V, Tj = 125 °C
1100 6500

Caractérisations
140 55
W A ns nC
60A
120
45
110 900
5500
100 40
60A

électrique
800
30A

Q rr
P tot

trr
90 35 15A 5000

IF
30A
80 700
30
4500
70
25 600
60

(attention aux conditions)


4000
50 20 500
40 15 15A
3500
400
30
10
20 300 3000
5
10

0 0 200 2500
25 50 75 100 200 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000 200 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000
°C 150 25 50 75 100 °C 150
TC TC di F/dt diF/dt

7 Typ. reverse recovery current 8 Typ. reverse recovery softness factor


3 Typ. diode forward current 4 Typ. diode forward voltage
Irr = f (diF/dt) S = f(diF /dt)
IF = f (VF) VF = f (Tj)
parameter: V R = 800V, T j = 125°C parameter: VR = 800V, Tj = 125°C
35 18
90 2.4

A 60A
A
V
-55°C 60A
70
25°C 30A
14
100°C 15A
150°C 25
60 2 Irr 60A
VF

S
IF

12 30A
50 15A
20
1.8
30A
40 10

15
30 1.6
8

Abaque thermique
20 15A
10
1.4 6
10

5 4
0 1.2 200 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000 200 300 400 500 600 700 800 A/µs 1000
0 0.5 1 1.5 2 V 3 -60 -20 20 60 100 °C 160
di F/dt diF/dt
VF Tj

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IDP30E120 IDP30E120

9 Max. transient thermal impedance TO-220-2


ZthJC = f (tp)
parameter : D = t p/T
10 1 IDP30E120

K/W

10 0
ZthJC

10 -1

D = 0.50

Information de packaging
10 -2 0.20
0.10
0.05
0.02
10 -3
0.01
single pulse

10 -4 -7 -6 -5 -4 -3 -2 0
10 10 10 10 10 10 s 10
tp

Rev.2.3 Page 6 2009-08-19 Rev.2.3 Page 7 2009-08-19

126 / 154
Sommaire

Caractéristiques électriques
Diode
MOSFET
IGBT

Commutation des composants

Exercices

Conclusion

127 / 154
Diode – les caractéristiques principales

VR : la tension inverse maximale (ex : 600, 1200 V)


IF : le courant direct (forward) supporté par la
diode.
I donné le plus souvent à 25°C
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VF : chute de tension à l’état passant Ü pertes en
conduction
Type de diode : décrit le compromis vitesse/VF
I redressement (lente mais faibles pertes en
conduction), “ultra rapide”. . .
I la dénomination dépend du fabricant (toutes
les diodes sont au moins “rapides”. . .)

128 / 154
Diode – les caractéristiques principales

VR : la tension inverse maximale (ex : 600, 1200 V)


IF : le courant direct (forward) supporté par la
diode.
I donné le plus souvent à 25°C
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VF : chute de tension à l’état passant Ü pertes en
conduction
Type de diode : décrit le compromis vitesse/VF
I redressement (lente mais faibles pertes en
conduction), “ultra rapide”. . .
I la dénomination dépend du fabricant (toutes
les diodes sont au moins “rapides”. . .)

128 / 154
Diode – les caractéristiques principales

VR : la tension inverse maximale (ex : 600, 1200 V)


IF : le courant direct (forward) supporté par la
diode.
I donné le plus souvent à 25°C
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VF : chute de tension à l’état passant Ü pertes en
conduction
Type de diode : décrit le compromis vitesse/VF
I redressement (lente mais faibles pertes en
conduction), “ultra rapide”. . .
I la dénomination dépend du fabricant (toutes
les diodes sont au moins “rapides”. . .)

128 / 154
Diode – les caractéristiques principales

VR : la tension inverse maximale (ex : 600, 1200 V)


IF : le courant direct (forward) supporté par la
diode.
I donné le plus souvent à 25°C
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VF : chute de tension à l’état passant Ü pertes en
conduction
Type de diode : décrit le compromis vitesse/VF
I redressement (lente mais faibles pertes en
conduction), “ultra rapide”. . .
I la dénomination dépend du fabricant (toutes
les diodes sont au moins “rapides”. . .)

128 / 154
Sommaire

Caractéristiques électriques
Diode
MOSFET
IGBT

Commutation des composants

Exercices

Conclusion

129 / 154
MOSFET – les caractéristiques principales

VBR : la tension maximale à l’état bloqué (ex : 30, 200 V)


ID : le courant de drain maximal supporté par le
transistor :
I donné le plus souvent à plusieurs températures, dont
25°C
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
RDSon : Résistance drain-source Ü pertes en conduction
I Dépend de la température, de la tension VGS )

Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)


QG : Charge nécessaire pour faire commuter le transistor
I dépend de la tension VGS , ainsi que de VDS et ID
I important pour les transistors utilisés à haute
fréquence (plusieurs centaines de kHz)

130 / 154
MOSFET – les caractéristiques principales

VBR : la tension maximale à l’état bloqué (ex : 30, 200 V)


ID : le courant de drain maximal supporté par le
transistor :
I donné le plus souvent à plusieurs températures, dont
25°C
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
RDSon : Résistance drain-source Ü pertes en conduction
I Dépend de la température, de la tension VGS )

Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)


QG : Charge nécessaire pour faire commuter le transistor
I dépend de la tension VGS , ainsi que de VDS et ID
I important pour les transistors utilisés à haute
fréquence (plusieurs centaines de kHz)

130 / 154
MOSFET – les caractéristiques principales

VBR : la tension maximale à l’état bloqué (ex : 30, 200 V)


ID : le courant de drain maximal supporté par le
transistor :
I donné le plus souvent à plusieurs températures, dont
25°C
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
RDSon : Résistance drain-source Ü pertes en conduction
I Dépend de la température, de la tension VGS )

Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)


QG : Charge nécessaire pour faire commuter le transistor
I dépend de la tension VGS , ainsi que de VDS et ID
I important pour les transistors utilisés à haute
fréquence (plusieurs centaines de kHz)

130 / 154
MOSFET – les caractéristiques principales

VBR : la tension maximale à l’état bloqué (ex : 30, 200 V)


ID : le courant de drain maximal supporté par le
transistor :
I donné le plus souvent à plusieurs températures, dont
25°C
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
RDSon : Résistance drain-source Ü pertes en conduction
I Dépend de la température, de la tension VGS )

Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)


QG : Charge nécessaire pour faire commuter le transistor
I dépend de la tension VGS , ainsi que de VDS et ID
I important pour les transistors utilisés à haute
fréquence (plusieurs centaines de kHz)

130 / 154
MOSFET – les caractéristiques principales

VBR : la tension maximale à l’état bloqué (ex : 30, 200 V)


ID : le courant de drain maximal supporté par le
transistor :
I donné le plus souvent à plusieurs températures, dont
25°C
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
RDSon : Résistance drain-source Ü pertes en conduction
I Dépend de la température, de la tension VGS )

Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)


QG : Charge nécessaire pour faire commuter le transistor
I dépend de la tension VGS , ainsi que de VDS et ID
I important pour les transistors utilisés à haute
fréquence (plusieurs centaines de kHz)

130 / 154
MOSFET – les caractéristiques principales

VBR : la tension maximale à l’état bloqué (ex : 30, 200 V)


ID : le courant de drain maximal supporté par le
transistor :
I donné le plus souvent à plusieurs températures, dont
25°C
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
RDSon : Résistance drain-source Ü pertes en conduction
I Dépend de la température, de la tension VGS )

Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)


QG : Charge nécessaire pour faire commuter le transistor
I dépend de la tension VGS , ainsi que de VDS et ID
I important pour les transistors utilisés à haute
fréquence (plusieurs centaines de kHz)

130 / 154
MOSFET – caractéristique statique

I Fonctionnement nominal en zone linéaire


I RDSon modulée par la tension grille-source
131 / 154
MOSFET – caractéristique statique

I Fonctionnement nominal en zone linéaire


I RDSon modulée par la tension grille-source
131 / 154
MOSFET – capacités parasites

CGS = CoxN + + CoxP + Coxm


Pour des raisons pratiques, on définit
I Ciss (capacité vue de la grille) = CGD + CGS
I Crss (capacité “reverse”) = CGD
I Coss (capacité de sortie) =CGD + CDS
Les capacités sont non-linéaires : elles varient avec la tension
Source : datasheet du Mos STL150N3LLH5

132 / 154
MOSFET – capacités parasites

I charge électrique à fournir pour faire


commuter le composant
I le plateau correspond à la commutation
I dépend de la tension VDS

I Q = CVGS = IG × tcharge
I ex : à 8 V Qg =60 nC Ü sous Ig =1 A commutation 60 ns
I énergie stockée = 12 CVGS
2 = 1Q V 1
2 g GS = 2 60.10
−9 × 8 = 240.10−9 J
Source : datasheet du Mos STL150N3LLH5

133 / 154
MOSFET – Safe Operating Area

I La Safe Operating Area


définit le domaine de
fonctionnement du
transistor
VDS
I ID = RDson
I VDS < VBR
I ID limité par des
considérations de
fiabilité
I P = VDS × ID limité par
l’impédance thermique
Source : datasheet du Mos STL150N3LLH5

134 / 154
MOSFET – Safe Operating Area

I La Safe Operating Area


définit le domaine de
fonctionnement du
transistor on
VDS R DS
I ID = RDson
I VDS < VBR
I ID limité par des
considérations de
fiabilité
I P = VDS × ID limité par
l’impédance thermique
Source : datasheet du Mos STL150N3LLH5

134 / 154
MOSFET – Safe Operating Area

I La Safe Operating Area


définit le domaine de
fonctionnement du
transistor on
VDS R DS
I ID = RDson
I VDS < VBR
I ID limité par des
considérations de
fiabilité
I P = VDS × ID limité par
l’impédance thermique VBR
Source : datasheet du Mos STL150N3LLH5

134 / 154
MOSFET – Safe Operating Area

I La Safe Operating Area


définit le domaine de
ID
fonctionnement du
transistor on
VDS R DS
I ID = RDson
I VDS < VBR
I ID limité par des
considérations de
fiabilité
I P = VDS × ID limité par
l’impédance thermique VBR
Source : datasheet du Mos STL150N3LLH5

134 / 154
MOSFET – Safe Operating Area

ZT
h
I La Safe Operating Area
définit le domaine de
ID
fonctionnement du
transistor on
VDS R DS
I ID = RDson
I VDS < VBR
I ID limité par des
considérations de
fiabilité
I P = VDS × ID limité par
l’impédance thermique VBR
Source : datasheet du Mos STL150N3LLH5

134 / 154
MOSFET – Impédance thermique et fonctionnement impulsionnel

Abaque donnant la RTh


apparente en mode
impulsionel :
I duty cycle (rapport
cyclique) δ
I durée d’impulsion td
Attention, c’est un facteur
correctif
Source : datasheet du Mos STL150N3LLH5

I En mono-impulsion : effet prépondérant des capacités


thermiques
I En mode répétitif : on a un effet de filtrage passe-bas
(RThapparent = δRTh )

135 / 154
Sommaire

Caractéristiques électriques
Diode
MOSFET
IGBT

Commutation des composants

Exercices

Conclusion

136 / 154
IGBT – les caractéristiques principales

VCEmax la tension maximale supportée par l’IGBT à l’état bloqué


ID : le courant de drain maximal supporté par le transistor :
I donné à une température ou plus
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VCESat : la chute de tension à l’état passant
I pendant de VF pour une diode, avec le même
compromis pertes en commutation/pertes en
conduction
Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)
Type punch-through/non punch-through (PT/NPT) définit la
structure du composant
I PT : faibles pertes en conduction
I NPT : meilleure tenue en court-circuit

137 / 154
IGBT – les caractéristiques principales

VCEmax la tension maximale supportée par l’IGBT à l’état bloqué


ID : le courant de drain maximal supporté par le transistor :
I donné à une température ou plus
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VCESat : la chute de tension à l’état passant
I pendant de VF pour une diode, avec le même
compromis pertes en commutation/pertes en
conduction
Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)
Type punch-through/non punch-through (PT/NPT) définit la
structure du composant
I PT : faibles pertes en conduction
I NPT : meilleure tenue en court-circuit

137 / 154
IGBT – les caractéristiques principales

VCEmax la tension maximale supportée par l’IGBT à l’état bloqué


ID : le courant de drain maximal supporté par le transistor :
I donné à une température ou plus
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VCESat : la chute de tension à l’état passant
I pendant de VF pour une diode, avec le même
compromis pertes en commutation/pertes en
conduction
Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)
Type punch-through/non punch-through (PT/NPT) définit la
structure du composant
I PT : faibles pertes en conduction
I NPT : meilleure tenue en court-circuit

137 / 154
IGBT – les caractéristiques principales

VCEmax la tension maximale supportée par l’IGBT à l’état bloqué


ID : le courant de drain maximal supporté par le transistor :
I donné à une température ou plus
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VCESat : la chute de tension à l’état passant
I pendant de VF pour une diode, avec le même
compromis pertes en commutation/pertes en
conduction
Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)
Type punch-through/non punch-through (PT/NPT) définit la
structure du composant
I PT : faibles pertes en conduction
I NPT : meilleure tenue en court-circuit

137 / 154
IGBT – les caractéristiques principales

VCEmax la tension maximale supportée par l’IGBT à l’état bloqué


ID : le courant de drain maximal supporté par le transistor :
I donné à une température ou plus
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VCESat : la chute de tension à l’état passant
I pendant de VF pour une diode, avec le même
compromis pertes en commutation/pertes en
conduction
Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)
Type punch-through/non punch-through (PT/NPT) définit la
structure du composant
I PT : faibles pertes en conduction
I NPT : meilleure tenue en court-circuit

137 / 154
IGBT – les caractéristiques principales

VCEmax la tension maximale supportée par l’IGBT à l’état bloqué


ID : le courant de drain maximal supporté par le transistor :
I donné à une température ou plus
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VCESat : la chute de tension à l’état passant
I pendant de VF pour une diode, avec le même
compromis pertes en commutation/pertes en
conduction
Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)
Type punch-through/non punch-through (PT/NPT) définit la
structure du composant
I PT : faibles pertes en conduction
I NPT : meilleure tenue en court-circuit

137 / 154
IGBT – les caractéristiques principales

VCEmax la tension maximale supportée par l’IGBT à l’état bloqué


ID : le courant de drain maximal supporté par le transistor :
I donné à une température ou plus
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VCESat : la chute de tension à l’état passant
I pendant de VF pour une diode, avec le même
compromis pertes en commutation/pertes en
conduction
Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)
Type punch-through/non punch-through (PT/NPT) définit la
structure du composant
I PT : faibles pertes en conduction
I NPT : meilleure tenue en court-circuit

137 / 154
IGBT – les caractéristiques principales

VCEmax la tension maximale supportée par l’IGBT à l’état bloqué


ID : le courant de drain maximal supporté par le transistor :
I donné à une température ou plus
I dépend du refroidissement (taille du radiateur,
température ambiante)
VCESat : la chute de tension à l’état passant
I pendant de VF pour une diode, avec le même
compromis pertes en commutation/pertes en
conduction
Vth (Threshold) : tension de seuil (tension de commutation)
Type punch-through/non punch-through (PT/NPT) définit la
structure du composant
I PT : faibles pertes en conduction
I NPT : meilleure tenue en court-circuit

137 / 154
IGBT – caractéristique statique

I Présence d’un seuil (VCEsat ) dans la caractéristique I(V)


I Modulation de la résistance dynamique en fonction de la
tension grille-émetteur

138 / 154
IGBT – caractéristique statique

I Présence d’un seuil (VCEsat ) dans la caractéristique I(V)


I Modulation de la résistance dynamique en fonction de la
tension grille-émetteur
Source : datasheet de l’IGBT DIM2400ESS12-A000

138 / 154
IGBT – Safe Operating Area

I zone délimitée par


I courant max.
I tension max.
I puissance max.
I tension min (pas visible)
I la thermique transitoire n’est
pas tracée ici.

Toutes les caractéristiques thermiques vues pour le MOSFET


(impédance, etc.) se retrouvent ici
Source : datasheet de l’IGBT DIM2400ESS12-A000

139 / 154
IGBT – pertes en commutation

EON pertes à la fermeture du transistor


EOFF pertes à l’ouverture
Erec pertes dues au recouvrement de la diode (ce
module contient 1 IGBT et 1 diode)
Source : datasheet de l’IGBT DIM2400ESS12-A000

140 / 154
MOSFET, IGBT – Pilotage de la grille

Le circuit driver génère la tension VGS :


I Charge capacitive (MOSFET, IGBT)
I Courant impulsionnel
I impulsions de plusieurs ampères
I Vitesse de commutation définie par
RG
I Tension VGS à l’état passant définie
par VDrive
I Tension VGS à l’état bloqué 0 ou
négative.
source : EEtimes Asia

I Entrée sur niveaux logiques


I Disponible sous forme de circuits
intégrés.

141 / 154
MOSFET, IGBT – Fonctions d’isolation

I Alimentation isolée des drivers


I transformateurs
I “pompe de charge” (bootstrap) source : “Power Electronics Converters,
Applications and Design”, N. Mohan, T.
Underland et W. Robbins, John Willey and
I Isolement des signaux de commande Sons, USA.

I transformateurs
I fibre optique, optocoupleurs
I level shifter
142 / 154
Sommaire

Caractéristiques électriques
Diode
MOSFET
IGBT

Commutation des composants

Exercices

Conclusion

143 / 154
Commutation d’un MOSFET de puissance – cellule de commutation

I La cellule de commutation est la “brique de base” des


convertisseurs
I Connexion entre une source de courant et une source de
tension

144 / 154
Cellule de commutation – fermeture
Is
Idrain

Vds Ve

Vdiode
Is
Vgs Ve d
Idrain
g
Vds
Vgs
s
Vdiode Ve

145 / 154
Cellule de commutation – fermeture
Is
Idrain

Vds Ve

Vdiode
Is
Vgs Ve d
Idrain
g
Vds
Vgs
s
Vdiode Ve

145 / 154
Cellule de commutation – fermeture
Is
Idrain

Vds Ve

Vdiode
Is
Vgs Ve d
Idrain
g
Vds
Vgs
s
Vdiode Ve

145 / 154
Cellule de commutation – fermeture
Is
Idrain

Vds Ve

Vdiode
Is
Vgs Ve d
Idrain
g
Vds
Vgs
s
Vdiode Ve

145 / 154
Cellule de commutation – fermeture
Is
Idrain

Vds Ve

Vdiode
Is
Vgs Ve d
Idrain
g
Vds
Vgs
s
Vdiode Ve

145 / 154
Cellule de commutation – ouverture
Is
Idrain

Vds Ve

Vdiode
Is
Vgs Ve d
Idrain
g
Vds
Vgs
s
Vdiode Ve

146 / 154
Cellule de commutation – ouverture
Is
Idrain

Vds Ve

Vdiode
Is
Vgs Ve d
Idrain
g
Vds
Vgs
s
Vdiode Ve

146 / 154
Cellule de commutation – ouverture
Is
Idrain

Vds Ve

Vdiode
Is
Vgs Ve d
Idrain
g
Vds
Vgs
s
Vdiode Ve

146 / 154
Cellule de commutation – ouverture
Is
Idrain

Vds Ve

Vdiode
Is
Vgs Ve d
Idrain
g
Vds
Vgs
s
Vdiode Ve

146 / 154
Cellule de commutation – ouverture
Is
Idrain

Vds Ve

Vdiode
Is
Vgs Ve d
Idrain
g
Vds
Vgs
s
Vdiode Ve

146 / 154
Commutation d’un MOSFET/IGBT de puissance – effet Miller

I courant d’entrée :
Ii = Vi −V
Z
o
= Vi (1+A
Z
v)

I Impédance d’entrée :
Zin = VIii = 1+A
Z
v
1
I si on considère que Z = jCGD ω
image source : wikipedia

I on obtient Ci = C(1 + Av )
147 / 154
Commutation d’un MOSFET/IGBT de puissance – effet Miller

I courant d’entrée :
Ii = Vi −V
Z
o
= Vi (1+A
Z
v)

I Impédance d’entrée :
Zin = VIii = 1+A
Z
v
1
I si on considère que Z = jCGD ω
image source : wikipedia

I on obtient Ci = C(1 + Av )
147 / 154
Commutation d’un MOSFET/IGBT de puissance – effet Miller

I courant d’entrée :
Ii = Vi −V
Z
o
= Vi (1+A
Z
v)

I Impédance d’entrée :
Zin = VIii = 1+A
Z
v
1
I si on considère que Z = jCGD ω
image source : wikipedia

I on obtient Ci = C(1 + Av )
147 / 154
Commutation d’un MOSFET/IGBT de puissance – effet Miller

I courant d’entrée :
Ii = Vi −V
Z
o
= Vi (1+A
Z
v)

I Impédance d’entrée :
Zin = VIii = 1+A
Z
v
1
I si on considère que Z = jCGD ω
image source : wikipedia

I on obtient Ci = C(1 + Av )
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Commutation d’un MOSFET/IGBT de puissance – effet Miller

I courant d’entrée :
Ii = Vi −V
Z
o
= Vi (1+A
Z
v)

I Impédance d’entrée :
Zin = VIii = 1+A
Z
v
1
I si on considère que Z = jCGD ω
image source : wikipedia

I on obtient Ci = C(1 + Av )
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IGBT – comportement dynamique
VGE

IC
V1 t

VCE VCE

VGE
IC
t

I Vitesse de commutation (hors queue) pilotée par la


résistance de grille
I trainée de courant à l’ouverture (tail current) : évacuation
des charges stockées
I compromis vitesse/conduction, dépendant du type d’IGBT
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IGBT – comportement dynamique
VGE

IC
V1 t

VCE VCE

VGE courant
IC de queue

I Vitesse de commutation (hors queue) pilotée par la


résistance de grille
I trainée de courant à l’ouverture (tail current) : évacuation
des charges stockées
I compromis vitesse/conduction, dépendant du type d’IGBT
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Sommaire

Caractéristiques électriques
Diode
MOSFET
IGBT

Commutation des composants

Exercices

Conclusion

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Diode

À partir de la datasheet de la diode IDP30E120 :


I Donnez la chute de tension et les pertes en conduction
pour IF =15 A, 30 A, 60 A à TJ =-40°C, 20°C, 80°C et
140°C.
I tracez ces résultats dans un graphe P=f(TJ ) (échelle
verticale 1 cm :10 W, échelle horizontale 1 cm :20°C).
I tracez sur le même graphe la caractéristique d’un système
de refroidissement de RTH =2 K/W à température ambiante
de 20°C
I Quelles sont les températures d’équilibre à 15, 30 et 60 A ?
I Dans ces conditions de refroidissement, la diode
fonctionne à 15 A continus, mais subit une impulsion de
courant de 60 A d’une durée de 200 µs. Quelle est la
température de jonction atteinte ?

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MOSFET
Sur la datasheet du MOSFET STL150N3
I Quelles sont les grandeurs principales ? (tension, courant,
tension à l’état passant)
I Quelle tension de grille appliquer pour piloter le
composant ?
I On fait fonctionner le module avec un courant de drain de
35 A, à TJ =125°C.
I Quelles sont la chute de tension à l’état passant et les
pertes en conduction dans le MOSFET ?
I La fréquence de commutation est de 100 kHz, le rapport
cyclique de 0,5, le courant de grille de 1 A (schema)
I quelles sont les pertes en commutation dans le MOSFET ?
I Quelles sont les pertes totales ? quelle est la résistance
thermique du radiateur à utiliser si TA =25°C ?
I Comment calculez-vous les pertes en avalanche durant le
test de la figure 17 ?
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IGBT
Sur la datasheet de l’IGBT DIM2400ESS12
I Quelle est la fonction réalisée par ce module ?
I Quelles sont les grandeurs principales ? (tension, courant,
tension à l’état passant)
I Quelle tension de grille appliquer pour piloter le
composant ?
I On fait fonctionner le module avec un courant de collecteur
de 2000 A, à TJ =125°C.
I Quelles sont la chute de tension à l’état passant et les
pertes en conduction dans l’IGBT ? dans la diode ?
I La fréquence de commutation est de 1 kHz
I quelles sont les pertes en commutation dans l’IGBT ? dans
la diode ?
I Quelles sont les pertes totales (IGBT et diode fonctionnent
50% du temps chacun) ? quelle est la résistance thermique
du radiateur à utiliser si TA =25°C ?
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Sommaire

Caractéristiques électriques
Diode
MOSFET
IGBT

Commutation des composants

Exercices

Conclusion

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pour aller plus loin

I “Dispositifs de l’électronique de puissance”, J. Arnould et P. Merle, 1992, Hermès, Paris (2 tomes). Clair et
bien écrit, mais plus tout à fait à jour (en français).
I “Power Electronics Converters, Applications and Design”, N. Mohan, T. Underland et W. Robbins, John
Willey and Sons, USA. Probablement le livre d’électronique de puissance le plus utilisé en cours dans le
monde anglo-saxon (en anglais).
I “Power Semiconductor Devices”, B. J. Baliga, PWS publishing company, 1995. Livre très complet (et un peu
ardu) sur les composants actifs de puissance.

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