Diode jonction PN et ses applications

Les Semi-conducteurs

Les lectrons se rpartissent sur des orbites diffrentes qui forment des couches. Les couches
sont remplies par les lectrons dans un ordre bien dtermin. Quand cest possible,
les lectrons s'assemblent par paires sinon ils restent clibataires.

Du point de vue lectrique, c'est la couche priphrique qui est importante.

Structure d'un atome (silicium)

Les liaisons atomiques

Les atomes constituant la matire, se lient entre eux de manire lui donner une certaine
cohsion. Macroscopiquement, ces liaisons, appeles liaisons de valences, vont fournir
la consistance du matriau. Ainsi selon, entre autres, ces liaisons la matire sera sous forme
de gaz, liquide ou solide.
1

Les liaisons covalentes

Les atomes se lient entre eux en mettant en commun des lectrons clibataires de la couche
Priphrique (lectrons de valence). Ces lectrons s'associent en paires et constituent
une liaison, ils appartiennent en commun aux deux atomes. Ainsi, les liaisons obtenues sont
trs robustes : il faut une nergie importante pour les casser. Dans ce type de liaison, les
lectrons mis en commun restent trs lis aux atomes qui les fournissent. Ils ne peuvent
pas circuler facilement dans la matire.
Les liaisons mtalliques.
Dans ces liaisons, un grand nombre d'atomes mettent en commun des lectrons clibataires.
Les atomes ainsi dpouills de leur(s) lectrons(s) deviennent des particules non neutres
du point de vue lectrique (des ions). Ils forment un rseau cristallin et baignent dans un nuage
d'lectrons trs mobiles appels lectrons libres.
La conduction lectrique
Lorsqu'on applique un champ lectrique extrieur sur un matriau, il y a conduction lectrique
sil y a circulation d'un courant lectrique dans ce matriau.

Dplacement de charges dans un matriau.

2

Les isolants : Dans le cas des matriaux isolants, on a des liaisons de type covalente. Les lectrons
clibataires de la couche priphrique forment tous des liaisons avec leurs homologues issus d'autres
atomes voisins. Les charges potentiellement mobiles (les lectrons) restent lies aux atomes auxquels elles
appartiennent. Mme si on applique un champ lectrique ces matriaux, aucun courant lectrique ne
circule, car les charges ne sont pas mobiles (sauf pour des champs trs intenses).

Les conducteurs : Les liaisons des atomes composant les matriaux conducteurs sont de type mtallique,
chaque atome libre un lectron qui peut circuler librement dans le cristal. En l'absence de champ lectrique
extrieur, ces lectrons se dplacent, dans un mouvement chaotique, plus ou moins important en fonction de
la temprature. Statistiquement, la moyenne de tous les dplacements est nulle : il n'y a pas de courant
lectrique.
Par contre, ds qu'on applique un champ lectrique extrieur au matriau conducteur, les lectrons vont
circuler dans un sens dtermin par le sens du champ lectrique, crant ainsi un courant.

Quelques formules

U R.I

ne

v .E

I nevS neES

1
ne

JI

neE

J E

Semi-conducteur :
Les semi-conducteurs se situent entre les conducteurs et les isolants. Un semi conducteur est constitu par
un rseau cristallin de matriau trs pur (soit des lments de la colonne 4 du tableau priodique, soit des
combinaisons de matriaux des colonnes 3 et 5). Les atomes sont lis entre eux par des liaisons covalentes.
Pour arracher des lectrons des atomes, il faut fournir une nergie de lordre de 1eV (0,1eV pour les
conducteurs et 5eV pour les isolants).

Liaisons dans un cristal de silicium

En lectronique, Les trois principaux semi-conducteurs les plus utiliss sont :

le silicium (Si) : c'est le matriau le plus utilis pour la fabrication des composants lectroniques

le germanium (Ge) : il est dutilisation plus limite (trop sensible en temprature, courants de fuite importants)
l'arsniure de gallium (AsGa) : il est trs utilis dans la fabrication de composants optolectroniques,
il permet aussi de fabriquer des composants plus rapides que ceux en silicium. Ces applications sont
Cependant relativement rares.
4

Les semi-conducteurs extrinsques

Pour augmenter la conductivit des semi-conducteurs et les rendre utilisables, un certain nombre
d'impurets (atomes trangers) sont introduits dans la structure cristalline. Le processus d'introduction
d'impurets (par diffusion, pitaxie ou implantation ionique) s'appelle dopage, et donne naissance aux
semi-conducteurs dops (ou extrinsques).

L'ordre de grandeur pour le dopage est d'un atome d'impuret pour 106 109 atomes de semi-conducteur
Ainsi la conductivit du semi-conducteur dop est dtermine par la nature et la concentration en atomes
d'impurets. Ces atomes d'impurets sont des lments chimiques de troisime valence (trois lectrons
priphriques - groupe III: B, Bore; In, Indium) ou de cinquime valence (cinq lectrons priphriques groupe V: P, Phosphore; As, Arsenic; Sb, Antimoine).

L'introduction d'un atome de cinquime valence (atome donneur), dans le cristal du silicium, provoque la
libration d'un lectron. L'atome de l'impuret, pour sa part, devient un ion positif fixe. Le semiconducteur ainsi dop est de type N ( porteurs majoritaires ngatifs).

L'introduction d'un atome de troisime valence (atome accepteur), dans le cristal du silicium, provoque
la cration d'un trou, puisque sa liaison avec les quatre atomes de silicium est incomplte. L'atome de
l'impuret, pour sa part, devient un ion ngatif fixe. Le semi-conducteur ainsi dop est de type P (
porteurs majoritaires positifs).
5

La jonction PN.
La jonction PN est la base de la plupart des applications des semi-conducteurs. Elle est cre par la mise
en contact d'un semi-conducteur de type P et d'un semi-conducteur de type N. Dans la zone de contact, les
lectrons libres du segment N pntrent dans le segment P et se recombinent avec les trous. De mme, les
trous du segments P pntrent dans le segment N et se recombinent avec les lectrons. Ce phnomne est
appel diffusion.

Il en rsulte, au niveau de la transition des segments, l'apparition d'une zone exempte de charges
mobiles, o seuls demeurent les atomes d'impurets fixes (ions accepteurs dans le segment P, ions
donneurs dans le segment N) et les atomes de semi-conducteur neutres. Les charges constitues par les
ions fixes sont l'origine d'un champ lectrique E dans la zone de transition, et par la mme d'une
diffrence de potentiel Vo (appele barrire de potentiel) aux bornes de cette zone. Le champ lectrique
E tend maintenir les porteurs majoritaires dans leurs rgions respectives et s'oppose ainsi la cause qui
lui donne naissance, ce qui conduit un tat d'quilibre.

Cependant, le champ lectrique E n'interdit pas le passage des porteurs minoritaires prsents dans les
segments de type P et N (courant de "saturation" Is). Ce mouvement est toutefois quilibr par les porteurs
majoritaires qui possdent l'nergie Wo = eVo ncessaire au franchissement de la barrire de potentiel.
7

Expression et ordre de grandeur de la barrire de potentiel:

La valeur de la barrire de potentiel est trs dpendante de la temprature. La concentration intrinsque

ni augmente trs rapidement avec la temprature (elle double tous les 7C pour le silicium et tous les
10C pour le germanium). C'est cette dpendance qui prdomine, dterminant un coefficient de
temprature ngatif pour Vo, de l'ordre de -2,2 mV/K.
8

La diode jonction PN, principes gnraux.

La diode jonction PN est un composant form par la succession suivante de matriaux:
mtal, semi-conducteur de type P, semi-conducteur de type N, mtal. L'lectrode mtallique en contact
avec le semi-conducteur de type P s'appelle anode (A), celle au contact du semi-conducteur de type N,
cathode (K).

Polarisation de la diode.

Puisque la diode possde deux lectrodes, deux possibilits de polarisation existent.

Diode polarise en direct.

Une diode est polarise en direct lorsque la tension VD (impose par un circuit extrieur) applique
entre l'anode et la cathode est positive (VD=VAK). Cette tension provoque une diminution de la
barrire de potentiel de la jonction PN, favorisant une circulation des porteurs majoritaires travers la
jonction: un courant ID positif apparat entre l'anode et la cathode, dpendant de la valeur de la tension
VD. La diode est dite passante. Par convention, la tension et le courant de diode sont qualifis de
tension et courant direct (d) ou forward (F).

10

 Diode polarise en inverse.

Une diode est polarise en inverse lorsque la tension VD (impose par un circuit extrieur) applique
entre l'anode et la cathode est ngative. Cette tension provoque une augmentation de la barrire de
potentiel de la jonction PN. La diffusion des porteurs majoritaires travers la jonction diminue trs
fortement. Seule la circulation des porteurs minoritaires existe: le courant ID entre l'anode et la cathode
devient ngatif et est presque indpendant de la valeur de la tension VD. La diode est dite bloque.

La valeur thorique du courant de diode ID est -Is (Is: courant de "saturation" de l'ordre de 10-12 A).
En pratique, la valeur de ID est plus importante (-10-9 A -10-6 A) cause d'un courant de fuite d
l'irrgularit surfacique de la jonction.

11

1. Les Diodes
1.1 Dfinition

Id

Id

Caractristique courant-tension
dune diode idale :

Vd

sous polarisation directe

(Vd0), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)

Vd
sous polarisation inverse (Vd<0)
la diode = circuit ouvert
Le courant Id ne peut passer que dans un sens.
Ce type de composant est utile pour raliser des fonctions lectroniques telles que le
redressement dune tension, la mise en forme des signaux (crtage, ).
La diode (mme idale) est un composant non linaire
Aujourdhui la majorit des diodes sont faites partir de matriaux semi-conducteurs
(jonction PN ou diode Schottky, cf cours Phys. et Tech. des SC 1A et Option: Physique des
12
dispositifs lectroniques base de SC, 2A)

1.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium

hyp: rgime statique
(tension et courant
indpendants du
temps)

Id
140

comportement linaire

100
60
20

Is
-2

-1.5

-1

-0.5

0.5

Vo1

Vd

Pour Vd <0, la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA - 1A ,

la diode est dite bloque
dans ce domaine son comportement est approximativement linaire
le courant inverse, Is , augmente avec la temprature
Pour Vd >> ~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation peu prs linaire
la diode est dite passante
mais Id nest pas proportionnel Vd (il existe une tension seuil~ Vo)

13

Id
140
100
60
20
-2

-1.5

-1

-0.5

0.5

Vo1

Vd

Zone du coude : Vd [0,~ Vo] : augmentation exponentielle du courant

V
I d I s exp d
VT

avec 1 2 (facteur didalit)

1
VT = k T/e
-23

k = 1,38 10 J/K= constante de Boltzmann

e= 1.6 10-19Coulomb, T la temprature en Kelvin
Is = courant inverse

le comportement est fortement non-linaire

forte variation avec la temprature
! VT (300K) = 26 mV / Diode idale car comportement identique celle prvue pour une jonction PN
14

Limites de fonctionnement :
Zone de claquage inverse

Id

Ordre de grandeur :
Vmax = quelques dizaines de Volts

Vmax
Vo

! peut conduire la destruction pour une

diode non conue pour fonctionner dans
cette zone.
! Vmax = P.I. V (Peak Inverse Voltage) ou
P.R.V (Peak Reverse Voltage)

VdId=Pmax
Vd

claquage par effet

Zener ou Avalanche

Limitation en puissance (1/2W pour les diodes standards)

Il faut que VdId=Pmax
Influence de T :

diode bloque : Id = IS double tous les 10C (diode en Si)

diode passante : Vd ( Id constant) diminue de ~2mV/C

15

1.3 Diode dans un circuit et droite de charge

Point de fonctionnement
Comment dterminer la tension aux bornes dune diode insre dans un circuit et le
courant qui la traverse?

Id
Val

Vd

RL VR

Id , Vd, ?

Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff

Id et Vd sont sur la caractristique I(V) du composant

Au point de fonctionnement de la diode, (Id,Vd) remplissent ces deux conditions

16

Droite de charge

Val Vd
Loi de Kirchoff : I d
RL

= Droite de charge de la diode dans le circuit

Caractristique I(V)

Id
Val/RL

IQ

Q= Point de fonctionnement

Droite de charge

Vd
VQ

Val

Connaissant Id(Vd) on peut dterminer graphiquement le point de fonctionnement

! procdure valable quelque soit la caractristique I(V) du composant !
On peut calculer le point de fonctionnement en dcrivant la diode par un modle simplifi.
17

1.4 Modles statiques hyp: Id, Vd constants ou variation lente (pas deffets transitoires).
=modles grands signaux, basses frquences

Modle de premire approximation: Diode idale

On nglige lcart entre les caractristiques relle et idale

Id
pas de tension seuil
conducteur parfait sous polarisation directe
Vd <0: circuit ouvert

Id

Vd

Vd

Schmas quivalents :

Id

Ri

pente=1/Ri
Val

Vd

Val >0
Ri

V
I d al , Vd 0
Ri

Val

Val

Id
Val< 0

Ri

Vd
Val

diode passante
Id 0

Val

diode bloque
Vd 0

I d 0, Vd Val
18

Modle amlior de seconde approximation

tension seuil Vo non nulle
caractristique directe verticale
(pas de rsistance srie)
Vd <0: circuit ouvert

Id

Id
Vd

Vd
Vo

! Pour une diode en Si: Vo 0,6-0,7 V

schmas quivalents :
Schmas quivalents

Id

Ri
pente=1/Ri

Val

Vd

Val >Vo
Ri

V Vo
I d al
, Vd Vo
Ri

Vo Val

Val

Id
Val<Vo

Ri

Vd
Val

diode passante
V Id 0

Val

diode bloque
Vd Vo

I d 0, Vd Val
19

Modle de 3ime Approximation

tension seuil Vo non nulle
rsistance directe Rf non nulle
Vd <0: rsistance Rr finie

Caractristique relle
pente = 1/Rf

Id

Vd

pente = 1/Rr~0

! Pour une diode en silicium,

Vo = 0,6-0.7V, Rf ~ q.q. 10W,
Rr >> MW,

Modlisation
Vd

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1

Vo

Schmas quivalents
schmas quivalents :

Id
Val >Vo :

pente=1/Ri

Vd

Ri
Val

Vo
Vd

Vo Val

Id

diode passante
I d 0 et Vd Vo

Rf

Vd Vo R f I d

Id
Ri

Val <Vo :

Vd
Val

diode bloque

Val

Rr

Vd Vo

20

Remarques :

V
Rf d
Id

Le choix du modle dpend de la prcision requise.

Les effets secondaires (influence de la temprature, non-linarit de la

caractristique inverse, .) sont pris en compte par des modles plus volus
(modles utiliss dans les simulateurs de circuit de type SPICE).

21

Calcul du point de fonctionnement via lutilisation des schmas quivalents :

Problme: le schma dpend de ltat (passante ou bloque) de la diode. Il y a deux schmas
quivalents possibles Lequel est le bon?

Dmarche (pour dbutant...):

a) choisir le schma (ou tat) le plus vraisemblable (en vous aidant par
exemple de la droite de charge)
b) calculer le point de fonctionnement Q de la diode
c) vrifier la cohrence du rsultat avec lhypothse de dpart
Sil y a contradiction, il y a eu erreur sur ltat suppos de la diode.
Recommencer le calcul avec lautre schma.
Dmarche pour tudiants entrans...
Un coup dil attentif suffit pour deviner ltat (passant/bloqu) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schma quivalent...

22

Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 2ime approximation pour la diode.

50 W
5V

hypothse initiale : diode passante

50 W

1kW

0,6V

50 W
5V

[Vd >Vo , (Id>0)]

ID

50 W

1kW

Diode en Si :Vo = 0.6V

OK!

I d 1,85 mA
Vd 0,6V
En partant de lhypothse dune diode bloque: Vd 2,5V Vo
En utilisant la 3ime approximation: (Rf = 15W, Rr = 10MW)

I d 1,82mA et Vd 0,63V

Rem: Refaites le calcul aprs avoir remplace la rsistance de 1kW par 10W

23

Autres exemples :
1)

Calcul de Id et Vd

50W
Val

Rc

Diode au Si

pour :
a)Val = -5V, Rc = 1kW
b) Val = 5V, Rc = 1kW
c) Val= 1V, Rc = 1kW
d) Val= 1V, Rc = 10W

Conseil: simplifier le circuit dabord avant de vous lancer dans des calculs

2)

D1

D2

2V

100 W

Diode au Si

50W

3)
1V

Diodes au Si
24

1.5 Modles dynamiques

Modle petits signaux, basses frquences

Variation suffisamment lente pour que ID(VD) soit toujours en accord avec la
caractristique statique de la diode.
Variation de petite amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :
la caractristique Id(Vd) peut tre approxime par la tangente en Q
pente :

dI d
dVd Q

Id

I dQ

id

dI d
vd
dVd Q

schma quivalent dynamique

correspondant au point Q :
2|id|

Q
Vd
Vo

2| v|

dI d
dVd Q

= rsistance dynamique
de la diode

VdQ
! Ce schma ne peut tre utilis QUE pour une analyse dynamique du circuit !

25

 Notation :

rf =

dI d
dVd V 0
d

rr =

dI d
dVd V 0
d

= rsistance dynamique pour VdQ> 0

= rsistance dynamique pour VdQ < 0

Pour Vd >> Vo, rf Rf

1

Pour Vd [0, ~Vo] ,r f

dI d
dVd V

Vd

d
VT

I
e

I
s
dVd s

VT
Id

Pour Vd < 0 , rr Rr

! temprature ambiante :

rf

25
W
I d mA

26

Exemple :
1kW

5V

Vd(t)

ve

ID

Analyse statique :

rf

Analyse dynamique :

ve 0,1 sin 103 2 t

Ra 10F

Ve

diode: Si, Rf = 10W , Vo = 0,6V ,

Temprature : 300K

Rb
2kW

5 0,6
2,2mA,
2000

VD 0,62V

26
12W, Zc 16W Ra
2,2

Schma dynamique :

1kW

ve

2kW

vd 1,2 103 sin 103 2 t

Amplitude des ondulations rsiduelles : 1,2 mV

vd
~ 12W

27

 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation directe (VdQ >0)

Une petite variation de Vd induit une grande variation Id, cest --dire des charges qui
traversent la diode
A haute frquence, des charges restent stockes dans la diode (elle narrivent pas suivre les
variations de Vd)
~ Comportement dun condensateur, dont la valeur augmente avec Id
Modle petits signaux haute frquence (Vd >0) :

capacit de diffusion
Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF 1mA, 300K.

28

suite de lexemple prcdent:

5V
1kW

A quelle frquence la capacit dynamique commence-t-elle

influencer la tension vd ?

Rb
2kW

Id = 2,2mA Cdiff ~100nF

Ra 10F

Vd(t)

ve

Schma dynamique en tenant compte de Cdiff :

1kW

rth ~11W

~ 12W
ve

Cdiff

vth

v
log
vth

Cdiff

= filtre passe-bas

-3dB
log f
f 1

2rthCdiff

130kHz 29

 Variation de Vd de faible amplitude, sous polarisation inverse (VdQ < 0) :

Modle petits signaux haute frquence (Vd < 0) :

rr

Ct

1
= capacit de transition ou dpltion
Vd Vo

Ordre de grandeur : ~pF

30

phnomne Zener : les lectrons sont arrachs aux atomes directement par le champ lectrique dans la zone de
transition et crent un courant qui devient vite intense quand la tension Vd atteint une valeur Vz dite tension Zner.

phnomne d'avalanche : quand le champ lectrique au niveau de la jonction devient trop intense, les lectrons
acclrs peuvent ioniser les atomes par chocs, ce qui libre d'autres lectrons qui sont leur tour acclrs
Il y a divergence du phnomne, et le courant devient important.

Si on construit la diode pour que le phnomne Zner l'emporte sur le phnomne d'avalanche
(en s'arrangeant pour que la zone de transition soit troite), on obtient une diode Zner.

On utilise alors cette diode en polarisation inverse. L'effet zner n'est pas destructif dans ce cas. Ces
diodes sont trs utilises pour la rgulation de tension.

31

1.6 Quelques diodes spciales

Diode Zener (Rgulation de tension)
Diode conue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractrise par une tension
seuil ngative ou tension Zener (VZ)
Caractristiques
VZ : tension Zener (par dfinition: VZ >0)
Id

-Vz

Vd

Imin : courant minimal (en valeur absolue) au del

duquel commence le domaine linaire Zener

-Imin
Imax : courant max. support par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

-Imax

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax rgime de fonctionnement

32

 schmas quivalents

Modle statique :

hyp : Q domaine Zener

Vd
Id
-Vz

Id

Rz

Vd

Vz

-Imin
Modle dynamique, basses frquences, faibles
signaux :

Q
pente
1/Rz
-Imax

dI

rz
dV
d Q

Rz

pour |Id| >Imin

33