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Chap.

7 - Les transistors

ELEC283 MiEL 2003/04

Chap. 7 Les transistors

Plan du chapitre
4

Plan du chapitre
u u u u

7.1 Le transistor: gnralits 7.2 Le transistor MOS utilis en amplification 7.3 Le transistor bipolaire utilis en amplification 7.4 Complments

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Chap. 7 Les transistors

7.1 Le transistor: gnralits

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7.1 Le transistor: gnralits

Gnralits
4

L'invention du transistor en 1948 a lanc une vritable rvolution technologique qui se poursuit aujourd'hui Le transistor est fondamentalement un composant qui peut tre utilis de deux manires diffrentes
u

en amplification
n n

on a dj illustr l'importance de la fonction d'amplification relve de l'lectronique analogique (premire partie du cours) base de toute l'lectronique numrique (seconde partie du cours)

en commutation
n

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7.1 Le transistor: gnralits

Gnralits
4

Il existe deux "familles" de transistors rpondant des principes de fonctionnement diffrents


u

les transistors bipolaires


n

invent en 1948 dominant aujourd'hui

les transistors effet de champ


n

Parmi les transistors effet de champ, il existe de nombreuses variantes


u

nous expliquerons l'utilisation du transistor sur base du modle le plus courant aujourd'hui: le NMOS enrichissement

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Chap. 7 Les transistors

7.2 Le transistor MOS utilis en amplification

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7.2 Le transistor MOS utilis en amplification

Plan du chapitre
4

Plan du chapitre
u u u u u u

7.2.1 Transistor MOS: proprits de base 7.2.2 Transistor MOS: structure interne 7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe [7.2.4 Etage amplificateur transistor MOS: calcul] 7.2.5 Autres types de transistors effet de champ 7.2.6 Prcautions d'utilisation des transistors effet de champ

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Chap. 7 Les transistors 7.2 - Le transistor MOS en amplification

7.2.1 Transistor MOS: proprits de base

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7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Introduction
4 4

Un transistor est un composant trois bornes Les bornes du NMOS (voir symbole ci-dessous) s'appellent
u u u

le drain (D) la source (S) la grille (G)


n

gate en anglais

D (drain)

(grille / gate) G

S (source)
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7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Introduction
4

Compte tenu de l'existence de ces trois bornes, il existe plusieurs manires d'utiliser ce transistor Dans de nombreux montages, on utilise la source comme rfrence de tension par rapport la grille et au drain: on parle alors de source commune
u

la source est connecte la masse, servant de rfrence commune entre l'entre et la sortie du montage
n

voir aussi slide suivant

D G S
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7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Introduction
4 4

Dans le montage source commune on applique au transistor une tension VGS


u u

= tension "gate/source" considre comme signal d'entre = tension "drain/source" considre comme signal de sortie D G Vin=VGS S
13

et on recueille une tension VDS


u u

VDS=Vout

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7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Introduction
4

Dans cette configuration, on peut assimiler le transistor un quadriple


u

dont une des bornes (source) est commune l'entre et la sortie => caractristiques
n n

Quelles sont les proprits de ce composant/quadriple?


u

caractristique de transfert (ID,VGS) caractristique de sortie (ID,VDS)

D G Vin=VGS S

ID G VDS=Vout VGS D ID VDS

S
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S
14

7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Caractristique de sortie
4

Pour comprendre le comportement du NMOS, commenons par analyser sa caractristique de sortie


u

courbe dcrivant le comportement lectrique du transistor dans le plan (ID, VDS)


n

ID = courant de drain = courant traversant le transistor du drain vers la source

D G S

ID

ID

VDS

VDS
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7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Caractristique de sortie
4

La caractristique de sortie comporte une premire zone appele zone ohmique


u u

faible valeurs de VDS dans cette zone, le comportement du transistor peut tre assimil celui d'une rsistance non-linaire
n n

rsistance car "droite" passant par l'origine (V=RI) non-linaire car cette droite s'incurve

D G S

ID

ID

VDS
zone ohmique

VDS
16

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7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Caractristique de sortie
4

Pour des valeurs plus leves de VDS, la caractristique de sortie est horizontale
u u

assimilable une caractristique de source de courant zone la plus intressante de la caractristique du transistor pour autant qu'on lui applique une tension VDS suffisante ID ID

=> transistor = source de courant


u

D G S

VDS
zone ohmique zone de pincement

VDS
17

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7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Caractristique de sortie
4

La valeur du courant de drain dpend de la tension VGS applique au transistor


u

dpendance non-linaire

=> transistor = source de courant commande (nonlinairement) en tension

D G VGS S

ID

ID ID ID = fct(VGS)

VDS

VDS
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7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Caractristique de sortie
4

Compte tenu de cette dpendance de ID en fonction de VGS, la caractristique de sortie se reprsente classiquement sous la forme d'un rseau de courbes
u

une seule courbe valable un instant donn!

ID

ID = fct(VGS) VDS
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7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Caractristique de sortie
4

La reprsentation graphique de la dpendance entre ID et VGS n'est rien d'autre que la caractristique de transfert du transistor
u u u u

ID = grandeur de sortie (ordonne) VGS = grandeur d'entre (abscisse) effectivement non linaire ici reprsente uniquement avec pincement ID

VGS
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7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Caractristique de sortie
4

La pente de la caractristique de sortie est appele transconductance (gm)


u u

varie en fonction du point Q considr "transconductance"


n n

units d'une conductance ([A]/[V] = [-1]) "trans" car entre entre et sortie du transistor

ID

gm =

ID VGS Q
VGS

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7.2.1 Proprits de base du transistor NMOS

Synthse
4

Transistor NMOS
u

symbole et bornes caractristique de sortie


n n

Comportement
u

zone ohmique zone de pincement

u u

caractristique de transfert transconductance transistor (pincement) = source de courant (ID) commande en tension (VGS)

Interprtation
u

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Chap. 7 Les transistors 7.2 - Le transistor MOS en amplification

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

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7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur
4

Intrinsquement, le transistor NMOS se comporte comme une source de courant commande en tension Q: Comment en faire une source de tension commande en tension?
u

amplificateur = gain entre deux tensions

R: il "suffit" d'ajouter une rsistance

D G

VGS

VDS

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7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur
4

Le schma ci-dessous est celui de l'tage amplificateur source commune


u u

on ajoute une rsistance RD entre le drain et une source de tension continue VCC schma de base pour amplifier au moyen d'un transistor VCC ID RD
D G

VGS

VDS

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7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur: remarques


4

1) la source de tension externe VCC joue le rle de rserve d'nergie


u u

nergie qui va tre "dose" par le transistor => le transistor est un composant actif
n n

doit tre aliment contrle d'un signal d'nergie leve par un signal plus faible

VCC ID RD
D G

VGS

VDS

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31

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur: remarques


4

2) on suppose pour l'instant que le montage est vide


u u

pas de charge => le courant traversant la rsistance est le mme que celui traversant le transistor entre drain et source (ID)

VCC ID RD
D G

VGS

VDS

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32

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur: rsolution graphique


4

Q: Comment fonctionne cet tage transistor?


u

Que vaut VDS? rsolution graphique (caractristiques) rsolution analytique


n

R: deux dmarches complmentaires


u u

difficile car transistor non linaire

VCC ID RD
D G

VGS

VDS

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10

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur: rsolution graphique


4

La rsistance impose une contrainte


u

la ddp ses bornes vaut V=RD.ID exprime simplement la chute de tension sur RD

On peut donc crire: VDS=VCC-RD.ID


u

Cette dernire relation se traduit graphiquement par la droite ci-dessous, appele droite de charge
VCC ID RD
D G

ID VCC/RD droite de charge

VGS

VDS VCC

VDS
34

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7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur: rsolution graphique


4

Graphiquement, la valeur de VDS s'obtient par l'intersection des deux caractristiques ci-dessous
u u

la caractristique de sortie du transistor la droite de charge

VCC ID RD
D G

ID VCC/RD ID(VGS)

VGS

VDS VDS VCC

VDS
35

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7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur: rsolution graphique


4

Particularit: la position de la caractristique de sortie dpend de la valeur de la tension de grille VGS


u

l'intersection n'est donc pas fixe: elle dpend de la tension d'entre du montage

VCC ID RD
D G

ID VCC/RD ID(VGS)

ID = fct(VGS) VDS VCC


36

VGS

VDS

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11

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur: interprtation


4

Fonctionnement de l'tage transistor:


u u

quand on augmente VGS le transistor consomme davantage de courant ID


n

la caractristique de sortie du transistor "monte" dans le graphe

u u

=> la chute de tension sur RD augmente => VDS diminue ID VCC/RD ID(VGS) VDS VDS VCC
38

et inversment
VCC ID RD
D G

VGS

VDS

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7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur: difficults


4

Q: A-t-on ralis une amplification?


u

Que vaut VDS par rapport VGS?

R: pas vraiment

VCC ID RD
D G

VGS

VDS

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39

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur: difficults


4 4

Trois difficults 1) le gain en tension est ngatif


u

quand VGS augmente, VDS diminue d la caractristique de transfert du transistor d la structure interne du transistor or signaux alternatifs trs courants ID

2) l'amplification est non-linaire


u

3) pas d'amplification si VGS<0


u u

VCC RD
D G

VGS
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VDS

40

12

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Polarisation
4

Problme n3: pas d'amplification si VGS<0


u

=> on ne peut pas appliquer directement un signal alternatif l'entre de l'tage

Solution: il suffit de dcaler VGS pour que toutes les valeurs soient positives

VGS

VGS

VGS

VGSQ t
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t
41

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Polarisation
4

Le signal d'entre comporte alors deux composantes


u

une composante VGSQ


n

une composante alternative VGS


n

tension continue = moyenne du signal VGS portant l'information utile

VGS

VGS

VGSQ

t
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42

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Polarisation
4

L'existence de deux composantes s'tend aux autres grandeurs lectriques: ID et VDS

VCC ID=IDQ+ID RD
D G

VGS=VGSQ+VGS
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VDS=VDSQ+VDS
S
43

13

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Polarisation
4

La composante continue de ces signaux (indice Q) est appele polarisation


u u

elle ne porte aucune information utile la polarisation sert placer le transistor dans des conditions lectriques donnes le point de polarisation est le point correspondant aux valeurs moyennes des signaux lectriques VCC ID=IDQ+ID RD
D G

VGS=VGSQ+VGS
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VDS=VDSQ+VDS
S
44

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Petits signaux
4

Problme n2: l'amplification est non-linaire


u

or une non-linarit dforme (modification du contenu frquentiel) et donc dgrade le signal


n

ex audio: distorsion

Solution: linariser le systme en travaillant avec des signaux trs faibles


u u

variations suffisamment faibles pour pouvoir assimiler la courbe sa tangente concerne uniquement le signal utile (les variations) autour de la caractristique non-linaire
n

non-linarit = caractristique de transfert

=> le signal VGS doit tre trs faible


u u

ordre de grandeur: qques mV par opposition la polarisation (composante continue), les composantes alternatives sont dsignes par le terme de "petits signaux"
45

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7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Petits signaux
4 4

Problme n1: le gain est ngatif Solution


u u

1) pas forcment gnant 2) si gnant: ajouter un second tage amplificateur pour rinverser le signal

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14

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur: interprtation

ID VCC/RD

IDQ

VDSQ
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VCC

VDS
47

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Etage amplificateur: interprtation


ID caractristique
de transfert

ID

caractristique de sortie

gm

VCC/RD

L Q M
IDQ

L Q M

VGSQ

temps

temps

VGS

VDSQ

VCC

VDS

VGS
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VDS
48

7.2.3 Etage amplificateur transistor MOS: principe

Synthse
4

Pour amplifier au moyen d'un transistor MOS, il suffit d'ajouter une source de tension continue externe et une rsistance au transistor
u u

tage source commune principe de fonctionnement et caractristiques


n

droite de charge

Le montage obtenu ne permet pas d'amplifier directement une tension alternative


u u

les alternances ngatives ne sont pas amplifies le signal est dform (non-linarit de la caractristique de transfert) 1) la polarisation (ajout d'une composante continue l'info utile) 2) les petits signaux (signaux alternatifs trs faibles)

La solution consiste utiliser simultanment


u u

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ELEC283 Electronique applique

7.2.2 - Transistor MOS: structure interne

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Transistors effet de champ


Introduction
< FET = Field Effect Transistor

famille de transistors
! ! ! !

MOSFET enrichissement, dpltion, JFET, etc contrle d'un courant par une tension fonctionnement bas sur la modulation du courant par des effets lectrostatiques un seul type de porteur de charges : les porteurs de charges majoritaires (contrairement aux bipolaires)

transistor "field effect"

< importance

95% du volume des semi-conducteurs actuels part de march croissante par rapport aux bipolaires
! !

toute l'lectronique numrique terme, quasi toute l'lectronique analogique

MOSFET enrichissement
Dfinition et symboles < MOSFET = Metal Oxyde Silicon Field Effect Transistor < 2 types

NMOS ou PMOS ( enrichissement)

D G S

NMOS

S G D

PMOS

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MOSFET enrichissement
Structure
source grille/gate drain mtal
G S D

SiO2

S
N

D
N

NMOS

substrat source

zone de transition grille/gate drain


S G D

SiO2
P

D
P

PMOS

substrat
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zone de transition
5

Les deux structures de transistor MOSFET sont reprsentes dans cette figure. Dans un substrat (bloc de silicium), on implante deux rgions de type oppos celui du substrat appeles source et drain. Ces rgions sont recouvertes d'une couche de mtal qui sera utilise pour tablir les connexions avec les bornes externes du transistor. La rgion du substrat entre la source et le drain est par contre recouverte d'une mince couche d'oxyde de silicium (SiO2=trs bon isolant), elle-mme recouverte d'un matriau conducteur (p. ex. mtal). Cette troisime lectrode porte le nom de grille ou "gate" en anglais. C'est l'lectrode de commande du transistor MOSFET. (N.B.: De manire gnrale, le substrat constitue une 4me lectrode qui peut tre polarise indpendamment des 3 autres. Nous supposons ici qu'elle est toujours porte au mme potentiel que la source). Deux structures sont possibles suivant le type de substrat. Le transistor porte le nom correspondant au type de la source et du drain : - NMOSFET (ou NMOS en abrg) pour un substrat P et la source et le drain de type N - PMOSFET (ou PMOS en abrg) pour un substrat N et la source et le drain de type P

NMOS
situation par dfaut: MOS non conducteur S
N

D
N

D G S

zone de transition

0V S
N

0V G

10V D
N

10V
D G S

vGS = 0 vDS > 0

zone de transition
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Voyons comment fonctionne le transistor NMOS. Le but du MOS est de contrler le courant passant entre le drain et la source, en agissant sur la grille. Remarquons d'abord qu'en l'absence de toute polarisation (donc de toute tension extrieure), le MOS comprend dans sa structure mme deux jonctions PN: entre la source et le gate et entre le gate et le drain (figure suprieure). Ces jonctions tant non polarises, elles sont bloquantes: aucun courant ne peut passer entre le drain et la source (quel que soit le sens). Si on applique une tension extrieure entre D et S (figure infrieure), on peut rendre une des deux jonctions passante, mais on renforce par contre la polarisation ngative de l'autre jonction (ce qui dans ce cas particulier amne la zone de transition s'largir fortement du ct du substrat). En conclusion: tension de grille nulle, le courant de drain traversant le MOS est nul.

NMOS
apparition d'un canal: "effet de champ" S
N

D
N

D G S

0V S
N

5V G

0V D
N

0V
D G

5V

vGS > 0 vDS = 0

zone d'inversion=canal N
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Polarisons maintenant la grille positivement par rapport la source (sans polariser le drain pour l'instant). La grille, l'oxyde et le substrat forment un condensateur qui se charge une tension gale la tension extrieure applique. En consquence, des charges lectriques apparaissent sur les deux faces de l'oxyde (qui joue le rle de dilectrique du condensateur): positives du ct grille et ngatives du ct substrat. Les charges ngatives prsentes dans le substrat sont des lectrons provenant principalement de la source et du drain. (Simultanment, les trous majoritaires du substrat sont repousss de la surface par le champ lectrique transversal qui y rgne.) Si la tension applique la grille est suffisante, la concentration d'lectrons dpasse celle des trous dans une mince couche du substrat situe sous la grille. On cre alors une zone, dite "d'inversion", qui se comporte comme un semi-conducteur de type n et constitue un canal qui relie la source au drain: on a localement invers le type de semi-conducteur sous la grille. Cest pourquoi le transistor porte le nom de MOSFET canal n, ou NMOSFET, ou NMOS en abrg. Remarques: - le MOS est command par une tension (jamais par un courant contrairement au bipolaire). Ceci vient du fait que la grille est connecte un isolant (oxyde): aucun courant ne peut "entrer" dans le transistor (ou encore: une capacit ne passe pas le courant continu!). - une polarisation de la grille en ngatif n'amne rien: des trous s'accumulent sous la grille, ce qui ne cre aucun canal et le transistor ne peut pas devenir conducteur. - dans le symbole du transistor, le sens de la flche reprsentant le substrat indique le type du canal: canal n = flche pointe vers la grille canal p = flche pointe dans le sens oppos - enfin le "canal" cr dans le substrat par la polarisation positive de la grille est dautant plus "large" que le potentiel de la grille est lev.

10

NMOS
polarisation positive du drain / courant de drain 0V S
N

15V G

iD

5V D
N

<15V
D G

15V

vGS > 0 vDS < vGS

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Rajoutons maintenant une source de tension qui polarise le drain positivement par rapport la source: des lectrons peuvent maintenant aller de la source au drain sans rencontrer de barrire de potentiel, via le canal cr par la polarisation de la grille. Cette situation correspond un courant conventionnel allant du drain la source. Ce courant dpend: - de VGS : une augmentation de VGS largit le canal, donc diminue sa rsistance et le courant augmente; - de VDS : une augmentation de VDS acclre les lectrons et augmente donc le dbit, c'est dire le courant (Loi d'Ohm).

Par rapport la situation prcdente, la polarisation du drain a pour effet dapprofondir le canal du ct de la source et de le rtrcir du ct du drain (voir figure).

12

NMOS
[mA] 3

iD

Caractristique de sortie iD(vDS) [1]: zone ohmique


RDS zone ohmique .R non-linaire

10

20

30

40

50

vDS[V]

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Dans ces circonstances, le NMOS, vu ct "sortie", se comporte en fait comme une rsistance (les charges qui traversent rencontrent seulement la rsistance propre la zone N): le courant de drain est dautant plus important que la tension V DS est leve. Cette rsistance est nanmoins non-linaire, comme illustr dans le graphe ci-dessus, qui montre la premire partie de la caractristique de sortie. Ce comportement est valable tant que VDS<VGS.

14

NMOS
Pincement 0V S
N

15V G

$15V

>15V
D G

iD

D
N

15V

vGS > 0 vDS $ vGS

canal N pinc

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Si lon augmente la tension VDS , on "incline" de plus en plus le canal, cest--dire quon le rtrcit de plus en plus du ct du drain. Lorsquon arrive au point particulier VDS = VGS , on pourrait croire que le canal se "ferme": il nen est rien. On peut montrer en fait que la diminution de section est compense par une acclration des charges, de sorte que ce quon constate en ralit est leffet suivant: pour toutes les valeurs V DS>=VGS, le courant de drain devient indpendant de la tension V DS (en d'autres termes: si VGS vaut 15V, le courant est le mme pour VDS=15, 20 ou 25V). Cest ce quon appelle le "pincement". Cette zone correspond une horizontale dans le plan de la caractristique de sortie, cest--dire un comportement en source de courant (contrle par la tension VGS)

16

NMOS
[mA] 3

iD

Caractristique de sortie iD(vDS) [2]


RDS zone ohmique .R non-linaire

zone de pincement . source de courant

VGS=12V

10

20

30

40

50

vDS[V]

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Le graphe ci-dessus montre la caractristique de sortie complte du transistor NMOS. La tension VGS joue le rle de paramtre et "rgle" la "hauteur" de la courbe.

18

NMOS
iD
[mA] 3

Caractristique de transfert iD(vGS)

iD.K(VGS-VGS,TH)
2

VDS>=15V VDS=10V

2 iD.K VGS

VDS=5V
1

VGS,TH
0 0 2 4 6 8 10 12 14
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vGS[V]

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Pour terminer, voyons la caractristique de transfert du NMOS: elle lie la tension dentre (VGS) au courant de sortie (ID). La courbe suprieure montre la caractristique de transfert lorsqu'il y a pincement. En l'absence de pincement (zone ohmique), la tension V DS joue le rle de paramtre. Remarques: 1) On voit bien que, pour les valeurs de VDS>VGS, VDS n'influence plus le courant (courbe unique). 2) Il existe un seuil en-dessous duquel le transistor n'est pas passant. Ce seuil est not V GS,TH (TH pour Threshold) et varie de quelques diximes de volt quelques volts suivant le type de transistor et son application. 3) La caractristique de transfert est quadratique (exposant 2) en fonction de l'excs de V GS par rapport son seuil.

20

ELEC283 Electronique applique

7.2.5 - Autres types de transistors effet de champ

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21

Autres types de FET


PLAN

U < MOSFET enrichissement: PMOS < MOSFET dpltion < JFET

22

MOSFET enrichissement: PMOS


< idem NMOS sauf

G polarise ngativement par rapport S (vGS<0) D polaris ngativement par rapport S (vDS<0)

0V S
P

-15V G iD

-5V D
P

N G

-15V
D

vGS < 0 |vDS|< |vGS|

-5V
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23
Particularits du PMOS: - structure "duale" du NMOS - toutes les tensions sont ngatives

24

MOSFET dpltion
(grille non polarise)
source grille/gate drain mtal D G S drain mtal D G S

SiO2

S
N

D
N

N-MOS
enrichissement

substrat source

grille/gate

SiO2

S
N

D
N

N-MOS
appauvrissement

substrat
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canal prexistant

25
Particularits du MOS dpltion (=MOS appauvrissement) - par dopage, on ralise un canal prexistant en l'absence de tension de grille. Par dfaut, le transistor est donc conducteur et on peut le "couper" par une tension de grille ngative (pour un NMOS) N.B.: remarquer le symbole lgrement diffrent: trait continu (reprsentant le canal) au lieu d'un trait discontinu entre les trois lectrodes...

26

MOSFET dpltion (NMOS)


Caractristique iD(vGS)
iD
3
[mA]

D G S

<=>

G S
2

-10V

-8V

-6V

-4V

-2V

0V

2V

vGS[V]

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27
La caractristique de transfert du NMOS dpltion est donc dcale vers la gauche par rapport celle du NMOS enrichissement (il est conducteur en l'absence de polarisation).

28

Transistor effet de champ jonction


JFET : Junction Field Effect Transistor
mtal grille/gate source

G
P

drain

D G S

S
N
-

D
zone de transition

NJFET

substrat peu dop grille/gate source

G
N

drain

D G S

S
P
-

D
zone de transition

PJFET

substrat peu dop


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29
Enfin le JFET possde une structure diffrente mais utilise aussi un effet lectrostatique. L'ide est ici de crer un canal dont la largeur est contrle par la commande de la grille. En pratique, le fait d'appliquer une tension de grille (ngative pour le NJFET) renforce la polarisation ngative des jonctions PN existant dans le transistor, ce qui amne les zones de charge d'espace de ces jonctions s'largir et donc rtrcir le canal permettant le passage du courant de drain. Ce transistor possde galement son propre symbole. Sa rsistance d'entre, quoique trs leve (environ 10 10), est plus faible que celle du MOSFET (environ 1015).

30

ELEC283 Electronique applique

7.2.6 - Prcautions dutilisation des transistors effet de champ

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31

Prcautions d'utilisation des FET


PLAN

U < Condensateurs parasites < Impdance d'entre < Destruction de la grille < Prcautions observer

32

NMOS
Condensateurs parasites

source =substrat S

CGS

grille G

CGD

drain D

mtal

zone de transition
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CDS

33
Les transistors MOS comportent plusieurs capacits parasites: - la capacit "gate-source" CGS est celle dont nous avons dj parl: il s'agit d'une vraie capacit dont l'oxyde de grille est le dilectrique et la grille et le substrat les lectrodes. - la capacit "grille-drain" CGD est l'quivalent entre la grille et le drain - enfin il existe une capacit CDS correspondant la zone de transition de la jonction PN entre le drain et la source.

34

NMOS
Impdance d'entre

iG rG CGS

S=substrat
15

rG = fuite d'un trs bon isolant = 10 S !!! CGS = de qq fF qq nF suivant taille du MOS iG . 0 en statique iG sert uniquement (d)charger CGS
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35
L'impdance d'entre d'un NMOS, entre la grille et la source, peut tre modlise principalement par la capacit CGS. Cette impdance d'entre capacitive donne des proprits particulires au MOS: - lorsque la tension de grille est continue (statique), la commande du MOS ne consomme aucun courant, - lorsque la tension de grille varie (petits signaux ou commutation), il faut simplement fournir ou extraire le courant ncessaire charger/dcharger la capacit CGS pour l'amener la tension voulue. Ce comportement est donc tout--fait diffrent de celui de la commande d'un transistor bipolaire. A un niveau de dtail suprieur, on peut ajouter ce modle une rsistance trs leve (10 15) traduisant le fait qu'un courant "de fuite" extrmement faible traverse quand mme l'oxyde de grille vers le substrat (dans le cas contraire, l'oxyde de grille serait un isolant vraiment parfait, avec une rsistance strictement infinie, ce qui est impossible). En pratique, ce courant peut toujours tre nglig en tant que tel, mais cette rsistance apparente forme avec CGS un circuit RC dont nous reparlons dans le transparent suivant.

36

NMOS
destruction de la grille

claquage Q

G S

VGS,claquage = 25 ..50V Qclaquage = CGS .VGS,claquage = 25V . 1pF = 25 pC rG.CGS = 10 S.1pF = 1000s = 17 min !!! => - on peut allumer le transistor pour un temps long - on claque aisment la grille
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15

37
A cause de sa structure particulire, le NMOS (dans sa version "non protge") peut tre dtruit simplement en approchant la main! Ceci est une consquence d'un couplage capacitif existant entre l'entre du MOS et la main de l'utilisateur. Voici l'explication de ce phnomne: Tout matriau isolant est capable de "tenir" une certaine tension, c'est--dire de supporter une certaine diffrence de potentiel par unit d'paisseur. Par exemple, l'air sec peut supporter quelques kV par millimtre. Vous avez dj tous expriment ce qui se passe si la tension dpasse cette limite: une "dcharge lectrique", c'est-dire la cration d'un arc lectrique qui ionise l'air et offre ainsi la possibilit au courant de passer temporairement travers l'air. Un tel "claquage", dans l'air, est courant: - clair "naturel" au cours d'un orage, - clair de la "flche " d'un tram au passage d'un croisement de catnaires, - dcharg lectrique ressentie au contact de quelqu'un d'autre aprs avoir march sur un tapis, etc - vtements en laine, etc Dans un MOS, l'oxyde de grille est un trs bon isolant mais il est extrment mince (0,1 :m), de sorte que la tension qu'il supporte est faible: 25 50V. Pour une capacit CGS d'environ 1pF, il suffit d'apporter une charge lectrique de 25pC (Q=CV) pour atteindre cette tension. C'est une valeur de charge qu'il est tout--fait possible de "porter" couramment au bout des doigts. Le schma ci-dessus montre la rpartition des charges positives et ngatives lorsqu'on approche la main de la grille d'un MOS. Deux consquences sont possibles si le MOS reoit ainsi une charge par couplage capacitif: 1) la tension monte suffisamment pour provoquer le claquage de l'oxyde de grille: le transistor est alors inutilisable, dtruit. 2) la capacit CGS se charge mais reste en-dessous de la tension de claquage: le MOS est namoins "allum" et permet le passage d'un courant entre drain et source. La charge de CGS ne peut s'vacuer que par la rsistance parasite de l'oxyde de grille. Celle-ci tant norme, cette dcharge est extrmement lente (RC=17min!) par rapport aux temps caractristiques de l'lectronique. Le fonctionnement du montage peut s'en trouver compltement perturb. Cette "faiblesse" des MOS est galement valable dans le domaine du numrique (voir + loin).

38

NMOS
prcautions observer

< conservation

emballage conducteur
! mousses spciales ! emballages plastiques mtalliss

court-circuit G-S par un fil

< manipulation

ne jamais laisser une entre MOS "en l'air"

viter les vtements en laine viter les sols isolants (moquette, ..) porter des bracelets mis la terre, ou au moins toucher une prise de terre avant manipulation les outils et fers souder seront mis la terre

< composants avec protection interne

diodes G-S et G-D mais rG diminue


39

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La fragilit de la grille induit toute une srie de prcautions d'usage indiques ci-dessus. De manire gnrale, ce type de prcautions (ambiances visant viter des charges lectriques parasites) se rpand de plus en plus dans l'industrie afin de respecter les critres de qualit de fabrication. Il existe galement des MOS dont l'entre est protge (en interne) par des diodes qui permettent d'vacuer les charges parasites dues un couplage capacitif. On perd alors l'avantage d'une impdance d'entre norme, typique des MOS.

40

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7.3 - Le transistor bipolaire utilis en amplification

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Transistor bipolaire en amplification


PLAN

U < Introduction < 7.3.1 - Structure, principe et caractristiques du transistor bipolaire < 7.3.2 - Etage amplificateur BJT

Dtail d'une puce


technologies bipolaire et CMOS
base metteur collecteur

N N N
+

bipolaire
source gate drain

P N

CMOS
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3
Pour information, on voit ci-dessus le dtail d'un transistor intgr sur une puce en silicium pour deux technologies de fabrication diffrentes: bipolaire et CMOS. On peut constater la complexit de la structure raliser dans chaque cas. L'intgration d'un nombre de plus en plus grand de transistors dans une mme puce est possible grce la rduction progressive de la largeur des pistes. Les technologies actuelles utilisent typiquement une largeur de piste de 0.15 :m. Le passage une intgration plus pousse reprsente un dfi technologique toujours plus difficile et demande des efforts de recherche et des investissements colossaux.

Introduction
Transistor bipolaire jonctions
< Bipolar Junction Transistor (BJT)

bipolaire: repose sur le dplacement de trous et d'lectrons jonctions: rglage du courant bas sur les proprits des jonctions PN passantes et bloquantes

< historique
invent en 1948 premier type de transistor utilis massivement partir des annes 1960 pour remplacer les tubes ("poste transistor") presque totalement remplac par les transistors effet de champ dans les CI numriques subsiste en composant discret ou CI analogiques, ou CI logiques rapides associ au CMOS
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5
Le transistor bipolaire jonctions doit son nom au fait que son principe de fonctionnement repose sur: - deux types de porteurs ("bipolaire"): trous et lectrons - et deux jonctions PN. Depuis son invention en 1948, le transistor bipolaire jonctions s'est considrablement dvelopp et a t utilis dans tous les domaines de l'lectronique (lectronique analogique, lectronique numrique et lectronique de puissance). Il a atteint son apoge dans les annes 1970. Depuis, le pourcentage des montages o il intervient comme composant principal se rduit continuellement au profit des transistors effet de champ. Il reste utilis: - dans des applications frquence leve (au-del du GHz) comme composant discret, - dans certains circuits intgrs (p. ex. technologie BiCMOS).

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7.3.1 - Structure, principe et caractristiques du transistor bipolaire

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7.3.1 / Transistor bipolaire


PLAN

U < Structure interne < Principe de fonctionnement < Caractristiques

Transistor bipolaire
Structure
jonction base-metteur jonction base-collecteur sens passant de la diode BE
E B C

N
B

PNP

jonction base-metteur

jonction base-collecteur

C B E

P
B

NPN

sens passant de la diode BE


9

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Le transitor bipolaire jonctions (BJT) est un empilement de 3 couches de silicium, obtenues par diffusions successives de dopants. Un exemple de structure est prsent ici, mais il en existe de nombreuses autres variantes dont l'tude sort du cadre de ce cours. Le principe de fonctionnement que nous verrons dans la suite du chapitre s'applique tous les BJT. Deux types de transistors bipolaires existent. On leur donne comme nom l'ordre d'empilement des couches, soit PNP et NPN. La couche centrale porte le nom de base (B), les couches externes sont l'metteur (E) et le collecteur (C). Pour tudier les principes des BJT, nous considrons un transistor fom d'un barreau qui comprend trois couches successives dfinissant 2 jonctions: - la jonction base-metteur (jonction BE) - la jonction base-collecteur (jonction BC) Les dopages des trois zones possdent des proprits particulires qui ne seront pas tudies ici. Il faut par contre retenir que la base est trs courte (nous verrons pourquoi plus tard). Les symboles du PNP et du NPN diffrent lgrement: - la flche se trouve du ct de lmetteur, - le sens de la flche indique le sens du courant conventionnel (de P vers N) dans la jonction basemetteur Dans la suite du chapitre, on considrera uniquement un transistor NPN.

10

Transistor NPN
Polarisation en rgion active

C +10V jonction BC en polarisation inverse


C

B .0,6V

B E

E
0V

jonction BE en polarisation directe

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11
De la mme manire quil faut polariser une diode, il faut, pour utiliser un transistor, le polariser dune certaine manire. La polarisation que nous dcrivons ici permet de placer le transistor en "rgion active", une zone particulire de ses caractristiques qui correspond la fonction damplification (voir plus loin). Pour cela: - polarisons positivement le collecteur par rapport l'metteur au moyen dune source de tension continue: cette source va jouer le rle de rserve d'nergie. - simultanment, polarisons la jonction BE par une source de courant: celle-ci va jouer le rle de commande du transistor. Dans ces circonstances, la jonction BE agit comme une diode. A cause de la source de courant connecte la base, cette diode est passante et la tension V BE vaut donc 0,6V. Compte tenu des sources que nous avons appliques, la jonction BC est par contre polarise en sens inverse.

12

Transistor NPN en rgion active


Dplacementdescharges

C +10V

.0,6V

B
ejonction BE en polarisation directe

IE

E
0V

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13

Nous venons de voir que la jonction BE est passante. En pratique, cela veut dire que dans la zone N (Emetteur), des lectrons se dplacent contre sens du courant conventionnel, c'est--dire de l'metteur vers la base. C'est la raison pour laquelle l'metteur porte son nom: il "met" les lectrons...

14

Transistor NPN en rgion active


Dplacementdescharges

C +10V
jonction BC en polarisation inverse

< parcours des lectrons

IC .0,6V

un grand nombre dlectrons sont mis par lmetteur


!

polarisation directe de la jonction BE

B
ejonction BE en polarisation directe

IB

IE

une faible fraction se recombine dans la base MAIS la plus grande partie traverse celle-ci pour tre "collects" par le collecteur
! !

base trs courte polarisation inverse de la jonction BC

E
0V

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15
En arrivant dans la base, qui est une zone P, ces lectrons devraient normalement se recombiner avec les trous (arrivant par la base) qui sont les porteurs majoritaires de cette zone P. On aurait alors un fonctionnement classique en diode. La diffrence avec une diode est ici que la base est trs courte, beaucoup plus courte que la longueur ncessaire pour que tous les lectrons se recombinent avec des trous. Si certains lectrons se recombinent donc effectivement dans la base (et forment le courant de base, trs faible), la plupart d'entre eux franchissent cette base sans avoir le temps de se recombiner et arrivent dans la zone N du collecteur. (C'est d'autant plus facile pour eux que la jonction BC est polarise en inverse. Or on se souviendra qu'une jonction polarise en inverse repousse les porteurs majoritaires mais ATTIRE les porteurs MINORITAIRES. Et dans la base, les lectrons sont prcisment des porteurs minoritaires.) Une fois dans le collecteur, les lectrons continuent vers l'lectrode suprieure o ils quittent le transistor, attirs par la source extrieure de tension positive.

16

Transistor NPN en rgion active


Courants
iE
0V E

P
B .0,6V

iC
+10V

iE = iB + iC

< courants conventionnels

un courant important va du collecteur lmetteur un petit courant va de la base lmetteur le courant dmetteur est la somme des courants de base et de collecteur (cfr parcours des lectrons)
17

C B E

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Si lon traduit lanalyse prcdente, faite au niveau des charges lectriques, en courants conventionnels, on voit que: - un courant important va du Collecteur l'Emetteur - un courant plus faible va de la Base l'Emetteur - l'metteur voit donc la somme des courants de base et de collecteur

18

Transistor NPN en rgion active


Importance relative des courants
< transistor NPN typique
99% des lectrons traversent la base sans se recombiner 1% se recombinent et forment le courant de base => iB << iC . iE

< gain en courant du transistor (dfinition)

C B E

$DC = iC/iB .100

< < => amplificateur de courant


en entrant iB, on sort IC = 100 fois plus grand transistor = source de courant commande en courant
19

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En pratique, 99% des lectrons traversent la base sans se recombiner (seulement 1% se recombinent avec des trous provenant de la base).

DC. Ce paramtre vaut entre 100 et 150 pour les transistors bipolaires courants.

Le rapport entre le courant de collecteur et le courant de base est le gain en courant du transistor, not

On peut donc retenir que le courant de base est ngligeable par rapport aux deux autres courants, qui sont pratiquement gaux. Nanmoins, le principal courant traversant le transistor (i C=iE) est proportionnel au courant de base. En utilisant ce courant de base comme commande, le transistor bipolaire en rgion active apparat donc bien comme un amplificateur de courant.

20

Transistor NPN: commande en courant


Caractristique de transfert iC(iB)
iC[mA] 300 2N3904 VCE=25V

iC
200

100

$DC=iC/iB
0
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0.4

0.8

1.2
21

1.6

2.0

2.4 iB[mA]

On voit ici la caractristique de transfert iC=f(iB) d'un transistor rel. On peut considrer que cette caractristique est quasiment linaire, ce qui signifie que le transistor bipolaire est un amplificateur LINEAIRE lorsquil est command par un courant .

22

Transistor NPN: commande en tension


Caractristiques de transfert iC(vBE) et iC(iB)
iC [mA] 200
160

commande en courant: quasi-linaire

120

80

commande en tension: fortement non linaire


caractristique de la jonction passante BE
1 0.5 2 3 iB[mA] 1 vBE[V]

40

0 0 0
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23
Que se passe-t-il si, au lieu d'imposer un courant, on impose une tension l'entre du transistor (ce qui est trs souvent le cas en pratique) ? La jonction BE tant polarise en direct, elle se comporte comme une diode dont le courant varie quasiexponentiellement avec la tension v BE (voir chap. 5: la caractristique d'une diode polarise en direct est une exponentielle). Alors que la relation entre iB et iC est linaire, il n'en est donc plus de mme de la relation entre v BE et iC. A cause de la dpendance exponentielle entre v BE et iB, il y a indirectement une dpendance exponentielle entre v BE et iC. Le transistor bipolaire command en tension N'EST donc PAS linaire (par opposition ce mme transistor command en courant). On verra dans la suite de ce chapitre comment s'affranchir de ce problme.

24

Transistor NPN (2N3904)


iC
[mA] 300

Caractristique de sortie iC(vCE)


rgion active rgion de saturation

200

100

0 0
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coupure
10 20

IB = 0 30 40 50

vCE[V]

25
Pour tudier le transistor dans un montage, on a l'habitude de reprsenter la courbe iC=f(vCE), qui est la caractristique de sortie (*) du transistor. Cette courbe prsente sur sa plus grande partie un palier (en ralit une pente lgre) qui illustre le fait que iC dpend peu de la tension v CE. Par contre, on sait que i C dpend de i B par le gain du transistor. La courbe i C=f(v CE) dpend donc de la valeur de iB, qui agit dans ce graphe comme un paramtre: on obtient en fait un rseau de courbes suivant la valeur de iB. Plusieurs rgions peuvent tre distingues sur ce rseau: - courant de base nul, le courant de collecteur est quasiment nul : c'est la rgion de coupure - courant de base non nul et constant, le courant i C commence par crotre trs rapidement dans les premiers diximes de volts de v CE : c'est la rgion de saturation - lorsque v CE dpasse quelques diximes de volts on passe le "coude de saturation" et le courant de collecteur devient beaucoup moins dpendant de la tension v CE: c'est la rgion active - enfin, vers 40V le courant crot trs rapidement : c'est le claquage, qui entrane gnralement la destruction du transistor par chauffement; cette rgion est donc interdite. L'origine du claquage peut notamment tre l'avalanche de la jonction base-collecteur. (*) La caractristique de sortie lie les deux grandeurs de sortie (tension et courant), tandis que la caractristique de transfert dcrit la relation entre la grandeur de commande (courant ou tension) et la grandeur de sortie.

26

ELEC283 Electronique applique

7.3.2 - Etage amplificateur transistor bipolaire

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27

28

Rappel: rgion active


transistor
iC
[mA] 300

rgion active

200

100

rgion active
0 0
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<=>
50

coupure
10 20

IB = 0 30 40

vCE[V]

29
Pour rappel, la rgion active sobtient par une polarisation positive de la jonction base-metteur (i B>0 , vBE>0) et une polarisation ngative de la jonction base-collecteur (v BC<0). C'est dans ces conditions que le transistor peut tre considr comme un amplificateur de courant.

30

Montage en metteur commun


Principe
< But

ampli tension/tension
IC RB
+ -

Vcc RC V2

< En entre

commande = tension V1 iB = (V1-0,6V)/RB iB=f(VBE): exponentielle iC=f(iB): amplification linaire en courant iC transform en tension par la rsistance de charge: V2=VCC-RC.iC

< Amplification

V1

< En sortie

V2 = Vcc - RC.IC IC = $DC . IB

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31
Dans le module prcdent (6.3.1), nous avons tudi le comportement du transistor seul, via une polarisation un peu "artificielle" (en courant). Ceci nous a permis de montrer que le transistor est un amplificateur linaire courant/courant, mais en pratique on utilise beaucoup plus couramment des tensions. Pour raliser un amplificateur tension/tension, il faut ajouter au moins deux composants: - une rsistance de base (RB), qui sert fondamentalement ne pas connecter directement une source de tension (V BE) sur la jonction BE (rappelez-vous: cest interdit!), - une rsistance de collecteur ou "rsistance de charge" (R C) qui va fondamentalement permettre de traduire le courant de sortie du transistor en une tension (loi dOhm). Le montage ainsi ralis est un "tage amplificateur" "metteur commun" (car l'metteur est connect la masse et sert d'lectrode de rfrence commune pour l'entre (base) et la sortie (collecteur) du montage). Cest le plus simple des montages amplificateurs transistor. Remarquez, pour ce montage, que la tension de sortie V 2 nest autre que la tension V CE du transistor.

32

Montage en metteur commun


Droite de charge
iC
[mA]

Vcc
VCC RC

S P

IC RB
+

RC V2

VCEsat
0 0V

V1

C
VCC VCE

V2 = Vcc - RC.IC IC = $DC . IB


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33
Pour tudier ce montage, supposons dans un premier temps que V 1 est une source de tension continue variable. Le "point de fonctionnement" du transistor, c'est--dire le point reprsentant la valeur des diffrentes grandeurs lectriques, se trouve l'intersection de deux courbes: 1) la caractristique (de sortie) du transistor: i C=f(v CE) 2) la caractristique du circuit extrieur: ici la loi d'Ohm sur la rsistance RC. Cette deuxime caractristique est appele " droite de charge". On voit facilement que la droite de charge, pour ce montage, rpond lquation suivante: VCE=VCC-RC.IC (tension de la source V CC moins chute de tension sur la rsistance). Variation du point de fonctionnement La position de la caractristique de sortie du transistor dpend de la valeur du courant i B (cfr supra). Lorsque i B varie, le palier de la caractristique de sortie "monte" ou "descend" et le point de fonctionnement se dplace simultanment sur la droite de fonctionnement. En dautres termes, i B fixe la "hauteur" du point de fonctionnement dans le graphe. Ce point peut varier entre les deux limites de la rgion active: 1) le point C reprsentant la coupure (i C=0) 2) le point S reprsentant la saturation (v CE<<)

34

Amplification dun signal alternatif


Signalalternatif direct: difficults
12V

v2
8V

Vcc=12V IC
distorsion

RC V2

4V

RB
opposition de phase

v1
0V

V1=1V

alternances ngatives perdues


-4V 0

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35
Les difficults rencontres pour amplifier un signal alternatif direct sont les mmes que celles rencontres dans le cas dun tage transistor MOS.

36

Amplification dun signal alternatif


ampli "classe A": polarisation + petits signaux
iC
[mA]

Vcc
VCC RC

RC
Q IBQ

ICEQ

iB=IBQ+)iB

0 0V

C VCEQ
V CC VCE

)v1
+ -

RB

v2=V2Q+)v2

V1Q

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37
La seule manire d'amplifier une faible tension alternative est d'y ajouter une tension continue (opration qui porte galement le nom de POLARISATION du transistor). Le point de fonctionnement du transistor en l'absence de tension alternative est appel POINT DE REPOS. Dans la suite de ce chapitre, ce point sera not Q, et toutes les grandeurs continues associes seront notes en majuscule et indices par Q. Dans ce schma, on peut rgler la position du point Q l'aide de la tension continue V1Q et de la rsistance de base RB. Dans cette configuration, on parle d'amplification petits signaux autour du point de fonctionnement Q. La tension alternative d'entre v1 provoque donc une variation de courant de base iB, amplifie par le gain pour donner une variation de courant collecteur iC qui elle-mme entrane une variation de la tension de sortie v2. Insistons sur la sparation des deux problmes : - polariser le transistor, c'est placer le point de repos dans une position autour de laquelle on pourra raliser une amplification dans de bonnes conditions, - amplifier, c'est transformer de petites variations de tensions d'entre v1 (que l'on ajoute la tension continue de polarisation) en de plus grandes variations de la tension de sortie v2 (autour de la tension de repos V2Q), via leffet damplification en courant du transistor. Les valeurs continues de polarisation peuvent tre galement vues comme les moyennes temporelles des tensions et des courants. Elles ne portent pas dinformation "utile": elles sont simplement prsentes en tant que "support" du signal alternatif amplifier. Le montage illustr ci-dessus est le montage le plus simple pour amplifier une tension alternative. Il porte le nom dampli "classe A" (caractris par le fait que le point de repos est plac au milieu des caractristiques).

38

Amplification dun signal alternatif


Ampli "classe A": calcul du gain
< gain de ltage amplificateur

gain vide: AV=-gmRC


! ! !

V2=VCC-RC.IC V2=-RC.IC V2=-RC.gm.VBE


iB=IBQ+)iB

Vcc RC v2=V2Q+)v2

ne pas confondre avec !


!

gain du transistor
+ -

)v1

RB

V1Q

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39

Etage amplificateur 1 transistor


Comparaison BJT / NMOS
< Structure identique < Commande du transistor diffrente

NMOS = source de courant commande en tension BJT = source de courant commande en courant
!

ou commande en tension via le passage par la jonction BE

< Etage BJT


rsistance de base pour viter dimposer directement la tension sur la jonction PNbase-metteur rsistance dentre beaucoup plus faible que celle dun MOS

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Etage amplificateur 1 transistor


Synthse
< Vu dans ce cours:

Ampli metteur commun


!

bas sur un transistor bipolaire

Polarisation en classe A Polarisation par la base gain bande passante impdance dentre impdance de sortie etc

< Nombreuses variantes et montages en fonction de:


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ELEC283 Electronique applique

7.4 - Complments

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7.4 / Complments
PLAN

U < Mise en cascade dtages amplificateurs < Liaison par capacit < Montage cathodyne (suiveur)

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Mise en cascade dtages amplificateurs


Introduction
< tage amplificateur

Vcc RC
iB=IBQ+)iB

seul: parfois gain (AV) insuffisant


RB

< mise en cascade dtages amplificateurs

v2=V2Q+)v2

chaque tage modlis par son quivalent de Thvenin => Zin et Zout!!!
! !

)v1
+ -

V1Q

particularit: valeurs petits signaux! mme critres que prcdemment


Zo

V1

AVV1

V2

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Il est souvent ncessaire d'obtenir un gain en tension suprieur ce que l'on peut obtenir avec l'tage vu prcdemment. Dans ce cas, on mettra plusieurs tages en cascade pour multiplier leurs gains. On retombe dans ce cas sur le problme dj vu prcdemment: lorsquon connecte entre eux plusieurs montages, il faut sassurer quils sont "compatibles", ce qui se fait en modlisant chaque montage par son quivalent de Thvenin. Dans ce contexte-ci, on arrive donc au fait quun tage amplificateur peut tre modlis par son quivalent de Thvenin. Avec la particuliarit que cet quivalent de Thvenin concerne la partie "petits signaux" des grandeurs lectriques uniquement (=> valeurs dimpdances dfinies sur base des petits signaux). La compatibilit entre tages doit notamment tre assure au niveau des impdances (entre et sortie). Le critre est le mme que prcdemment (critre de tension): un bon tage amplificateur doit avoir une impdance dentre leve et une impdance de sortie faible. Le calcul des impdances dentre et de sortie petits signaux dun tage amplificateur ne sera pas vu dans ce cours. Rappelons simplement que les impdances de sortie et dentre sont des impdances fictives, qui NE correspondent donc PAS (sauf cas particulier) aux impdances existant lentre et la sortie du schma de ltage amplificateur...

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Mise en cascade
Liaison
< avantage : amplifie une tension continue < inconvnient :

sans prcautions : destruction de la polarisation


!

=> amplificateur diffrentiels pour le continu

Vcc R1 )i1
DC+AC

Vcc R1 )i1
IBQ VCQ

RC
VCQ1 )iC

RC
)iC

IBQ

C E

C E

VBEQ1=V1DC

VBEQ2=VCQ1

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Puisqu'il faut mettre des tages en cascade, se pose le problme de la manire de relier : - le premier tage au signal amplifier, - les tages entre eux, - le dernier tage la "charge". Si l'on dsire amplifier la composante continue du signal (cas de la sortie d'un capteur de temprature par exemple), on doit a priori lier les tages par une connexion directe. Si on le fait brutalement, on risque de bloquer compltement le fonctionnement du montage; en effet la liaison directe de deux tages conus sparment bouleverse la polarisation. Prenons l'exemple du premier tage de la chane et modlisons le signal amplifier par une source de tension. La tension continue sur la base du transistor d'entre est alors impose par la tension moyenne de cette source et ne correspond pas ncessairement un point de fonctionnement optimal (on peut par exemple se situer trop prs de la saturation). Il en va de mme pour la liaison entre tages o la tension moyenne de base VBEQ2 du deuxime tage doit tre gale la tension moyenne de collecteur VCQ1 de l'tage prcdent. Dans un amplificateur en continu, la polarisation de tous les tages successifs doit donc tre conue simultanment.

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Mise en cascade
Condensateurdeliaison
< avantage : respecte la polarisation

C reprend la diffrence des tensions

1 TminCL << Routk+Rink+1 Vcc R1 RC


VCQ )i2

< inconvnients :
perte d'amplification en continu et BF fmin = CL Vcc
R1 RC
VCQ1 IBQ )i2

CL

)i1

C E

CL

)i1

IBQ

C E

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La liaison de deux tages par un condensateur permet de concevoir leur polarisation sparment: comme le condensateur ne laisse pas passer le continu, il "spare" les polarisations des diffrents tages. Le condensateur se chargera une tension gale la diffrence entre la composante continue de la sortie et celle de l'entre de l'tage suivant. Il n'y a pas non plus de propagation de la drive du point de fonctionnement d'un tage l'autre. Par contre, sil est bien dimensionn, le condensateur laissera passer lalternatif et donc le signal utile. Le prix payer est l'impossibilit d'amplifier des grandeurs continues. Heureusement, il existe bon nombre d'applications pour lesquelles ce n'est pas ncessaire (dont tout le domaine de l'audio, o l'on ne descend pas sous les 20Hz). La taille des condensateurs "de liaison" n'est pas ngligeable et est d'autant plus grande que l'on souhaite amplifier des basses frquences. (Retenons simplement ici que, dans le schma quivalent de Thvenin de la liaison, le condensateur se met en srie avec la rsistance de sortie de l'tage prcdent et avec la rsistance d'entre de l'tage suivant. Son influence sera donc ngligeable si l'impdance du condensateur la frquence minimale que l'on veut amplifier reste faible devant la somme de ces deux rsistances.)

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Cathodyne
Principe
< principe

rsistance lEMETTEUR on considre les petits signaux


408kS )i1 13:A 6.7V B

12V

< gain du montage . 1 (ici: 0,995)


jonction BE passante => VBE=VTH=constante "suiveur de tension" dans cet exemple: 228k dans cet exemple: 2,5

C
)i2 E 6V

< rsistance dentre leve

< rsistance de sortie faible

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Le montage cathodyne est un montage o la rsistance de charge est place l'metteur et non au collecteur. Le signal de sortie est galement prlev lmetteur (alors quon le prenait au collecteur pour un ampli). Ce montage fonctionne diffremment de l'tage amplificateur. La tension au collecteur vaut toujours la tension d'alimentation (ici: 12V). Comme la jonction BE est passante, on sait que la tension VBE est constante et vaut 0,6V. On peut donc crire: vE=vB-0,6V. Les tensions B et E sont donc identiques, 0,6V prs. En particulier, les variations des tensions vB et vE (petits signaux) sont identiques puisque la diffrence des tensions vB et vE est constante. Du point de vue dun signal alternatif, on a donc ralis un amplificateur de gain...1! (ou presque 1 si on calcule plus rigoureusement). A quoi peut servir ce montage? Comme on l'a dit, un tage transistor possde beaucoup de proprits prendre en compte. L'intrt de ce montage-ci est de possder une impdance d'entre leve et une impdance de sortie faible, tout en "transmettant" le signal alternatif quon lui fournit. Il remplit donc parfaitement les critres attendus lorsqu'on dsire vhiculer une information de tension. On pourra en particulier insrer un montage cathodyne entre deux tages qui se rvleraient incompatibles entre eux (voir slide suivant).

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Cathodyne
utilisation comme transformateur d'impdance
10kS 1kS
)v2 )v0

= 0.1

Ri=228kS tage amont


10kS
)i1

12V tage aval C E )i2


)v2 )v1
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91kS 58:A 6.7V B

)v1 228 = = 0.96 )v0 238


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= 0.98

)v2 )v0

= 0.94