Electronique Analogique

Electronique Analogique
UNIVERSITE DE LA MANNOUBA
Premire anne-II1
A.U. 2012-2013
2
Contenu du cours d lectronique analogique

1. Les Diodes et applications des diodes

2. Le Transistor bipolaire et applications

3. Les Amplificateurs oprationnels et applications

Chapitre 1
3

Les Diodes
4
I
d

V
d

1.1 Dfinition
Caractristique courant-
tension dune diode idale :
I
d

V
d

sous polarisation directe
(V
d
>0), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)
sous polarisation inverse (V
d
<0)
la diode = circuit ouvert
Le courant I
d
ne peut passer que dans un sens.

Ce type de composant est utile pour raliser des fonctions lectroniques telles que le
redressement dune tension, la mise en forme des signaux (crtage, ).

La diode (mme idale) est un composant non-linaire

5
1.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium
hyp: rgime statique
(tension et courant
indpendants du
temps)
V
d

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
20
60
100
140
I
d

I
s

Pour V
d
<0, la diode se comporte comme un bon isolant : I
s
~ 1 pA - 1A ,
la diode est dite bloque
dans ce domaine son comportement est approximativement linaire
le courant inverse, I
s
,

augmente avec la temprature
comportement linaire
Pour V
d
>>~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation peu prs linaire
la diode est dite passante
mais I
d
nest pas proportionnel V
d
(il existe une tension seuil~ V
o
)
V
o

6
V
d

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
20
60
100
140
I
d

(
|
|
.
|
\
|
~ 1 exp
T
d
s d
V
V
I I
q
Zone du coude : V
d
e[0,~ V
o
] : augmentation exponentielle du courant
avec 1sqs 2 (facteur didalit)
V
T
= k T/e
k = 1,38 10
-23
J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10
-19
Coulomb, T la temprature en Kelvin
I
s
= courant inverse
le comportement est fortement non-linaire
forte variation avec la temprature
V
o

! V
T
(300K) = 26 mV / Diode idale car comportement identique celle prvue pour une jonction PN
7
Zone de claquage inverse
Ordre de grandeur :
V
max
= quelques dizaines de Volts
! peut conduire la destruction pour une
diode non conue pour fonctionner dans
cette zone.
! V
max
= P.I. V (Peak Inverse Voltage) ou
P.R.V (Peak Reverse Voltage)
I
d

V
d

V
max

claquage par effet
Zener ou Avalanche
V
o

Limites de fonctionnement :
Il faut que V
d
I
d
=P
max

Limitation en puissance
V
d
I
d
=P
max
I nfluence de T :
V
d
( I
d
constant) diminue de ~2mV/C
diode bloque : I
d
= I
S
double tous les 10C
diode passante :
(diode en Si)
(1/2W pour les diodes standards)
8
1.3 Diode dans un circuit et droite de charge
Point de fonctionnement
V
al

R
L

V
R

I
d

I
d
, V
d
,

?
Comment dterminer la tension aux bornes dune diode insre dans un circuit et le
courant qui la traverse?
V
d

I
d
et V
d
respectent les Lois de Kirchhoff
I
d
et V
d
sont sur la caractristique I(V) du composant
Au point de fonctionnement de la diode, (I
d
,V
d
) remplissent ces deux conditions
9
V
al
/R
L

V
al

Droite de charge
I
d
V
d
Caractristique I(V)
Droite de charge
Loi de Kirchoff :
L
d al
d
R
V V
I
= =Droite de charge de la diode dans le circuit

Connaissant I
d
(V
d
) on peut dterminer graphiquement le point de fonctionnement
! procdure valable quelque soit la caractristique I(V) du composant !
On peut calculer le point de fonctionnement en dcrivant la diode par un modle simplifi.
Q=Point de fonctionnement I
Q

V
Q

Q
1.3 Diode dans un circuit et droite de charge
10
Modle de premire approximation: Diode idale
On nglige lcart entre les caractristiques relle et idale
V
al
>0
I
d

V
d

V
al

pente=1/R
i

V
al
<0
I
d

V
d

V
al

V
al

R
i

I
d

V
d

I
d

V
d

pas de tension seuil
conducteur parfait sous polarisation directe
V
d
<0: circuit ouvert
diode bloque
0 <
d
V
al d d
V V I = = , 0
V
al

R
i

Schmas quivalents :
V
al

R
i

0 , = =
d
i
al
d
V
R
V
I
diode passante
0 >
d
I
1.4 Modles statiques
11
Modle amlior de seconde approximation
I
d

V
d

I
d

V
d

tension seuil V
o
non nulle
caractristique directe verticale
(pas de rsistance srie)
V
d
<0: circuit ouvert
V
o

V
al

R
i

V
o

schmas quivalents :
diode passante
0 >
d
I
I
d

V
al

R
i

V
al
<V
o

V
d

V
al

o d
i
o al
d
V V
R
V V
I =
= ,
diode bloque
o d
V V <
al d d
V V I = = , 0
V
al

R
i

Schmas quivalents
V
al
>V
o

I
d

V
d

V
al

pente=1/R
i

V
o

! Pour une diode en Si: V
o
~ 0,6-0,7 V
12
Modle de 3
ime
Approximation
I
d

V
d

tension seuil V
o
non nulle
rsistance directe R
f
non nulle
V
d
<0: rsistance R
r
finie
V
d

1
V
o

Modlisation
pente = 1/R
f

pente = 1/R
r
~0
Caractristique relle
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
Schmas quivalents
I
d

V
d

V
al

pente=1/R
i

V
o

V
al
>V
o
:
V
al

R
i

I
d

V
d

V
al
R
r

diode bloque
V
al
<V
o
:
o d
V V <
V
al

R
i

diode passante
V
o

R
f

schmas quivalents :
o d d
V V I > > et 0
d f o d
I R V V + =
V
d

I
d

! Pour une diode en silicium,
V
o
= 0,6-0.7V, R
f
~ q.q. 10O,
R
r
>> MO,
13
Remarques :

d
d
f
I
V
R =
Le choix du modle dpend de la prcision requise.
Les effets secondaires (influence de la temprature, non-linarit de la
caractristique inverse, .) sont pris en compte par des modles plus volus
(modles utiliss dans les simulateurs de circuit de type SPICE).
14
Variation suffisamment lente pour que I
D
(V
D
) soit toujours en accord avec la
caractristique statique de la diode.

Variation de petite amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :
la caractristique I
d
(V
d
) peut tre approxime par la tangente en Q

d
Q
d
d
d
v
dV
dI
i ~
schma quivalent dynamique
correspondant au point Q :

1
Q
d
d
dV
dI
= rsistance dynamique
de la diode
I
d
V
d
V
o

Q
Q
d
d
dV
dI
pente :
Q
d
I
Q
d
V
2|i
d
|
2, v|
Modle petits signaux, basses frquences
! Ce schma ne peut tre utilis QUE pour une analyse dynamique du circuit !
1.5 Modles dynamiques
15
Notation :
r
f
= = rsistance dynamique pour V
d
Q
> 0
r
r
= = rsistance dynamique pour V
d
Q

< 0
1
0
>
d
V
d
d
dV
dI
1
0
<
d
V
d
d
dV
dI
! temprature ambiante :
( )
( ) 1
25
= O ~ q
mA I
r
d
f
Pour V
d
>> V
o
, r
f
~ R
f

Pour V
d
< 0 , r
r
~ R
r

Pour V
d
e [0, ~V
o
] ,
d
T
s
V
V
s
d
V
d
d
f
I
V
I e I
dV
d
dV
dI
r
T
d
d
q
q
=
(
(
(
|
|
|
.
|
\
|
~ =
1
1
! proche de V
o
la caractristique I(V) scarte de la loi exponentielle
r
f
ne devient jamais infrieure R
f
(voir courbe exprimentale, p27)
16
Exemple :
V
d
(t)
V
e

v
e

R
a

1kO
C
10F
D
R
b

2kO
5V
Analyse statique : V V mA I
D D
62 , 0 , 2 , 2
2000
6 , 0 5
~ =
~
diode: Si, R
f
= 10O , V
o
= 0,6V ,
Temprature : 300K
( ) t v
e
= t 2 10 sin 1 , 0
3
Analyse dynamique : , 12
2 , 2
26
O = ~
f
r
a c
R Z << O =16
Schma dynamique :
1kO
v
e

2kO
~ 12O
v
d

( ) t v
d
~
t 2 10 sin 10 2 , 1
3 3
Amplitude des ondulations rsiduelles : 1,2 mV
17
Ordre de grandeur : V
Z
~1-100 V , I
min
~0,01- 0,1mA, P
max
rgime de fonctionnement
Diode conue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractrise par une tension
seuil ngative ou tension Zener (V
Z
)
Diode Zener
-I
max

I
max
: courant max. support par la diode
(puissance max:P
max
~V
Z
I
max
)
-V
z

V
Z
: tension Zener (par dfinition: V
Z
>0)
-I
min

I
min
: courant minimal (en valeur absolue) au del
duquel commence le domaine linaire Zener
I
d

V
d

Caractristiques
1.6 Quelques diodes spciales
18
I
d

V
d

-V
z

-I
min

-I
max

pente
1/R
z

schmas quivalents
hyp : Q e domaine Zener
Q
Modle statique :

V
z

V
d

I
d

+
R
z

Modle dynamique, basses frquences, faibles
signaux :
z
Q
d
d
z
R
dV
dI
r ~
(
(
=
1
pour |I
d
| >I
min

19
Diode lectroluminescente (ou LED)
Principe : La circulation du courant provoque la luminescence
Fonctionnement sous polarisation directe (V > V
o
)

Lintensit lumineuse courant lectrique I
d

! Ne fonctionne pas avec le Si (cf. cours Capteurs)

V
o
= 0.7V ! (AsGa(rouge): ~1.7V; GaN(bleu): 3V)

20
Sous polarisation inverse, la photodiode dlivre un courant proportionnel
lintensit de la lumire incidente.
Diode Schottky
Une diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension V
o
trs bas et un temps de
rponse trs court.
Diode Varicap
Une varicap est une diode capacit variable. Elle utilise la variation de C
t
avec V
d

en polarisation inverse.
Photodiode
21
Limiteur de crte (clipping)
Fonction : Protger les circuits sensibles (circuits intgrs, amplificateur grand gain) contre
une tension dentre trop leve ou dune polarit donne.
Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode.
Clipping parallle
V
e
V
g

circuit
protger
R
g

Z
e

(diode // charge)
Clipping srie :
V
e
(t)
circuit
protger
Z
e
V
g

R
g

V
e
ne peut dpasser significativement V
o

I
e
ne peut tre ngatif
I
e

1.7 Applications des Diodes
22
Protection par diode :

V
max<0
~ - 0.7V

V
A
s ~20,7V

! la conduction de la diode
engendre un courant
transitoire et diminue la
tension inductive.
+20V
V
I
+20V
L
I
V
ouverture de linterrupteur :

V
A
+

risque de dcharge lectrique
travers linterrupteur ouvert

! Linterrupteur pourrait tre un
transistor...
=
dt
dI
L V
Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture dun relais)
A
23
Alimentation
Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour lalimentation dun appareil en tension continue partir du secteur)
Objectif:
Les fonctions effectues par une alimentation :
Redressement
Filtrage passe-bas Rgulation
V>0
V<0
24
Redressement simple alternance
220V
50Hz
R
c
V
s

7 . 0 ~
m
V
V
s

t
(cf avant)
R
i
=rsistance de sortie du transformateur
V
m
=amplitude du signal du secondaire
Redressement double alternance (pont de Graetz)
D
1

D
2

D
3
D
4

R
R
c

V
i
V
s

V
i

t
V
s
,
V V
i
4 . 1 <
~1.4V
25
avec filtrage :
avec condensateur
sans condensateur
D
1
D
2

D
3
D
4

R
V
s

50 O
R
c
=
1
0
k
O

V
i

200F
Charge du condensateur travers R
et dcharge travers R
c

RC << R
c
C
ondulation rsiduelle
26
Autres configurations possibles :
! mauvais rendement, puisqu
chaque instant seule la moiti du
bobinage secondaire est utilis
secteur
~
transformateur
point milieu
Utilisation dun transformateur point milieu :
secteur
~
+V
al

-V
al

masse
Alimentation symtrique :
27
Restitution dune composante continue (clamping) ou circuit lvateur de tension
Dcaler le signal vers les tensions positives (ou ngatives)
reconstitution dune composante continue (valeur moyenne) non nulle
Fonction :
Exemple :
V
c

V
g
(t)
C
V
d

D
R
g

Lorsque V
g
- V
c
<0.7, la diode est bloque
V
c
=constant (C ne peut se dcharger!)

V
d
=V
g
+V
c

V
g

R
g

C
V
c

V
d

~ composante continue
Fonctionnement : (hyp: diode au silicium)
Lorsque V
g
- V
c
>~0.7V

, la diode est passante
C se charge et V
c
tend vers V
g
0.7

V
d
~ 0.7
V
g

R
g

C
V
c

V
d
~0.7V
I
28
V
c

V
g
(t)
C
V
d

D
R
g

Cas particulier :
( ) 0 pour sin > = t t V V
m g
e
0 pour 0 < = t V
c
(C dcharg)
Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge
t (s)
C=1F
R
g
=1kO
f= 100hz
V
m
=5V
V
c

V
g

V
d

charge du condensateur
V
d
~0.7V
Simulation
29
Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.
Charge de C avec une constante de temps de R
g
C chaque fois que la diode est passante

Dcharge de C avec une constante de temps R
r
C

Le circuit remplit ses fonctions, si pour f >>1/R
r
C (~10
5
hz dans lexemple) :

en rgime permanent: V
d
~ V
g
- V
m

composante continue
30
Multiplieur de tension
Exemple : doubleur de tension
clamping
redresseur monoalternance avec filtre RC
~
V
g

R
c
>>R
g

R
g

V
D1
V
Rc

V
m
=10V, f=50Hz, C=10F

R
c
=100kO.
C
C
l

( ) 0 pour 2 sin > = t t f V V
m g
t
t
V
D1
,V
Rc

rgime transitoire / permanent
* En rgime tabli, le courant dentre du
redresseur est faible (~ impdance dentre
leve)
m m R
V V V
c
~ ~ 2 4 , 1 2
* Il ne sagit pas dune bonne source de
tension, puisque le courant de sortie (dans R
c
)
doit rester faible (~ rsistance interne leve)
31

Limpdance dentre de la charge doit tre >> R
f
+ R
transformateur
+R
protection

! source flottante ncessit du transformateur

charge
source
AC
Autre exemples : Doubleur de tension
Chapitre 2
32

Transistor bipolaire
33
le Transistor = llment clef de llectronique
il peut :
amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...

tre utilis comme une source de courant

agir comme un interrupteur command ( = mmoire binaire)
essentiel pour llectronique numrique

...
il existe :
soit comme composant discret

soit sous forme de circuit intgr, i.e. faisant partie dun circuit plus
complexe, allant de quelques units (ex: AO) quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)
2.1 Introduction
34
on distingue le transisor bipolaire du transistor effet de champ

diffrents mcanismes physiques
Ils agissent, en 1
ire
approx., comme une source de courant command

Idalement : ltage dentre ne dpend pas de ltage de sortie.
I
contrle

source de courant
commande par un
courant
contrle command
I A I =
A = gain en courant
transistor bipolaire : command par un courant
V
contrle

source de courant
commande par une
tension
contrle command
V G I =
G

= transconductance.
transistor effet de champ: command par une tension
2.1 Introduction
35
Structure simplifie
P
+

P
N
E
B
C
metteur
collecteur
base
Transistor PNP
E
C
Transistor NPN
N
N
P
B
+
couplage
entre les
diodes
diode EB
diode BC
Deux jonctions PN ou diodes couples effet transistor

Symtrie NPN/PNP
diode EB
diode BC
2.2 Structure et fonctionnement dun transistor bipolaire
36
Effet transistor
si V
EE
> ~ 0.7V , jonction EB passante V
BE
~0.7V, I
E
>>0
V
CC
> 0, jonction BC bloque => champ lectrique intense linterface Base/Collecteur
La majorit des lectrons injects par lmetteur dans la base sont collects par le champ
I
C
~I
E
et I
B
=I
E
-I
C
<< I
E
La jonction EB est dissymtrique (dopage plus lev ct E)
courant port essentiellement par les lectrons (peu de trous circulent de B vers E)
En mode actif, I
C
est contrl par I
E
, et non vice versa
Exemple: Transisor NPN
N N P
+
B
E
C
V
EE

V
CC

R
E
R
C

E
I
E

I
C

I
B

e
-

Conditions de polarisation : Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTI F du transistor
37
Premires diffrences entre le transistor bipolaire et la source commande idale...
Contraintes de polarisation : V
BE
>~0.7V, V
CB
> - 0.5V
.
Symboles
B
NPN
C
E
B
C
E
PNP
I
E
>0 en mode actif
PNP
I
C

I
E

I
B

Conventions des courants :
NPN
I
C

I
E

I
B

I
E
=I
B
+I
C
38
Choix des paramtres :
Configuration Base Commune
( base = lectrode commune)
Caractristiques : I
E
(V
BE
,V
BC
), I
C
(V
BC
,I
E
)

Configuration Emetteur Commun
(metteur= lectrode commune)
Caractristiques : I
B
(V
BE
, V
CE
), I
C
(V
CE
, I
B
)
La reprsentation des caractristiques en configuration collecteur commun est plus rare.
Les diffrentes grandeurs lectriques (I
E
, I
B
,
V
BE
,V
CE
,) sont lies:

diffrentes repsentations quivalentes des
caractristiques

lectriques existent
R
E
R
C

V
EE

V
CC

I
E

I
C

I
B

V
BE

V
CB

V
CE

2.3 Caractristiques du transistor NPN
39
Caractristiques en configuration BC :
~ caractristique dune jonction PN

! trs peu dinfluence de I
C
(resp. V
CB
)

(
|
|
.
|
\
|
~ 1 exp
T
BE
s E
V
V
I I
Jonction BE passante
I
E
>0, V
BE
~ 0.6-0.7V= V
o

Jonction BE bloqu
I
E
~ 0, V
BE
< 0.5 V
CAS DU TRANSISTOR NPN
I
E
(V
BE
, V
CB
) :
caractristique dentre
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)
I
E
(mA)
V
BE
(V)
V
CB
=0 , -15
0.1 0.5
1
2
40
I
C
(V
CB
, I
E
) :
1
1.5
2.0
tension seuil de la jonction BC
mode actif
+ pour V
CB
> ~-0.5V, on a I
C
=o
F
I
E
, avec o
F
proche de 1.
7 En mode actif, ( )
F E C E B
I I I I o = = 1
Ordre de grandeur : o
F
~0.95 - 0.99 o
F =
gain en courant continue en BC
I
E
(mA)
jonction PN polarise en inverse
V
CB
(V)
0.5
1.0
1.5
-0.5
1 2 3
0
I
c
(mA)
+ pour I
E
= 0, on a I
C
= courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0
7 Transistor en mode bloqu
+ pour V
CB
~ -0.7, la jonction BC est passante, I
C
nest plus controle par I
E
7 Transistor en mode satur
0.5
|
BE
V
E C
I I ~
41
Caractristiques en configuration EC :
I
B
(V
BE
, V
CE
) :
V
BE
(V)
I
B
(A)
0.1 0.2 0.3
0
0.5
1.5
3
0.1V
>1V
E
I
C

I
B

I
E

N N P
V
CE
=
+ V
BE
> 0.6V, jonction PN passante
I
B
<<I
E
charges non collectes par le champ lectrique de la jonction BC
+ Influence non-ngligeable de V
CE
sur o
F
Effet Early
( )
E F B
I I o = 1
caractristique dentre
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)
42
Droites de charges :
Le point de fonctionnement est dtermin par les caractristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliques au circuit.
Exemple : Comment dterminer I
B
, I
C
, V
BE
, V
CE
?
Droites de charges :
+V
CC

V
th

R
th

R
c

BE B th th
V I R V + =
th
BE th
B
R
V V
I
=
CE C C CC
V I R V + =
C
CE CC
C
R
V V
I
=
2.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit
43
Point de fonctionnement
V
BEQ
~0.6-0.7V, ds que V
th
> 0.7V
(diode passante
transistor actif ou satur)
V
BE
(V)
I
B

0.1 0.2 0.3
Q
I
BQ

V
BEQ

th
BE th
B
R
V V
I
=
CC CE CE
V V V
Q sat
s s
c
CC
c
CE CC
c CO
R
V
R
V V
I I
sat
~
s s
I
c
(mA)
V
CE
(V)
I
BQ

C
CE CC
C
R
V V
I
=
Q
V
CEQ

I
CQ

V
CEsat

I
CO

Q fixe le mode de fonctionnement du transistor
44
Exemple : Calcul du point de fonctionnement
+V
CC
=10V
V
th
=1V
R
th
=30kO
R
c
=3kO
h
FE
=100
A I
Q
B
10 =
mA I
Q
C
1 =
V V
Q
CE
7 =
On a bien : ~0,3 <V
CEQ
< V
CC

Rsultat cohrent avec le mode actif du transistor.
45
Remplacement de R
th
par 3kO :
A I
Q
B
100 =
mA I
Q
C
10 =
V V
Q
CE
20 = !!
Rsultat incompatible avec le mode actif

! le modle donne des valeurs erronnes
Cause :
I
c
(mA)
V
CE
(V)
I
BQ

Q
V
CEQ

En ayant augment I
BQ
,(rduction de R
th
)
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
V V
Q
CE
3 . 0 ~
et mA I
Q
C
2 . 3 =
+V
CC
=10V
V
th
=1V
R
th
=3kO
R
c
=3kO
h
FE
=100
46
Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor

Le choix du point de repos dpend de lapplication du circuit.

Il doit tre lintrieur du domaine de fonctionnement du transisor (I
C(B)
< I
max,
, V
CE (BE)
<V
max
,....)

Les principales caractristiques dun circuit de polarisation sont :

sensibilit par rapport la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur h
FE
, )

stabilit thermique.
(coefficient de temprature des diffrents paramtres du transistor :V
BE
, h
FE
,).
2.5 Circuits de polarisation du transistor
47
Circuit de polarisation de base ( courant I
B
constant)
B
cc
B
BE cc
B
R
V
R
V V
I
7 . 0
~
=
c c cc B FE c
I R V V I h I Q = =
CE
et :
V
CC

R
C

R
B

Consquence : A h
FE
A I
c
A V
CE
Le point de repos dpend fortement de h
FE
=inconvnient majeur

Circuit de polarisation peu utilis.
I
C

V
CE

c
cc
R
V
cc
V
Q
1

V
CE1

I
C1

2 transistors
diffrents mme I
B

Q
2

V
CE2

I
C2

Exemple : Transistor en mode satur R
B
tel que

en prenant pour h
FE
la valeur minimale garantie par le constructeur.
FE c
cc
B B
h R
V
I I
sat
~ >
Dispersion de fabrication:
h
FE
mal dfini
48
Polarisation par raction de collecteur
+V
CC

R
C

R
B

FE
B
C
CC
C
h
R
R
V
I
+
~
7 . 0
Le point de fonctionnement reste sensible h
FE

Proprit intressante du montage :
Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque V
CE

ne peut tre infrieur 0.7V
Cas particulier : R
B
=0
C
CC
C
R
V
I
7 . 0
~
Le transistor se comporte comme un diode.
V V
CE
7 . 0 =
49
Polarisation par diviseur de tension - polarisation courant (metteur) constant
R
1

R
2

R
E

R
C

+V
CC

Peu sensible h
FE
:

Bonne stabilit thermique de I
C
condition que V
th
>>V
o
<~> V
B
>>V
o

E
o th
C E
FE
th
R
V V
I R
h
R
si
~ <<
+V
CC

V
th

R
th

R
c

( )
C E C CC CE
I R R V V + =
CC th
V
R R
R
V
2 1
2
+
=
2 1
// R R R
th
=
avec
et
FE th E
o th
E C
h R R
V V
I I
/ +
~ ~ (V
o
~0.7V)
Rgles dor pour la conception du montage :

R
th
/R
E
s 0.1 h
FE
min

ou encore R
2
< 0.1 h
FE
min
R
E
I
R2
~10 I
b

V
E
~V
CC
/3
Diminuer R
th
augmente le courant de polarisation I
R1

50
Variation de faibles amplitudes autour dun point de fonctionnement statique
Comportement approximativement linaire
Modles quivalents
Caractristique dentre :
+V
CC

V
BB

v
B

R
E

R
C

V
Sortie

E
B

I
C

I
BQ

V
BE

0.2 0.4 0.6
0
I
B

V
BEQ

v
BE

i
B

t
t
Q
B
v
Pour v
B
petit:
" "
ie
be
be
T FE
E
be
Q
BE
B
b
h
v
v
V h
I
v
V
I
i =
~
c
c
~
FE
T
BE
s B
h
V
V
I I
(
|
|
.
|
\
|
~ 1 exp
h
ie
= rsistance dentre dynamique du
transistor en EC
2.6 Modle dynamique petits signaux
51
h
ie
i pour input, e pour EC, h pour paramtre hybride (cf quadriple linaire)
Notation :
E
T FE
ie
I
V h
h = " "
= rsistance dentre dynamique du transistor en EC
!

Ne pas confondre h
ie
avec limpdance dentre du circuit complet. (voir plus loin).

B
E
C
h
ie

i
b

v
be

!

A temprature ambiante (300K) on a :
( )
( ) O
~
mA I
h
h
E
FE
ie
26
52
Caractristique de sortie en mode actif :
b fe c
i h i " " ~
En premire approximation :
I
c

V
CE

I
BQ

Q
droite de charge
i
c
=h
fe
i
b

t
I
BQ
+i
b

Q
CE
V
v
ce
En tenant compte de leffet Early:
ce oe b fe c
v h i h i + = o
Q
CE
c
oe
V
I
h
c
c
=
h
fe
=gain en courant dynamique
~ h
FE
en Q (*)
i
b

h
ie

h
fe
i
b

B
E
C
i
c

B i
b

h
ie

h
fe
i
b

E
C
i
c

h
oe
-1

1
oe
h = impdance de sortie du transistor en EC
Ordre de grandeur : 100kO - 1MO
Le modle dynamique ne dpend pas du type (NPN ou PNP) du transistor
53
I
c

V
CE

I
B
(A)
droite de charge
1
5
10
15
20
I
c

I
B
(A)
Q Q
tangente en Q
b fe c
i h i =
B FE C
I h I =
droite passant par lorigine
FE fe
h h ~
on a gnralement :
sauf proximit du domaine satur
Note sur h
FE
et h
fe
:
54
Analyse statique / analyse dynamique

Exemple: Amplificateur de tension
V
CC

R
1

R
2

R
c

R
E

C
v
g

V
s
=V
S
+v
s

composante
continue
signal
V
CC

R
1

R
2

R
c

R
E

V
S

statique
+ Point de fonctionnement statique Q (cf avant)
Analyse statique : on ne considre que la composante continue des courants et tensions
C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule travers C).
V I R V V
N A
C c CC S
Q
10
.
= =
mA I
R
V V
R R
R
I
N A
C
E
BE CC
E
Q Q
2 . 2
. actif mode
2 1
2
= ~
|
|
.
|
\
|
+
~
A.N.:
V
cc
=15V
R
1
=47k
R
2
=27k
R
c
=2.4k
R
E
=2.2k
h
FE
=100

55
Hypothses : transistor en mode actif schma quivalent du transistor
Analyse dynamique :
e iC
1
v
g

R
1
// R
2

R
E

h
ie

h
fe
i
b

i
b

v
s

R
c

en ngligeant h
oe
...
Schma dynamique du circuit :
e iC
1
v
g

R
1

R
2

R
E

i
b

v
s

R
c

(circuit ouvert)
h
ie

h
oe
-1

h
fe
i
b

transistor
56
Pour C suffisamment leve on peut ngliger son impdance devant les rsistances :
Calcul de la fonction de transfert v
s
/v
g
:
i
b

v
g

R
1
// R
2

R
E

h
ie

h
fe
i
b

v
s

R
c

E
R
i
( )
b E fe ie R E b ie g
i R h h i R i h v
E
+ = + =
b fe c s
i h R v =
fe
ie
E
c
fe E ie
fe c
g
s
h
h
R
R
h R h
h R
v
v
+
=
+
=
Pour R
E
>> h
ie
/h
fe
on retrouve le rsultat de la page 94.
57
+V
CC

-V
EE

R
L

v
g

R
g

source
charge
v
L

v
e

i
e

i
L

Z
e

v
s

Z
s

Gain en tension :
Comme Z
s
= 0 le gain en tension dpend de la charge
e
s
R
e
L
v
v
v
v
v
A
L
= =
=
Gain en circuit ouvert :
Dfinitions
Gain sur charge :
v
s L
L
e
L
vL
A
Z R
R
v
v
A
+
= =
* Comme Z
e
= , A
vc
diffre de A
vL

vL
e i
e
g
L
vc
A
Z R
Z
v
v
A
+
= = Gain composite:
(tient compte de la
rsistance de sortie
de la source)
Gain en courant :
L
e vL
e
L
i
R
Z A
i
i
A = =
Gain en puissance :
i v
e g
L L
p
A A
i v
i v
A
c
= =
Chapitre 3
58

Amplificateur oprationnel
59
3.1 structure idale
c
V
S
+
-
+V
alim
-V
alim
- structure damplification deux entres et une sortie
- lnergie ncessaire pour amplifier est apporte par une alimentation DC externe qui peut-tre :
une alimentation symtrique : V
alim
= +V
alim
= -V
alim
une alimentation positive : V
alim
= +V
alim
et V
alim
= 0

En gnral : (V
sat
= -V
alim
+ T
dchet
) < V
s
< (V
sat
= +V
alim
T
dche
) avec (T
dchet
= 0,6 V)
il existe des ampli-oprationnels rail to rail pour lesquels : -V
alim
< V
s
< +V
alim

Cest un amplificateur en tension :
Fonction ralise : V
S
=A
c= A
(V
+
-V
-
)
A

: gain en tension infini dans le cas idal

Caractristique de la fonction de transfert :
c
V
S
Pente infinie
60
Impdance dentr et impdance de sortie
Source
Charge Amplificateur
Av
i
R
L
v
S
v
e
R
i
v
L
R
0
+
-
En entre (on a un diviseur de tension) :
e
e i
i
i
v
R R
R
v
+
=
R
e
Pour avoir v
i
= v
e
il faut R
i
>> R
e
donc idalement R
i
=>
En sortie (on a un diviseur de tension) :
i
L
L
S
Av
R R
R
v
+
=
0
Pour avoir v
L
= Av
i
il faut idalement R
0
~ 0
Conclusion si R
i
= et R
0
= 0
:

e S
Av v =
3.1 structure idale
61
Un fonctionnement linaire

-montage avec contre raction
Un fonctionnement non linaire

- montage avec raction positive
Mais, si on prlve une partie du signal de sortie pour linjecter :
Sur la borne (-) on obtient : Sur la borne (+) on a alors :
Seule, cette structure est peu intressante (except pour le fonctionnement en
comparateur) puisque :

- si c > 0 alors V
S
= V
sat
- si c < 0 alors V
S
= -V
sat

3.1 structure idale
62
Fonctionnement en rgime linaire :
Montage avec contre raction
c
v
S
-
+
v
e
R
1
R
2
Mise en quation :
V
+
=V
e
Millman :

s s
s
kv v
R R
R
R R
R
v
R
v =
+
=
+
+
=
2
2
1 1
0
1
1
1
2 1
c =V
+
-V
-
= v
e
- kv
s

k k
v
v
e
S
c
=
droite de pente 1/k
v
S
Discussion :
Reprsentation graphique :
Un point de fonctionnement :
c= 0 donc V
+
= V
-

c
k
v
e
v
sat
-v
sat
pente : -1/k
3.1 structure idale
63
c
v
S
+
-
v
e
R
1
R
2
Mise en quation :
V
-
=V
e
On a diviseur de tension en V
+
:

s s
kv v
R R
R
v =
+
=
+
2 1
1
c =V
+
-V
-
= kv
s
- v
e

k k
v
v
e
S
c
+ =
droite de pente 1/k
v
S
Discussion :
Reprsentation graphique :
V
e
/k nest pas un point de fonctionnement stable :
c > 0 conduit V
S
= +V
sat
c < 0 conduit V
S
= -V
sat

c
k
v
e
+v
sat
-v
sat
pente : +1/k
A
B
Fonctionnement non linaire :
montage avec raction positive
3.1 structure idale
64
Montage non inverseur :
Montage suiveur :
fonction de transfert

Impdance dentre : car i
e
=>0

Impdance de sortie :
1
2 1
R
R R
v
v
e
S
+
=
= =
e
e
e
i
v
Z
0
0
= =
=
e
v
S
S
S
i
v
Z
c
v
S
-
+
v
e
R
1
R
2
i
e
i
b
c
v
S
-
+
v
e
1 =
e
S
v
v
Montage inverseur :
v
S
-
+
v
e
R
1
R
2
i
e
i
b
1
2
R
R
v
v
e
S
=
fonction de transfert

Impdance dentre :
Impdance de sortie infinie
1
R
i
v
Z
e
e
e
= =
3.2 montages linaires
65
Montage sommateurs :
Additionneur inverseur : Soustracteur diffrentiel :
R

v
S
-
+
v
e1
R
1
v
e2
R
2
v
ei
R
i
En utilisant le thorme de superposition :
(
+ + + =
N
N
S
R
v
...
R
v
R
v
R v
2
2
1
1
Chaque voie dentre possde une impdance propre

Limpdance de sortie est nulle :
{ }
0
0
1
= =
=
= N .. i
v
S
S
S
i
v
Z
v
S
-
+
v
e1
R
1
v
e2
R
2
R

R
3
3 2
3
2
R R
R
v v
e
+
=
+
S e
v
R R
R
v
R R
R
v
+
+
+
=
1
1
1
1
Do :
|
|
.
|
\
|
+
+
|
|
.
|
\
|
+
=
1
1
2
3 2
3
1
1
e e S
v
R R
R
v
R R
R
R
R R
v
Impdance de sortie nulle

Impdance dentre :
1 1
R Z
e
=
3 2 2
R R Z
e
+ =
66
Convertisseur courant-tension :
Source de courant :
v
S
-
+
R
1
i
e
Photodiode
Application :
v
S
-
+
R

i
e
AN : i
e
= 10uA
R=1MO

V
S
= 10 V
Impdances dentre et de sortie : nulles
V
+
=V
-
=0

V
S
=-R
1
i
e
v
S
-
+
R
L i
S
v
e
R

V
+
=V
-
=V
e

i
S
=V
e
/R

Impdance dentre infinie
Impdance de sortie infinie :
i
s
est indpendante de la charge
R
L
est flottante : aucune rfrence un potentiel
fixe : elle correspond la charge
0
0
s
v
S
S
S
v
i
v
Z
e
=
=
Application :
Commande de lintensit traversant
une ampoule ou dune DEL
67
Avertissement : Pour comprendre le fonctionnement en frquence dun AOP
Il faut abandonner le modle parfait utilis dans la premire partie
Par construction le comportement en frquence de lAOP est de type passe-bas avec :
- une frquence de coupure ( e
c
) de lordre de 10 Hz
- un gain en tension A
v
important (et non plus infini) de lordre de 10
5

Ce qui conduit au diagramme de Bode en gain :

Cette fonction de transfert scrit :
|
|
.
|
\
|
e
e
+
= e
C
v
j
A
) j ( H
1
log e
20 log (V
s
/V
e
)
0
e
c

pente 20 dB/dec
20 log (A
V
)
3.3 Comportement en frquence
68
Comportement en frquence du montage non inverseur (1/2) :
c
v
S
-
+
v
e
R
1
R
2
i
e
i
b
s s
kV V
R R
R
v =
+
=
2 1
1
Mise en quation :

) V V )( j ( H ) j ( H V donc
j
A
) j ( H
e S
C
v
e = c e =
|
|
.
|
\
|
e
e
+
= e
1
Fonction de transfert :

'
c
'
v
v c
v
v
c
v
c
c
v
c
v
c
v
e
s
j
A
) kA (
j
kA
A
j
kA j
j
A
j
A
k
j
A
V
V
e
e
+
=
+ e
e
+
+
=
e
e
+
+
e
e
+
e
e
+
=
|
|
|
|
.
|
\
|
e
e
+
+
e
e
+
=
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
6
1
2 1
10
1
1
~
+
= ~
+
=
v
v
v '
v
A car
R
R R
k kA
A
A
c v c v
c
kA ) kA ( ' e ~ e + = e 1
69
Comportement en frquence du montage non inverseur (1/2) :
log e
20 log (V
s
/V
e
)
0
e
c

20 log (A
V
)
20 log (A
V
)
e
c

Diagramme de Bode obtenu :
On constate que :

le produit gain bande est constant puisque : A
v
e
c
= A
v
e
c

v
S
-
+
v
e
R
1
R
2
i
e
i
b
70
Montage intgrateur ou passe-bas (1/2) :
R

v
S
-
+
v
e
C

i

i

log e
20 log (V
s
/V
e
)
0 dB
e
c

20 log (A
V
)
1/RC
RC
avec
j
jRC R
jC
Z
Z
v
v
a
a
R
C
e
s
1 1 1
1
= = = = = e
e
e
e
e
71
Montage intgrateur ou passe-bas (2/2) :
R

v
S
-
+
v
e
C

i

i

R
1
log e
20 log (V
s
/V
e
)
0
20 log (A
V
)
1/RC
20 log (R
1
/R)
1/R
1
C
=> limitation du gain basses frquences
|
|
.
|
\
|
e +
= =
C jR R
R
Z
R // Z
v
v
R
C
e
s
1
1
1
1
log e
0
Arg(V
s
/V
e
)
t
t/2
Inverseur
Intgrateur
72
Montage drivateur ou passe-haut (1/2) :
v
e
R

v
S
-
+
C
i

i

log e
20 log (V
s
/V
e
)
0
20 log (A
V
)
1/RC
RC
avec j jRC
Z
Z
v
v
a
a C
R
e
s
1
= = = = e
e
e
e
73
Montage drivateur ou passe-haut (2/2) :
v
e
R

v
S
-
+
C

i

i

R
1
=> limitation du gain hautes frquences
e
e
e
e
C jR
C jR
R
R
C jR
jRC
v
v
e
s
1
1
1 1
1 1 +
=
+
=
log e
20 log (V
s
/V
e
)
20 log (A
V
)
1/RC
1/R
1
C
20 log (R/R
1
)

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