ELECTRONIQUE 1

Novembre 2012
Documents interdits ; Calculatrice personnelle autorisée ; Durée de l’examen : 1h30.
La présentation des résultats et la rédaction seront prises en compte.
Le barème est donné à titre indicatif : il peut être amené à être reconsidéré
à plus ou moins un point pour un exercice si nécessaire.

Exercice 1 Résistances équivalentes (3 points) R1 = 85 kΩ R3 = 10 kΩ

1.1) Le schéma de la figure ci-contre A

représente une association de 4 résistances.
Déterminer la résistance équivalente
du dipôle AB ainsi formé par cette association. R2 = 30 kΩ R4 = 20 kΩ

1.2) Déterminer la résistance équivalente entre les points A et B B

du circuit de la figure ci-contre :

R1 = 1 kΩ, R2 = 500 Ω, R3 = 500 Ω

R1 R2

A C
R3
Question de cours : Nature des informations (3,5 points)
Donner une définition :
 d’une grandeur analogique,
 d’une variable logique ;
 d’une variable numérique.
Vous pouvez illustrer vos définitions par des représentations graphiques de la grandeur ou variable.
Citer 4 exemples de domaines d’application respectivement 2 pour l’électronique analogique et 2
pour l’électronique numérique.
Au sein d’un conducteur métallique en cuivre de machine tournante, aux fréquences industrielles
(50 Hz) comment est répartie la densité de courant J au sein du conducteur ? Quel phénomène
observons-nous ? Comment varie ce phénomène avec la fréquence ? Donner la relation liant les
grandeurs. Que se passe-t-il en régime continu ?

Exercice 2 Influence de la température sur la valeur de la résistance

d’un conducteur métallique (5 points)
La société ALUDIS est distributrice de produits et semis
produits en aluminium et en titane. Elle fournit entre autres
fils et câbles en aluminium.
Notre enroulement est constitué d’une longueur de 600 m de fil d’aluminium.
Les caractéristiques géométriques du fil sont :
la section du fil est cylindrique et de diamètre 5 mm.
On donne :
- la résistivité de l’aluminium, à une température de 20°C : ρ = 2,65.10-8 Ω.m
- le coefficient de température de l’aluminium α = 3900.10- 6 °C-1.

1ère Année Préparatoire Année 2012-2013

2.1) Rappeler la formule empirique de la résistance en précisant chaque grandeur et son unité.
2.2) Déterminer la valeur ohmique de la résistance de cet enroulement à une température de 20°C.
2.3) Rappeler la formule de base permettant de calculer la résistance en fonction de la température
en précisant chaque grandeur ainsi que son unité.
2.4) La température d’utilisation de ces fils conducteurs en aluminium peut atteindre 100°C.
Calculer la valeur de la résistance de l’enroulement à cette nouvelle température de 100°C.
2.5) Dans le cas de l’augmentation en température de 20°C à 100°C, décrire brièvement quel
phénomène physique se produit au niveau microscopique puis préciser comment varient la
mobilité des électrons libres, la conductivité, ainsi que la résistivité et la résistance en fonction de
cette augmentation de température.
2.6) Les enroulements de fils conducteurs d’aluminium sont stockés dans un refuge en haute
montagne à une température de -20°C. Calculer la valeur ohmique de la résistance de notre
enroulement de 600 m à la température de -20°C.
2.7) Dans le cas de la diminution de température de 20°C à -20°C, décrire brièvement quel
phénomène physique se produit au niveau microscopique puis préciser comment varient la
mobilité des électrons libres, la conductivité, ainsi que la résistivité et la résistance en fonction de
cette diminution de température.
Exercice 3 Capacité d’un condensateur plan (1,5 points)
Déterminez la capacité en pF d’un condensateur plan à plaques parallèles.
Les caractéristiques du condensateur plan sont les suivantes :
‐ l’aire d’une plaque vaut 0,04 m2 ;
‐ l’épaisseur du diélectrique est de 4 cm ;
‐ le diélectrique est du plexiglas de permittivité relative de 3,3.
On donne la permittivité du vide ε0 = 8,9. 10-12 F.m-1.

Exercice 4 Particularités et Propriétés des semi-conducteurs (7 points)

Soit un barreau de silicium pur de section S égale à 2 cm2 et de longueur L égale à 10 cm auquel on
applique une tension V à ses extrémités de valeur égale à 10V.
On donne les valeurs des paramètres suivants :
La concentration n en électrons libres est égale à la concentration p de trous.
Concentration des porteurs de charge positive et négative à T = 300K :
n = p = 1,5. 1010 porteurs/cm3
Mobilité des électrons : µn = 1 350 cm2/Vs
Mobilité des trous : µp = 500 cm2/Vs
Charge électrique élémentaire : e = 1,6.10-19 C
Le champ électrique E dans le barreau s’élève à E = V/L = 10/0,1 soit E =100 V.m-1
4.1) Calculer la conductivité, la résistivité, la résistance du barreau, la vitesse de déplacement des 2
types de porteurs de charge et le courant traversant le barreau.
Dopage du silicium
On introduit alors des atomes de bore dans le silicium en quantité égale à 1016 atomes de bore/cm3.
Le bore se comporte en accepteur d’électrons et la conductivité du barreau s’exprimera uniquement
en fonction des porteurs majoritaires qui sont donc les trous.
Par conséquent, on prendra p = 1016 trous/cm3.

4.2) Calculer la conductivité et la résistivité du barreau dopé, la résistance et le courant traversant le

barreau dopé.
4.3) Conclure sur ce que permet d’obtenir le dopage d’un semi-conducteur.

1ère Année Préparatoire Année 2012-2013