UE:COMPOP

PTEL

TD Chapitre 1 : Maatriaux pou
ur composaants optollectroniquees

Exercicen1:
Dtermineerlefficacitquantiqueetlasensibilitdun nephotodio odeunerradiationinncidentedee
longueur donde
d de 850
8 nm, sachant quee pour un fluxf incident de 3 10111 photons//s, 1.2 10111
lectronssontcollecttsparseco onde.

Exercicen2:
Un flux dee lumire i de 0.1 W/cm
W 2
, de 600 nm dee longueur donde, frappe une surface dee
siliciumdindicederfractionn==3.4:
1Quelleestleflu
ux0quipntrelemaatriauenxx=o?
2Quellleestlexpressiondufflux(w)p pourx=w?
3Quellleestlexprressionduffluxa(w)aabsorbsurrunepaissseurx=w?
4Querreprsenteceflux?
5Onsuupposequeecettelumireesttotaalementabssorbesuru unepaisseeurwde2etqueless
recomb binaisons so ont ngligeaables. Pour un rendem ment quantique de 0.4 4 dtermineer la valeurr
ducoefficientdab bsorptiondu usiliciumpo ourcettelongueurdonde.

Exercice n3:
n
Unephoto odiodeprsenteuneefficacitquantiquede 65%lorsq quelleesteexposedesphotonss
19
dnergiegale1,810 j.
1 Aqquellelongu ueurdondeetravailceccomposant ?
2 Calculerlapuissanceoptiqueinciden ntencessaairepourob btenirunphhotocouranttde20A.

Exercice n4:
n
Un substraat fin de GaA As, dnerggie de gap de d 1.43eV ett dindice de d rfractionn de 3.6, estt clair parr
un faisceauu de 10 mW W de lumire quasi monochroma
m atique de loongueur doonde = 63 30 nm pourr
4 -1
laquelle le coefficient dabsorptioon du matrriau est de 5. 5 10 cm .
Pour une paisseur
dee 1 m, dteerminer :
1 La puissance lumineuse absorbe
a paar le matriaau
2 La puissance gnre paar recombinnaisons radiiatives des porteurs aiinsi que le nombre dee
phootons gnrs par seconde, sachannt que seuleement 70% de paires dde porteurs gnres g see
recombinent de d faon raddiative

Exercice n5:
E
Un metteeur optiquee base de d GaP m met une raadiation daans le rougge (=0,699m) parr
introductioon du compllexe ZnO daans la rgioon active. Cee complexee est un exceellent pige lectronss
avec c = 10-7 s. Saachant que les dures de vie Aug ger a est de
d 1,3 s eet que la co onstante dee
-14 3 -1
recombinaison bandee bande B est de 5.4 10 1 cm s :
1 Quelle est la position du niveau dnergie
d asssoci ZnOO par rapport Ec et Ev
v?
2 Reprsenteer les diffrrents processus de reccombinaisonn qui ont liieu traverrs la bandee
interdite
3 Quel est lee processus de recombinnaison dom minant ?
4 Calculer lee rendementt interne du composantt

On donne : Eg = 2,25eeV et NA = 1018 cm-3.