Université Mohammed V-AGDAL

Faculté des Sciences de Rabat

Département de Physique

Projet de simulation et modélisation

Master Physique Informatique

Laboratoire de Matière Condensée et Sciences Interdisciplinaires

Simulation et modélisation du matériau Fe2MnAl pour la spintronique

SIDI MOUMANE
Simulation Rania
et modélisation Présenté
du matériau Fe2MnAllepour
19/07/2022
la spintronique
[Nom de la société] | [Adresse de la société]
Par
SIDI MOUMANE Rania
Année universitaire 2021/2022

Encadré par

Pr. BEENYOUSSEF Abdelilah

Pr. SALMANI EL Mehdi
Pr. ZAARI Halima
Pr. RACHADI Abdeljalil
Pr. El MAALAM Khadija
 Table des matières
Liste des figures........................................................................................................................ 3
Liste des tableaux.....................................................................................................................5
Introduction générale...............................................................................................................6
Chapitre I Généralités sur le matériau.....................................................................................7
1. Introduction...................................................................................................................8
2. Techniques d’élaboration..............................................................................................8
2.1. Méthodes de synthèses.........................................................................................8
2.2. Synthèse............................................................................................................... 10
3. Techniques et résultats de la caractérisation.............................................................10
3.1. Techniques de caractérisation.............................................................................10
3.2. Caractérisation de Fe2MnAl..................................................................................11
4. Propriétés physiques...................................................................................................12
4.1. Structure cristalline..............................................................................................12
4.2. Propriétés magnétiques.......................................................................................12
5. Applications.................................................................................................................13
Chapitre II Modèle..................................................................................................................16
1. Nombre et nature des éléments magnétiques dans le matériau...............................17
2. Valeur de spin de chaque élément magnétique.........................................................17
3. Structure cristalline des éléments magnétiques.........................................................17
4. Nombre, nature et portée des couplages...................................................................17
5. Hamiltonien................................................................................................................. 17
Chapitre III Théorie de la fonctionnelle de la densité............................................................19
1. Introduction.................................................................................................................20
2. Bases théoriques......................................................................................................... 20
2.1. Théorème de Hohenberg et Kohn........................................................................20
2.2. L’approximation de la densité locale (LDA).........................................................21
3.2. L’approximation du gradient généralisé (GGA)...................................................21
3. Codes de calcul............................................................................................................ 22
3.1. Wien2K................................................................................................................. 22
3.2. Quantum espresso...............................................................................................24
3.3. Akai KKR............................................................................................................... 24

1
 4. Résultats obtenus........................................................................................................25
4.1. Quantum Espresso............................................................................................... 25
4.2. Akai KKR............................................................................................................... 34
Chapitre IV Simulation Monte Carlo......................................................................................44
1. Bases théoriques......................................................................................................... 45
1.1. Description de la méthode Monte Carlo..............................................................45
1.2. Les principes de base de la simulation Monte Carlo...........................................45
1.3. Algorithme Metropolis.........................................................................................47
2. Résultats obtenus........................................................................................................48
2.1. Aimantation..........................................................................................................48
2.2. Susceptibilité........................................................................................................49
2.3. Chaleur spécifique................................................................................................50
2.4. Cumulant de Binder..............................................................................................50
2.5. Exposants critiques...............................................................................................52
Chapitre V Approximation du champ moyen........................................................................55
1. Bases théoriques......................................................................................................... 56
1.1. Théorie du champ moyen....................................................................................56
1.2. Application du champ moyen au matériau Fe2MnAl...........................................56
2. Résultats obtenus........................................................................................................59
2.1. L’aimantation....................................................................................................... 59
2.2. La susceptibilité....................................................................................................60
2.3. La chaleur spécifique............................................................................................61
Conclusion générale............................................................................................................... 62
Références.............................................................................................................................. 63

2
 Liste des figures

Figure 1.1 Répartition des éléments composants l'alliage dans le tableau

périodique…………...8

Figure 1.2 Schéma du principe du chauffage par induction……………………………………………………9

Figure 1.3 Four électrique à

arc……………………………………………………………………………………………..9

Figure 1.4 Four de traitement

thermique…………………………………………………………………………….10

Figure 1.5 Représentation schématique de la diffraction des rayons

X………………………………....11

Figure 1.6 Diagramme de diffraction des rayons X de l’alliage Heusler

Fe2MnAl…………………..12

Figure 1.7 (a) Maille conventionnelle de Fe2MnAl (b) Maille primitive de Fe 2MnAl………………
12

Figure 1.8 Concept d'applications des composants

spintroniques………………………………………..13

Figure 1.9 Illustration du dispositif des multicouches

GMR…………………………………………………..14

Figure 1.10 Illustration du dispositif

TMR……………………………………………………………………………..15

Figure 2.1 Structure magnétique de

Fe2MnAl……………………………………………………………………….17

Figure 2.2 Diagramme de

phase…………………………………………………………………………………………..18

Figure 3.1 Le concept de la résolution de l’équation de

Schrödinger…………………………………….22

Figure 3.2 L’organigramme de la méthode FP-LAPW (code WIEN2K)

…………………………………..23

Figure 3.3 Variation de l’énergie totale du système en fonction de l’énergie de Cut

off……….25

Figure 3.4 Variation de l’énergie totale du système en fonction des k

points………………………..26
3
Figure 3.5 Structure de bande des spins majoritaires de l’alliage Fe 2MnAl……………………………
27

Figure 3.6 Structure de bande des spins minoritaires de l’alliage Fe 2MnAl……………………………

27

Figure 3.7 La densité d’état totale du composé

Fe2MnAl……………………………………………………..28

Figure 3.8 Les densités d’états totale et partielle de Mn………………………………………………………

29

Figure 3.9 Les densités d’états totale et partielle de Fe…………………………………………………………

30

Figure 3.10 Les densités d’états totale et partielle de

Al……………………………………………………….31

Figure 3.11 Configuration ferromagnétique…………………………………………………………………………

32

Figure 3.12 Configuration antiferromagnétique

1………………………………………………………………..32

Figure 3.13 Configuration antiferromagnétique

2………………………………………………………………..32

Figure 3.14 Fichier input du code Akai

KKR…………………………………………………………………………..34

Figure 3.15 Variation de l’énergie totale de Fe2MnAl en fonction du paramètre de maille……

35

Figure 3.16 Structure de bande des spins majoritaires de l’alliage Fe 2MnAl…………………………

36

Figure 3.17 Structure de bande des spins minoritaires de l’alliage Fe 2MnAl…………………………

37

Figure 3.18 La densité d’état totale du composé

Fe2MnAl…………………………………………………..37

Figure 3.19 Les densités d’états totale et partielle de

Mn…………………………………………………….38

Figure 3.20 Les densités d’états totale et partielle de

Fe……………………………………………………….39

Figure 3.21 Les densités d’états totale et partielle de

Al……………………………………………………….40

4
Figure 3.22 Schéma représentant les deux types de dopage…………………………………………………
41

Figure 3.23 La densité d’état totale du composé Fe2-xMn1+xAl ( x=0.05 , 0.15 )…………………….42

Figure 3.24 La densité d’état totale du composé Fe2-xCoxMnAl ( x=0.05 , 0.15)……………………43

Figure 4.1 Schématisation de la chaîne de

Markov……………………………………………………………….45

Figure 4.2 La variation de l’aimantation en fonction de la

température……………………………….49

Figure 4.3 La variation de la susceptibilité en fonction de la température……………………………

49

Figure 4.4 La variation de la chaleur spécifique en fonction de la

température…………………….50

Figure 4.5 La variation du cumulant de Binder en fonction de la

température……………………..51

Figure 4.6 Log(M) en fonction de Log(L)..……………………………….……………………………….……………

52

Figure 4.7 Log(X) en fonction de Log(L) ..……………………………….……………………………….

…………….53

Figure 4.8 Log(Cv) en fonction de Log(L) ..……………………………….……………………………….…………53

Figure 5.1 La variation de l’aimantation en fonction de la température…………………….…………

60

Figure 5.2 La variation de l’aimantation en fonction de la température…………………….

………….60

Figure 5.3 La variation de la chaleur spécifique en fonction de la température……….……………

61

5
 Liste des tableaux

Tableau 1.1 Propriétés électroniques, magnétiques et chimiques de chaque atome……………

13

Tableau 3.1 Energie de band suivant chaque direction……………………………………………….

………..33

Tableau 3.2 Energies totales calculées par les deux approximations LDA et GGA…………………
35

Tableau 3.3 Paramètres de maille à l’équilibre de Fe 2MnAl…………………………………………….……

36

Tableau 4.1 Exposants critiques théoriques et

expérimentaux…………………………………………….54

6
Introduction générale

Dans nos jours, la technique des dispositifs électroniques et magnétiques connaît un

développement énorme et incessant, ceci est dû à la connaissance plus ou moins profonde
des propriétés physiques de la matière.

La physique de la matière condensée et la science des matériaux jouent un rôle de plus en

plus important dans l’amélioration des applications technologiques, et ce rôle ne fera que
progresser dans beaucoup des domaines. Avant d’employer les matériaux dans l’industrie, il
faut s’assurer de la qualité de leurs propriétés physiques. La compréhension des propriétés
physiques d’un matériau nécessite la connaissance fondamentale de sa structure, sa stabilité
de phase et de ses diverses propriétés structurales, électroniques, optiques…

L’investigation des matériaux par ordinateur est devenue actuellement un moyen efficace
dans la recherche des sciences des matériaux pour l'explication et l’interprétation de
plusieurs résultats expérimentaux et la prédiction des propriétés physiques des matériaux
qui n'ont pas encore été conçus. Actuellement on peut fabriquer des matériaux avec des
nouvelles propriétés qui ne se trouvent pas dans la nature, donc il s’agit de décrire les
matériaux par des modèles théoriques qui peuvent expliquer les observations
expérimentales, et surtout d’effectuer des expériences virtuelles qui peuvent prédire le
comportement des matériaux. Dans certains cas, les techniques de simulation ont pu
remplacer l’expérience, parfois très coûteuse en moyenne et en temps, dangereuse ou
même inaccessible au laboratoire. Ainsi, l’intérêt de la modélisation et la simulation est
d’étudier les diverses possibilités qui se présentent, et d’orienter l’industrie vers les
meilleurs choix avec un coût minimum.

Les techniques de calcul de la structure électronique mises au point au cours des dernières
décennies sont nombreuses, et en particulier, les méthodes ab-initio qui sont devenues
aujourd’hui un outil de base pour le calcul des propriétés électroniques et structurales des
systèmes les plus complexes.

Le présent travail a pour but d'étudier le composé Fe 2MnAl. L'étude en question portera sur
cinq axes principaux. Le premier chapitre présentera une étude générale du matériau
Fe2MnAl qui appartient à la famille des alliages Full-Heuslers qui sont prometteurs pour les
applications spintroniques. Le deuxième chapitre est réservé à la modélisation du matériau.
Dans le troisième chapitre qui est destiné aux calculs de la DFT, on va présenter les bases
théoriques des codes et les résultats obtenus afin d’extraire le modèle adéquat pour notre
matériau. L'avant dernier chapitre traitera la simulation Monte Carlo. Le dernier chapitre
sera consacré à la méthode de l’approximation du champ moyen. Enfin une conclusion
générale récapitule l’essentiel des points abordés et les résultats les plus marquants, tout en
proposant des voies d’explorations futures en vue de futures prospectives.

7
Cha
pitr
eI
Génér
alités
sur le
8

matér
 iau
1. Introduction
Les alliages Heusler ont été découverts par Friedrich Heusler en 1903, en étudiant l’alliage
Cu2MnAl. La particularité de cette découverte vient du fait que trois matériaux non
magnétiques présentent une aimantation non nulle en les combinant. C’est en 1963, qu’il a
été montré que c’est principalement le Mn qui contribue au moment magnétique de spin
dans ces alliages [1].

Les alliages Heusler sont classés en deux familles en fonction de leur composition chimique.
La première famille est la famille des Full-Heuslers, les alliages appartenant à cette famille
ont une formule chimique de la forme, X 2YZ où X et Y sont des métaux de transition et Z est
un élément du groupe III, IV ou V dans le tableau périodique. La figure 1.1 présente la
répartition de ces éléments. La deuxième famille est la famille des Half-Heuslers. Les alliages
de cette famille ont une composition chimique de la forme XY Z [1].

Une classe intéressante d'alliages Heusler est celle des alliages Heusler à base de Fe qui a
reçu une attention considérable dans les études théoriques, cette classe est de type 𝐹𝑒2YZ
[2].

Ces composés peuvent avoir le comportement d’un métal, semi métal, semi-conducteur,
supraconducteur…

Figure 1.1 Répartition des éléments composants l'alliage dans le tableau périodique [2]

2. Techniques d’élaboration
2.1. Méthodes de synthèses
De nombreuses méthodes de synthèses des alliages intermétalliques existent : la fusion par
induction, la fusion par arc électrique et le traitement thermique

9
  Fusion par induction
La fusion est effectuée dans une atmosphère d’argon de haute pureté. Après plusieurs
rinçages vide-argon pour purifier l’atmosphère, les impuretés restantes sont piégées par le
chauffage d’un morceau de titane.

La bobine est parcourue par un courant électrique alternatif de haute fréquence (figure 1.2),
ce qui permet de générer des champs magnétiques variables à travers le creuset et donne
lieu à la fusion de l’échantillon.

Figure 1.2 Schéma du principe du chauffage par induction

 Fusion par arc électrique

Les éléments constituants sont introduits en quantité stœchiométrique dans une cavité de
l’anode de cuivre. Après avoir fait 5 à 6 rinçages vide-argon dans la coupole, l’échantillon est
remis à la pression atmosphérique sous argon pour éviter toute forme d’oxydation. Le
chauffage est obtenu grâce à l’arc électrique issu de l’électrode en tungstène et des
éléments eux-mêmes (figure 1.3).

Transformateur

Electrodes

Acier en fusion Paroi réfractaire

Cuve de coulée

Dispositif de
basculement

Figure 1.3 Four électrique à arc

10
  Traitement thermique
Après la préparation, les matériaux formés ont la bonne stœchiométrie mais la présence de
phase parasites est possible à cause de la brusque et inhomogène descente en température
après l’arrêt de la manipulation. Après avoir effectué la fusion des constituants, un recuit
(entre 800°C et 1050°C), dans le four de traitement thermique (figure 1.4), est nécessaire
pour une bonne homogénéisation par diffusion des atomes jusqu’à l’équilibre et la
stabilisation d’une phase cristallographique unique.

Figure 1.4 Four de traitement thermique

1.1. Synthèse
L’alliage Fe2MnAl a été préparé en faisant fondre des métaux purs en proportion dans un
four à induction sous atmosphère d'argon de haute pureté. Il a été recuit à une température
de 800 K pendant 48 h suivi d'un refroidissement à température ambiante à une d'environ
100 K/h.

2. Techniques et résultats de la caractérisation

2.1. Techniques de caractérisation
La Diffraction des Rayons X (DRX) est une technique de caractérisation des matériaux
cristallisés. Elle donne des informations sur les structures, les phases, les orientations
privilégiées du cristal (texture) et d’autres paramètres. Les pics de diffraction des rayons X
sont produits par interférence constructive d’un faisceau monochromatique de rayons X
diffusé à des angles spécifiques de chaque jeu de plans réticulaires compris dans un
échantillon. Les intensités des pics sont déterminées par la distribution des atomes à
l’intérieur du réseau. Par conséquent, le schéma de diffraction des rayons X est l’empreinte
digitale du dispositif atomique périodique dans un matériau donné.

La diffraction des rayons X est basée sur la loi de Bragg ( éq .1.1). La différence de marche
optique entre les ondes diffusées par deux plans consécutifs est un nombre entier de
longueur d’onde :
2 d hkl sinθ=nλ éq .(1.1)

Où λ est la longueur d’onde, n est l’ordre de diffraction, d hkl est la distance interatomique
entre les plans de la famille (hkl) et θ l’angle d’incidence des rayons X.

11
L’expression de la distance d hkl s’écrit comme suite :
1
d hkl = éq .(1.2)

√ h2 k 2 l 2
2
+ 2+ 2
a b c

Pour un système cubique :

a
d hkl = éq .(1.3)
√ h +k 2+l2
2

D’après ( éq .1.1 ) et éq .(1.3), on peut déduire l’expression du paramètre de maille a :

λ √ h2+ k 2 +l 2
a= éq . (1.4)
2 sinθ

La figure 1.5 présente la réflexion de Bragg à partir d’une famille particulière de plans
réticulaires séparés par une distance d. Les rayons incidents et diffractés sont représentés
pour les deux plans voisins.

Figure 1.5 Représentation schématique de la diffraction des rayons X

2.2. Caractérisation de Fe2MnAl

La caractérisation structurale des alliages a été réalisée par diffraction des rayons X. Le
diagramme de diffraction des rayons X illustré à la figure 1.6 a été enregistré à température
ambiante sur un diffractomètre à rayons X DRON-6 en utilisant le rayonnement Cr K α
monochromatique avec la longueur d'onde λ=0,229 nmdans l’intervalle 2 θ de 35° à 135°
avec un pas de balayage de 0,02°. L'analyse par diffraction des rayons X a révélé que l'alliage
Fe2MnAl a une structure monophasée A2 et est presque complètement désordonné. Le
paramètre de réseau est de a=0,5836 nm , il est donné en fonction de la structure L21.
Cette structure contient huit cellules cubiques centrées (bcc). Les positions 4a et 4b, sont
occupés par des atomes Fe, tandis que les positions 4c et 4d sont occupées respectivement
par les atomes Mn et Al. [3]

12
 Figure 1.6 Diagramme de diffraction des rayons X de l’alliage Heusler Fe2MnAl [3]

3. Propriétés physiques
3.1. Structure cristalline
Le matériau Fe2MnAl cristallise dans le groupe d’espace cubique Fm 3 m ( N ° 225 ), sa phase
est ( L 21), son énergie de formation est de : −0.187 eV , et son paramètre de maille
expérimental est a=5.836 Å [1]. Les atomes Fe occupent la position 8c (1/4, 1/4, 1/4), les
atomes Mn et les atomes Al sont situés aux positions 4a (0, 0, 0) et 4b (1/2, 1/2, 1/2),
respectivement comme le montre la figure 1.7. En raison du caractère ionique de leur
interaction, les éléments Mn et Al ont les coordonnées octaédriques. D'autre part, tous les
sites tétraédriques sont occupés par l’atome Fe [2].

(a) (b)

Figure 1.7 (a) Maille conventionnelle de Fe2MnAl

(b) Maille primitive de Fe2MnAl

3.2. Propriétés magnétiques

13
 L’alliage Heusler Fe2MnAl est antiferromagnétique à T= 0 °K et demi-métal. Il a une énergie
de gap égale à0.49 eV et un moment magnétique égale à 2 μ B . Les moments magnétiques
de chaque atome sont présentés dans le tableau 1.1.

Configuration Moment
Atome Z Degré d’oxydation possible
électronique magnétique

Fe 26 [Ar] 3d6 4s2 -0.06 μ B -4, -2, -1, 0, +1, +2, +3, +4, +5, +6

Mn 25 [Ar] 3d5 4s2 2.06 μ B -3, -2, -1, 0, +1, +2, +3, +4, +5, +6, +7

Al 13 [Ne] 3s2 3p1 -0.006 μ B -2, -1, 0, +1, +2, +3

Tableau 1.1 Propriétés électroniques, magnétiques et chimiques de chaque atome

4. Applications
Electronique de spin ou la spintronique est une technique qui exploite la propriété
quantique du spin des électrons dans le but de stocker des informations. La spintronique
peut se décrire comme une électronique qui exploite non seulement la charge, mais aussi
une propriété supplémentaire : le spin des électrons [4].
Les alliages Heusler sont des matériaux prometteurs pour les applications spintroniques. Ils
ont généralement des températures de Curie élevées et offrent donc une possibilité de
posséder le caractère demi-métallique, même à température ambiante, due à l’asymétrie de
spin dans les bandes de structure ainsi la bande de valence de spin majoritaire peut être
métallique, alors que la bande de valence de spin minoritaire peut être isolante ou semi-
conductrice. Ce qui correspond à une polarisation en spin de 100% au niveau de Fermi.
Présentant ainsi une faible résistance pour un type de spin et une grande résistance pour
l’autre type de spin, ces alliages possèdent donc un énorme potentiel pour être utilisés dans
les composants spintroniques. [1]
La spintronique est une combinaison de trois supports d'information : la charge de l'électron,
le spin de l'électron et le photon (Figure 1.8). Ces trois supports représentent trois branches
différentes de la technologie d'information et de communication (TIC), traitement des
données avec le transport des électrons, stockage d'information avec l'assemblage des spins
et enfin le transfert des données avec les connections d'optique. [5]

14
 Figure 1.8 Concept d'applications des composants spintroniques [5]

La spintronique a émergé à la découverte de la magnétorésistance géante (GMR) en 1988

par Albert Fert et Peter Grünberg. Et pour laquelle le prix Nobel de physique 2007 a été
attribué [6]. Il est important de revenir sur cette découverte qui a été la première utilisation
de la polarisation en spin des électrons dans le cadre de l’électronique, c’est-à-dire du
transport de charge. Par la suit, un effet similaire appelé magnétorésistance tunnel (TMR), a
été observé dans les jonctions tunnel métal/isolant/métal, dans lesquelles les deux
électrodes métalliques sont magnétique.
Les deux phénomènes de la GMR et TMR sont basés sur l'interaction s-d entre moment
magnétique et les électrons de conduction qui sont à spin polarisé. Ceci est une combinaison
de magnétisme et de l'électronique qui utilise principalement le transport des électrons à
spin polarisé conduisant à la magnéto-électronique. Étudier le mouvement de précession du
spin pour des hautes fréquences GHz, la dynamique du spin a été étudiée pour la deuxième
génération des spintroniques. Dynamique de spin est principalement induite par des
transferts de spin couple (STT) à partir d'une conduction à spin polarisé des électrons sur un
moment magnétique local. Les futurs appareils sont censés être en trois dimensions (3D) et
les spintroniques quantiques nécessiteront une miniaturisation plus poussée et précise
nano-structuration. [6]

 Magnétorésistance géante (GMR)

La GMR est un phénomène consistant en un basculement de la résistance électrique de
multicouches composées d’une alternance de couches minces ferromagnétiques et non
magnétiques, selon la configuration des aimantations des couches ferromagnétiques soit
antiparallèles conduisant à une résistance très élevée, ou alors parallèles suite à l’application
d’champ magnétique externe conduisant à l’effondrement de cette résistance (Figure 1.9).
[4]

15
 Figure 1.9 Illustration du dispositif des multicouches GMR

 Magnétorésistance tunnel (TMR)

En physique, la magnétorésistance à effet tunnel, ou magnétorésistance tunnel (TMR) est

une propriété qui apparaît dans une jonction tunnel. Une jonction tunnel est, sous sa forme
la plus simple, une mince barrière isolante entre deux électrodes conductrices. Le passage
du courant se fait par effet tunnel à travers cette barrière (Figure 1.10). La résistance
électrique opposée au passage du courant par effet tunnel d'un matériau à l'autre au travers
de la couche isolante varie alors en fonction de l'orientation relative de l'aimantation des
deux couches. C'est pour un alignement parallèle que le courant aura plus tendance à
traverser l'isolant, l'effet Tunnel étant plus probable. Mais lorsque les aimantations sont
antiparallèles, c'est la résistance qui est alors maximale. L'application d'un champ
magnétique permet de modifier individuellement l'orientation de l'aimantation d'une
couche. Ainsi on peut passer d'un maximum de résistance à un minimum. [4]

Figure 1.10 Illustration du dispositif TMR

16
Cha
pitr
e II
Modèl
e
17
1. Nombre et nature des éléments magnétiques dans le matériau
Le matériau Fe2MnAl est constitué de trois types d’atome Al, Fe et Mn.

Al2+ : [Ne] ↑ 3s1 3p0 (Non magnétique)

Fe2- : [Ar] 3d8 4s2 ↑ ↓ ↑ ↓ ↑ ↓ ↑ (Non

↓ magnétique)

Mn2+ : [Ar] 3d5 4s0 ↑(Magnétique)

↑ ↑ ↑ ↑

2. Valeur de spin de chaque élément magnétique

Mn2+ : [Ar] ↑ ↑ ↑ ↑ ↑ 3d5 4s0 S= 5
2

3. Structure cristalline des éléments magnétiques

Pour notre cas nous avons un seul atome magnétique « Mn ». La figure 2.1 présente la
structure magnétique du matériau.

Mn
J1

J2

Figure 2.1 Structure magnétique de Fe2MnAl

4. Nombre, nature et portée des couplages

J1 : Le couplage entre Mn et Mn (les 1er proches voisins)
Coordination z1 = 8

J2 : Le couplage entre Mn et Mn (les 2eme proches voisins)

Coordination z2= 4

5. Hamiltonien
Hamiltonien s’écrit se la forme suivante :

18
 −J 1
H=
2
∑ ¿
J2
¿ ij>¿SiSj − ∑
2 ¿ik >¿ SiSk avecSi ,Sj ,Sk:≤moment despin .¿
¿¿

−J 1 J2
H= . N . z 1 . SiSj− . N . z2 . SiSk
2 2
EFM −J 1 −J 1
() () () ()
5
2
J2 5
2
5
2
J2 5
2
= . z1 . − . z2 . = .8 . − .4 .
N 2 2 2 2 2 2 2 2
EFM 25
=−J 1 .25−J 2 .
N 2
E AFM 1 −J 1 −J 1
( )( ) ­5 J 2
() ( )( )
­5 J 2
()
2 2
5 5 5 5
= . z1 . − . z2 . = .8 . − .4 .
N 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2
E AFM 1 25
=J 1 .25−J 2 .
N 2

­5 −J 1
() ( )( ) () ( )( ­52 )
E AFM 2 J 1 5
2
J2 5 5
2
J2 5
= . z1 . − . z2 . = .8 . − .4 .
N 2 2 2 2 2 2 2 2 2
E AFM 2 25
=−J 1 .25+ J 2 .
N 2

6. Propriétés de l’état fondamental

AFM1 FM

AFM1 AFM2
Figure 2.2 Diagramme de phase

19
Cha
pitr
e III
Théori
e de
la
foncti 20
 onnell
1. Introduction
La connaissance de la structure électronique joue un rôle déterminant dans la
compréhension des propriétés physique et chimiques des matériaux. Le calcul de la
structure électronique d’un cristal revient à résoudre le problème des interactions entre un
grand nombre de noyaux et d’électrons, ce qui rend la résolution directe de l’équation de
Schrödinger impossible. L’introduction de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT),
de par sa simplicité, a marqué une étape importante dans la compréhension des propriétés
physique et chimiques des solides. La DFT, développée en 1964-1965 par Hohemberg, Khon
et Sham, présente la réduction du problème à plusieurs corps en un problème à un corps
dans un champ effectif. Elle fournit une base théorique simple pour le calcul de la structure
de bande. La DFT donne, dans une grande majorité de cas, des résultats satisfaisants, tant
pour la comparaison avec l'expérience, que pour son aspect prédictif qui lui confère ainsi un
intérêt supplémentaire. [7]

2. Bases théoriques
L’intérêt de la DFT (Théorie de la fonctionnelle de la densité) est de simplifier la résolution de
l’équation de Schrödinger en plaçant la densité électronique ρ(⃗r ) au centre du calcul. Cette
quantité est appelée l’équation de Kohn-Sham, elle est définie de la façon suivante [8]:

ρ ( r⃗ 1 ) =N ∫ … ∫ ¿
ψ (⃗ r N ) ψ ( r⃗1 … ⃗
r1 … ⃗ rN)d ⃗
r1 … d ⃗
r N (3.1)
tout tout
l ' espace l' espace

L’objectif est de remplacer le système réel à plusieurs particules en interaction avec un autre
système modèle où les particules sont sans interaction mais dont la densité est la même que
celle du système réel.

1.1. Théorème de Hohenberg et Kohn

Les théorèmes de Hohenberg-Kohn sont à la base de la théorie fonctionnelle de la densité.
Leur formalisme, basé sur la densité électronique comme entité principale pour décrire un
système physique, permet la résolution exacte du problème électronique. Les théorèmes
correspondants sont [9] :

 Théorème 1 :
Les propriétés de l’état fondamental d’un système électronique non dégénéré en interaction
dans un potentiel extérieur V ext ( ⃗r ), ne dépendent que de la densité électronique totale ρ ( ⃗r )
en chaque point r⃗ .
A l’état fondamental, l’énergie totale d’un système poly-électronique en interaction
s’exprime comme une fonctionnelle de la densité électronique.

E [ ρ ( ⃗r ) ] =F [ ρ ( r⃗ ) ] +∫ v ext ρ ( ⃗r ) d r (3.2)
3

21
Avec :

F [ ρ ( r⃗ ) ] =T [ ρ ( ⃗r ) ] + Eee [ ρ ( ⃗r ) ] (3.3)

Où F [ ρ ( r⃗ ) ] est la fonctionnelle universelle donnée par la somme des énergies cinétique

T [ ρ ( r⃗ ) ]du système d’électron en interaction et de terme d’interaction électron-électron
Eee [ ρ ( ⃗r ) ].

 Théorème 2 :

La fonctionnelle de l’énergie totale E [ ρ ( ⃗r ) ] du système poly-électronique est minimale

lorsque la densité électronique ρ ( ⃗r ) coïncide avec celle de l’état fondamental.
Nous appliquons le principe variationnel à l’énergie totale de l’état fondamental non
dégénère E [ ρ ( ⃗r ) ] , avec la densité électronique ρ ( ⃗r ) comme variable variationnelle :
δE
=μ (3.4)
δρ
Où μ est une constante de Lagrange qui impose la contrainte relative à la conservation du
nombre de particules :

∫ ρ ( r⃗ ) d ⃗r =Ne (3.5)
La résolution de cette équation nécessite la connaissance de la fonctionnelle universelle
F [ ρ ( r⃗ ) ]. C’est ce que ne donnent pas les théorèmes de Hohenberg et Khon.

1.2. L’approximation de la densité locale (LDA)

L’approximation la plus simple de l’énergie d’échange-corrélation E xc est celle de la densité
locale (LDA). L’idée de LDA est de substituer la densité électronique d’un système réel par
celle d’un gaz d’électrons homogène. En d’autres termes, on suppose que dans une petite
région spatiale, la distribution de charges d’un gaz non− homogène à une densité similaire a
une distribution de charges d’un gaz homogène [6].

E xc [ ρ ] =∫ Exc [ ρ ( ⃗r ) ] ρ ( r⃗ ) d ⃗r (3.6)

E xc [ ρ ]est la contribution à l’énergie d’échange-corrélation par électron dans un gaz

homogène. Notons qu’elle est en fonction de r d’où la localité contribution à l’échange non
local la LDA consiste à considérer E xc [ ρ ( r⃗ ) ] comme une fonctionnelle locale de la densité
électronique ρ(r), c’est-à-dire qu’elle dépend de la densité en (r ) .

E xc [ ρ ( r⃗ ) ] =E [ ρ ( r⃗ ) ] (3.7)
homogene

1.3. L’approximation du gradient généralisé (GGA)

L’approximation du gradient généralisé (GGA : Generalized Gradient Approximations) [10]
apporte une amélioration par rapport à la LDA. Dans l’approximation locale, le potentiel
d’échange et de corrélation ne dépend que de la densité ρ (𝑟) alors que dans l’approximation

22
GGA, le potentiel s’exprime en fonction de la densité électronique locale ρ (𝑟) et de son
gradient ∇ ρ(⃗r ).
GGA
E xc [ ρ ( r⃗ ) ]=∫ ρ ( r⃗ ) f [ ρ ( r⃗ ) , ∇ ρ ( r⃗ ) ] dρ ( r⃗ ) (3.8)
f [ ρ( r⃗ ), ∇ ρ( r⃗ )] étant la fonction d’échange et de corrélation dépendante de la densité
électronique et de son gradient.

Dans de nombreux cas, l’approximation GGA permet d’obtenir de meilleurs résultats que la
LDA pour les énergies totales, les énergies de cohésion, les volumes à l’équilibre et les
modules d’incompressibilité. Toutefois, les largeurs de bandes interdites des isolants et des
semi-conducteurs restent beaucoup trop faibles. Les systèmes à fortes corrélations (bandes
d ou f étroites) sont mal décrits [9].

3. Codes de calcul
Différentes méthodes peuvent être utilisées pour résoudre l’équation de Kohn Sham
numériquement. Il est nécessaire de calculer les éléments de la matrice de l’opérateur
hamiltonien. Il est également intéressant d’indiquer qu’il existe plusieurs méthodes telles
que : la méthode du pseudo-potentiel, la méthode de l’onde de plan augmentée (APW),
méthode des ondes planes augmentées linéarisées (LAPW) et onde à plan augmenté
linéarisée à potentiel complet (FP-LAPW). La figure 3.1 fournit un diagramme qui résume la
résolution des équations de Kohn Sham selon les différentes approches.

Figure 3.1 Le concept de la résolution de l’équation de Schrödinger

3.1. Wien2K
Le code WIEN est un ensemble de programmes élaborés par Blaha, Schwarz et leurs
collaborateurs. Ce code a permis de traiter avec succès les systèmes supraconducteurs à
hautes températures, les minéraux, les surfaces des métaux de transition, les oxydes non
ferromagnétiques, les molécules ainsi que le gradient du champ électrique. Il existe plusieurs
versions du code WIEN dont le WIEN97, qui a été par la suite amélioré pour donner le

23
WIENK. L’organigramme de celui-ci est représenté schématiquement dans la figure 3.2. Les
différents programmes indépendants que comprend le code WIEN sont liés par le C-SHELL
SCRIPT. Ils peuvent être exécutés en utilisant soit une architecture séquentielle ou parallèle.
La procédure de calcul passe par trois étapes [1]:

 L’initialisation
Elle consiste à construire la configuration spatiale (géométrie), les opérations de symétrie,
les densités de départ, le nombre de points spéciaux nécessaires à l’intégration dans la zone
irréductible de Brillouin... Toutes ces opérations sont effectuées grâce à une série de
programmes auxiliaires.

 Calcul Auto-Cohérent (Self-Consistant)

Dans cette étape, les énergies et la densité électronique de l’état fondamental sont calculées
selon un critère de convergence (énergie, densité de charge, force).

 Calcul des propriétés

Une fois le calcul auto-cohérent achevé, les propriétés de l’état fondamental (densité de
charges, structure de bandes, propriétés optiques… etc.) sont alors déterminées.

Figure 3.2 L’organigramme de la méthode FP-LAPW (code WIEN2K) [1]

24
 3.2. Quantum espresso
Quantum ESPRESSO est une distribution contient les packages principaux PWscf (Plane-
Wave Self-Consistent Field) et CP (Car-Parrinello) pour le calcul de la structure électronique
et de modélisation de matériaux de premier ordre dans le cadre de la DFT en utilisant une
Plane-Wave (PW) ensemble de base et pseudo potentiels, distribuée gratuitement et en tant
que logiciel libre sous la licence GNU General Public License. Il comprend également d'autres
packages pour des calculs plus spécialisés. [11]

3.3. Akai KKR

La méthode KKR est l'une des méthodes de calcul de structure électronique, elle est
également appelée « méthode de la fonction de Green », (KKR indique les initiales de
Korringa, Kohn et Rostoker, qui a inventé cette méthode). C’est une méthode utilisant la
théorie de la diffusion multiple reformulée par la technique des fonctions de Green pour
résoudre l’équation de Schrödinger sans avoir recours aux fonctions d’onde ni aux valeurs
propres de l’Hamiltonien du système. [11]

Cette méthode permet de résoudre, d’une manière très efficace, l’équation pour un
problème à impureté, sans passer par la construction des supercellules, méthode souvent
utilisée dans d’autres approches comme FP-LAPW. [11]
 La fonction de Green :

L’étape de base est de déterminer la solution de l’équation de Schrödinger en déterminant la

fonction de Green au lieu de la fonction d’onde :
2
(−∇ +V ( r )−E)G(r , r ' ; E)=δ (r−r ')(3.9)

Avec : G(r , r ' ; E) est la fonction de green associé à l’équation de Schrödinger, décrivant le
mouvement de propagation de la particule libre de r à r ' avec l’énergie E .

La fonction de Green du système est la quantité la plus importante pour le calcul des
quantités physiques, à partir de sa détermination de toutes les quantités telles que la
densité des états, la densité de charge et par conséquent l’énergie totale ou les moments
magnétiques peuvent être extraites. D’autre part, la fonction de Green du cristal parfait
(sans défauts) peut être utilisée pour calculer la fonction de Green d’une impureté dans un
système avec des défauts via l’équation de Dyson. Les systèmes chimiquement désordonnés
peuvent aussi être traités par la méthode KKR dans le cadre de l’approximation du potentiel
cohérent CPA.

 L’approximation du potentiel cohérent CPA :

C’est une théorie de champ moyen adaptée à la détermination de la structure électronique.

Pour les matériaux aléatoires, la théorie est appliquée par l'introduction d'un réseau

25
ordonné de potentiels efficaces pour remplacer les potentiels variables dans le matériau
aléatoire.

4. Résultats obtenus
1.1. Quantum Espresso
1.1.1. Optimisations des k points et Ecut
Dans notre travail, afin de pouvoir optimiser les paramètres structuraux composés dans une
seule phase, on a été ramené à effectuer quelques tests de convergences.

 Optimisation de Ecut
Premièrement, pour obtenir la bonne valeur de l’énergie de Cut off assurant la convergence
de l’énergie totale du système avec plus précision, on fixe les valeurs des k points, ensuite on
varie la valeur de l’énergie de Cut off, pour chaque valeur, on calcul l’énergie totale et on
trace la courbe de variation de l’énergie totale figure 3.3.

Figure 3.3 Variation de l’énergie totale du système en fonction

de l’énergie de Cut off

Il est clair à partir de la courbe illustrée dans la figure 3.3 que la valeur de l'énergie totale se
stabilise en E cut=90 ev .

 Optimisation des k points

Après avoir optimiser l’énergie de Cut off, on fixe les valeurs des k points, ensuite on varie la
valeur de l’énergie de Cut off, pour chacune de ces valeurs, on calcul l’énergie totale et on
trace la courbe de variation de l’énergie totale figure 3.4.

26
 Figure 3.4 Variation de l’énergie totale du système en fonction des k points
Grâce à la figure 3.4, on peut noter que la valeur de l'énergie est prouvée à la valeur des k
points (6 6 6).

1.1.2. Structure de bande

La théorie des bandes est une modélisation des valeurs d’énergie que peuvent prendre les
électrons d’un solide à l’intérieur de celui-ci. Généralement, ces électrons n’ont la possibilité
de prendre que des valeurs d’énergie comprises dans certains intervalles, lesquels sont
séparés par des bandes d’énergie interdites. Cette modélisation conduit à parler de la bande
d’énergie ou de la structure de bande [12]. La structure de bande permet d’obtenir plusieurs
paramètres importants, elle permet de voir le gap et sa nature directe ou indirecte et aussi
avoir une idée générale sur d’autres propriétés physiques telle que la masse effective.
Les structures de bande des spins majoritaires et minoritaires du composé Fe 2MnAl sont
illustrées aux figures 3.5 et 3.6. Il est clair à partir de ces figures qu'il y'a un chevauchement
pour les spins majoritaires entre la bande de conduction et la bande de valence au niveau de
l'énergie de Fermi. On peut remarquer aussi la présence d’un gap énergétique direct situé
exactement au niveau de Fermi dans les états de spins minoritaires Eg=0.49 eV du fait
qu’au point de symétrie Γ, le maximum de la bande de valence ne coïncide pas avec le
minimum de la bande de conduction. Par conséquent, on peut déduire que le matériau a un
caractère demi-métallique.
Les états des spins up et down ont un comportement différent, le comportement métallique,
alors que l’autre a un comportement semi-conducteur. Pour cela, les demi-métaux peuvent
être considérés comme des matériaux hybrides entre les métaux et les semi-conducteurs.

27
 W L Γ X W K
Figure 3.5 Structure de bande des spins majoritaires de l’alliage Fe2MnAl

W L Γ X W K
Figure 3.6 Structure de bande des spins minoritaires de l’alliage Fe2MnAl

28
 1.1.3. Densité d’état
Pour déterminer la nature de la structure de bande, il est aussi intéressant de déterminer la
densité d’état total (TDOS) du matériau Fe2MnAl et les densités d’états partielles (PDOS)
pour les différents éléments qui le composent.

A partir de la figure 3.7, on peut bien remarquer que le matériau a un caractère magnétique,
ceci est visible grâce à l’antisymétrie des états de spins majoritaires et minoritaires. On
remarque aussi que la densité d’état des spins down au niveau de fermi est très faible par
rapport aux spins up. En particulier, la demi-métallicité est remarquée pour le matériau.
L'origine de l’énergie de gap dans les états de spins minoritaires peut être expliquée par la
forte hybridation des états d des métaux de transition (Fe et Mn).

Figure 3.7 La densité d’état totale du composé Fe2MnAl

Les densités d’états totales et partielles des atomes Fe, Mn et Al sont illustrées aux figures
3.8, 3.9 et 3.10. Au voisinage de l’énergie de Fermi, la densité est principalement dominée
par les états d pour Mn et Fe, et par les états de l’orbitale p pour Al.

Il est clair que les états d de Fe et Mn son complètement très différents, les états d de Fe
sont presque entièrement occupés et ne montrent pas l’énergie de séparation d’échange de
spin. Par conséquent, l’atome Fe a seulement un petit moment magnétique et contribue peu
à la polarisation ( 0 , 7 états /eV ), tandis que l’atome Mn porte le plus grand moment
magnétique et contribue à la polarisation avec 0 , 3 états /eV . La contribution de Al à la
polarisation est pratiquement négligeable et son moment est nul vu qu’il ne possède pas
d’électrons dans les états d.

29
Figure 3.8 Les densités d’états totale et partielle de Mn

30
Figure 3.9 Les densités d’états totale et partielle de Fe

31
Figure 3.10 Les densités d’états totale et partielle de Al

32
 1.1.4. Phase magnétique
Afin de savoir la phase magnétique la plus stable du matériau, nous avons calculer trois
énergies de trois configurations : Ferromagnétique, Antiferromagnétique 1 et
Antiferromagnétique 2 illustrées ci-dessous aux figures 3.11, 3.12 et 3.13. D’après les
résultats obtenus, la phase magnétique la plus stable est AFM 1 avec l’énergie
E AFM 1=−3906.74431769 Ry .

Mn

L’énergie de cette configuration est :

E FM =−3906.73407302 Ry

Figure 3.11 Configuration ferromagnétique

Mn

L’énergie de cette configuration est :

E AFM 1=−3906.74431769 Ry

Figure 3.12 Configuration antiferromagnétique 1

Mn

L’énergie de cette configuration est :

E AFM 2=−3906.74174972 Ry

Figure 3.13 Configuration antiferromagnétique 2

33
 1.1.5. Anisotropie magnétique
Une anisotropie magnétique est présente lorsque les propriétés magnétiques d'un système
sont orientées selon des axes privilégiés, elle définit la dépendance de l’espace des moments
magnétiques dans le matériau.
Il existe trois types d’anisotropie :
 Les matériaux peuvent présenter une anisotropie forte, où les moments magnétiques
privilégierons une seule direction dans l’espace bien définit, le modèle associé à cette
anisotropie est le modèle d’Ising on dit dans ce cas qu’on a une anisotropie axiale.
 Il y a d’autre matériau qui présente une anisotropie peu forte, où les moments
magnétiques privilégient une seule surface dans l’espace, le modèle adéquat pour cette
anisotropie est le modèle XY, donc c’est une anisotropie planaire.
 La dernière anisotropie est la moins faible dans ce cas les moments magnétiques sont
indépendants de l’espace donc ils ne privilégient aucune direction, le modèle qui traite
ce cas est le modèle de Heisenberg donc on aura une anisotropie isotrope.

Dans cette partie nous avons calculé l’énergie d’anisotropie selon deux directions, la
direction parallèle (θ=90 ° , φ=0) qui présente l’axe X, et la direction perpendiculaire
(θ=0 , φ=0) qui présente l’axe Z. Le tableau suivant présente les résultats obtenus pour les
deux directions.

Direction Parallèle Perpendiculaire

E-band (eV) -0.8257317968E+03 -0.8257318187E+03

Tableau 3.1 Energie de band suivant chaque direction

A partir du tableau 3.1, on remarque que l’énergie de la direction perpendiculaire (axe Z) est
plus faible que celle de la direction parallèle (axe X). Alors, le modèle qu’on va utiliser pour
exprimer notre hamiltonien est « Le modèle d’Ising ».

1.1.6. Couplages magnétiques

A l’aide des trois valeurs des énergies correspondantes aux configurations illustrées aux
figures 3.11, 3.12 et 3.13, on peut calculer les couplages entre les atomes magnétiques de
notre composé. Pour notre cas nous avons un seul atome magnétique « Mn ».
Les expressions des trois énergies sont comme suite :
−J 1
() ()
5
2
J2 5
2
25
E FM = . N . z1 . − . N . z2 . =−J 1.25−J 2. (3.10)
2 2 2 2 2
−J
. N . z . ( )( )− . N . z . ( ) =J 1.25−J 2. (3.11)
5 ­5 J
2
1 2 5 25
E AFM 1 = 1 2
2 2 2 2 2 2

34
 −J 1
() ( )( ­52 )=−J .25+ J . 252 (3.12)
5
2
J2 5
E AFM 2= . N . z1 . − . N . z2 . 1 2
2 2 2 2

D’après les équations (3.10) et (3.11):

∆ E 1=E FM −E AFM 1=−J 1 .50=0,01024467 Ry

−0,01024467
→ J 1= .13 , 6=−2,786 mev
50

D’après les équations (3.10) et (3.12):

∆ E 2=E FM −E AFM 2=−J 2 .25=0,0076767 Ry

−0,0076767
→ J 2= .13 , 6=−4,176 mev
25

1.1. Akai KKR

1.1.1. Fichier Input
La figure 3.14 présente le fichier input utilisé dans le calcul des propriétés électroniques du
composé Fe2MnAl en utilisant le code Akai KKR. Nous avons obtenu ce fichier à l’aide du
logiciel XBAND. Ce logiciel a pour rôle principale de fournir le fichier input nécessaire pour le
travail dans d’autres codes. La première partie de ce travail consiste à entrer les
informations sur la structure cristalline du composé (groupe d’espace, positions des atomes,
paramètre de maille) déduites des différents articles publiés, puis il suffit de valider les
données entré, chose qui nous permet d’obtenir le fichier input de notre matériau.

Figure 3.14 Fichier input du code Akai KKR

35
 1.1.2. Choix d’approximation
Afin de savoir l’approximation avec laquelle on va effectuer les calculs qui vont suivre, il faut
calculer l’énergie totale du système avec les deux approximations LDA et GGA.
L’approximation qu’il faut utiliser est celle avec une énergie minimale. Le tableau 3.2
présente les énergies obtenues pour chaque approximation.

Approximation GGA LDA

Energie totale (Ry) -7894.017000121 -7878.898982891

Tableau 3.2 Energies totales calculées par les deux

approximations LDA et GGA

D’après le tableau, on remarque que l’approximation GGA minimise l’énergie. Alors, les
calculs qui vont suivre seront effectuer en utilisant cette approximation.

1.1.3. Optimisation des paramètres de maille

La détermination des structures d’équilibre constitue l’étape fondamentale dans tout calcul.
Le but est d’optimiser la structure de Fe 2MnAl de telle sorte à avoir l’énergie minimale
correspondant au paramètre de maille a de l’équilibre.

Figure 3.15 Variation de l’énergie totale de Fe2MnAl en fonction du paramètre de maille

36
La figure 3.15 montre la courbe de variation de l’énergie en fonction du paramètre de maille
a calculée par l’approximation GGA. La valeur calculée de a à l’équilibre est reportée dans le
tableau comparée avec la valeur expérimentale.

Valeur calculée (a.u) Valeur expérimentale (a. u)

10.85 10.73

Tableau 3.3 Paramètres de maille à l’équilibre de Fe2MnAl

1.1.4. Structure de bande

En utilisant le code Akai KKR avec l’approximation GGA, on a calculé les structures des
bandes électroniques des spins up et down du composé Fe 2MnAl. Les calculs de structure de
bande ont été montrés dans les figures 3.15 et 3.16. Il est clair à partir de ces figures que le
matériau est demi-métal.
On remarque que la structure de bande des spins majoritaires montre un caractère
métallique due l’absence du gap. La situation est assez différente pour la structure de bande
des spins minoritaires dans laquelle on peut observer qu’il y a un bande interdite directe
entre la bande de valence et la bande de conduction au point de symétrie Г indiquant un
comportement semi-conducteur avec Eg=0.49 eV .

Figure 3.16 Structure de bande des spins majoritaires de l’alliage Fe2MnAl

37
 Figure 3.17 Structure de bande des spins minoritaires de l’alliage Fe2MnAl

1.1.5. Densité d’état

La densité d’états (DOS) est une grandeur physique importante pour comprendre les états
électroniques dans le matériau et leur influence sur ses propriétés physiques. Les densités
d’état illustrées dans les figures 3.17, 3.18, 3.19 et 3.20, a été calculée en utilisant le code
Akai KKR avec l’approximation GGA.
On constate que les résultats obtenus avec le code Akai KKR sont quasi similaires à ceux
obtenus avec le code Quantum Espresso.

Figure 3.18 La densité d’état totale du composé Fe2MnAl

38
Figure 3.19 Les densités d’états totale et partielle de Mn

39
Figure 3.20 Les densités d’états totale et partielle de Fe

40
Figure 3.21 Les densités d’états totale et partielle de Al

41
 1.1.1. Dopage du composé Fe2MnAl
Un matériau peut être soit pur (intrinsèque), soit dopé par des impuretés (extrinsèque). Le
dopage est une technique qui permet d'augmenter la quantité de trous ou d'électrons
d'un matériau en substituant une très faible quantité de ses atomes avec d’autres atomes
d'une autre espèce. Donc pour avoir un matériau extrinsèque en substituant des atomes
possédant un ou plusieurs électrons de moins (un ou plusieurs trous de plus), pour donner
lieu à un dopage de type P (Figure 3.22). Dans ce cas, on favorise la conduction du courant
par les trous. Inversement, si on ajoute des atomes ayant un ou plusieurs électrons de plus,
on parle du dopage de type N (Figure 3.22). Dans ce cas, la conduction électrique se fera
principalement par les électrons.

Figure 3.22 Schéma représentant les deux types de dopage

Dans cette partie, nous allons effectuer le dopage du composé Fe 2MnAl avec les métaux de
transitions Mn et Co avec des concentrations de 5% et 15%. Le but est d’interpréter
l’influence des deux types de dopage P et N par ces éléments de transition sur les propriétés
magnétiques et électroniques.

42
  Dopage avec Mn (type P)

Figure 3.23 La densité d’état totale du composé Fe2-xMn1+xAl ( x=0.05 , 0.15 )

La figure 3.23 présente la densité d’état totale du composé Fe 2-xMn1+xAl. On peut remarquer
que le matériau garde le caractère demi-métallique avec un nombre des états dans les spins
majoritaires plus élevé que celle de l’état pur ( 2 , 8 états /Ry pour 5% de Mn, 3 , 6 états /Ry
pour 15% de Mn et 1 ,2 états /eV pour l’état pur).

43
  Dopage avec Co (type N)

Figure 3.24 La densité d’état totale du composé Fe2-xCoxMnAl ( x=0.05 , 0.15 )

La densité d’état totale du composé Fe 2-xCoxMnAl est illustrée dans la figure 3.24. On peut
remarquer que le matériau garde aussi le caractère demi-métallique avec un nombre des
états dans les spins majoritaires plus élevé que celle de l’état pur ( 2 , 4 états /eV pour 5% de
Co, 3 , 1 états/eV pour 15% de Co et 1 ,2 états /eV pour l’état pur).

On remarque aussi qu’en augmentant la concentration des impuretés Co, le moment

magnétique totale augmente m=1 , 2,3157 μB pour 5% et m=2,5174 μB pour 15%.

44
Cha
pitr
e IV
Simul
ation
Mont 45

e
1. Bases théoriques
1.1. Description de la méthode Monte Carlo
La méthode Monte Carlo introduite par Metropolis est basée sur l'idée de
« l'échantillonnage sélectif » comme opposé à l'échantillonnage aléatoire. Les états xi ne
sont pas pris aléatoirement, mais sont sélectionnés de la région de l'espace de phase d'où
proviennent les contributions les plus importantes. Il serait alors, plus commode de choisir
les configurations avec une probabilité égale à leurs poids de Boltzmann [13]:
−βE ( x i )
e
p ( x i )= (4.1)
Z
Ce qui donne l'estimation :
M
1
A= ∑ A (x i)(4.2)
M i =1

1.2. Les principes de base de la simulation Monte Carlo

La simulation Monte-Carlo est basée sur cinq idées principales : la chaine de Markov,
l’ergodicité, l‘échantillon important, la balance détaillée et le taux d‘acceptation.

1.2.1. La chaine de Markov

Le problème est que la fonction de partition Z dans l'équation 2.1 n'est pas connue. La
solution usuelle consiste à former ce que l'on appelle une chaine de Markov en considérant
un ensemble d’états du système {S1, S2, S3, …} aux instants t1, t2, t3, …

Figure 4.1 Schématisation de la chaîne de Markov

Le processus de Markov permet de déterminer l’état du système à l’instant t en se basant

juste sur l’état précédent t−1, cette approche permet de trouver l’état d’équilibre
thermodynamique plus facilement, chaque état ne dépend que de celui d’avant jusqu’à
atteindre notre état d’équilibre où le système physique se stabilise et qui est un état
d’évolution stochastique. Cette évolution est donnée par l’équation maîtresse suivante [13]:

46
 dP ( s i ,t i )
=−∑ W ( s i → s j ) . Pi ( t−1 ) + ∑ W ( s j → si ) . P j ( t−1 ) (4.3)
dt i i

Avec :
Pi ( t−1 ) et P j ( t−1 ) : Les probabilités respectives de trouver le système dans l’état j ou i.

W ( si → s j ) et W ( s j → s i ) : Les probabilités de transition du système de l’état j à i ou de i à j.

1.2.2. L’ergodicité
L’idée derrière la condition d’ergodicité est que le système peut, à partir d’un état donné,
atteindre n’importe quelle configuration possible après un temps suffisamment long au
cours de processus de Markov. Le système doit avoir une probabilité non nulle pour que la
condition d’ergodicité soit satisfaite.

1.2.3. L’échantillon important

La méthode Monte Carlo à l‘équilibre thermique consiste à choisir un échantillon qui
contient les états dominants. Cette opération s‘appelle l‘échantillon important. Les états de
l‘échantillon ne sont pas équiprobables, mais distribue selon la distribution de probabilité de
Boltzmann. Pour améliorer l‘estimation on utilise cette distribution. C‘est la forme la plus
connue de l‘échantillon important.
La valeur moyenne d‘une quantité Q est donnée par :

∑ Qi e−βEi
⟨ Q ⟩= i
(4.4)
∑ e−βEi
i

Et la valeur moyenne estimée est donnée par :

N
Q
∑ P ai e− βEai
⟨ QM ⟩= i=1
N
ai
(4.5)
∑ ( P1 )e− βEai
i=1 ai

Donc pour que la moyenne estimée tant vers la vraie moyenne, il faut tirer les états en
fonction de la distribution de Boltzman-Gibs avec :
M
1
Q M = ∑ Qai (4.6)
M i=1

1.2.4. La balance détaillée

Soit P( X ,t) la probabilité pour que le système soit dans l'état X au temps t et W ( X →Y ) la
probabilité de transition de la configuration X à la configuration Y . Alors on peut écrire [13]:

47
 P ( X , t+1 )=P ( X , t ) +∑ [ W ( Y → X ) . P ( Y ,t )−W ( X → Y ) . P ( X , t ) ] (4.7)
Y

Pour t suffisamment grand, c'est à dire quand on s'éloigne de la configuration initiale, on

peut assumer que P( X ,t)→ P (X ).Et on peut écrire une condition suffisante pour avoir une
probabilité d'équilibre qu'on appelle condition de la balance détaillée sous la forme :
W ( X → Y ) . P ( X )=W (Y → X ) . P ( Y )(4.8)

La condition de la balance détaillée assure que la distribution de probabilité de Boltzmann

générée après que le système considéré atteint l’équilibre, est la plus grande de toutes les
autres distributions. Si le système est en équilibre, les probabilités de transition d’un état
vers le même état sont égales. [13]

1.2.5. Le taux d’acceptation

Le taux d’acceptation consiste à décomposer la probabilité de transition d’un état à un autre
en deux parties :

 Probabilité sélective g(i → j) (le choix de la cible i pour en générer l’état j).
 L’acceptation du changement A ( a → b ) (Rapport d’acceptation, c’est un nombre
aléatoire compris entre 0 et 1).
W ( a → b ) =g ( a →b ) . A ( a → b ) (4.9)

Le choix de la cible doit satisfaire la condition de la balance détaillée et la probabilité de

transition doit tendre vers 1 pour éviter tout ralentissement critique du système (lorsqu’on
approche de la température de transition on a des fluctuations plus importantes qui
ralentissent le processus de Markov). [13]

1.3. Algorithme Metropolis

Comme on l'a vu, la condition de la balance détaillée peut être satisfaite par plusieurs choix
des probabilités de transition W. A ce propos, Metropolis et al. ont proposé un choix très
simple [13]:

{
−β∆ E
W ( X →Y ) e si ∆ E> 0 (4.10)
1 si ∆ E ≤0

Alors si E ( Y ) > E ( X ) ,
W ( X →Y ) −β ¿ ¿
=e ¿
W (Y → X )

Alors si E ( Y ) ≤ E ( X ) ,
W ( X →Y ) 1
= − β ¿¿
W (Y → X ) e ¿

48
Donc, dans les deux cas le choix 4.10 de Metropolis satisfait à la condition de la balance
détaillée.
Un cycle Monte Carlo typique s'effectue selon les étapes suivantes [13]:
a) Choisir un site du réseau.
b) Calculer la différence d'énergie ∆ E d'interaction du spin avec les voisins avant et
après le flip.
c) Si ∆ E ≤ 0 , flipper le spin.
d) Dans le cas ∆ E> 0 , générer un nombre aléatoire r dans l'intervalle [0 ; 1]. Si r < e−β ∆ E
flipper le spin. Dans le cas contraire, garder sa valeur.
e) Recommencer à partir de l'étape (a) avec le choix d'un autre site.

Après un nombre donné d'itérations, le système entre dans son équilibre thermodynamique.
A partir de ce point, une fois une configuration xi générée, on calcule toutes les grandeurs
A(xi) voulues. Et à la fin de la simulation, la moyenne statistique de A est obtenue comme
dans la formule 4.2. [13]

2. Résultats obtenus
Dans cette partie, nous avons utilisé un programme MC pour un réseau 3D de N sites tel que
N = L × L× L. Dans la simulation, nous avons considéré un nombre total Ns = 200.000 étapes
MC par site. Au cours du calcul des moyennes, nous avons ignoré Ne = 30.000 configurations
au début de la simulation.
Dans notre cas, le matériau est antiferromagnétique, alors, nous avons divisé la structure
cristalline en deux sous-réseaux A et B. qui correspondent respectivement aux spins up et
aux spins down.
2.1. Aimantation
L’aimantation est donnée par la relation suivante :
N
1
M= ∑|Si|(4.13)
N i
Pour un système avec deux sous-réseaux, l’aimantation totale du système est exprimée
comme suite :
M =¿ M A −M B∨ ¿ (4.14 )¿
2
Avec M A et M B sont les aimantations de sous-réseaux A et B respectivement.
Nous avons tracé les valeurs des aimantations en fonction de la température pour chacune
des tailles L = 8, 16 et 32.

49
 Figure 4.2 La variation de l’aimantation en fonction de la température
D’après la figure 4.1, on peut remarquer que l’aimantation suit un comportement
décroissant en fonction de l’augmentation de la température pour les trois tailles. On peut
remarquer aussi que l’aimantation diminue et s’approche à zéro au voisinage de TN avec
l’augmentation de la taille. La variation de la taille montre bien la convergence des résultats.
La transition de la phase antiferromagnétique à la phase paramagnétique confirme l’état du
désordre et la symétrie des spins pour les hautes températures donnant ainsi un paramètre
d’ordre nul. Il est clair que ce paramètre d’ordre est continu.

2.2. Susceptibilité
La susceptibilité magnétique ( χ m ) est la capacité d’un matériau à devenir aimanté.
Elle est donnée par la relation suivante :
1
χ= ¿
K BT

Figure 4.3 La variation de la susceptibilité en fonction de la température

50
La figure 4.2 présente la susceptibilité en fonction de la température pour chaque taille.
En augmentant la taille du système, les pics représentant la susceptibilité augmentent en
plus de la réduction de la zone critique. Pour les basses températures la susceptibilité est
nulle au fait que l’aimantation est constante. La température de transition est compatible
avec celle trouvée par l’aimantation.

2.3. Chaleur spécifique

La chaleur spécifique est la capacité d’un matériau à emmagasiner de la chaleur par rapport
à son poids. Elle est définie par la quantité de chaleur à apporter à 1kg du matériau pour
élever sa température de 1°C.
La chaleur spécifique est donnée par la relation suivante :
1
Cv= ¿
KB T

Figure 4.4 La variation de la chaleur spécifique en fonction de la température

On remarque d’après la figure 4.3, dans la région des basses températures (T ≈ 0), la chaleur
spécifique est nulle pour toutes les tailles du système. En augmentant la température, la
courbe de la chaleur spécifique augmente jusqu’à atteindre une valeur maximale au
voisinage de TN pour chaque taille du système, puis elle diminue et s’approche de 0 à des
hautes températures. L’augmentation de la chaleur spécifique est expliquée par
l’augmentation des fluctuations de l’énergie.

2.4. Cumulant de Binder

Le cumulant de Binder s’exprime comme suite :

⟨M4⟩
U L =1− (4.16)
2 2
⟨
3 M ⟩

51
La variation théorique de cumulant de binder en fonction de T nous donne :

U L =¿

Figure 4.5 La variation du cumulant de Binder en fonction de la température

D’après la figure 4.4, il est clair que les résultats sont proches du comportement théorique
de cumulant, U L =0.666 lorsque T =0 et nul lorsque T ≫ T N .

L’intersection entre les courbes permet de déterminer la valeur de la température de

transition avec la relation suivante :

T N =~
T N . ¿ J 1∨ ¿ (4.17)¿
Kβ

Où :
K β: La constante de Boltzmann qui est égale à 1 ,38. 10−23 . J . K −1
~
T C : La température de cuire sans dimension

Alors,
−3 −19
2,786. 10 .1 , 6. 10
T N =12. −23
=387 , 6 ° K
1 ,38. 10

2.5. Exposants critiques

Lors d’une transition de deuxième ordre, au voisinage du point critique, les systèmes
physiques sont décrits grâce aux exposants critiques. A partir des courbes de log (M ),
log ( χ ) et log (CV ) en fonction de log (L) on peut trouver les valeurs des exposants
critiques.

52
 2.5.1. L’exposant critique de l’aimantation
Afin de déterminer les exposants critiques, on utilise les relations d'échelle à taille finie.

L’aimantation peut s’exprimer avec la relation suivante :

−β
ν
M a.L (4.18)

β
Alors : log ( M ) c− . log ( L)(4.19)
ν

−β
Donc cette relation s’écrit comme une équation d’une droite f (x)=a . x +b avec a= est
ν
la pente de la droite.

On a calculé les constants a et b puis on a tracé la courbe de log(M) en fonction de Log(L)

illustrée dans la figure 4.5.
−β
La valeur de a est : a= =−0,55989→ β=ν . 0,55989(4.20)
ν

Figure 4.6 Log(M) en fonction de Log(L)

2.5.2. L’exposant critique de la susceptibilité

Même chose pour la susceptibilité. On a :
γ
χ a . L ν (4.21)

γ
Donc : log ( χ ) c− . log (L)( 4.22)
ν
γ
On trouve : =1,87327 → γ =ν .1,87327(4.23)
ν

53
 Figure 4.7 Log(X) en fonction de Log(L)

2.5.3. L’exposant critique de la chaleur spécifique

La relation de la chaleur spécifique est comme suit :
α
C V a . L ν ( 4.24)

α
Ce qui implique : log ( C V ) c− . log (L)(4.25)
ν

α
Alors : =0,208348→ α =ν .0,208348(4.26)
ν

Figure 4.8 Log(Cv) en fonction de Log(L)

2.5.4. Comparaison avec les résultats expérimentaux

D’après la loi d’échelle de Rudche-Brode et les relations ( 4.20 ) , ( 4.23 ) et ( 4.26 ), on a :
54
 ¿
Alors, on trouve :

Exposant critique Valeur théorique Valeur expérimentale

ν 0,625 0, 63
β 0, 350 0,32
γ 1,171 1,23
α 0,130 0,10
Tableau 4.1 Exposants critiques théoriques et expérimentaux

Les valeurs des exposants critiques calculés sont proches aux résultats expérimentaux du
modèle d’Ising 3D, donc on peut dire que le matériau Fe 2MnAl appartient à une classe
d’universalité d’Ising 3D.

55
Cha
pitr
eV
Appro
ximati
on du 56

cham
1. Bases théoriques
La plupart des transitions ne peuvent se décrire que dans la cadre de théories approchées.
Très souvent, il s’agit d’une variante de la méthode du champ moléculaire. On peut
développer une formulation de cette méthode qui met en lumière son caractère
variationnel. La méthode variationnelle est une méthode d’approximation bien connue en
mécanique quantique, elle est fondée sur la propriété suivante :
Pour toute fonction d’onde d’essai la valeur moyenne de l’hamiltonien Eα =⟨ ψα ∨H ∨ψα ⟩
est toujours supérieure ou égale à l’énergie du fondamental exacte E0 . La meilleure
estimation variationnelle de E0 sera donc obtenue à partir de la fonction d’onde ¿ ψα ⟩ qui
minimise Eα . Parmi les méthodes variationnelles : le champ moyen et Théorie de Landau.

1.1. Théorie du champ moyen

La théorie du champ moyen dynamique est une méthode utilisée pour déterminer
la structure électronique des systèmes fortement corrélés . Dans ces systèmes, les fortes
corrélations électron-électron rendent impossible le traitement de chaque électron comme
une particule indépendante agissant dans un potentiel effectif, comme c'est usuellement le
cas dans des calculs de structure de bandes conventionnels comme en théorie de la
fonctionnelle de la densité. La théorie du champ moyen dynamique est une méthode non
perturbatrice de la matière condensée qui traite toutes les interactions locales entre les
électrons et permet de faire le pont entre la limite du gaz d'électrons quasi-libres et la limite
de la localisation atomique.

1.2. Application du champ moyen au matériau Fe2MnAl

Pour notre matériau, on a deux couplages J 1 et J 2et on a deux sous-réseaux, le premier c’est
5 −5
Mn a qui correspond à Mn et le deuxième Mn b qui correspond à Mn .
2 2
Alors, l’hamiltonien du système pour modèle d’Ising s’écrit comme suit :
−J 1
H=
2
∑ ¿
J2
¿ ij>¿SiSj − ∑ ¿¿
2 ¿ik >¿ SiSk(5.1 )¿

Pour les sous-réseaux Mn a et Mn b :

−J 1
H=
2
∑ ¿
J2
a
¿ ij>¿Si Sj−
2
∑ ¿¿
J1
a
¿ik > ¿Si Sk−
2 J
∑ ¿¿
2
¿ij >¿ Si b Sj− ∑ ¿¿
2
¿ ik >¿ Si b Sk (5.2) ¿

On pose :
¿

Avec h1 et h2 sont les champs effectifs des sous-réseaux Mn a et Mn b respectivement.

Alors, l’Hamiltonien d’essai est donnée par l’expression suivante :

57
 H 0=−h1 ∑ Si −h2 ∑ Si (5.5)
a b

Alors, on peut déduire l’expression de la fonction de partition :

N
Z 0=Tr e−β H =∏ ∑ e− β(−h
a b
Si −h2 Si )
0 1
( 5.6)
i=1 S ,σ

Donc :

[( ))] (5.7)
N
5
2 ( ) 3
2 ( 1
2 ) 5
2 ( 3
2 )) (1
Z 0= 2 cosh β h 1 +2 cosh β h1 +2 cosh β h1 . 2 cosh β h 2 +2 cosh β h2 +2 cosh β h2
2 ( ) ( ) (
L’énergie libre d’essai est :

F 0=−KT ln Z 0 (5.8)

Alors :

[(
F=−KT . N . ln 2 cosh ( 52 β h ) +2 cosh ( 32 β h )+2 cosh ( 12 β h )) .(2 cosh ( 52 β h ) +2 cosh ( 32 β h )+2 cosh ( 12 β
1 1 1 2 2

(5.9)

 L’aimantation
L’expression de l’aimantation d’un système est donnée par la relation suivant :
−dF
M= (5.10)
dh

Pour le sous-réseau Mn a, on a :
5 3 1
5 sinh( β h1)+3 sinh( β h1 )+ sinh( β h1)
−dF 2 2 2
m 1= = (5.11)
d h1 5
( 3
)
2 cosh β h1 + 2cosh β h1 +2 cosh β h1
2 2
1
2 ( ) ( )
Même chose pour le sous-réseau Mn b :
5 3 1
5 sinh( β h2)+3 sinh( β h2 )+sinh( β h2)
−dF 2 2 2
m 2= = (5.12)
d h2 5
( 3
)
2 cosh β h2 + 2cosh β h2 + 2cosh β h2
2 2
1
2 ( ) ( )
L’aimantation totale s’écrit sous la forme :

m=¿ m1−m2∨ ¿ (5.13)¿

2

58
  La susceptibilité
L’expression de la susceptibilité est donnée par la relation suivant :

dM
X= (5.14 )
dh

Pour le sous-réseau Mn a, on a :

(
( 52 β h )+ 9 sinh ( 32 β h )+ sinh ( 12 β h ) −β . 5 sinh ( 52 β h )+3 sinh ( 32 β h )+sinh ( 12 β h
25 sinh 1 1 1 1 1 1
d m1 β
x 1= = .
2 cosh ( β h )+2 cosh ( β h ) +2 cosh ( β h ) 2 cosh ( β h )+ 2cosh ( β h )+ 2cosh ( β
d h1 2 5 3 1 5 3 1
1 1 1 1 1
2 2 2 2 2 2

Même pour le sous-réseau Mn b :

(
(
β h )+ 9 sinh ( β h )+ sinh ( β h ) 5 sinh ( β h )+3 sinh ( β h )+sinh ( β h
5 3 1 5 3 1
25 sinh 2 2 2 2 2 2
dm β 2 2 2 2 2 2 2
x=
2 = . −β .
2 cosh ( β h )+2 cosh ( β h ) +2 cosh ( β h ) 2cosh ( β h )+2 cosh ( β h ) +2 cosh ( β
dh 2 2 5 3 1 5 3 1
2 2 2 2 2
2 2 2 2 2 2

 La chaleur spécifique
L’expression de l’aimantation d’un système est donnée par la relation suivant :

dS
C V =T (5.17)
dT

Avec :

( ( 5
−h1 .sinh β h )−h . sinh ( β h )−h . sinh ( β h )
1
3
1
1
1 1
) + ln 2 cosh 5 β h + 2cosh 3 β h +2 cos
1

( (2 ) (2 )
−dF 2 2 2
S= =β . 1 1
2 cosh ( β h )+2 cosh ( β h ) +2 cosh ( β h )
dT 5 3 1
1 1 1
2 2 2

Alors, on obtient :

59
C V =−T
2
d F β
= .
2 ( ( 52 β h )+9 h .sinh ( 32 β h )+h . sinh ( 12 β h )) −β . (5 h .sinh ( 52 β h )+3 h . si
25 h12 . sinh 1 1
2
1 1
2
1
2
1 1 1

dT 2 2
2 cosh ( β h )+2 cosh ( β h ) +2 cosh ( β h )
5
2 1
3
2 1
1
2 1
( 2cosh ( 52 β h )+2 cosh
1

2. Résultats obtenus
2.1. L’aimantation
Dans cette partie, en utilisant un programme et à partir des équations ( 5.11 ) ,(5.12) et (5.13),
nous avons calculer les aimantations correspondantes à notre système.

La figure 5.1 présente la courbe de l’aimantation des deux sous-réseaux Mn a et Mn b ainsi

que l’aimantation totale.

Figure 5.1 La variation de l’aimantation en fonction de la température

D’après la figure, on remarque que l’aimantation de sous-réseau Mn a débute avec la valeur

m1=2 , 5 qui correspond à l’état de son spin. De même pour le deuxième sous-réseau Mn b
qui débute avec m2=−2 , 5 donc l’aimantation total débute avec 2 , 5. Il est clair aussi que
l’aimantation totale diminue avec l’augmentation de la température.

2.2. La susceptibilité
En introduisant les équations (5.15) et (5.16) dans le programme, nous avons calculer la
susceptibilité pour chaque sous-réseau Mn a et Mn b. La figure 5.2 présente la courbe de la
susceptibilité des deux sous-réseaux.

60
 Figure 5.2 La variation de l’aimantation en fonction de la température

D’après la figure, on remarque la présence d’un pic dans la susceptibilité ce qu’il s’agit d’une
transition de phase. Il est clair aussi que les deux susceptibilités sont identiques, ceci est
expliqué par le fait que les spins utilisés dans les deux sous-réseaux ont la même valeur avec
un sens opposé.

2.3. La chaleur spécifique

En utilisant l’expression (5.19), on trace la courbe de la chaleur spécifique du système.

Figure 5.3 La variation de la chaleur spécifique en fonction de la température

61
On remarque que la chaleur spécifique pour les hautes températures augmente jusqu’à
atteindre une certaine valeur critique, et décroît par la suite. Pour les basses
températures la chaleur spécifique est nulle puisque l’énergie est constante.

62
Conclusion générale

Le travail que nous avons réalisé dans le cadre de cette thèse avait pour objectif essentiel est
de présenter une étude ab-initio au sein de la théorie de fonctionnelle de densité (DFT) de
l'alliage Heusler Fe2MnAl. Ce matériau a été étudier en utilisant la méthode des pseudo-
potentiels et les fonctions de Green (KKR-CPA), et pour déterminer le potentiel d’échange et
de corrélation, on a utilisé l’approximation de la densité du gradient généralisée (GGA).

Comme première étape, dans le premier chapitre on a commencé notre travail par une
petite recherche bibliographique, nous avons donné des définitions simples sur les
matériaux magnétiques notamment les alliages Heusler.

Ensuite nous avons effectué les calculs de la DFT. Nous avons trouvé pour le composé
Fe2MnAl présente un caractère demi-métallique.

L’étude de la DFT nous a permis de tirer les paramètres de couplage et les valeurs de spin
pour qu’on puisse aborder les méthodes de champ moyen et Monté Carlo dans le cadre du
modèle d’Ising. Nous avons examiné les propriétés magnétiques des systèmes
numériquement.

En perspectives, nous souhaitons étudier d’autre propriétés de ces composés telles que les
propriétés thermiques, élastiques pour enrichir notre travail.

63
 Références

[1] M. Belkhouane, Etude de premier principe des propriétés structurales, électroniques et

magnétiques des matériaux Heusler de type Fe2MnZ (Z= Al, Si) Fe2MnAl0.5Si0.,
UNIVERSITE DJILLALI LIABES, 2016.

[2] S. ZENASNI, ETUDE AB-INITIO DES ALLIAGES FULL HEUSLER DE TYPE X2CUZ, Centre
Universitaire Belhadj Bouchaib d’Ain-Temouchent, 2020.

[3] N. I. a. A. Kourov, «Specific Features of the Properties of Half-Metallic Ferromagnetic

Heusler Alloys Fe2MnAl, Fe2MnSi, and Co2MnAl,» Physics of the Solid State, vol. 57, pp.
700-708, 2015.

[4] M. MATOUGUI, Etude ab-initio des propriétés physiques des matériaux Heusler (X2YZ)
et demi Heusler (XYZ), UNIVERSITE ABDELHAMID IBN BADIS de MOSTAGANEM, 2019.

[5] D. MOKHTARI, Contribution à l’étude théorique des propriétés structurales,

électroniques, thermoélectriques et optiques des composés d'Heusler., Université
Mohamed Boudiaf-M’sila, 2019.

[6] S. NOUI, ETUDE AB-INITIO DES PROPRIETES STRUCTURALES ET ELEC-TRONIQUES DES

COMPOSES NaZnX (X=P, As et Sb), Université El Hadj Lakhdar Batna, 2012.

[7] Hamri.Bouabdallah, Investigation théorique des propriétés structurales,électroniques et

magnétiques des alliages heusler Ti2VZ (Z=Ge, Sn, Pb), ALGERIENNE.

[8] V. MAUCHAMP, LA SPECTROSCOPIE DE PERTE D’ÉNERGIE DES ÉLECTRONS APPLIQUÉE

AUX BATTERIES AU LITHIUM : EXPÉRIENCES ET SIMULATIONS AU SEUIL K DU LITHIUM,
UNIVERSITÉ DE NANTES, 2006.

[9] S. LARDJANE, Etude des propriétés structurales, électroniques et magnétiques du semi-

conducteur magnétique dilué :zno dope au cobalt, 2013.

[10] J. PERDEW, ccurate density functional for the energgy : real-space cutoff of the gradient
expansion for the exchange hole. Physica, 1991.

[11] B. EL KHALI et M. Ould, Etude de l’influence des défauts ponctuels et du dopage sur les
propriétés électroniques et magnétiques dans les semi-conducteurs à base de ZnO et
CaO : calcul ab initio, RABAT, 2012.

[12] I. AIBOUT, Etude ab-initio des propriétés optoélectroniques du composé NaMgN,

UNIVERSITE « Dr. TAHAR MOULAY » DE SAIDA, 2020.

[13] R. ABDELJALIL, Application des techniques Monte Carlo avec clusters aux systµemes de
spins classiques, UNIVERSITE MOHAMMED V, 2003.

[14] O. Mounkachi, Calculs ab-intio et température de Curie des semiconducteurs

64
magnétiques dilués (Zn,Mn)O et (Ga,Fe)N pour applications en Spintronique,
UNIVERSITE MOHHAMMED V, 2009.

65