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E04 Fabrication Des Modules PV
E04 Fabrication Des Modules PV
panneaux photovoltaïques
Par Michel Villoz – PVsyst SA
michel.villoz@pvsyst.com
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• Cellules au silicium
• Cellules couches-minces
• Technologies des cellules solaires
• Fabrication des cellules solaires
• Panneaux solaires
• Champ photovoltaïque
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Cellules au silicium
En ajoutant des matériaux avec trop (P) ou pas assez (B) d’électrons
dans la couche externe, on dope le semi-conducteur pour lui donner une
polarité intrinsèque positive ou négative.
Les matériaux les plus favorables pour ce dopage seront voisins du Si
(exemple) pour s’adapter facilement à la taille du cristal.
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Fabrication du silicium cristallin
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Tirage du silicium
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Lingots de silicium
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Une fois les wafers de silicium constitués, le plus souvent de type p, il reste les étapes
suivantes pour fabriquer la cellule solaire (technologie simple) :
• Le décapage de la surface pour éliminer les défauts de sciage, puis une gravure
sélective pour obtenir une surface texturée en petites pyramides, ce qui améliore la
collecte de la lumière dans toutes les directions.
• Une diffusion de phosphore pour réaliser la jonction p-n pour obtenir une couche n+
en surface et n à la jonction.
• Un dopage de l'arrière avec de l'aluminium (sérigraphie et cuisson), ce qui crée une
diffusion p+ et une surface métallisée améliorant la collecte des charges.
• L’abrasion latérale de la diffusion n (contact entre l’avant et l’arrière).
• Le dépôt d'une couche antireflet sur l'avant.
• Le dépôt d’une grille de métallisation sur la face avant (électrode (-)).
• Le dépôt d'un métal soudable sur l'arrière (électrode (+)).
• Le test et tri de toutes les cellules fabriquées.
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Cellule silicium
1. Grille de collection
avant
2. Couche antireflets
3. Surface avant dopée
n et texturée
3-4. Jonction et
champ électrique
4. Substrat dopé p
4-5. BSF, champ arrière
5 Dopage p+
6 Métallisation
aluminium
7. Métallisation
soudable
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Cellule poly cristalline
• Pour éviter le tirage en mono cristal, on refont tous les déchets cristallins
dans un creuset carré. Des cristaux d’orientations multiples se forment et
les impuretés ont tendance à être repoussées aux frontières entre
orientations (joins de grains).
• Ce matériau est ensuite découpé en tranches carrées (gain de matière) par
les mêmes scies à fil.
• La présence d’impuretés plus nombreuses peu poser des problèmes et les
orientations multiples réduisent l’homogénéité de surface de la cellule mais
le prix de base du matériau plus abordable est intéressant.
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Wafer polycristallin
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Cellule au silicium amorphe (a-Si)
• Le matériau est sous forme vitreuse non cristallisée. Les liaisons sont
maintenues à courtes distances (2 à 3 liaisons atomiques).
• Sous forme pur, ne peut pas être dopé mais fabriqué à partir du Silane
(SiH4), la présence d’H se liant aux liaisons pendantes réduit les défauts et
permet le dopage.
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Cellule au silicium amorphe (a-Si)
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Réponse spectrale
Le Si amorphe répond mieux aux petites longueurs d’onde que le cristallin et est plus
proche de notre sensibilité spectrale. C’est pourquoi il fonctionne mieux pour alimenter
des appareils fonctionnant sous éclairages artificiels (lumière froide).
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Cellule au silicium
25 monocristallin
Icc = 29 mA
Voc = 0.60 V
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FF = 0.72
η = 12.5 %
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Cellule au silicium
10 amorphe
Icc = 13 mA
Voc = 0.85V
5
FF = 0.68
η = 7.5 %
Tension [V]
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Cellules Si et a-Si
Les 2 courbes I/V illustrent bien les différences entre ces 2 matériaux.
Avantages du cristallin :
• Plus grande densité de courant.
• Courbe I/V plus carrée (meilleur FF).
• Rendement actuel plus élevé, typique 17 à 24 %.
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Cellule Si à contacts arrières
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Panneaux à cellule Si à contacts arrières
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Cellule HIT
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Cellule HIT
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Cellule HIT
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