Partie 1: Techniques de dopage

I.
II.
III.
IV.

Introduction
Diffusion
Implantation ionique
Conclusion

Laurent.Montes@inpg.fr
ENSERG/ENSPG/ENSEEG Option Dispositifs et Microsystmes
Mercredi 17 octobre 2007

Introduction
Pourquoi doper ?
contrle local de la rsistivit, ajustement de la tension seuil, etc.
cration de barrires de potentiel ou jonctions
ralisation de couches darrt de gravure (etch-stop)

MEMS

Introduire une quantit de dopant donne,

suivant un profil aussi prcis que possible
Mthodes :
par pr-dpt et diffusion thermique
par implantation ionique

Diffusion thermique

Types de dopage :
homogne (au tirage du monocristal)
homogne en surface (pendant lpitaxie)
localis en profondeur et en surface

Ions
Implantation

Dopage dans un transistor MOS

Dopage dans un transistor MOS avanc

Type de Dopage et Resistivit

Epitaxie

Diffusion

Implantation

La concentration des porteurs de charges dpend de la profondeur.

Le profil dpend trs fortement de la mthode de dopage utilise.
Rsistivit moyenne : = 1 = 1 (x) dx

Critres de choix dun dopant

Type (N/P)
Concentration en surface (solubilit limite)
Contraintes minimales dans le rseau
Diffusion
Enlvement du matriau de surface "verre au Bore
Reproductibilit
Cot-productivit

Partie 1: Techniques de dopage

I.
II.
III.
IV.

Introduction
Diffusion
Implantation ionique
Conclusion

Diffusion thermique

Solubilit limite
Si
Dopants usuels

Activit lectrique et solubilit limite

La formation de clusters
lectriquement inactif trs forte
concentration est lorigine de la
diffrence entre activit lectrique
et solubilit limite.

Dopage par diffusion

Les principaux facteurs du dopage par diffusion:
gradient de concentration
temprature
dfauts cristallins : dislocations, joints de groin

Diffusion en substitutionnel
ncessite la prsence dune lacune
=>processus lent
impurets des groupes III et V
type P : Al, B, Ga, In
type N : Sb, As, P

Diffusion en interstitiel
impuret lectriquement inactive
impurets des groupes I et VIII
Li, K, Na, Ar, He, H

Coefficients de diffusion, D (cm2/s)

Substitutionel

Interstitiel

Le coefficient de diffusion D (cm2/s) est activ thermiquement

Diffusion : Premire loi de Fick

Deuxime loi de Fick

C/t = (Fin-Fout)/ x

Ce qui rentre et ne sort pas reste lintrieur

Deuxime loi de Fick

Equation de continuit:

F
F

quation de diffusion

Deuxime loi de Fick

N
2N
=D 2
t
x
D: coefficient de diffusion (diffusivit)
D = A exp (-B/T)
A et B dpendent du dopant
Il faut rsoudre cette quation diffrentielle
selon les conditions aux limites de chaque problme.

Solutions analytiques des quations de diffusion :

Cas dune fonction delta dans un milieu infini

(x)

Conditions aux limites :

C 0 quand t 0 pour x > 0
C quand t 0 pour x = 0
et

C ( x, t ) = Q

La solution de lquation de Fick dcrit un profil Gaussien :

x2
x2

= C (0, t ) exp
C ( x, t ) =
exp
2 Dt
4 Dt
4 Dt
Q

Evolution du profil Gaussien

Le pic de concentration dcrot en 1/t et est donn par C(0,t).

La longueur de diffusion est donne par x=2Dt , qui correspond
la distance de lorigine jusqu ce que la concentration chute de 1/e.

Solutions analytiques des quations de diffusion :

Cas dune fonction delta prs dune surface

La symtrie du problme est identique

au cas prcdent, en introduisant une
dose effective de 2Q, introduite dans un
milieu infini (virtuel).

x2
x2
Q

= C (0, t ) exp
C ( x, t ) =
exp
Dt
4 Dt
4 Dt
Q
with: C (0, t ) =
avec
Dt

Solutions analytiques des quations de diffusion :

Cas dune fonction delta prs dune surface
Echelle Log

Echelle linaire

x2
x2
Q
= C (0, t ) exp

exp
C ( x, t ) =
Dt
4 Dt
4 Dt
avec : C (0, t ) =

Q
Dt

Solutions analytiques des quations de diffusion :

Cas dune source infinie de dopants

Conditions aux limites :

C = 0 quand t = 0 pour x > 0
C = C quand t = 0 pour x < 0
C ( x, t ) =

C ( x, t ) =

exp

2 Dt 0
(x )

=
avec
2 Dt

(x )2
4 Dt

d =

C
2 Dt

x / 2 Dt

2
(
x xi )
x exp
i

i =1

exp
(
)d

4 Dt

Fonction erreur : erf(z)

erf ( z ) =

exp( )d
0

Solutions analytiques des quations de diffusion :

Cas dune source infinie de dopants

Diffusion partir dune source infinie :

C
x C
x
C ( x, t ) = 1 erf (
) = erfc(
)
2
2 Dt 2
2 Dt

Concentration de surface constante :

profondeur de diffusion

Echelle Log

Echelle linaire

C(x,t)/Cs en fonction de la profondeur de diffusion x(m)

pour une concentration en surface constante
pour 3 valeurs de Dt ,
cest dire pour diffrentes tempratures (D(T)), ou temps (t).

Nombre total dimpurets

(predeposition dose)
La fonction erreur est quasiment triangulaire.
La dose totale peut tre estime par lintgrale sous le triangle de hauteur Cs et de
base 2Dt, donc : Q Cs Dt.
Plus rigoureusement :

avec:
= distance caractristique de diffusion.
CS = concentration de surface (solubilit solide limite).

Dopage par diffusion

En pratique, le dopage thermique se fait en deux tapes

1 - Pr-dpt : les plaquettes
sont maintenues dans un
milieux satur en dopant
(concentration constante),
pendant un temps t, une
temprature T.

2 - Redistribution : la source tant

coupe, les plaquettes sont
maintenues haute temprature
pour rpartir les dopants en
profondeur.
(accompagne d oxydation).

Profils de dopage

1 - Diffusion avec une concentration en surface constante

temps variable
profil en erfc

Profils de dopage

2 - Redistribution des impurets introduites

nombre de particules = cste

profil Gaussien

Profondeur de jonction et concentration en surface

sont fixes pendant cette tape.

Formation de jonction en 2 tapes

1- Predeposition: Predepot avec une source constante (erfc)
2- Drive-in: Diffusion limite par la source (Gaussienne)

Profils de dopage

Pour un profil donn : choix de T et t

Profil de dopage final

Q=

Cs 2 ( Dt ) predep

C ( x, t = 0) Q ( x)

Solution pour le profil de redistribution :

Q
x2

C ( x, t ) =
exp
( Dt ) drivein
4( Dt ) drivein
1/ 2

Au final : C ( x) = 2C s D1t1
D2t 2

x2

exp
4 D2t 2

D1= coefficient de diffusion la temprature de pr-dpt

t1= temps de pr-dpt
D2= coefficient de diffusion la temprature de redistribution
t2= temps de redistribution

Formation de jonction en 2 tapes

Techniques de dopage par diffusion

Sources dopantes :
susceptibles de fournir une concentration constante, de corps purs.
Disponibles dans le four de diffusion port haute tempratures
Solides : plaques satures en dopant, ncessit d un gaz porteur
Liquides :

Gazeuses :

Principales sources de dopants

Sources de dopants
(a) Gas Source: AsH3, PH3, B2H6
(b) Solid Sources: BN, NH4H2PO4, AlAsO4
(c) Spin-on-glass: SiO2+dopant oxide
(d) Liquid source:
A typical bubbler arrangement
for doping a silicon wafer using
a liquid source. The gas flow is
set using mass flow controller
(MFC).

Techniques de dopage par diffusion

Activation des dopants : Recuit Rapide (RTP)

Activation des dopants : Recuit Rapide (RTP)

Impact de la nature du dopant

=> La valeur surfacique dpend de la nature du dopant

Diffusion latrale

Problmatique pour les dispositifs sub-microniques

OK pour la plupart des MEMS

Partie 1: Techniques de dopage

I.
II.
III.
IV.

Introduction
Diffusion
Implantation ionique
Conclusion

Ions
Implantation

Dopage par implantation ionique

Ions
Implantation

Bombardement de lchantillon doper avec

un faisceau d ions acclrs.
Paramtres importants : nergie (E), dose (D)

Dose et Concentration

Dose (/cm2) : en regardant vers le bas, nombre de poissons

par unit de surface pour TOUTES les profondeurs.

Concentration (/cm3) : En regardant une

position particulire, nombre de poissons
par unit de volume

Implantation ionique : mcanismes physiques

Un ion incident, dnergie E, va rentrer en collisions avec
les noyaux et les lectrons de la cible.
Arrt lorsque E= 0, parcours moyen projet : Rp.

Profil Gaussien

x Rp 2

Profil Gaussien : N ( x ) =

exp
2 R p
2 R p

: dose implante
Rp : profondeur du maximum de concentration
Rp : cart-type

Nmax = N(x=Rp) =
2 R p

Rp et Rp sont fonctions de l nergie

Profil Gaussien

( x Rp )2

C ( x) = C p exp
2

2
R
p

Dose :

Q = C ( x)dx

Distribution dions dans le Silicium

implants 200 keV

Rp(E), Rp(E) et R(E)

Profondeur de jonction

Implantations Multiples :
obtention dun profil uniforme

Mcanismes de perte dnergie

Arrt
nuclaire
Le substrat de silicium cristallin est endommag par les collisions

Arrt
lectronique
Les excitations lectronique crent de la chaleur

Pouvoirs darrt
Pouvoir darrt nuclaire :

Pouvoir darrt lectronique :

Se(E) kSi E1/2

Effets de canalisation (channeling)

Implantation travers un oxyde dencapsulation

ajuster le profil de dopant en surface de Si

viter lexodiffusion pendant le recuit de redistribution
attnuer le phnomne de canalisation
(important pour Bore)

Amorphisation par implantation trs forte dose

Limplanteur ionique

Limplanteur ionique

Limplanteur ionique

Dosimtrie

plaquette

support

ions incidents

la dose D (ions/cm2) = I.t /q.S

S : section implante (cm2)
t : temps d'implantation (sec)
I : courant faisceau : 1 A 10 mA

I dt

Partie 1: Techniques de dopage

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Introduction
Diffusion
Implantation ionique
Conclusion

Intrt de limplantation ionique

Avantages par rapport la diffusion :

Haute puret du dopant (vide, sparation)

Grande varit de profils (selon l'nergie) et de dopants

Dose prcise bon contrle de concentration

Processus basse temprature (77-300 K)

Processus hors quilibre thermodynamique : possibilit de dpasser la
solubilit limite

lnconvnients :

Equipement lourd

Dfauts cres par l'implantation recuit post-implantation, diffusion
parasite

Vers le CMOS ultime .

Et au-del

nm

5 nm
10 nm

10

Combien y-a-t-il de dopants

dans une nanostructure ???

Volume=(10x10x5) nm3 = 500 nm3

Atomes de silicium : 5x1022 cm-3
Nombre datomes : 5x1022 . 500 10-21 = 25 000
Dopants : 1019 cm-3
Nombre de dopants : 5

!!!