Composants Opto

Cours
Cours
composants
composants optoélectroniques
optoélectroniques
Masters TC et TSE
MOHAMED AGHOUTANE
Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 1

Composants optoélectroniques
• Interaction Rayonnement – SC
– Photons, électrons
– Interaction électron – Photons
– Absorption
– Émission
• Photo-détecteurs
• LEDs
• Lasers
Rayonnement électromagnétique
Equations de Maxwell:

 H
ro tE   µ0
t   j (t k.r)

  E
 EE 
 E
E00eej ( t  k . r )
ro t H  
t

divE  0   2 pulsation

divH  0 k vecteur d’onde
Rayonnement électromagnétique
• Aspect ondulatoire:
ondulatoire • Aspect corpusculaire:
corpusculaire
– Onde – « grains » de lumière
  j (j(t t kk.r.r) )
EE  EE00ee • photon
– Énergie
– Vitesse de l’onde
EEpp hh 
 cc

vv   n : indice
kk nn – Qté de mouvement
nn rr
pp kk
– Vitesse de groupe

 – Relation de dispersion
vvgg  cc
kk EEpp  kk (vide n =1)
Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques nn 4
Électrons : dualité onde - corpuscule
• Aspect corpusculaire:
• Aspect ondulatoire: – Dans le vide
11 22
EE  mvmv
• Relation de de Broglie 22
ppmvmv
hh
  EE
pp22 22kk22

pp 22mm 22mm
– Dans un cristal
pp  kk p2
E  V (r )
Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 2m 5
Interaction électrons - photons
• 3 processus: 11..24
24 2
2
eV))
EE((eV ;;kk 
– Absorption ((µm
µm)) 
– Émission spontanée
– Émission stimulée (dans les lasers)

Règles de sélection
Ee-
• Conservation de l’énergie
et de la qté de mouvement:
– Absorption
EEf f EEi i EEphoton

photon
–
ppf f  ppi i  ppphoton
photon
kélectron
– Émission
EEi i EEf f EEphoton
photon
ppi i  ppf f  ppphoton

photon
Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques   1

9
 1
a
Règles de sélection
Eph 1  1
k photon  
Ee- 1000
• Conservation de l’énergie
et de la qté de mouvement:
 kkff kkii  kkphoton

 photon kphoton
Conservation de l’énergie:
Si absorption, Eph > Eg
Conservation de p:
Ordre de grandeur de k
Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques   1
 1 kélectron
10
a
Compte tenu
Compte tenu du
du faible
faible kkphoton les
photon les
transitions optiques
transitions optiques nene peuvent
peuvent se se
faire que
faire que verticalement
verticalement en en kk
Intérêt àà adapter
Intérêt adapter EEgg àà l’énergie
l’énergie du
du
photon àà détecter
photon détecter
Différents processus de transition
inter-bandes

Recombinaison radiatives et non
radiatives

Absorption, émission spontanée
et stimulée
•Pseudo niveau de Fermi
•Taux net d’émission de photon
•Recombinaison: durées de vie
•Vitesse de recombinaison en surface
•Génération de porteurs en excès

« envoi » des électrons et des trous
dans les bandes « n’importe comment »!
--------
---- ----
-- --
Recomb
EF e-h
+ + +
++++
Hors équilibre retour équilibre

équilibre

2 grandeurs régissent les états:
• Temps entre 2 chocs: temps de relaxation  : lors
d’un choc l’électron perd de l’énergie (10 -13 à 10-12 s)
• Durée de vie des électrons dans une bande (10-9 à10-3
s)  vie
• Si  vie   les porteurs « ont le temps » de se

thermaliser en bas de bande puis se recombiner.
Du fait de la différence entre ces deux temps il
existe un état de pseudo-équilibre pour les e - et
les h+
Retour à l’équilibre
EFn --------
---- ----
-- --
EF
+ +
+++ ++++
EFp +++++
On coupe
l’excitation
Hors équilibre équilibre

Taux net d’émission de photon -1
C’est le nombre de photon d’énergie E émis par unité
de temps et de volume
r ( E )  rspont ( E )  N ( E )rstim ( E )  N ( E )rabs ( E )
nb ph émis nb photon D( E )
de manière spontanée N ( E )  E / kT
dans le matériau e 1
par s et cm3
rrspont
spont
est
est indépendant
indépendant de
delalaprésence
présence
de
dephoton
photondans
danslelematériau
matériau
r ( E )  rsp ( E )  N ( E )rstim ( E )  rabs ( E ) 
rst: taux d’émission stimulée

(Bilan énergétique de ce qui est
stimulé de haut en bas et
de bas en haut)
r ( E )  rsp ( E )  N ( E )rst ( E )
rrst(E)>0
st(E)>0

émission
émissionde
dephoton
photon(ampli
(amplide
delum)
lum)
rrst(E)<0
st (E)<0 
absorbe
absorbeun
unrayonnement
rayonnementdedephoton
photon
Soit un système à 2 niveaux Ei et Ej
Ei , gi
rrsp (E))
sp(E 
ii
A
jj
Aijij.g.gifiif.ig.gj.(
j .(11ffj j))
E = E i - Ej
nb d’e- ds l’état i
Proba. pour que cette
Ej , gj recombinaison soit radiative

E’ Dans le cas d’un SC, il y a
un pseudo continuum d’états
E=E’-E’’ Émission d’un photon d’énergie E
B( E ' , E ' ' ) : proba pour la transition de E’ à E’’

soit radiative
E’ ’

rsp (E)  B(E' ,E)Nc (E')fc (E')Nv (E'E)(1  fv (E'E))dE'
E'
E'
rst (E)  B(E' ,E)Nc (E' )Nv (E'E)[fc (E')  fv (E'E)]dE'

Rq: on peut montrer que dans les matériaux dopés,
B est constant au voisinage des extrema de bandes
Semi-conducteur Nature du Gap B (cm-3s-1)

(SC
>>BB(SC
Si indirect 1.8 10-15

Ge indirect 5.3 10-14
indirect)
direct)>>
gap indirect)
GaP indirect 5.4 10-14

gapdirect)
GaAs direct 7.2 10-10

GaSb direct 2.4 10-10
gap
(SCgap
InP direct 1.3 10-9

BB(SC
InAs direct 8.5 10-11

InSb direct 4.6 10-11

Émission spontanée:
Rsp   rsp ( E )dE  Bnp
E
 kT 
E  F
Émission stimulée: rst ( E )  rsp ( E ) 1  e  avec F  E f c  E f v

 
L’émission stimulée existe si rst(E) > 0

Efc --------
La condition d’amplification implique : ----
F  E  E  E f v  Eg h Eg
fc
SC dégénéré n et p ou plutôt Efv ----------

Inversion de population ----------
Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques ------------ 23
Si on écrit le nb de photons dans le matériau:
D( E )
N ( E )  N 0 ( E )  N ( E ) avec N 0 ( E )  E / kT
e 1
Alors
 NN((EE)) 11ee ((EEFF))/ /kT


kT

rr((EE))  rrspsp((EE))11((11 )) EE/ /kTkT 
  NN00((EE)) e
e 
 1
1 
Taux net d’émission
• À l’équilibre thermodynamique :
 1  e E / kT 
N ( E )  0 et F  0  r ( E )  rsp ( E )1  0
 1 e 
E / kT
• Sous faible excitation d’un rayonnement(E>Eg):

N ( E )
N ( E )  0 et F  0  r ( E )   rsp ( E ) 0
N0 (E)
Le semi-conducteur absorbe le rayonnement
• Forte excitation (E>Eg et Eg>>kT/e):
 N ( E )  E / kT  F / kT 
N ( E )  0 et F  0 
 r ( E )  rsp ( E )1  (1  )(e e )   0
 N0 (E) 
Le semi-conducteur émet un rayonnement d’énergie E

Recombinaison des porteurs en excès –
durée de vie
Comment se recombinent les porteurs et à quelle « vitesse » ?

Recombinaison des porteurs en excès – durée de vie
En d’autres termes, 2 « chemins » possibles pour la recombinaison:

- radiatif
- non radiatif

Recombinaison des porteurs en excès – durée de vie
Taux global d’émission de photon R  taux de recombinaisons radiatives
n  n0  n et p  p0  p
n concentration en électrons libres
n0 concentration d’équilibre en électrons libres
n, p concentration en excès d’e- et h+
dn dp
R    Bn p  Rst
dt dt
R taux de recombinaisons par cm3 par s
B coefficient ambipolaire de recombinaison

Recombinaison des porteurs en excès – durée
de vie
R  R0  R  B (n0  n)( p0  p )  Rs t 0  Rst

En régime de faible injection (n et p petit / régime d’inversion, Rst est
négligeable et R s’écrit en négligeant le terme du 2° ordre:
Taux de recombinaisons
R  Bn0 p  Bp0 n radiatives des porteurs
p n  rp 
1
et  rn 
1
R   avec
 rp  rn Bn0 Bp0

de vie
•• Dans
Dans lala mesure
mesure ouou n
n == p
p (création
(création de
de paires
paires
électron
électron –– trou):
trou):
1 1 1
 
r  rn  rp
•• Dans
Dans un
un semi-conducteur
semi-conducteur dopé,dopé, la
la durée
durée de
de vie
vie
radiative
radiative est
est celle
celle des
des porteurs
porteurs minoritaires
minoritaires (SC
(SC
n: n  p     d' où   
n: 0 0 rn rp )) r rp

de vie non radiative
• « chemin non radiatif »:
– Centres de recombinaison
– Émission phonon ou effet Auger
• On attribue à ce type de recombinaisons,

une durée de vie non radiative:
nrnr
Recombinaison
Recombinaison des
des porteurs
porteurs en
en excès
excès
• Les processus sont additifs.

• La durée de vie globale est donnée par:
11  11  11
 
 rr nrnr
• On définit le rendement radiatif par:
11
rr  nrnr
  1 

1  11 rr nrnr
nrnr rr
Évolution temporelle de la densité de porteurs
!!
ion
j ec t
e in
bl
Fai

Vitesse de recombinaison en surface
• À la surface, états énergétiques spécifiques:

– Rupture de la périodicité du cristal
– Adsorption d’atomes étrangers
• Présences d’états de surfaces centres de

recombinaisons supplémentaires
• À la surface, la densité de porteurs est plus

faible que dans le volume.
!
es !iv
diat
n ra
s no
so n
inai
omb
Rec

GaAs S = 106 cm/s
InP S = 103 cm/s
Si S = 101 cm/s


Création de photo-porteurs en excès
• Plusieurs moyens pour la création:

– Photo - excitation avec E>Eg
– Injection électrique
– Effet avalanche ou tunnel

Photo - excitation
• Les caractéristiques du rayonnement sont:
– Longueur d’onde  ou son énergie E=h
– L’intensité I
– La puissance P en watts
nb de photons qui
 arrive /s et/cm3
T
P(W)=0(E). h
r Puissance
Énergie des
photons
Photo - excitation
• Soit R(E) le coefficient de réflexion ou pouvoir réflecteur:
• Si E=h >Eg, il y a absorption  on définit le coefficient d’absorption 

r (E)  R(E)0 (E)
T (E)  (1  R(E))0 (E)
1 d(E, x)

(E, x) dx
(E, x)  T (E,0)e (E)x

Photo - excitation
• Taux de génération d’électrons g(E,x):

– Si on « perd » d photons, on « gagne » d
électrons (rendement quantique =1)
  la variation du nombre de photons par unité
de volume est :
(E, x)
g(E, x)  
x
– On écrit alors:
g(E, x)  [1  R(E)]0 (E)(E)e (E)x
Photo - excitation
• Le taux de génération global g(x) (si pas

monochromatique) est alors donné par:
n  r  3.5

g(x)  g(E, x)dE
E
• Pour le calculer: 2
 1n 
– R(E) ? Au voisinage du gap R  cte     30%
1n
– 0(E) ?
– (E) ? On peut l’approximer par 1 échelon
• = 0 si E < Eg
• cm-1 si E > Eg
Coefficient d’absorption
• Dans le cas de transitions
verticales, la relation liant
k
l’énergie du photon (>Eg) et Ec
le vecteur d’onde est: Ee
EFn
EFp Eg 
22kk22 11 11 22kk22 Eh
EEgg  (( *  * ))EEgg  *
22 m mc* mmv* 22mmr* Ev
c v r
k=0

• Pour une lumière non polarisée dans un SC,
le coefficient s’écrit: 2

 22 
2  2p  N () 2 1
2  2p 22pp2cv
cv  20eV

e
e   cvcv  Ncvcv() 2 m1  20eV
2n c  m  m   3 m mm00
2nrrc 00m00 m00   3
 
((23
23eVeVpour
pourGaAs)
GaAs)
• La densité d’états jointes:
** 33//22 11//22
22((m ) (  
mrr ) (  Egg ) E )
NNcv ( ) 
cv () 
JJ11m
m
33
2233

Taux d’émission (expressions)
• Lorsque un électron et un trou se trouvent
«vertical en k », il peuvent se recombiner :
– Spontanément:
1 e ²n   e ²n   2p22
W ( )  1  e²nrr p 2  e²nrr
2
(2pcvcv ) s11
em() 
Wem  cv 
2 33 22 pcv 3 2 ( )s
 00m
00 33 2
m00cc  00m
66 3 2
m0cc  m m0
0 0
– De façon stimulée:
ee²²nnrr 22 11
W (  ) 
Wstst ()  p
22 33 22 pcv
n
cv nph
( ω) s
ph(ω) s
33
00m m00cc 
Gain du matériau
• C’est la différence entre le coefficient d’émission et le
coefficient d’absorption:
 2p22 
 
2 
g( )  ee  2p cvcv NNcvcv(())22 fee (Eee )fhh (Ehh )  (1  fee (Eee ))(1  fhh (Ehh ))
2
g()  2n c m  m   3 f (E )f (E )  (1  f (E ))(1  f (E ))
2nrrc 00m00 m00   3
 
k
Ec
 2p22 
 

2 
ee  2p cv NNcv(())22 ee ee
2 h h
Ee
gg(()) 2n c m  mcv  cv 3 ff (E(E ))(1(1ffh (E(Eh )))) EFn
2nrrc 00m00 m00   3
  EFp Eg 
 2p22 
 
2 
g( )  ee  2p cvcv NNcvcv(())22 fee (Eee )  fhh (Ehh )  1
2 Eh
g()  2n c m  m   3 f (E )  f (E )  1
2nrrc 00m00 m00   3 Ev
 
Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques k=0 46

Gain du matériau
• Si fe(Ee) = 0 et fh(Eh) =0
2  2p22 
 ee  2p cv NNcv(())22
2
gg(()) 2n c m  mcv  cv 3 000011(())
2nrrc 00m00 m00   3
 
• Pour que le gain soit >0 (inversion de

population) ee ee hh hh
ff ((EE ))ff ((EE ))11
• Et alors
I(I(xx))II00exp(
exp(ggxx))II00

recombinaisons
• On a défini précédemment Rspon ( coef de

recombinaisons) : regardons plus en détails
en fonction de la population électronique
 
Rspon  Wem d()NCV f e (Ee ) f h (Eh )  
d()NCV f e (Ee )f h (Eh )
1
0 
Rspon 

recombinaisons
• Considérons la recombinaison de trous:
– Injection de porteurs minoritaires (n>>p et
fortement dopé n)
~1
Rspon 
1
0  
d()NCV f e (Ee ) f h (Eh )  
3/2
    *
1 1 m
Rspon 
0 
d()NCV f h (Eh ) 
0
d()NV f h (Eh ) *r 
m 
 h
3/2 3/2
1  m*r  1  m*
Rspon 
0  m*h   d()NV f h (Eh )   *r 
0  mh 
p

recombinaisons
– Forte injection (important dans le cas d’1
densité d’elec. et de trous injectée élevée)
f e (Ee ) fh(Eh) 1

1 1 1
Rspon 
0 
d()NCV  n  p
0 0

recombinaisons
– Considérons la recombinaison de trous:
– faible injection (on utilise Boltzmann)
 ( Ec  EFn   ( EFp  Ev   (  E ) 

f e
( E e )f h ( E h ) exp
kT
 exp
kT
 exp
kT

     
3/ 2 3/ 2
1  2 2 mr*  1  2 2 mr* 
Rspon    exces
np , R spon    ( p0 n  n0 p )
2 0  kTme*mh*  2 0  kTme*mh* 
k
• Si n=p alors on peut définir un taux de Ec
Ee
recombinaison de porteurs en excès unique nr EFn

EFp Eg
2 * 3/2
1 1  2 mr  Eh
 (n0  p0 )  r   0
r 20  kTm*em*h  Ev
Pourquoi ?
Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques k=0 51
recombinaisons
– Inversion (transparence) (important dans le cas
des lasers)
f e
 
( E e )  f h ( E h )  1 (coef emission  coef absorption)
e e
 h h

• Supposons f (E )  f (E )  1 / 2 
n p
Rspon  
4 0 4 0
Utile pour estimer le courant de seuil d’un laser
Régime de
Faible
injection
Durée de vie radiative r (s)
Densité usuelles pour
le fonctionnement du
laser
fe=fh=1
0
cm-3
Nd ( pour les trous injectés dans un SC n)
n=p (pour paires e-h injectées dans une région)
Photo - excitation

x g(x)
g(x)  [1  R]0 (E)e dE
Eg cm-1
g(x)  [1  R]0e x

x
1 1
(x  0.1µm)   Importance de la vitesse
e 3
1 1 de recombinaison en surface
(x  0.2µm)  
9 10
1 Ex: 10W/cm2, =0.75 µm, =7 103 cm-1 pour GaAs. G?
(x  1µm)  10  0 Popt (7.103 cm1 )(10Wcm2 )
e G   2,65.1023 cm 3 s 1
 19
(1.65eV )(1.6.10 J )

Injection électrique
Polarisation d’une jonction pn en direct. Le système est hors
équilibre. Le retour à l’équilibre s’accompagne de recombinaisons,
qui si elles sont radiatives, émission de photons.

Homo-jonction à semi-conducteur

Homo-jonction à semi-conducteur
 Dp n2 Dn n2i  eV / kT
I  eA  i  (e  1)
 P ND N NA  

Courant dans une Jonction pn
 DDpp N  
DDnn N eee(V(VVVDD) )//kTkT
I IeA
eA NAA NDD e
 
p
p

nn 

eVDD Eg
eV Eg((EEFF EEVV))pp ((EECC EEFF))nn 00
0 0 VVthth VVDD  EEgg //ee

I(V) fonction du matériau

Tension pour I=20 mA (figure de mérite)

Les photo-détecteurs

• Rôle : convertir un signal lumineux en signal
électrique
• Propriétés attendues:
attendues
– Grande sensibilité
– Linéarité (surtout si signal analogique)
– Large bande passante électrique
– Fiabilité
– Faible coût
– Facilité de mise en œuvre
– Encombrement

• Solution dans le visible et proche IR:
– Jonction pn montée dans un boîtier comportant
une fenêtre transparente au rayonnement.
• Deux montages possibles:
– Jonction non polarisée  montage
photovoltaïque. Il est utilisé pour la conversion
de l’énergie solaire en électricité.
– Jonction polarisée en inverse  montage
photoconducteur. Il est utilisé pour la détection
de la lumière : photodiode PIN, ADP,
phototransistors
mode photocourant mode photovoltage

• Matériaux pour les détecteurs optiques
– Disponibilité du substrat
• Si, GaAs, Ge et InP
• SC avec maille « adaptée » à ces substrats
– Application communications longues
distances
• Adaptés aux fibres optiques (1.55µm et 1.3 µm)
• GaAs interdit (0.8 µm)
• InGaAs, InGaAsP, GaAlSb, HgCdTe, GaInNAs
…
• In 0.53Ga 0.47As le plus utilisé
• Ge comme photo-détecteur à avalanche

– LANs (qq kilomètres)

• GaAs émetteurs (0.8µm) mais pas chers !
• Si comme photo-détecteurs (photodiodes à avalanche)
– Détection « infrarouge »
• >20 µm
• HgCdTe, PbTe, PbSe, InSb
• Détecteurs inter sous-bandes GaAs/AlGaAs
– Détecteurs rapides
• GaAs « low temperature »  1 ps

Distribution des photo-porteurs
dn((xx,,tt))  11 dJ
dn dJnn  r  g dp((xx,,tt))
dp 1 dJpp
1 dJ
  rnn  gnn   rrpp  ggpp
dt
dt ee dx
dx dt
dt ee dx
dx
Dans le cas des électrons:

n
J n  neµn E  eDn
x
g n  g p  g  (1  R)0e  e
x x
n  n0
rn 
n flux qui pénètre le matériau
• 2 composantes pour le champ électrique

– Champ interne Ei
– Champ externe appliqué Ea
V
L Ea 
L
h
V
• À cause des mobilité
différentes, champ
interne Ei n(x,t)  Ei
p(x,t) .
• En fait en 10-12 s, la
neutralité est rétablie, 
n(x,t)  p(x,t) .
• Les électrons et les trous
diffusent ensemble
C’est la diffusion ambipolaire
épais mince quelconque

Cellule photoconductrice
Vs
d
L

• Conductance à l’obscurité:
 0  e( µn n0  µ p p0 )
• Conductance sous éclairement:
  e( µn (n0  n)  µ p ( p0  p ))
• Soit une variation de la conductance:

µp
  enµn (1  ) avec p  n  GL p
µn
• Si on applique une tension courant:
J  ( J d  J L )  ( 0   ) E
• Le photo-courant:
µp
I L  J L A  epµn (1  ) AE
µn

• En se rappelant que µE est la vitesse des

porteurs, on peut définir un temps de
transit: L
ttr 
µn E
• Le photo-courant s’écrit alors:

p µp
I L  eGL ( )(1  ) AL
ttr µn

• Le photo-courant « primaire » généré par

l’éclairement est:
I L P  eGL AL
nb photons/s/cm3 surface
• Le gain de la cellule est donné par:
IILL pp
G 
µµpp
G  ((11 ))
IILL
P
P tttrtr µµnn
C’est la rapport entre le taux de collecte des charges par les contacts au taux de
génération de ces charges
• C’est quoi le gain ?
– Si >1, les électrons peuvent parcourir plusieurs fois le circuit
avant de se recombiner avec un trou.
• Ex: L=100µm, V=10V, p=1µs
• Comment améliorer le gain de la cellule?
– Durée de vie élevée
– Temps de transit faible (petit L et/ou fort champ E)
• Inconvénient:
– Fort courant d’obscurité bruit
Utilisation de diode en inverse
Principe de la photodiode p-n

Principe de la photodiode p-n
• Seuil de détection: E=h>Eg
1 et 3 : photo-courant de
diffusion
2 : photo-courant de
génération

Photodiode sous éclairement
pn  GL po
pn (x)

Calcul du courant
 2 (n p ) n p  (n p )
Dn  GL  
x ²  n0 t
x x
  en x  0, n p (0)   n p 0
n p ( x)  Ae Ln
 Be Ln
 SP en x , n p ()  SP  GL n 0
x

n p ( x)  GL n 0  (GL n 0  n p 0 )e Ln
Courant de
d (n p )
saturation, existe
eDn n p 0 même à
J n1 ( x  0)  eDn  eGL Ln  l’obscurité!
dx x 0
Ln
Prof.M.AGHOUTANE Photocourant
composants dans les
optoélectroniques 80
régions de diffusion
Calcul du photo-courant
d (n p )
Région p : J n1  eDn
ph
 eGL Ln
dx
d (pn )
Région n : ph
J p1  eD p  eGL L p
dx
Et la ZCE ? J L1  e  GL dx  eGLW Hyp: GL = cte

Photodiode p-n
• Le photo-courant est donc généré dans la ZCE et

dans les régions neutres sur la longueur de
diffusion Ln et Lp, soit finalement sur W+Ln+Lp.
Rem: GL n’et pas constant ! On

I ph  eGL ( L p  Ln  W ) A doit prendre une valeur
moyenne en toute rigueur

Photodiode p-n
eV

I   I ph  I 0 (e kT
 1) en inverse I  ( I 0  I ph )

Photodiode p-n
• Constante de temps:
– Courant de diffusion : lent 10-8 à 10-9 s
– Courant de génération : rapide ttr =W/vs (10-10 à 10-11 s)
• Donc il « faut »:
– Absorption uniquement dans la ZCE
– Zone frontale très mince
– W large mais pas trop sinon ttr trop grand (W=1/)

Photodiode p-n
• Rendement quantique (quantum efficiency):
N e (paires collectées)
  40 à 80 %
N p (photons incidents)
– Fonction du coefficient d’absorption

– Fonction de la longueur d’onde ( fh

Photodiode p-n
• Sensibilité (responsivity):
I ph N e .e e
S    ( )
Poptique N p .h hc
sensibilité
longueur d’onde (µm)

Photodiode PIN
• But : améliorer la sensibilité pour les
grandes g et la vitesse .
• Comment ? Augmenter la zone de collecte
des photons (g grand ray. pénétrant)
• On intercale une région intrinsèque entre p
et n+. Si polarisation suffisante, ZCE
envahit la région intrinsèque  vitesse
augmente

Photodiode PIN

Photodiode PIN
• Choix du matériau dépend de l’application:
– Communication (émetteur GaAs/AlGaAs)
• Détecteur Si (vitesse non critique)
• Détecteur Ge (g > 10µm)
• 1.55µm + vitesse  détecteurs InGaAs
– Vision nocturne:
• HgCdTe
• InAs, InSb
– « solar blind » + UV:
• GaN, AlGaN
Photodiode PIN
• « design » de la structure:
– Réflexion sur surface (perte :2 – 3%)
– Maximiser l’absorption dans ZCE (*)
• Attention à la vitesse
– Miroir métallique
– Minimiser les recombinaisons
• Matériau de haute pureté
– Minimiser le temps de transit
• ZCE la plus petite possible (voir *)

Rendement d’une photodiode PIN
• Taux de génération dans le SC:
GL ( x)  J ph (0)(1  R ) exp(x)
• Jph(0(0) Flux de photons (nombre par cm2 et par seconde)
• Photocourant
W
I L  eA  GL ( x)dx eAJ ph (0)(1  R )(1  exp(W ))
0
• rendement IL
det 
eAJph (0)

Photodiode pin
• Linéarité de la réponse : meilleure que 1% sur 7
ordres de grandeur
• Capacité de la jonction: limite la vitesse
– C diminue si tension inverse augmente
– C augmente si surface sensible augmente
• Courant d’obscurité:limite la détection
– Élevé pour détection IR
– Fonction de la température (*2 si T=10°C pour Si)
• Tension de claquage
– Tension max supportable par le composant

Photodétecteur à avalanche (APD)
• Dans une p-i-n , le gain est au plus unitaire
• Dans APD, on peut aller à quelques
centaines
• Comment?
– Utilisation du phénomène d’avalanche dans les
jonctions pn
– Condition: avoir des électrons « chauds »
– Très utilisés dans les applications télécoms
– Inconvénients: « bruiteux » (processus
aléatoires), sensible à la température

Photodétecteur à avalanche (APD)
(Ge, Si)
• « design »
– ZCE qui permette
d’absorber la lumière
– qq µm (gap direct) à qq 100

µm pour SC à gap indirect
– La zone d’absorption et la
zone d’avalanche distincte
• APD « reach through »

Photo-détecteur à avalanche (APD)
Contact avant
• APD à hétéro-jonction
– Meilleures InGaAs p-
performances InGaAs n+
InP n-
– Gap direct  région
d’absorption et Substrat n+ InP
d’avalanche fines
Contact arrière
• Facteur de multiplication:
photons
1 R: résistance équivalente (série + effet Thermique + …)
M n n : paramètre d’ajustement (dépend du design)
 V  IR  V: tension appliquée
1    VB: tension de claquage
 VB 
Cellule solaire
• Application importante
des pn : convertir
l’énergie solaire en
énergie électrique
• 2 modes:
– Mode photoconductif
– Mode photovoltaïque

Cellule solaire
Courant débitée par la diode (courant inverse compté positif)
eV
I  I ph  I s (e mkT
 1)
Deux paramètres :
• la tension de circuit ouvert
mkT I ph
Vco  ln(1  )
e Is
•Le courant de court circuit
I cc  I ph
Cellule solaire
Puissance débitée: Droite de charge 1/Rc
eV
P  VI  VI ph  I s (e  1)V
kT
Puissance maximum (dP dV  0)

permet de déterminer la
résistance de charge Rc
 eVm  eVm / kT I ph
1  e  1
 kT  Is
Vm
eV Rc   1
I m  I s m e eVm / kT Im
kT

Cellule solaire
Influence de la résistance série
eV j
I  I ph  I s (e mkT  1)
V  V j  rs I
e (V  rs I )
I  I ph  I s (e mkT
 1)

Cellule solaire
Rendement de conversion
Vm I m 6.2 eV 0.5 eV
conv 
Psolaire
Fill factor:
I mVm
Ff 
I ccVco


Cellule solaire à base de silicium
amorphe et polycristallin
• Poly cristallin:
– Le plus courant
– Rendement de l’ordre de 13%
– Rendement faible sous faible éclairement
• Amorphe (a-Si)
– CVD Technique (600°C)
– Surface importante, enroulable
– Règles de sélection verticales en k disparaissent
– Meilleur coefficient d’absorption
– Pas cher !
– Rendement faible (6%)
– vieillissement

Cellule solaire

+50%

Diodes électroluminescente
LED ou DEL

Choix du matériau : dépend de l’application

LED
• Rapport taux
d’injection:
n n

p p
1. Région la plus radiative: type p

2. Région p : 2 à 3 Ln (h sort !)
3. Modification du gap (fort
dopage)

Recombinaisons dans la région p

Utilisation d’hétéro-jonction

• Améliore le confinement
dans la région active
• Inconvénient: résistance
plus grande
• On fait des hétéro-
structures graduelles

Carrier loss in double heterostructures

Carrier overflow in double heterostructures

• Couches de confinement (« blocking layers »)

Conversion tension - lumière

• L’énergie d’un électron injecté est convertie
en énergie optique:
V = h  / e ≈ Eg / e
• Existence d’une résistance série
• Perte d’énergie par émission d’un phonon

Eg EC  E0 EV  E0
V   I Rs  
e e e
I Rs resistive loss
EC – E0 electron energy loss upon injection into quantum well
EV – E0 hole energy loss upon injection into quantum well
Leds et rendements
# of photons emitted from active region per second Pint / (h )
int  
# of electrons injected into LED per second I/e
# of photons emitted into free space per second

extraction 
# of photons emitted from active region per second
rendement optique
# of photons emitted into free space per sec. P / (h)

ext    int extraction
# of electrons injected into LED per sec. I/e
P « rendement à la prise »
power 
IV « wallplug efficiency »
Spectre d’émission (1)

E / (k T)
I(E)  E  Eg e
Maximum de l’intensité d’émission
E  Eg  12 k T
E  1.8 k T


• Largeur de spectre relativement étroit

comparé au spectre visible
• Pour l’œil humain led  monochromatique

Leds : extraction de la lumière

Cône de sortie de la lumière
• Une fraction des photons réfléchie à l’interface semi-conducteur – air .

• Si l’angle d’incidence proche de la normale, extraction possible.
• Loi de Descartes:
2 2
 n  1   3.5  1 
R     30%
 n  1   3.5  1 
nsc sin  c  nair sin   nair

D’après la relation précédente c  16

Entre 0 et 16°, la transmission T varie de 70% à 0

Pescape 2r 2 (1  cosc )

Psource 4r 2
Pescape 1   c 2  1
 1  1     c2
Psource 2   2  4
c critical angle of total internal reflection

Problem: Only small fraction of light can escape from semiconductor
Pescape 1 nair 2

Psource 4 ns 2
Distribution spatiale du rayonnement
Psource nair 2
Iair  2 cos 
4 r ns2
Iair emission intensity in air

 angle with respect to surface normal

Rendement quantique externe
Couplage avec fibre optique:


 n2
n1

n2
n0
pertes
angle maximum 1 2 2 1/ 2  1
 A  sin  (n1  n2 )   sin 1 ( An )
1
 n0  n0
Rendement quantique externe
Si la source a une distribution en « cosinus » (Lambertian),

la fraction de lumière couplée dans la fibre est donnée par:
A
II (())sin sindd
  
A
sin AA 10

sin
ph 22
10%
00 ph
fibre / 2/ 2 %

fibre
00
IIphph(())sin
sindd

LED à émission horizontale

LED àà émission
LED émission par
par la
la surface
surface

Utilisation de substrat transparent

Utilisation de substrat transparent

Utilisation de miroirs de Bragg (DBR)
(cas de substrat absorbant = 50% perte)
• DBR accordé en maille avec la DH

• DBR doit être conducteur (suivant géométrie de la diode)
• DBR doit être centré sur la longueur d’onde de fctment.

Utilisation de miroirs de Bragg (DBR)
(cas de substrat absorbant = 50% perte)
2
 n   2N
 1   r1  
  nr 2  
R 2N 
 1   nr1  
 n  
  r2  
2Bragg  n
stop  _
neff
1
1 1
neff  2  
 n1 n2 
Le LASER à semi-conducteur

Laser à SC
•• 1° MASER
1° MASER en
en 1954
1954
•• 1° LASER
1° LASER en
en 1962
1962
–– MASER
MASER::Microwave
MicrowaveAmplification
Amplificationby
byStimulated
Stimulated
Emissionof
Emission ofRadiation
Radiation
–– LASER
LASER::Light
LightAmplification
Amplificationby
byStimulated
StimulatedEmission
Emission
ofRadiation
of Radiation
–– Laser
LaserààSC
SC::Aigrain
Aigrainen
en1958
1958
–– Le
Lepremier
premierààSC
SCenen1962
1962avec
avecdu
duGaAs
GaAs

Laser à SC
• Fonctionnement: 0
– Inversion de population
– Laser à 4 niveaux N1
h
N2
• Pompage
– N1 augmente et N2 diminue 3
– Tant que N2>N1 le photon incident induit des transitions de N2 vers N1
– Si N1>N2, le photon incident induit des transitions de N1 vers N2 par
émission stimulée
– N1>N2  inversion de population ( Temp<0) ie l’état d’énergie
supérieur plus peuplé

Laser à SC
EFn --------
N1 ----
--
h
h
N2
+
+++
EFp +++++
États discrets États continus
Effet Laser : N1>N2 Ici EF > Eg

EF = EFC -EFV
Laser à SC : pertes par effet Auger
Dans le SC, le photon incident EFn --------

peut être absorbé par un électron ----
--
(ou trous) de la bande de conduction
qui « saute » sur un niveau énergétique h 1
plus haut: c’est l’effet Auger +

+++
Donc EFp +++++
Effet LASER :
EF > Eg et effet Auger (2) < Absorption normale (1)
Laser à SC
• Jonction PN doublement
dégénérée !
• La zone active plus côté
p que côté n (voir LED)

Laser à SC
• Différences entre laser conventionnel et SC

– La taille : du mètre au µm
– La Puissance : kW au W
– Cohérence spatiale et temporelle plus petites pour SC
– Rendement : meilleur pour le laser à SC (pas de
pompage)
– Possibilité de modulation : il suffit de moduler le
courant dans la pn !
– Tout le spectre de l’UV à l’IR accessible

Laser à SC : gain du Laser
• Gain (ou coeff d’amplification) du Laser: même

définition que le coefficient d’absorption
1 d(E) Avec (E) le flux de photons
g(E) 
(E) dx
• Soit rst(E) le nb de photons émis par émission
stimulée par unité de temps et de volume
d
rst(E)*S*dx = rst(E) dx = d  rst (E)
dx
1
g(E)  rst (E)

• Amplification:  g(E) >0  rst(E) >0  EFC-

EFV >E
• g(E) >0 condition nécessaire et pas suffisante car
il y a absorption par les porteurs libres (Auger)
g (E)   P (E)
Soit A(E) le gain net :
Si A(E) >0, condition
AA((EE))  gg((EE))PP((EE)) nécessaire et suffisante
• si A(E) < 0  LED ( uniquement émission
spontanée
• si A(E) > 0 l’amplification commence dans le
matériau. Or l’émission n’est pas isotrope!
p
Le photon 1 sera bcp plus amplifié

2
Zone 1
que le photon 2 car son chemin est
active
plus long  émission sera
directive
n Ce n’est pas encore un LASER
Laser à SC : diode superradiante
Led
2
1
n superradiante

Laser à SC
• Le SC a un indice n important (3.5). Il

existe une réflexion (R=30%)  des
photons vont « rebrousser » chemin et être
encore amplifiés : on a une cavité
résonnante on va donc encore augmenter
la densité de photons, mais attention, pas
« n’importe » lesquels !!!

Laser à SC: cavité de Fabry - Pérot
• Cavité de Fabry – Pérot : sélection de

modes d’oscillations :
k = 2 n L
n : indice du milieu (SC)

L : longueur de la cavité

Laser : condition d’oscillation
• en 1: 1 ( E )
n
• en 2: 2 ( E )  1e A( E ) L
1 2
• en 3: 3 ( E )  1e A ( E ) L R1 4
3

• en 4: 4 ( E )  1e 2 A( E ) L
R1
• en 5: 5 ( E )  1e
2 A( E ) L
R1 R2 p

Laser : conditions d’oscillation
En 5 et en 1, on est au même « endroit ».
2 cas :
• soit 5  1
n
• soit 5  1
Dans le cas où 5  1 , le système
1
peut diverger en théorie. 2
4
1
R1 R2e 2 AL  1  2 AL  ln 3
R1 R2 5
1 1
 A ln
2 L R1 R2
1 1 p
 A  ln Si R1=R2
L R
Laser
• Condition d’amplification : A(E) > 0
1 1
• Condition d’oscillation : A( E )  ln
L R
– Dans ce cas, le gain est supérieur aux pertes de la cavité
• Résumé:
– g(E) > 0 cond. nécessaire => LED
– g(E) >p(E) cond. suffisante (ampli) => LED superradiante
1 1
– g ( E )   P ( E )  ln cond. d’oscillation : Laser
L R
Laser
• Pour E>E0 : émission

spontanée : c’est une LED
• Si E<E1 et E>E’1
émission spontanée car
émission stimulée
« mangée » par P(E)
• E1<E<E2 et E’2<E<E’1
amplification mais pas
oscillation : superradiante
• E2<E<E’2 : laser

Laser: émission multimode

Laser:
Laser: émission
émission multimode
multimode
• La cavité sélectionne un certain nombre de

modes définis par:
2
2nL  kk
nL  
• n: indice, L: longueur de la cavité, k: ordre
d’interférence
2 dn 1 dn
dn 11
 11µµ pour
  (n   ) avec
avec pourGaAs
GaAs
2L d dd
Spectre monomode et multimode

Laser: distribution spectrale
• Le spectre du rayonnement LASER est donné par le

spectre du rayonnement stimulé rst(E):
 kT 
E  F
rst ( E )  rsp ( E ) 1  e  avec F  EFC  EFV

 
• Position de la raie du spectre stimulé: on dérive l’éq
ci-dessus.
• Le max est obtenu drst(E)/dE= 0
drsp ( E ) rsp ( E ) 1
 . F  E En inversion, F>E  pente >0
dE kT
rst max
e kT
1
Laser: distribution spectrale
• Le max de la raie de
l’émission stimulée se
trouve sur le flanc « basse
énergie » de la raie
d’émission spontanée
• Si F>>E (on augmente
l’excitation) exp ( )
tend vers l’infini 
drsp(E)/dE tend vers 0, ie
sommet de la raie
E.spontanée
Laser: distribution spatiale
l=10µm
• L’indice est plus fort dans la

région stimulée: L=100µm
– Amélioration du gain et du
confinement optique
• Émission du photon à
p
l’extérieur : sortent du coté L
• Longueur d’onde du 0.2 à 1 µm
rayonnement et largeur de la n
fente similaires (µm) 

réfraction
• Ouverture du faisceau
– horizontal 
1
h  
 6
l 10
– vertical  1
 v    60
Prof.M.AGHOUTANE e 1composants optoélectroniques 162
Laser: courant de seuil
m d e ut
n
tio
b
Dé
ca
i fi
oscillations
pl

l ’a
• Si pas inversion
LED, le flux est
proportionnel au
1000
courant
• Quand Ef atteint la
100
bande (BC et BV) et
que g(E) > p(E) 
surlinéarité du flux 10
E. spontanée
I0 I
• Équation régissant le problème:

– La recombinaison des e- est provoquée par les
photons population d’e- et de photons
interdépendantes.
– On pose
• n: l’excédent d’électrons (du à l’injection)
• N: l’excédent de photons

• Durée de vie des photons dans la cavité:
– Absorption
– Émission hors de la cavité
– Coefficient effectif d’absorption
1 1
 p  ln
2 L R1 R2
– En moyenne le photon est absorbé sur 1/

1/  1 c 1 1 
N    v   p  ln 
v N n 2 L R1 R2 

Perte globale de la cavité
ed 1 1 ed c  1 1  1
J th    p  log   g th
A  n  N A n nindice  2L R1 R2  
Gain au seuil
Facteur de gain, constante de la cavité
propre au composant

• Au-delà du seuil:
– Oscillation sur le mode sélectionné par la cavité
– Durée de vie des électrons excédentaires
diminue (proba émission stimulée augmente)
– Densité n=n0
J n
 AnN   0
n N
ed N (J  J0 )
J 0 n ed
n0 
ed
en0 d
J th 
n
• Courant de seuil est
proportionnel à l’épaisseur de
la cavité si la couche active
est suffisamment large !
• Si d plus petite que la
longueur d’onde d’émission,
le confinement optique
commence à décroître et le
courant de seuil augmente
• Si d de l’ordre de qq 100
Angstrom, effets quantiques

Laser: Confinement optique:
Zone active Onde optique
confinée
région p

cavité
F ( z ) dz
Constante diélectrique
région n
2
 F ( z) dz
Distance perpendiculaire à la cavité (z)
1 1
=> Condition d’oscillation: g   i  (1  ) e  log
2L R1 R2
Gain modal:
Laser: Confinement optique:

D 2
2 2
 avec D  ( n  n 2 1/ 2
e) d
2 D 2
 i
d=250 ang
2 2
sp  (ni2  n 2 ) d 2
2 e
N pd p
mp    N p sp
N p d p  N b db

Diode laser à hétérojonction enterrée

Diode laser monomode
• But: obtenir un rayonnement monofréquence

• Idée de base: réduire la longueur L de la cavité
jusqu’à ce que l’espacement entre 2 modes
longitudinaux (c/2nL) soit supérieur à la courbe de
gain.
• Difficultés:
– Cavité très courte (environ 5µm pour les laser à cavité
verticale = VCSELs)
– Contrôle strict de L pour stabiliser la raie
Diode laser monomode
2 dn 1
  (n   )
2L d
Ec Ec
Un seul mode sera amplifié d’énergie EC

 émission monomode

Laser à émission verticale : VCSELs
• Jusqu’à présent, on a étudié les lasers à

émission par la tranche (« edge emitting »)
• La condition d’oscillations laser s’écrit:
1 1
g   P  log
2L R1 R2
• Comme R=0.3, on doit avoir L de l’ordre de

100 µm pour avoir Jth raisonnable.
• Dans le cas de VCSELs, les miroirs sont

placés au dessus et au dessous de la couche
active on peut réduire L d’un facteur 10,
ie L = 10 µm.
• Pour maintenir un courant de seuil correct,
réalisation de miroirs avec des R=99% voir
plus !

On adapte le « pic »
de réflexion des DBR
en fonction de la
courbe de gain de la
couche active.
2
 n   2N
 1   r1  
  nr 2  
R 2N 
 1   nr1  
 n  
  r2  
Avec:
• nr1<nr2
• d1=d2
• Prof.M.AGHOUTANE
L de l’ordre de 10 composants optoélectroniques 176
• Avantages:
– Taille réduite du composant
– Lumière sort perpendiculairement (télécom)
– L petite, donc courant de seuil faible (< 100µA)
• Difficultés:
– Injection du courant (DBR dopés)
– Faible puissance de sortie (volume actif petit)!)
– Échauffement du dispositif (résistance importante
• Dégradation de performances
• Courant de seuil

• Modification de la condition
d’amplification:
gLeffi Leff
RR11RR22ee22((gLeff  ( L  Leff ))
i Leff e e ( L  Leff ))  1
1
Leff  N p d P
N P : nb de puits quantiques
d P : largeur des puits quantiques

Influence de la température
• Température et courant de seuil:
– Courant de seuil augmente
• « aplatissement » des fonctions de Fermi  augmentation de
l’injection pour atteindre les conditions d’inversion
– Augmentation du courant de fuite
• Les porteurs peuvent franchir les couches de confinement
(« cladding layers ») et une part du courant ne sert pas à l’effet
Laser
– Augmentation de l’effet Auger
• Processus non radiatif !
On essaye d’avoir
J th (T )  J exp(T / T0 )
0
th T0 le plus grand possible.
Pour GaAs , 120 K
Influence de la température
•• Température
Température et
et spectre
spectre d’émission
d’émission
–– Modification
Modification du
du gap:
gap:
•• Déplacement
Déplacementdu
duspectre
spectrevers
versles
lesbasses
bassesénergies
énergies
–– 33àà44Angstrom
Angstrom//KK
–– Modification
Modification du
du la
la cavité
cavité et
et des
des indices:
indices:
q 0
qq  2 L ; q 
nr

Rendements de la diode Laser
Rendement quantique interne: c’est pareil que pour la LED
NP
i 
Ne
Puissance optique interne: c’est la puissance créée par
émission stimulée. On néglige la puissance émise par
émission spontanée
Pint  i h ( I  I th ) / e
Pertes sur Pint: deux contributions
•Contribution proportionnelle aux pertes de

propagation : terme en Pint
•Contribution due à l’émission de lumière vers
l’extérieur: terme en rad Pint
Puissance optique émise par les 2 faces du Laser:
Popt  Pint rad /( rad   )  Pint (1   /  rad )

Popt  i h / e ( I  I th ) /(1   /  rad )

Rendement différentiel : deux définitions
dN P d ( Popt / h )
d    i /(1   /  rad ) Sans dimension
dN e d ( I / e)
d ( Popt )
 
'
d en mW/mA
dI
Attention : ici Popt est la puissance émise par les 2 faces!!
Dans les docs, c’est par une face!!
• Rendement global
  Popt / Pelec
C’est celui qui intéresse l’utilisateur. Il détermine les

mesures à prendre pour évacuer la chaleur.

Références:
Références:
• H.Mathieu Physique des SC et Composants électroniques, Dunod, 2002

• F. Schubert, Light emitting diodes, « www.lightemittingdiodes.org »
• J. Singh, optoelectronics devices, McGrawHill, 1996
• D.A. Neamen, « semiconductors physics and devices », McGrawHill, 3° Ed,
2003

Composants Opto

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Cours

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 1

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 8

EEf f EEi i EEphoton

ppi i  ppf f  ppphoton

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques   1

 kkff kkii  kkphoton

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 12

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 13

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 14

Hors équilibre retour équilibre

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 15

• Si  vie   les porteurs « ont le temps » de se

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 17

rst: taux d’émission stimulée

Soit un système à 2 niveaux Ei et Ej

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 20

B( E ' , E ' ' ) : proba pour la transition de E’ à E’’

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 21

Semi-conducteur Nature du Gap B (cm-3s-1)

Si indirect 1.8 10-15

GaP indirect 5.4 10-14

GaAs direct 7.2 10-10

InP direct 1.3 10-9

InAs direct 8.5 10-11

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 22

Émission stimulée: rst ( E )  rsp ( E ) 1  e  avec F  E f c  E f v

L’émission stimulée existe si rst(E) > 0

SC dégénéré n et p ou plutôt Efv ----------

 NN((EE)) 11ee ((EEFF))/ /kT

• Sous faible excitation d’un rayonnement(E>Eg):

Le semi-conducteur émet un rayonnement d’énergie E

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 26

En d’autres termes, 2 « chemins » possibles pour la recombinaison:

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 27

n, p concentration en excès d’e- et h+

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 28

R  R0  R  B (n0  n)( p0  p )  Rs t 0  Rst

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 29

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 30

• On attribue à ce type de recombinaisons,

• Les processus sont additifs.

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 33

• À la surface, états énergétiques spécifiques:

• Présences d’états de surfaces centres de

• À la surface, la densité de porteurs est plus

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 35

GaAs S = 106 cm/s

InP S = 103 cm/s

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 36

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 37

• Plusieurs moyens pour la création:

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 38

• Si E=h >Eg, il y a absorption  on définit le coefficient d’absorption 

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 40

• Taux de génération d’électrons g(E,x):

• Le taux de génération global g(x) (si pas

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 43

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 44

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques k=0 46

• Pour que le gain soit >0 (inversion de

Prof.M.AGHOUTANE composants optoélectroniques 47

• On a défini précédemment Rspon ( coef de