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IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12KE3
-EconoPACK+ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode
-EconoPACK+withtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25C VCES 1200 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80C, Tvj max = 150C IC nom 450 A
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25C, Tvj max = 150C IC 600 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 900 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25C, Tvj max = 150 Ptot 2100 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage
preparedby:MB dateofpublication:2013-10-02
approvedby:WR revision:3.1
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12KE3
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HchstzulssigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25C VRRM 1200 V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF 450 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 900 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C It 35000 As
It-value
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
TC = 25C R25 5,00 k
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100C, R100 = 493 R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K
B-value
AngabengemgltigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12KE3
Modul/Module
Isolations-Prfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
Al2O3
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink 14,5
mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Luftstrecke Kontakt-Khlkrper/terminaltoheatsink 10,0
mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI > 225
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wrmewiderstand,GehusebisKhlkrper proModul/permodule
RthCH 0,005 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(mK)/grease=1W/(mK)
Modulstreuinduktivitt
LsCE 20 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlsse-
Chip TC=25C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 1,10 m
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 125 C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gltigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlsse SchraubeM6-Montagegem.gltigerApplikationsschrift
M 3,0 - 6,0 Nm
Terminalconnectiontorque ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
G 910 g
Weight
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12KE3
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=125C
900 900
Tvj = 25C VGE = 19V
Tvj = 125C VGE = 17V
VGE = 15V
750 750 VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
600 600
IC [A]
IC [A]
450 450
300 300
150 150
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]
bertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=15V,RGon=1.6,RGoff=1.6,VCE=600V
900 140
Tvj = 25C Eon, Tvj = 125C
Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C
120
750
100
600
80
E [mJ]
IC [A]
450
60
300
40
150
20
0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 150 300 450 600 750 900
VGE [V] IC [A]
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12KE3
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWrmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=15V,IC=450A,VCE=600V
180 0,1
Eon, Tvj = 125C ZthJC : IGBT
Eoff, Tvj = 125C
160
140
120
ZthJC [K/W]
100
E [mJ]
0,01
80
60
40
i: 1 2 3 4
20 ri[K/W]: 0,0036 0,0198 0,0192 0,0174
i[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
0 0,001
0 2 4 6 8 10 12 14 16 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [] t [s]
SichererRckwrts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=15V,RGoff=1.6,Tvj=125C
1000 900
IC, Modul Tvj = 25C
900 IC, Chip Tvj = 125C
750
800
700
600
600
IC [A]
IF [A]
500 450
400
300
300
200
150
100
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VCE [V] VF [V]
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12KE3
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=1.6,VCE=600V IF=450A,VCE=600V
50 50
Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 125C
45 45
40 40
35 35
30 30
E [mJ]
E [mJ]
25 25
20 20
15 15
10 10
5 5
0 0
0 150 300 450 600 750 900 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
IF [A] RG []
TransienterWrmewiderstandDiode,Wechselrichter NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
ZthJC=f(t) R=f(T)
1 100000
ZthJC : Diode Rtyp
0,1 10000
ZthJC [K/W]
R[]
0,01 1000
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,006 0,033 0,032 0,029
i[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
0,001 100
0,001 0,01 0,1 1 10 0 20 40 60 80 100 120 140 160
t [s] TC [C]
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12KE3
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehuseabmessungen/packageoutlines
In fin e o n
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FS450R12KE3
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfrtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfrIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstndigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfrdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,frdiewireineliefervertraglicheGewhrleistungbernehmen.Eine
solcheGewhrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfrdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsbernommen.DieAngabenindengltigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbentigen,dieberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfrSiezustndigenVertriebsbroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FrInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenknnteunserProduktgesundheitsgefhrdendeSubstanzenenthalten.BeiRckfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfrSiezustndigenVertriebsbroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefhrdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfrdieseFlle
-diegemeinsameDurchfhrungeinesRisiko-undQualittsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualittssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinfhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhngigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlichenderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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