Chapitre 4 : Condensateurs

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I Dfinitions
A) Condensateur
1) DeIinition

C`est un ensemble de deux conducteurs en inIluence totale (c'est-a-dire que
toute ligne de champ d`un des conducteurs aboutit sur l`autre)


2) Realisation

Theorique :

Pratique :

On a des eIIets de bord :
On peut les minimiser en prenant d e << (d : distance caracteristique de la
plaque), ou Iaire un anneau de garde :
isolant

Cela permet en quelque sorte de prolonger le condensateur, et ainsi les eIIets
de bord ne se Ieront sentir qu`a un endroit ou ce n`est plus gnant.


B) Capacite
1) DeIinition

1
Q
2
Q
ext
Q

Chapitre 4 : Condensateurs
Chapitre 4 : Condensateurs
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Pour la surIace en pointilles rouge, on a 0 = . Donc 0
2 1
= +Q Q
Et ) (
2 1 1
J J C Q = ; C : capacite du condensateur.
(Mme demonstration que dans le chapitre precedent en remplaant
2
J par

J )

2) Proprietes

- Unite : Farad.
- C`est une caracteristique geometrique.
- La valeur de C est positive.


II Condensation des charges
A) Intert du condensateur




1) Avec un conducteur seul dans l`espace

On part du conducteur non charge.
On apporte une premiere charge.
La deuxieme : plus dur car repoussee par la premiere.
La troisieme : encore plus dur.

Quand le condensateur est charge, on a E J = , RE Q
0
4 =
Avec cm 1 = R , kV 1 = E , on obtient C 10
9
= Q , ce qui est tres Iaible.


2) Avec un condensateur


C`est moins diIIicile de le charger, lorsque les plaques sont proches.
On a E
r r
r r
CE J J C Q
1 2
2 1
0 2 1
4 ) (

= = = (montre apres)
Donc Q augmente beaucoup plus lorsque
1 2
r r est assez petit.
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B) Augmentation de C.

On peut augmenter C en :
- Diminuant l`ecart entre les conducteurs
- Augmentant la surIace
- Mettant un milieu dielectrique (
0 0 0
>
r
)


III Association de condensateurs
A) Parallele


On a ) (
2 1
2 1
J J C Q Q
A A A
= = , ) (
2 1
2 1
J J C Q Q
B B B
= =
Donc
) (
) )( ( ) (
2 1 2 1
2 1
2 2 1 1
J J C Q Q
J J C C Q Q Q Q
B A B A B A
= =
+ = + = +
Donc l`association en parallele de deux condensateurs equivaut a un condensateur
unique de capacite la somme des deux autres.


B) Serie


On a ) (
2 1 2 1
A A A A A
J J C Q Q = = , ) (
2 1 2 1
B B B B B
J J C Q Q = =
Donc comme
1 2
B A
J J = ,
2 1
2 1
2 2 1 1
J J J J
C
Q
C
Q
C
Q
C
Q
B A
B
B
A
A
B
B
A
A
= =
|
|
.
|

\
|
+ = +

Dans l`espace entoure, sous l`hypothese que la charge totale est nulle, et en
supposant aussi que la charge est portee essentiellement par les deux armatures, on a
alors
1 2
B A
Q Q = , et donc :
2 1 1
1 1
J J
C C
Q
B A
=
|
|
.
|

\
|
+
Soit
B A
C C C
1 1 1
+ = .
Remarque : ) , inI(
B A
C C C
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IV Condensateurs usuels
A) Condensateur plan


- On Iait en sorte de pouvoir negliger les eIIets de bord (anneau de garde.)
- Ainsi, J ne depend que de :.
Le champ E

est uniIorme :
: :
u E J E


= = .
Comme 0 = E

, on a 0 =
d:
dE
:
.
D`ou
:
u E

0
1

=
- On a
2 1
2
1
J J l d E =
}


Donc
2 1
0
1
J J e =

Soit ) (
2 1
0
1
J J
e
S
Q =


Donc
e
S
C
0

=


B) Condensateur spherique

R
1
R
2

Par symetrie spherique, J ne depend que de r.
Donc
r r
u
r
Q
u r E E

2
0
1
4
) (

= = (en utilisant le theoreme de Gauss)

On a
2 1
2
1
J J l d E =
}


Donc
2 1
2
1
2
0
1
4
J J
r
dr Q
=
}

, soit
2 1
2 1 0
1
1 1
4
J J
R R
Q
=
|
|
.
|

\
|

Donc
1 2
2 1
0
4
R R
R R
C

=
Remarque :
Si
1 2
R R e << , on a
e
S
e
R
C
0
2
0
4

= = et on retrouve un condensateur plan

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C) Condensateur cylindrique


On Iait aussi en sorte de pouvoir negliger les eIIets de bords.
Par symetrie de revolution et invariance par translation verticale, J ne depend que
de r (des coordonnees cylindriques)
Donc
r r
u
r h
Q
u r E E

0
1
. 2
) (

= =
On a
2 1
2
1
J J l d E =
}


Donc
2 1
2
1
0
1
2
J J
r
dr
h
Q
=
}

, soit ) (
ln
2
2 1
1
2
0
1
J J
R
R
h
Q =


Donc
1
2
ln
2
0
R
R
h
C

=
Si e R R + =
1 2
avec 1
1
<<
R
e
, on a
1 1 1
2
1 ln ln
R
e
R
e
R
R

|
|
.
|

\
|
+ =
Donc ici encore
e
S
e
h R
C
0 1
0
. 2
= =


V Complments
A) Condensateur planconique

1) Methode 1

Potentiel :
Deja, par symetrie de revolution, J ne depend pas de (on se place en
coordonnees spheriques)
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On admet que J ne depend pas non plus de r, c'est-a-dire que les
equipotentielles sont des cnes de revolution.
Ceci est assez naturel, puisque c`est deja vrai pour un angle de et un
angle de
2

, et on voit mal comment les equipotentielles pourraient varier

autrement. Cette hypothese sera validee par le resultat, montre dans la methode 2,
sans Iaire cette hypothese.
Champ :
On a

u E u
d
dJ
r
J E


= = =
1

0
1
2
) , (

= r E (
1
depend de r)
On prend un tube de champ s`appuyant sur un cerceau partant du plan,
centre en 0, et Iinissant a l`angle ( > ) :

(On prend le debut de la surIace legerement en dessous du plan, pour
contenir des charges)
On a, d`apres le theoreme de Gauss :
0
1
. . 2 ) (
. sin . 2 ) , (

dr r r
dr r r E

=
(Le Ilux est nul partout sauI en haut)
Donc

sin
) (
) , (
0
1
r
r E

=
Circulation de E

:
2 1
2
1
J J l d E =
}


Soit
2 1
2
1
. J J d r E =
}

( ) [ ]
2 1
tan ln
2
1
0
1
2
2
sin
) (
J J
d r r
=

Donc ) ln(tan
) (
2
0
1
2 1

r r
J J

=
Soit
r
J J
r
1
) ln(tan
) (
) (
2
2 1 0
1


=

On a ainsi R
J J
rdr r Q
R
. 2
) ln(tan
) (
. 2 ) (
2
2 1 0
0
1 1

= =
}

Donc
) ln(tan
2
2
0

R
C

=
( 0 > C car
2

< )

Chapitre 4 : Condensateurs
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2) Methode 2

On note
1
J le potentiel du plan,
2
J celui du cne.
Alors :

= =
= =
=

si
si
0
2
2 1
2
J J
J J
J

Ici, toujours par symetrie, J est independant de (mais on n`admet plus
que J ne depend pas de r)
On cherche une solution par separation des variables :
) ( ) ( ) , ( r r J =
On trouve alors une solution veriIiant cte = , qui est la seule possible
d`apres Dirichlet.


B) Resistance de Iuite d`un condensateur spherique

Au lieu d`avoir du vide entre les deux conducteurs, on met un milieu dielectrique.
Ainsi, on a une meilleure capacite.

1) Dielectrique parIait
r

lie , 1 libre , 1 1
+ =
lie , 2 libre , 2 2
+ =

DeIinition de C :
On pose
2 1
libre , 1
J J
Q
C

=
Expression de C :
r
E

0
libre
=

, 0

= E
Donc on a la mme chose que dans le vide en remplaant
0
par
r

0

On n`a donc pas a tenir compte de la polarisation pour calculer la capacite C
du condensateur (mais il Iaut mettre
r

0
).


2) Resistance de Iuite

A part le vide, tout materiau est, mme legerement, conducteur. On a donc
quand mme une petite conductivite :
r

Chapitre 4 : Condensateurs
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A l`instant initial,
0
1 1
Q Q = ,
0
1 2
Q Q =
On peut modeliser le milieu par une resistance :

On cherche la resistance r, appelee resistance de Iuite.
Strategie :
On va utiliser la loi d`Ohm (locale) : E f

=
Champ electrique :
- E

n`est pas un champ electrostatique.

- On a
r
u t r E E

) , ( =
- D`apres le theoreme de Gauss,
r
Q
r E

0
1 2
. 4 = (les charges dans le dielectrique sont prises en compte par
r
)
Donc
r
r
u
r
Q
E

2
0
1
4
= (correspond a l`approximation des regimes quasi
permanents : ARPQ)
Tension :
C
t Q
R R
t Q
l d E J J
r
) ( 1 1
4
) (
1
2 1 0
1
2
1
2 1
=
|
|
.
|

\
|
= =
}



Intensite :
r
t Q
S d E S d E S d f I


0
1
) (
= = = =
}} }} }}


Resistance :
On a rI J J =
2 1

Donc
C
r
r
.
0

= , ou

r
C r
0
. =
Ce resultat s`applique a n`importe quel condensateur.


3) Decharge du condensateur

2 1
J J U =

On a
dt
dQ
I
1
= , et RCI J J C Q = = ) (
2 1 1
. Donc
dt
dI
RC I =
Ou
dt
dQ
RC Q
1
1
= , donc
RC t
e Q Q
/
1 1
0

= ; le condensateur se decharge avec

une constante de temps

r 0
= .
Chapitre 4 : Condensateurs
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C) Condensateur diedrique

1) Equipotentielles

Par symetrie, le plan mediateur est un plan equipotentiel.
Puis par dichotomie, tout plan equi- est une equipotentielle.
Donc ) ( J J =


2) Champ

On a

u f
r
u
d
dJ
r
J E


) (
1 1
= = =
Theoreme de Gauss :

On n`a du Ilux qu`a travers le couvercle :
0
1
) , (

dS
dS r E = =
Donc
0
1
) , (

= r E
Donc ) cte ( ) (
0
1
= =

r
f


3) Capacite

On a
0
1

r
d
dJ
=
Donc

0
1
2 1
r
J J = , soit ) (
1
2 1
0
1
J J
r
=

Puis ) ( ln ) (
1
2 1
0
2 1
0
1 1
J J
a
b h
hdr J J
r
dS Q
C
b
a
= = =
} }}