UNIVERSITE HASSAN Ier

Faculté des Sciences et Techniques de Settat

Département de Physique Appliquée A.U.: 2007/2008

Settat le 08/05/2008

Filière EEA
CONTROLE N°1 (Durée 2 heures)
(Documents non autorisés)
On considère le JFET ayant les caractéristiques suivantes :

On se placera à 25°C.

1°) Déterminez la valeur de IDSS et VP (tension de pincement).

2°)

a) Déterminez graphiquement la valeur de gm1 si ce JFET est polarisé à ID=1mA, puis gm5 si ce JFET

est polarisé à ID=5mA.

b) Sachant que l’on veut utiliser ce composant en amplificateur, vaut-il mieux le polarisé à 1mA ou

à 5mA ? Expliquez.

3°) On place le JFET précédent dans le montage suivant.

Pr. B.ABBOUD Contrôle 2 EEA

 a) Dessinez le schéma statique du montage

b) Calculez le potentiel VG sur la grille du JFET.

c) On souhaite polariser le montage à I D = 5mA. Après avoir déterminé la valeur V GS

conduisant à la circulation de ce courant, calculez la valeur que devra prendre la résistance

R1.

d) Pour forcer le JFET à rester dans sa zone d’amplification (zone de plateaux), il faut

VDS>VGS+|VP|. Calculez la valeur limite que devra prendre la résistance R 2, en précisant si

c’est une résistance min ou max permettant ce fonctionnement.

4°) On prendra R1 = 1560 et R2 = 470.

a) Dessinez le schéma équivalent en petits signaux du montage.

b) En reprenant gm5 = 4,6mA/V (pour ID = 5mA), déterminez les valeurs numériques de l

´impédance d’entrée Re du montage, de l´impédance Rs de sortie, ainsi que du gain en charge

Av=Vs/Ve.

Pr. B.ABBOUD Contrôle 2 EEA