TD : Capteur de thermorésistif

1- Introduction
2- État de l'Art
3- Caractéristiques d’un capteur thermorésistif basé sur l’heterostructure
AlGaN/GaN
4- Questions
5- Annexes

Le travail présenté dans cette fiche de TD a été breveter dans United States Patent
Application Publication (US2010/0226409) publié en Sept. 2010 [1]. L’invention c’était la
fabrication d’un capteur de température qui peut mesurer la valeur précise de la température
dans un intervalle de temps très petit, qui peut mesurer la valeur de la température dans une
large gamme (de basse température à une température élevée), et qui a une structure simple.
Le capteur de température est constitué d’un Gaz d’Electrons À Deux Dimensions (Two-
Dimensional Electron Gas or 2DEG), et la résistance mesurée du gaz d’électrons à 2D est
utilisée pour déduire la température (Capteur thermorésistif). Les composants électroniques
qui ont une gaz d’électrons à 2D peuvent–être fabriqués en utilisant des hétérostructures
basés sur les systèmes AlGaN/GaN, AlGaAs/GaAs, InAs/GaAs, InAs/GaSb/AlSb, SiGe/Si,
SiC/Si, CdTe/HgTe/CdTe, InGaAs/InAlAs/InP, et silicium nanocristallin.

État de l'Art :
Un capteur thermorésistif basé sur du Platine, basé sur la caractéristique résistance–
température d’un semiconducteur, un thermocouple basé sur deux types de métaux, etc. sont
connus comme des capteurs de température. Il y a d’autres types de capteur de température,
par exemple, capteur de température basé sur la tension base-à-émetteur d’un transistor
(Japanese Patent Application Kokai Publication No. 2004-294322).

Formation de Gaz d’Electrons À Deux-Dimensions dans l’heterostructure AlGaN/GaN:

Les électrons diffusent du Nitrure d’Aluminium–Gallium (Aluminum Gallium Nitride)
AlGaN vers le Nitrure de Gallium (Gallium Nitride) GaN. Ils seront piégés à l’interface entre
l’AlGaN et le GaN comme le montre la Figure TD1.3. La densité des électrons à l’interface
serra très grande et les électrons piégés sont libres de circuler à l’interface du gaz
d’électrons à 2D formé dans la couche de GaN.

1
 Figure TD1.3 Structure d’un capteur résistif de température (thermorésistif) basé sur l’heterostructure
AlGaN/GaN.

Caractéristiques d’un capteur thermorésistif basé sur l’heterostructure AlGaN/GaN :

Figure TD1.4(b) représente la caractéristique Résistance–Température (R–T) de quelques
échantillons basés sur l’heterostructure AlGaN/GaN de tailles différentes mais de même
structure, la largeur des échantillons w (width dans Figure TD1.4(a)) change de 0.5 à 3 mm
comme la montre la Figure TD1.4(b). La largeur des échantillons (length (l)) est gardée
constante à 3 mm.

Figure TD1.4 (a) Schéma d’un capteur thermorésistif, (b) R–T caractéristique des capteurs de tailles
différentes (largeurs différentes) [3].
La résistance (Figure TD1.4(b)) augmente avec l’augmentation de la température jusqu'à
1000K, mais reste inchangé quand la température est inferieure à 77K. Ce comportement
indique clairement la conduction métallique associée avec les structures 2DEG.

90 Echantillon 1
Echantillon 2
Series resistance (k)

80 Echantillon 3
70
60
50
40
30
20
10
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
Temperature (°C)
Figure TD1.5 R–T caractéristique des capteurs de tailles différentes.
Le Tableau TD1.1 représente quelques résultats obtenue par ce type des capteurs, les
caractéristiques R–T correspondant sont représentées sur la Figure TD1.5 :

Tableau TD1.1 Variation de R en fonction de T de trois échantillons de capteurs thermorésistifs.

Résistance
(k)
Température Echantillon 1 Echantillon 2 Echantillon 3
(oC)
0oC 10.94 5.49 2.30
24 12.51 6.75 2.94
50 15.62 8.52 3.67
100 21.97 12.42 5.23
150 30.01 17.17 7.18
200 39.26 22.52 9.33
250 49.12 25.65 11.14
300 60.60 30.84 13.47
350 74.05 36.92 16.28
400 91.42 45.26 19.13

Questions :
1- Supposant que les capteurs thermorésistifs représentés ici ont une équation de
Callendar–Van Dusen de la forme :
(TD1.1)
Déduisez numériquement les valeurs de A et B pour les trois capteurs.
Comment déduire graphiquement les valeurs de R0, A et B ?
L’Origin est un logiciel de traitement et d'analyse de données scientifiques pour
environnement Microsoft Windows développé par OriginLab. Il permet notamment de tracer
des graphes 2D et 3D et possède des fonctions d'analyse de pics (Wikipedia). Une de ses
fonctions est l’ajustement des courbes (curves fitting). Pour obtenir l’ajustement de la courbe
R–T, on utilise les étapes représentées dans la Figure TD1.6.
 Figure TD1.6 Les étapes utilisées pour obtenir l’ajustement de la courbe R–T.

Le résultat de l’ajustement de la courbe R–T est représenté sur la Figure TD1.7, R 0 est
l’intersection avec l’axe des « y », B1 est le produit A× R0 et B2 est le produit B× R0. Il faut
noter que les unités des grandeurs R 0, B1 et B2 sont données en k, k·oC-1 et k·oC-2,
respectivement. La ligne rouge sur la Figure TD1.7 est la courbe d’ajustement, on remarque
qu’elle coïncide parfaitement sur les mesures pratiques.
2- La sensibilité des échantillons est définie comme le taux de variation relative de la
résistance à une température connue, elle est donnée par l’équation (TD1.2)

(TD1.2)

Déduisez la sensibilité des trois échantillons à 0oC, à la température ambiante, et à 400oC.

 Figure TD1.7 Ajustement de la courbe R–T.

3- Déduisez du Tableau TD1.1 comment peut-on contrôler la sensibilité de ces capteurs

thermorésistifs.
4- Proposez un circuit électronique basé sur un amplificateur opérationnel (Amp-Op)
qui permet de relever la tension (Vout) en fonction de la température.
5- La sensibilité est en fonction de la température (équation (TD1.2)), maintenant si on
suppose que la température varie linéairement avec le temps. Pouvez–vous proposer un
circuit électronique basé sur un amplificateur opérationnel (Amp-Op) qui permet de relever la
valeur de la tension (Vout) qui varie linéairement avec le temps, c.à.d. Vout varie linéairement
avec la température, en d'autres termes, la sensibilité à la sortie doit être constante et ne varie
pas en fonction de la température à la sortie de l’amplificateur opérationnel (Voir Annexe 1).
6- Comme nous avons vue dans le cours, l’augmentation de la résistance en fonction de
la température dans les métaux est due à la vibration du réseau cristallin. Les heterostructures
AlGaN/GaN ont le comportement du métal dû à l’existence du gaz d’électrons à deux
dimensions à l’interface entre le AlGaN et le GaN, donc la résistance de ces heterostructures
augmente avec l’augmentation de la température.
La variation de la résistance quand la température est inferieure à 0 oC est petite, est elle est
presque nulle quand la température est inférieure à –196 oC Pouvez vous expliquer la raison
du comportement de la résistance aux basse–températures ?
7- Mesurez les sensibilités des capteurs, donnés en Annexe 2 (Platinum temperature
sensors), à 0oC, à la température ambiante, et à 400oC, et leurs sensibilisées avec la sensibilité
des capteurs étudié ici.
8- Les capteurs représentés dans cette étude peuvent mesurer la température dans la
gamme de température de –263oC a 700oC [1, 3]. Citez les avantages de ces capteurs en les
comparants avec les capteurs de température conventionnels donnés en Annexe 2 et 3 en
termes de taille, sensibilité, étendue de mesure etc.
9- Dans la partie Introduction, on a cité quelques systèmes à 2DEG, pouvez-vous cité
d’autres exemples d’heterostructures à base de 2DEG formé avec des matériaux plus
abondant, tel que les oxydes métalliques (faites une recherche bibliographique) ?

Référence :
[1] A. Sandhu, T. Yamamura, M. Taoda, Z. Primadani, Temperature sensor, US2010/0226509
A1, 9th September 2010.
[2] Henry Mathieu et Hervé Fanet, "Physique des semiconducteurs et des composants
électroniques", Dunod, Paris, 2009.
[3] A. H. Zahmani, A. Nishijima, Y. Morimoto, H. Wang, J. F. Li, and A. Sandhu,
Temperature Dependence of the Resistance of AlGaN/GaN Heterostructures and Their
Applications as Temperature Sensors, Japanese Journal of Applied Physics 49 (2010)
04DF14.
 Annexe 2- Capteurs thermorésistifs basé sur Platine

Temperature Sensors HEL-700 Series

Platinum RTDs

FEATURES
HEL-700 Series elements are fully assem-
• Linear resistance vs temperature bled, ready to use directly or in probe
• Accurate and Interchangeable assemblies without the need for fragile splices
• Excellent stability to extension leads.
• Teflon or fiberglass lead wires
• Wide temperature range The 1000K, 375 alpha version, provides 10X
• Ceramic case material greater sensitivity and signal-to- noise.
Optional NIST calibrations im- prove
TYPICAL APPLICATIONS accuracy to ±0.03C at 0C.
• HVAC – room, duct and refrigerant
equipment
• Instrument and probe assemblies –
temperature compensation
• Process control – temperature
regulation

ORDER GUIDE Fig. 1: Wheatstone Bridge 2-Wire Interface

HEL- 28 ga. TFE Teflon, 2-wire only
705
HEL- 28 ga. Fiberglass, 2-wire only
707
HEL- 28 ga. TFE Teflon (2-wire 1000K, 3-wire 100K)
711
HEL- 28 ga. Fiberglass (2-wire 1000K, 3-wire 100K)
712
HEL- 24 ga. TFE Teflon (2-wire 1000K, 3-wire 100K)
716
HEL- 24 ga. Fiberglass (2-wire 1000K, 3-wire 100K)
717 Fig. 2: Linear Output Voltage
- 1000K, 0.00375 K/K/C
U
-T 100K, 0.00385 K/K/C DIN Standard
-0 ±0.2% Resistance Trim (Standard)
-1 ±0.1% Resistance Trim (Optional)
- Lead wire length, 12 inches
1
2
- No NIST calibration
0
0
- NIST @ 0C Fig. 3: Adjustable Point (Comparator) Interface
C
1
- NIST @ 0 & 100C
C
2
- NIST @ 0, 100 & 260C
C
3

MOUNTING DIMENSIONS (for reference only)

 CAUTION
PRODUCT DAMAGE
The inherent design of this component causes it to be sensitive to
electrostatic discharge (ESD). To prevent ESD-induced damage
and/or degradation, take normal ESD precautions when handling this
product.

Honeywell • Sensing and Control • 1-800-537-6945 USA • +1-815-235-6847 International • 1-800-737-3360 Canada 87
 Temperature Sensors HEL-700 Series
Platinum RTDs
FUNCTIONAL BEHAVIOR ACCURACY VS TEMPERATURE
RT = R0(1+AT+BT2−100CT3+CT4)
Tolerance Standard ±0.2% Optional ±0.1%
RT = Resistance (K) at temperature T (C) R0
= Resistance (K) at 0C Temperature ±AR* ±AT ±AR* ±AT
T = Temperature in C (C) (K) (C) (K) (C)
A = a + að B = − að CT<0 = − a þ −200 6.8 1.6 5.1 1.2
100 1002 1004
−100 2.9 0 2.4 0
. .
8 6
0 2.0 0 1.0 0
. .
5 3
CONSTANTS 100 2.9 0 2.2 0
. .
A (C-1) 8 6
3.81×10-3 3.908×10-3
Alpha, a-2 (C-1) 0.00375 0.003850 200 5.6 1 4.3 1
B (C ) −6.02×10-7 −5.775×10-7 . .
C (C-4) −6.0×10-12 −4.183×10-12 6 2
±0.000029 ±0.000010 300 8.2 2 6.2 1
Both þ = 0 and C = 0 for T>0C NIST CALIBRATION
NIST traceable calibration provides resistance readings at 1, 2 or 3
standard temperature points to yield a resistance versus tem- perature
RESISTANCE VS TEMPERATURE CURVE curve with 10x better accuracy.

Calibration 1 Point 2 Point 3 Point

T (C) ±AT (C) ±AT (C) ±AT (C)
-200 0.9 — —
-100 0.5 0.27 0.15
0 0.03 0.03 0.03
100 0.4 0.11 0.07
200 0.8 0.2 0.08
300 1.2 0.33 6.2
400 1.6 0.5 8.3
500 2.0 0.8 9.6
600 2.6 1.2 10.4

SPECIFICATIONS
Sensor Type Thin film platinum RTD;
R0 = 1000 K @ 0C; alpha = 0.00375 K/K/C R0
= 100 K @ 0C; alpha = 0.00385 K/K/C
TemperatureTFE
Range
Teflon: −200 to +260C (−320 to +500F) Fiberglass: −75 to +540C (−100 to +1000F)

Temperature Accuracy ±0.5C or 0.8% of temperature, C (R0 ±0.2% trim), whichever is greater
±0.3C or 0.6% of temperature, C (R0 ±0.1% trim), whichever is greater (optional)
Base Resistance and 1000 ± 2 K (±0.2%) @ 0C
Interchangeability, R0 ± AR0
1000 ± 1 K (±0.1%) @ 0C (optional)
Linearity ±0.1% of full scale for temperatures spanning −40 to +125C
±2.0% of full scale for temperatures spanning −75 to +540C
Time Constant <0.5 sec. 0.85 inch O.D. in water at 3 ft/sec; <1.0 sec, 0.85 inch O.D. in still water
Operating Current 2 mA maximum for self heating errors of <1C; 1 mA recommended
Stability <0.25C/year; 0.05C per 5 years in occupied environments
Self Heating <15 mW/C for 0.85 O.D. typical
Insulation Resistance >50 MK at 50 VDC at 25C
Construction Alumina case; Epoxy potting (Teflon leads); Ceramic potting (fiberglass leads) Lead
Material Nickel coated stranded copper, Teflon or Fiberglass insulated

88 Honeywell • Sensing and Control • 1-800-537-6945 USA • +1-815-235-6847 International • 1-800-737-3360 Canada
 Annexe 3- Un tableau comparatif des capteurs de température conventionnels

Comparative Sensor Table

Thermisto Thermocoup Platinum Integrat

r 100 le B, R, S, E, 100, 200, 500, ed
ohms to 1 T, J, K 1,000 Circuit
megohms at ohms at 0°C Temperat
25°C ure
Sensor

Sensitivity Units 3.3 to 53K 7 to 62 V/°C 0.00385 and 1A/˚C

ohms/°C at 0.00392
25°C ohms/ohm/°C
Standard Accuracy
(°C)
Interchangeability ±0.05 to ±0.2°C ±0.8 to ±4.4°C ±0.3°C ±0.6 to
±5.0°C
Stability at 100°C 0.02°C/ month Depends 0.05°C/year 0.1°C/mon
(epoxy) 0.02°C/year on (film) th
(glass) environm 0.002°C/year
ent (wire)

Power Required Stable Self-powered Stable 4 to 30 V

voltage or voltage or
current current
Minimum Practical 1°C 100°C 25°C 25°C
Span
Temperature Range -100 to +250°C -100 to +1750°C -200 to +750°C -55 to
+150°C
Reference None Cold junction None None
Ruggedness Very rugged Large wire Rugged Very
diameter very Rugged
rugged
Maximum Power (self- 50 W NA (susceptible 500 W Offset
heat) for Stated to amplifier bias error is
Accuracy current error) supply
voltage
depende
nt
Sensitivity
Hysteresis over <0.01°C >1°C 0.01°C Not
Range available
Repeatability over <0.01°C ±0.5°C <0.01°C ±0.1°C
Range
Lead Wire 2-wire Thermocouple or 2-, 3-, 4-wire 2-wire
Configuration extension wire

Formore information,
contact us at800 747-5367or
937 427-1231•Fax937 427-
1640
Info@YS I.co• mwww.YSI.com