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I: Partie 1 (7pts)
Soit le circuit ci-contre dont les éléments sont : EG = 1,5 V, VDD = 3 V, RB = 10 kΩ,
RC = 200Ω,
Pour le transistor : VS = 0,6 V, RS = 1 kΩ, β= 100, VCEsat = 0,2 V.
I.I.1: Déterminer l’expression et la valeur du courant IB qui entre dans la base du
transistor.
I.I.2: Quel est l’état du transistor (bloqué ou passant)
I.I.3:
I.I.4: Donner l’expression et la valeur du courant Ic qui entre dans le collecteur.
I.I.5: Donner l’expression et la valeur de la tension VCE
Istec de Bangangte
I: Les entrées A et B sont à l’état 00 (i.e. Les entrées sont polarisées à -6V)
II.I.1: A partir des valeurs des tensions de seuil des diodes D1, D2 et base-émetteur
dire en justifiant si transistor bipolaire est passant ou bloqué
II.I.2: Déterminer le courant qui passe dans la résistance R1
II.I.3: Donner la valeur du courant de collecteur Ic
II.I.4: Détruire de la question précédente la valeur de la tension en S
II: Les entrées A et B sont à l’état 11 (i.e. les deux à 6V)
II.II.1: A partir des valeurs des tensions de seuil des diodes D1, D2 et base-émetteur,
dire en le justifiant si le transistor bipolaire est passant ou bloqué
II.II.2: Déterminer le courant qui passe dans la résistance R1
II.II.3: Donner la valeur du courant du collecteur Ic
II.II.4: Déduire de la question précédente la valeur de la tension en S en précisant si
le transistor est saturé
III: Donner la table de vérité du circuit électrique toute tension inférieure à