Chapitre 2Composants actifs de puissance

Chapitre 2 : Composants actifs de puissance

1- Le Thyristor ou SCR
1.1- Principe de fonctionnement
1.2- Réseaux de caractéristiques
1.3- Symboles
1.4- Domaine d’utilisation
2- Le Thyristor GTO
2.1- Principe de fonctionnement
2.2- Réseaux de caractéristiques
2.3- Symboles
2.4- Domaine d’utilisation
3- Le Triac
3.1- Principe de fonctionnement
3.2- Réseaux de caractéristiques
3.3- Symboles
3.4- Domaine d’utilisation
4- Le Diac
4.1- Principe de fonctionnement
4.2- Réseaux de caractéristiques
4.3- Symboles
4.4- Domaine d’utilisation
5- Le Transistor à effet de champ (TEC ou FET)
5.1- Principe de fonctionnement
5.2- Réseaux de caractéristiques
5.3- Symboles
5.4- Domaine d’utilisation
6- Le Transistor unijonction ou UJT
6.1- Principe de fonctionnement
6.2- Réseaux de caractéristiques
6.3- Symboles
6.4- Domaine d’utilisation

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1- Le Thyristor ou SCR
Le thyristor est apparu en 1957. C’est un redresseur commandé au silicium comme l’indique son
appellation SCR (silicon controlled rectifier).

Le thyristor est formé d’un matériau semi-conducteur sur le quel on a créé trois jonctions : il y a ainsi
deux zones P et deux zones N (figure 2.1). L’empilage des jonctions est le suivant : P-N-P-N. Sur la zone N
à l’extérieur on retrouve la cathode, et sur la zone P extérieure on retrouve l’anode. L’électrode de
commande nommée gâchette se trouve sur la zone P au-dessus de la cathode.

Figure 2.1- L’empilage des jonctions du thyristor.

1.1- Principe de fonctionnement

Le thyristor se comporte comme une diode dont on commande la mise en conduction. Le thyristor ressemble
d’ailleurs beaucoup à celui d’une diode. On retrouve l’anode (A) et la cathode (K), mais une troisième borne
apparaît, la gâchette (G). C’est elle qui permet la commande du composant. Pour que le thyristor devienne
passant, il faut non seulement le polariser en direct comme une diode, mais aussi lui appliquer un courant
adéquat entrant dans la gâchette. Une fois le thyristor amorcé (c’est-à-dire devenu passant), il est inutile de
maintenir la présence du courant de gâchette. C’est la raison pour laquelle, la plupart du temps, la
commande se fait par une impulsion de courant. Le blocage de fait comme celui d’une diode, il n’est pas
commandé par la gâchette.

1.2- Réseaux de caractéristiques

La caractéristique du thyristor comprend trois grandes parties :

 OA : tension négative, thyristor bloqué ;

 OB : tension positive, thyristor bloqué, pas d'impulsion sur la gâchette ;
 OC : après l'envoi d'une impulsion alors que v est positive, le thyristor est passant.

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Figure 2.2-Caractéristiques tension-courant d’un thyristor.

1.3- Symboles
On représente le thyristor par son symbole normalisé (figure 2.3).

Figure 2.3-Symbole du thyristor.

1.4- Domaine d’utilisation
 Le thyristor utilisé en continu sera souvent employé pour réaliser toutes sortes de convertisseurs et
pour le pilotage des moteurs de fortes puissances (exemple : traction électrique).

 Les applications en alternatif sont nombreuses. Pour n’en citer que quelques-unes, nous nous
intéresserons aux applications concernant le redressement, ou encore à des montages typiques de
variation de vitesse et de changement de fréquence (cyclo-convertisseurs).

2- Le Thyristor GTO

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Le thyristor GTO (Gate Turn Off) est une évolution du thyristor classique qui a la propriété de
pouvoir être bloqué à l'aide de la gâchette, contrairement aux thyristors classiques (la mise en conduction et
le blocage sont commandés).

2.1- Principe de fonctionnement

Un GTO s'amorce par la gâchette (avec V GK>0) comme un thyristor. Le courant de gâchette peut être
de quelques ampères. Une fois la conduction amorcée, elle se maintient.

Le GTO se bloque si le courant d'anode s'annule (comme le thyristor).

Le mode de blocage spécifique du GTO consiste à détourner le quasi totalité du courant d'anode dans
la gâchette. Le courant "sort" donc de la gâchette. En pratique, on applique donc une tension négative sur la
gâchette (VGK<0) pour détourner le courant. L'opération doit avoir une durée minimale pour assurer un
blocage fiable et non dangereux pour le GTO (0.1ms typique).

2.2- Réseaux de caractéristiques

Les réseaux de caractéristiques du thyristor GTO Comme le thyristor classique.

2.3- Symboles
On représente le thyristor GTO par son symbole normalisé (figure 2.4).

Figure 2.4-Symbole du thyristor GTO.

2.4- Domaine d’utilisation

Ses applications sont, la forte puissance (traction) soit le pilotage des moteurs asynchrones de TGV.

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3- Le Triac
Le triac (triode alternating current) est apparu en 1964. C’est un composant devenant passant pour les
deux alternances d’un courant alternatif, avec une seule électrode de commande.
Dans le principe, un triac est en quelque sorte un assemblage de deux thyristors tête bêche ( figure 2.5). Le
triac est un dispositif comportant trois électrodes nommées A 1(ou MT1) etA2(ou MT2) pour les électrodes de
conduction, (MT pour Main terminal) et G pour l’électrode de commande.

Figure 2.5-L’empilage des jonctions du triac.

3.1- Principe de fonctionnement

Le premier intérêt que l’on va trouver au triac est qu’il pourra conduire lors des deux alternances
d’un signal alternatif, ce que le thyristor ne pouvait faire. Nous avons donc deux thyristors, et grâce à une
disposition particulière des couches constituant le triac il sera possible de ne sortir qu’une seule gâchette. Si
cette gâchette est portée à un potentiel suffisant, le triac est passant, et ceci quel que soit le potentiel sur
l’anode du composant. Le triac peut donc passer de l’état bloqué à l’état passant dans les deux sens de
polarisation. Tout comme le thyristor, le triac se bloquera si le courant I traversant A 1-A2 s’inverse ou bien si
celui-ci descend en dessous du courant minimum de maintien Ih.

3.2- Réseaux de caractéristiques

Nous remarquerons, sur la courbe des caractéristiques du triac (figure 2.6), que les quadrants I et III
sont symétriques. Cela évidant puisque le triac est considéré comme deux thyristors montés en oppositions
et que par définition il peut être en conduction pendant les deux alternances d’un signal alternatif.

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Figure 2.6- Caractéristiques tension-courant d’un triac.

Comme vous pouvez le voir, il existe quatre quadrants qui correspondent à l’impulsion positive ou
négative sur la gâchette quelle que soit la polarité (positive ou négative) de la broche A 2 par rapport à
l’électrode A1. Toutefois lorsque l’électrode A2 et la gâchette ont la même polarité, le courant de gâchette
nécessaire à l’amorçage du triac est plus faible que lorsqu’il existe des polarités opposées, cas où le courant
IGT peut devenir important. Les quadrants idéaux correspondants à ce types d’amorçage sont donc les
quadrants I et III dans lesquels (Vg = + et A2 = +) et (Vg = - et A2 = -).

Nous venons de voir l’intérêt que procure le déclenchement du triac dans les quadrants I et III, cet
intérêt impose également l’inversion du signal de gâchette, puisque le premier cas I GT est positif (quadrant I)
et dans le deuxième cas IGT est négatif (quadrant III).

Polarités Valeur du courant de gâchettes

Conditions de déclenchement quadrant I + MT2  ; + G IGT faible
Conditions de déclenchement quadrant II + MT2  ;- G IGT moyen – fort
Conditions de déclenchement quadrant III - MT2  ;- G IGT faible
Conditions de déclenchement quadrant IV - MT2  ; + G IGT fort

Tableau 2.1- Rappel des différentes conditions de déclenchement.

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3.3- Symboles
On représente le triac par son symbole normalisé (figure 2.7).

Figure 2.7-Symbole du triac.

3.4- Domaine d’utilisation

On utilisera souvent le triac en montage gradateur (pour l’éclairage par exemple) puisque, par rapport
à un rhéostat classique, il ne dissipera aucune puissance inutile sous forme de chaleur. On le retrouvera
également dans des variateurs de vitesse de moteurs électriques. Les jeux de lumière sont aussi en grande
partir réalisés à base de triac.

4- Le Diac
Le diac (Diode Alternating Current) est une diode hors norme qui a la particularité d’être
bidirectionnelle, ce qui peut être un paradoxe pour une diode. Cette diode peut donc être passante ou
bloquée dans les deux sens. Dans le principe, un diac est en quelque sorte un assemblage de deux diodes tête
bêche.

4.1- Principe de fonctionnement

Le diac est en fait un dispositif semi-conducteur qui devient conducteur dès que la tension à ses
bornes dépasse un seuil appelé tension de retournement (VBO pour Break over Voltage). Lorsqu’il devient
passant, le diac possède une résistance dynamique négative, ce qui signifie que le courant dans le composant
augmente alors que la tension à ses bornes diminue. Le blocage du diac intervient dès que le courant
traversant retombe à une valeur minimale ou que la tension à ses bornes chute en dessous du seuil V 0
(donnée par la fiche du constructeur).

4.2- Réseaux de caractéristiques

Lorsque la tension croît aux bornes du diac sans dépasser V BO, le courant reste faible. Dès que la
tension de claquage est atteinte (zone d’avalanche), c’est le fonctionnement en zener. Le diac se met donc à
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conduire et le courant peut augmenter très rapidement à la manière du courant dans un thyristor, d’ailleurs la
courbe du diac ressemble fortement à la caractéristique de conduction d’un thyristor ou d’un triac il manque
simplement au composant l’électrode de commande(figure 2.8).

Figure 2.8-Caractéristiques tension-courant d’un diac.

4.3- Symboles
On représente le diac par son symbole normalisé (figure 2.9).

Figure 2.9-Symbole du diac.

4.4- Domaine d’utilisation

L’application typique du diac est la génération d’impulsions pour le déclenchement de dispositifs de
puissance tels que le triac ou le thyristor. Le principe de génération d’impulsion consiste à charger un
condensateur au travers d’une résistance variable, et on connecte le diac aux bornes du condensateur. Dès
que la tension aux bornes du condensateur atteint la tension de déclenchement du diac (tension V BO), celui-ci
conduit et décharger la capacité dans la gâchette du thyristor ou du triac faisant conduire ce dernier.

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5- Le Transistor à effet de champ (TEC ou FET)

Le transistor est l’élément de base de l’électronique moderne. Si les circuits intégrés sont formés
d’un grand nombre de transistors. Parmi les catégories de transistors il existe les transistors à effet de champ
à jonction.
Le transistor à effet de champ est appelé généralement TEC (Transistor à Effet de Champ) ou bien FET
(Feild Effect Transistor).

5.1- Principe de fonctionnement

Le transistor à effet de champ (TEC) est formé d’un barreau de semi-conducteur dont les extrémités
sont la source (S) et le drain (D). Une jonction, normalement bloquée, est créée par la grille (G), permet de
faire varier la largeur du canal donc de commander le courant allant du drain vers la source. Selon la nature
du dopage du barreau, on distingue les TEC canal N ou canal P. Suivant la tension appliquée entre grille et
source, le canal situé entre drain et source va plus ou moins se rétrécir et en conséquence le courant va être
modifié. La grandeur d’entrée est la tension VGS entre grille et source. On dit qu’un TEC est commandé en
tension.
Un transistor à effet de champ peut être considéré comme un quadripôle (figure 2.10).

Figure 2.10-Transistors à effet de champ.

IG : Courant entrant dans la grille ;

ID : Courant entrant dans le drain ;
VGS : Tension entre grille et source ;
VDS : Tension entre drain et source.

5.2- Réseaux de caractéristiques

Le réseau de caractéristique (figure 2.11) d’un transistor à effet de champ (canal N) est donné par le
constructeur. On peut distinguer deux types de réseaux :

 Caractéristique de sortie : C’est le réseau de caractéristique IDS = f(VDS) pour les valeurs de tension
VGS données.

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 Caractéristique de transfert : C’est le réseau de caractéristique IDS = f(VGS) pour des valeurs
constantes de la tension VDS.

Figure 2.11-Réseaux de caractéristiques du transistor à effet de champ.

 Le réseau de transfert montre que le TEC est commandé en tension. Si |VGS| augmente, IDS diminue.
 Pour |VGS| ≥ VP : tension de pincement, le courant IDS est quasiment nul : le TEC est bloqué.
 Le réseau de sortie comprend trois bloqué :

1- La région ohmique, pour laquelle le transistor est utilisé en résistance variable commandée
par une tension RDS = f(VGS) ;
2- La résistance du canal RDS dépend de VGS et VDS ;
3- La région de pincement (zone de saturation pour V GS> VGSOFF), dans laquelle le courant ID est
sensiblement constant et égal au courant de saturation I DS. Dans cette zone, le transistor se
comporte comme un générateur de courant dont l’intensité est commandée par la tension
VGS ; IDS = f(VGS).

Nous remarquons que la caractéristique IDS = f(VGS) est non linéaire d’allure parabolique, représentée par
l’équation fondamentale suivante :
I DS =I DSS . ¿ ¿

Ou bien :
V GS 2
I DS =I DSS .(1+ )
VP

Puisque V GS< 0 et V P> 0.

I DSS  : Courant de saturation àV GS = 0.
V P : Tension de pincement du canal.

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5.3- Symboles
On représente les transistors à effet de champ par leurs symboles normalisés (figure 2.12).

Figure 2.12-Symboles des transistors à effet de champ.

5.4- Domaine d’utilisation

Les TEC sont utilisés dans quelques applications spécifiques. Le fait qu’ils ne nécessitent pas de
courant de grille les rend particulièrement intéressants dans les étages d’entrée des amplificateurs. Dans
certains cas, on peut aussi utiliser un TEC comme résistance commandée par une tension. Les TEC
présentent également des avantages pour la réalisation des commutateurs analogiques. Pratiquement tous les
transistors à effet de champ plus utilisés sont à canal N. Les composants à canal P, de moindres
performances.

6- Le Transistor unijonction ou UJT

Dans la famille des transistors, nous trouvons le transistor unijonction appelé également UJT.
L’appellation <<unijonction>> vient du fait qu’il n’existe qu’une seule jonction sur ce composant.

Le transistor unijonction est constitué d’un barreau de silicium de faible section et faiblement dopé
(type N), il possède à ses extrémités deux contacts nommés B1 et B2 (base 1 et base2), et par ailleurs il
possède une troisième électrode issue d’une région dopé de type P ; cette broche est appelée << émetteur >>
et forme une diode avec le canal de base. Le canal faiblement dopé est donc un canal très résistif. La figure
2.13reprend cette structure.
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Figure 2.13-structure du transistor unijonction.

Le schéma équivalent d’un tel transistor peut se comparer à deux résistances représentant le barreau
de silicium dopé N ; et au point de connexion de ces deux résistances se trouve une diode représentant la
région dopée P reliée au contact de la région N du barreau. Le fait que le barreau de silicium soit faiblement
dopé implique que l’on retrouve entre les électrodes B1 et B2 une résistance ohmique de l’ordre se 5 à 10 kΩ.

6.1- Principe de fonctionnement

Si l’on alimente avec une tension U1 le barreau de silicium, on retrouve un pont diviseur de tension et
on retrouve au point de connexion m de la cathode de la diode une tension ayant la valeur suivante :

U m =(U 1 ×r b 1)/(r b 1+r b 2)

Le rapport r b 1 /(r b 1+ r b 2) est une constante notée η; celle-ci est propre à chaque transistor unijonction.
Elle dépend entre autres de la position de la jonction d’émetteur sur le barreau de silicium. En règle
générale, ce rapport oscille entre 0,5 et 0,8 ; il est donné par le constructeur avec la fiche technique du
composant.

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Figure 2.14-Représentation du transistor unijonction.

 Si la tension U2 est inférieure à la tension (Um + Vd), alors la diode est polarisée en inverse et le
courant circulant de m vers E est faible. Le courant circulant dans le barreau de silicium du point B 2
au point B1 dépend des caractéristiques du transistor unijonction.

 Si la tension U2 est supérieure à la tension (U m + Vd), Vd étant la tension de seuil de la jonction, alors
la diode devient passante et il circule un courant de E vers m. La résistance r b1 diminue fortement, et
le courant augmente dans les mêmes proportions. Cette diminution de la résistance s’explique par
l’afflux de charges positives (trous) dû à la conduction de la diode, cet afflux de charges positives est
compensé par un apport d’électrons provenant de la source d’alimentation U1.

6.2- Réseaux de caractéristiques

Voici, figure 2.15, la caractéristique du transistor unijonction. Remarquez que dans région de
coupure (diode en inverse), un léger courant inverse circule dans la jonction formée entre l’émetteur et la
base B1. Si la tension appliquée sur la broche E atteint le seuil de V pic correspondant à la tension de seuil Vd
+ η(U1), le courant augmente dans la diode (IE), et la tension VEB1 diminue. Dans cette partie de la courbe, on
s’aperçoit de la présence de cette résistance négative du transistor unijonction.

La tension VEB1 diminue jusqu’à la tension Vvallée (la résistance interne ne peut plus diminuer) pour
entrer dans la troisième région représentée sur la courbe, région dite de saturation. La tension V vallée est de
l’ordre de 1 à 4 V selon le composant utilisé.

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Figure 2.15-Réseaux de caractéristiques du transistor unijonction.

6.3- Symboles
On représente les transistors unijonction par leurs symboles normalisés (figure 2.16).

Figure 2.16-Symboles du transistor unijonction.

6.4- Domaine d’utilisation

Les transistors unijonction sont souvent utilisés en générateur d’impulsion.

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