L’implantation ionique

1/.Introduction :

L'implantation ionique est un procédé d'ingénierie des

matériaux. Comme son nom l'indique, il est utilisé pour implanter
les ions d'un matériau dans un autre solide, changeant de ce fait les
propriétés physiques de ce solide. L'implantation ionique est utilisée
dans la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs, pour le
traitement de surface des métaux, ainsi que pour la recherche en
science des matériaux. Les ions permettent à la fois de changer les
propriétés chimiques de la cible, mais également les propriétés
structurelles car la structure cristalline de la cible peut être abîmée ou
même détruite.

1
2/.Principe de fonctionnement :

Un équipement d'implantation ionique se compose en règle générale d'une

source de production d'ions, d'un accélérateur de particules et d'une chambre
pour la cible. L'accélérateur utilise les propriétés électrostatiques de l'ion pour
augmenter son énergie. La quantité de matériaux implantée, appelée la dose, est
l'intégrale sur le temps du courant ionique. Les courants électriques en jeu dans
les implanteurs sont de l'ordre du microampère au milliampère. Ils ne permettent
donc d'implanter qu'une faible quantité d'ions. C'est la raison principale pour
laquelle cette technique n'est utilisée que dans les domaines où la modification
qui est recherchée est faible.

L'accélération des ions atteint typiquement des énergies allant de 10 à 500 keV.

Toutefois, il est possible de se limiter à des énergies inférieures à 10 keV, mais
dans ce cas la pénétration ne dépasse jamais les quelques nanomètres. On trouve
également des accélérateurs qui sont capables d'accélérer des ions
jusqu'à 5 MeV, mais cela provoque des dégâts structurels importants à la cible.
Par ailleurs, étant donné que la distribution de la profondeur de pénétration est
large, le changement de composition en un point donné est relativement faible.

3/.Applications :

*En microélectronique *
2
 L'introduction de dopants dans un semi-conducteur est
l'application la plus commune de l'implantation ionique. Les ions
utilisés pour le dopage, tels que le bore, le phosphore ou l'arsenic, sont
généralement produit à partir d'une source gazeuse, garantissant une
grande pureté de la source. Ces gaz ont tendance à être très dangereux.
Lorsqu'ils sont implantés dans un semi-conducteur, chaque atome
dopant crée un porteur de charge (trou ou électron suivant qu'il s'agit
d'un dopant de type p ou n) modifiant ainsi localement la conductivité
du semi-conducteur.

La mésotaxie est une méthode dans laquelle on fait croitre une phase
cristallographiquement appariée sous la surface du cristal hôte (par
opposition à l'épitaxie où la croissance de la phase appariée se fait à la
surface du substrat). Dans ce processus, les ions sont implantés dans
un matériau à l'aide d'une forte dose et d'une énergie élevée pour créer
une seconde phase. La température est alors contrôlée afin que la
structure cristalline de la cible ne soit pas détruite. L'orientation
cristalline de la couche peut être organisée pour correspondre à celle
de la cible, même si la structure cristalline exacte et la constante de
réseau peuvent être très différentes. Par exemple, après l'implantation
d'ions de nickel dans une plaquette de silicium, une couche de siliciure
de nickel peut croître avec une orientation cristalline du siliciure
correspondant à celle du silicium.

L'implantation ionique est également une méthode utilisée pour la

préparation de substrats de silicium sur isolant (SOI) à partir de
substrats de silicium conventionnel. La séparation par implantation
3
d'oxygène (SIMOX) est un processus au cours duquel une forte dose
d'oxygène implanté est converti en oxyde de silicium grâce à une forte
température de recuit.

*En finition métallique *

L'azote et d'autres ions peuvent implantés sur un outil en acier

(forets, par exemple). Les changements structuraux causés par
l'implantation produit une compression de la surface de l'acier qui
empêche la propagation des fissures et rend le matériau plus résistant à
la rupture. L'implantation modifie chimiquement la surface en formant
un alliage qui peut rendre l'outil plus résistant à la corrosion. Pour
certaines applications, comme des prothèses d'articulations, il est
souhaitable d'avoir des surfaces très résistantes à la fois à la corrosion
chimique et à l'usure due aux frottements. L'implantation ionique peut
alors être utilisée pour concevoir les surfaces de tels dispositifs pour
de meilleures performances.

4/.Problème liés à l’implantation :

*L’implantation par immersion plasma :*

L’implantation par immersion plasma (PIII : Plasma

Immersion Ion Implantation) , comme son nom l’indique, utilise un
plasma comme source d’impuretés dopantes. Alors que l’implantation

4
dite « classique » transporte des ions dans un faisceau, le substrat est
ici directement immergé dans un plasma. Une fois le plasma créé dans
la chambre de procédé, une tension négative est appliquée sur le porte-
substrat. Une zone de charge d’espace est alors créée autour du
« porte-substrat » et toutes les espèces ioniques positives contenues
dans le plasma et se situant dans cette zone sont accélérées puis
implantées dans le substrat avec une énergie égale à la tension de
polarisation (pour un ion mono chargé). La dose d’ions implantés est
directement proportionnelle au temps pendant lequel le substrat est
exposé au plasma en présence de cette tension. Dans le cas de
l'implantation PIII les ions ne sont pas triés avant d'être implantés,
toutes les espèces positives du plasma sont implantées dans le substrat.

Comparée à l'implantation classique, cette technique de dopage

comporte plusieurs avantages. Tout d'abord, elle s'affranchit de la
création d'un faisceau d'ions qui demande une énergie minimum afin
de transporter les ions et entraine des contaminations énergétiques
(implantation d'ions à une énergie supérieure). L'implantation par
immersion plasma permet des implantations a de très faibles énergie
(< 500 eV) et donc sur une faible profondeur. Ceci lui offre un intérêt
pour toutes les nanotechnologies demandant des implantations sur de
faibles épaisseurs (<10nm). L'autre intérêt de l'implantation PIII est le
fait qu'elle soit multidirectionnelle. On peut ainsi implanter sur le
flanc d'un motif sans orienter le substrat.

*Coalisation ionique :*

5
 Si la cible possède une structure cristallographique, certains
directions cristallographiques présentent une distance d'arrêt beaucoup
plus faible que d'autres. Il en résulte que la portée d'un ion peut être
beaucoup plus grande si l'ion se déplace exactement le long d'une
direction particulière comme la direction <110> dans le silicium et
d'autres matériaux avec une structure diamant. Cet effet est appelé
canalisation ionique. Il s'agit d'un effet fortement non-linéaire où de
petites variations par rapport à l'orientation cristalline se traduit par
des écarts importants de profondeur d'implantation. Pour cette raison,
la plupart des implantations sont réalisées légèrement désaxées de
quelques degrés, où les petites erreurs d'alignement ont des effets plus
prévisibles.

L'effet de canalisation ionique peut être directement utilisée pour

la rétrodiffusion de Rutherford et les techniques connexes comme une
méthode d'analyse pour déterminer la quantité et le profil de
profondeur des dommages dans les couches minces cristalline.

5/.Les avantages de l’implantation :

 Possibilité d'introduire presque tous les types d'impuretés dans divers substrats.
 Un contrôle précis de la quantité de dopant introduit, avec le contrôle de la vitesse des
molécules.
 Un contrôle précis de la distance de pénétration.
 Possibilité de régler l'épaisseur de l'épaisseur de la couche dopée d'une manière
totalement indépendante de la dose implantée.
 Une bonne homogénéité et la reproductibilité de l'opération (± 3%).
 le profil de contrôle par modulation de l'énergie d'implantation. L'épaisseur de la jonction
est de l'ordre de microns, avec un meilleur contrôle de 100 Å.
6
  Possibilité de dopage à travers les couches d'oxyde ou de nitrure de silicium.
 Possibilité d'utiliser résine photosensible comme blindage.
 procès température ambiante.
 Possibilité d'avoir des niveaux de dopage 4 ordres de grandeur inférieure à la diffusion et
donc très faible quantité introduite.
 L'extension spatiale de l'agent de dopage est très faible.

6/.Travail à réaliser :
Le silicium est l'élément chimique de numéro atomique 14,
de symbole Si. Il appartient au groupe 14 du tableau périodique. C'est
l'élément le plus abondant dans la croûte terrestre après l'oxygène, soit
25,7 % de sa masse8, mais il n'est comparativement présent qu'en
relativement faible quantité dans la matière constituant le vivant. Il
n'existe pas dans la nature à l'état de corps simple, mais sous forme de
composés : sous forme de dioxyde de silicium (SiO2), d'origine
biogène (fabriqué par un organisme vivant comme les diatomées ou
les radiolaires), on le trouve sous forme de silice amorphe (dans
le sable), ou d'origine lithogénique lorsqu'il est sous la forme de silice
minérale (le quartz, la cristobalite, etc.) ou d'autres silicates(dans
les feldspaths, la kaolinite…).

Silicium

7
»Représentation de la maille du cristal de type diamant, mettant en
évidence les sites tétraédriques (tétraèdres orange).

-Réaliser la structure suivant :

Si
200nm Sio2
100nm

1mm
Silicium

choisir un dopant de type (N) Bore :

-

Le dopage de type N, qui consiste à produire un excès d'électrons,

qui sont négativement chargés.  

8
Dopage de type N

9
-choisir un dopant de type(P) phosphore :

Le dopage de type P, qui consiste à produire un déficit

d'électrons, donc un excès de trous, considérés
comme positivement chargés.

Dopage de type P

10
7/.Conclusion :

Le dopage par implantation ionique consiste à accélérer des

impuretés ionisées avec un champ électrique, afin de leur conférer
l'énergie nécessaire pour rentrer dans le matériau à doper. Cette
méthode permet d'utiliser une grande variété d'éléments dopants. Le
faisceau mono-énergétique et la chambre sous vide rendent possible
une grande reproductibilité et des dopages localisés.

Plus un ion est accéléré, plus son énergie cinétique est grande, et donc

plus il s'enfoncera profondément dans le réseau cristallin du substrat
que l'on dope. Ainsi, en contrôlant la dose et l'énergie, on détermine le
profil de dopage.

L'un des inconvénients du dopage par implantation ionique est le fort

désordre cristallin engendré par les chocs entre les ions incidents et les
atomes du matériau. Cela engendre des défauts qui augmentent les
probabilités de collision, et diminuent la mobilité des porteurs de
charge.

Dopage N Dopage P

11
12
Dopage N Dopage P

13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33