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Thierry LEQUEU
thierry.lequeu@univ-tours.fr
AVENUE MONGE, PARC DE GRANDMONT – 37200 TOURS – Tél. 02.47.36.71.05 – FAX. 02.47.36.71.06
DIRECTION DE L'IUT : 29, RUE DU PONT VOLANT - 37082 TOURS CEDEX 2
Thierry LEQUEU – Janvier 2006 – [DIV489] – Fichier : ALIM-TD1.DOC
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TD EDP – IUT GEII – Option EEP – 2005/2006
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Thierry LEQUEU – Janvier 2006 – [DIV489] – Fichier : ALIM-TD1.DOC
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TD EDP – IUT GEII – Option EEP – 2005/2006
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Thierry LEQUEU – Janvier 2006 – [DIV489] – Fichier : ALIM-TD1.DOC
TD 2 - Intérêt de la commutation
2.1 Exemple de l'alimentation linéaire
P charge
T
P ballast
I Ballast I
R
V Charge V
C C Charge
Dz
R ballast R charge
V2 R
La puissance maximale du montage vaut Pmax = (lorsque RC = 0). On pose x = C , une
RB RB
nouvelle variable proportionnelle à la résistance de charge.
c) Exprimer PC et PB en fonction de x et de P max.
PC
d) Calculer le rendement du montage η = en fonction de x.
PC + PB
PC P
e) On pose y C = et y B = B . Tracer les trois fonction yC(x), yB(x) et η(x).
Pmax Pmax
f) Quand est-ce que la puissance transmise à la charge est maximale ? Que vaut alors le rendement
?
On désire réaliser une alimentation linéaire à partir d'un transistor bipolaire. La tension
d'alimentation vaut V = +24V. La charge est une ampoule de +12V – 500 mA.
g) Calculer la puissance perdue dans le ballast pour le point de fonctionnement nominal.
h) Choisir un transistor.
Type Boîtier VCE0 ICM Ptot sans radiateur Ptot avec radiateur Prix
2N2222 TO-18 30 V 0,8 A 0,5 W 1,8 W 0,57 €
2N2219 TO-39 30 V 0,8A 0,8 W 3,0 W 1,15 €
TIP31A TO-220 60 V 3A 2,0 W 40 W 1,07 €
BUX48A ISOWATT218 400 V 15 A 3,0 W 55 W 4,97 €
2N3055 TO-3 60 V 15 A 6W 115 W 2,31 €
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+V
Ton
Source Τ Umoy
Charge
V
R
0
Toff t
Fig. 2.2. Principe de l'alimentation à découpage (dessins\h_serie0.drw).
On se place dans les mêmes conditions que précédemment (V = +24V ; charge +12V – 500 mA).
a) Calculer la puissance P ON dissipé dans le transistor lorsque qu'il est fermé. On prendra
VCESAT = 0,4V.
b) Calculer la puissance P OFF dissipé dans le transistor lorsque qu'il est ouvert. On prendra
ICOFF = 1 µA.
c) Conclure quand au rendement de cette alimentation.
d) Choisir un transistor bipolaire.
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∫ vL (t ) ⋅ dt .
1
a) Calculer d'après le graphique < v L >=
T [T ]
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∫ i C (t ) ⋅ dt ≡ 0 .
1
a) En régime permanent, démontrer < i C >=
T [T ]
b) En déduire le tracé du courant dans le condensateur en prenant pour le courant dans l'inductance
celui trouvé lorsque Vs = Cste.
c) A partir de la relation du condensateur C, donner les expressions de v C(t) pour t ∈ [0 ; αT]
et pour t ∈ [αT ; T].
d) Tracer l’allure de vC.
e) En calculant la variation de charge dans le condensateur, trouver une relation simple entre
∆Vs = Vs max - Vsmin et ∆Q.
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∫ vL (t ) ⋅ dt .
1
a) Calculer d'après le graphique < v L >=
T [T ]
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n2
m= .
n1
g) Tracer la variation de Vs en fonction de α.
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b) En notant que <iC> = 0, donner l'expression du courant moyen dans la diode, noté I 2.
c) A partir du bilan de puissance, déduire la valeur du courant moyen dans le transistor, noté I 1.
d) Calculer alors le courant maximum dans le transistor T en fonction de IS, α et m.
e) Donner la valeur maximum de la tension aux bornes de l'interrupteur T et calculer son facteur de
dimensionnement Fd en fonction de α, ∆IL, m et de Is.
f) Tracer l'évolution de Fd pour ∆IL = 0.
mVE
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Wa
h) En tenant compte d'un coefficient de bobinage K B = = 2,25 , vérifier que les deux
SCU
bobinages rentre bien dans la fenêtre de la carcasse.
i) Calculer la valeur de l'entrefer "e".
j) Calculer l'énergie électromagnétique maximale que l'on peut stocker dans ce C.M. à partir de la
1 I 1
formule WEM = k B ⋅ k i ⋅ B max ⋅ δ ⋅ A e ⋅ S B avec k I = 1max . Comparer avec L1 I12max .
2 I1eff 2
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vD3
n3 i s3
D3 R3
v3 Vs 3
C3
n1
i1 i3 v
v1 D is
n2
Ve iT R
D
v2 Vs
T C
v
T
i2
Fig. 8.1. Convertisseur continu–continu de type FLYBACK (dessins\flyback8.drw).
La tension continue d’entrée est obtenue à partir du redressement double alternance de la tension
secteur et d’un filtrage capacitif Ve ≈ Vr 2 ≈ C ste (figure 8.3).
Le rendement de l’alimentation FLYBACK vaut η = 95%. La fréquence de découpage vaut
F = 40 kHz.
Pour le calcul avec le tableur, il faut prévoir 6 colonnes pour les différentes tension d’entrée.
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α n
c) A partir de Vs 3 = m3 ⋅ Ve , calculer le rapport de transformation m3 = 3 .
1− α n1
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∆I 2
c) Calculer I1eff = (I1med )2 + 1 ⋅ α
12
2 ∆I 2
2
f) Calculer I 2eff = (I 2med ) + ⋅ (1 − α )
12
∆I 2
h) Calculer I 3eff = (I 3 max )2 + 3 ⋅ (1 − α ) avec ∆I3 = 0 .
12
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T
L
mE u(t) C R vS (t)
α D
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d) Exprimer le flux ΦMAX en fonction de I Lmax = ILmoy + ∆IL/2 et des paramètres du circuit
magnétique.
e) Donner le nombre de spire maximum du bobinage n pour ne pas saturer le C.M.
f) Le choix de l'entrefer e permet d'ajuster la valeur de L > 166 µH. A partir de l'expression de
l'inductance, donner la valeur minimale du nombre de spires en fonction de e et des paramètres
du circuit magnétique.
g) On prend ILeff = 10A. Calculer la section du fil de cuivre si δ = 4A/mm².
Wa
h) En tenant compte d'un coefficient de bobinage K B = = 1,43 , calculer n max le nombre
SCU
maximal de fils que l'on peut mettre dans la fenêtre de la carcasse.
i) Choisir n et e.
j) Calculer l'énergie électromagnétique maximale que l'on peut stocker dans ce circuit magnétique à
1 I
partir de la formule WEM = ⋅ k B ⋅ k i ⋅ B max ⋅ δ ⋅ S fer ⋅ SB avec k I = L max .
2 I Leff
1
k) Comparer avec ⋅ L ⋅ I 2L max .
2
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i1 i D1
i 1v
v1 e1 e2 v2
L1
v'1 e1 e2 v'2
i'1 i D2
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La fréquence de découpage vaut F = 50 kHz. Le rapport cyclique est constant et vaut α = 0,5.
Le courant moyen dans l'inductance vaut I Lmoy = 20A et l'ondulation ∆IL ≤ ∆ILmax = 20% ILmoy.
Ve
a) Calculer l'inductance Lmin nécessaire pour avoir ∆IL ≤ ∆ILmax. On rappel que ∆I L = ⋅ α pour
L⋅F
le hacheur BOOST.
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e) Exprimer le flux ΦMAX en fonction de I Lmax = ILmoy + ∆IL/2 , L et des paramètres du circuit
magnétique.
f) Donner l'expression du nombre de spire n 1 pour ne pas saturer le C.M. (B(n,e) < B(n 1,e) = Bmax.
g) Le choix de l'entrefer e permet d'ajuster la valeur de L > Lmin. A partir de l'expression de
l'inductance, donner la valeur minimale du nombre de spires en fonction de e et des paramètres
du circuit magnétique.
2⋅ρ ρ 70
i) Calculer l'épaisseur de peau δ p = = ≈ en mm avec F en Hz.
µ⋅ω µ ⋅π⋅F F
j) Choisir un fils de cuivre AWG qui respecte le critère : diamètre de cuivre < 2 δp. Comment
respecter la section de cuivre calculée précédemment ?
SB
k) En tenant compte d'un coefficient de bobinage K B = = 3 , calculer nmax le nombre maximal
SCU
de spires que l'on peut mettre dans la fenêtre de la carcasse.
l) Dans le plan n = f(e) ; tracer n1(e), n2(e) et n3(e). Choisir n et e.
m) Calculer l'énergie électromagnétique maximale que l'on peut stocker dans ce circuit magnétique à
1 1 I
partir de la formule WEM = ⋅ ⋅ k i ⋅ B max ⋅ δ ⋅ Sfer ⋅ SB avec k I = L max .
2 KB I Leff
1
n) Comparer avec ⋅ L ⋅ I 2L max .
2
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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by 1N4001/D
CASE 59–03
DO–41
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 Unit
*Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 Volts
Working Peak Reverse Voltage VRWM
DC Blocking Voltage VR
*Non–Repetitive Peak Reverse Voltage VRSM 60 120 240 480 720 1000 1200 Volts
(halfwave, single phase, 60 Hz)
*RMS Reverse Voltage VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 Volts
*Average Rectified Forward Current IO 1.0 Amp
(single phase, resistive load,
60 Hz, see Figure 8, TA = 75°C)
*Non–Repetitive Peak Surge Current IFSM 30 (for 1 cycle) Amp
(surge applied at rated load
conditions, see Figure 2)
Operating and Storage Junction TJ – 65 to +175 °C
Temperature Range Tstg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS*
Rating Symbol Typ Max Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop vF 0.93 1.1 Volts
(iF = 1.0 Amp, TJ = 25°C) Figure 1
Maximum Full–Cycle Average Forward Voltage Drop VF(AV) — 0.8 Volts
(IO = 1.0 Amp, TL = 75°C, 1 inch leads)
Maximum Reverse Current (rated dc voltage) IR µA
(TJ = 25°C) 0.05 10
(TJ = 100°C) 1.0 50
Maximum Full–Cycle Average Reverse Current IR(AV) — 30 µA
(IO = 1.0 Amp, TL = 75°C, 1 inch leads)
*Indicates JEDEC Registered Data
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
Rev 5
Rectifier Device
Motorola, Inc. 1996 Data 1